期刊文献+
共找到45篇文章
< 1 2 3 >
每页显示 20 50 100
F波段宽带分谐波混频器设计
1
作者 徐奕 陈振华 +1 位作者 王晓燕 祁博宇 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第10期1241-1249,共9页
针对大带宽、低损耗的应用场景,研制了一款覆盖整个F波段(90~140GHz)的分谐波混频器。混频器采用国产分立二极管器件,以波导-石英混合集成电路形式实现。混频电路中所涉及的耦合探针、紧凑谐振滤波等结构均集成于厚度为127μm的单片石... 针对大带宽、低损耗的应用场景,研制了一款覆盖整个F波段(90~140GHz)的分谐波混频器。混频器采用国产分立二极管器件,以波导-石英混合集成电路形式实现。混频电路中所涉及的耦合探针、紧凑谐振滤波等结构均集成于厚度为127μm的单片石英基片上,通过设计高鲁棒性的直流接地回路以及紧凑谐振滤波单元,实现了整个石英基片的紧凑化及宽带混频特性。测试结果表明,所设计的分谐波混频器在12dBm本振功率激励下,可在90~140GHz频率范围内实现12~16d B的单边带变频损耗,本振和中频工作带宽分别为45~70GHz以及DC~15GHz,可以用于频谱扩展测量系统中。 展开更多
关键词 F波段 分谐波混频器 混合集成电路 肖特基二极管
在线阅读 下载PDF
基于GCPW的220GHz砷化镓芯片基波混频电路
2
作者 顾国栋 王国瑾 +6 位作者 朱忠博 郝晓林 张立森 宋旭波 徐鹏 梁士雄 冯志红 《空间电子技术》 2024年第4期65-70,共6页
为了提高太赫兹收发系统的集成度,设计并制备了220GHz基于共面波导输出接口的片上砷化镓基波混频电路。首先,对研制的砷化镓肖特基二极管的I-V和C-V进行测试表征,并提取了相应的肖特基二极管电路参数。其次,分别设计了串联肖特基二极管... 为了提高太赫兹收发系统的集成度,设计并制备了220GHz基于共面波导输出接口的片上砷化镓基波混频电路。首先,对研制的砷化镓肖特基二极管的I-V和C-V进行测试表征,并提取了相应的肖特基二极管电路参数。其次,分别设计了串联肖特基二极管、低通滤波器、3dB耦合器等结构,并对其进行了联合仿真,实现了220GHz混频基波电路。最后,通过优化整合工艺,采用二极管倒装的形式封装在电路上形成片上混频器。对研制的混频电路进行了测试验证:在固定中频5GHz的条件下,测试结果表明在200GHz~220GHz频率范围内芯片的变频损耗均小于15dB,在204GHz处获得了最低损耗10.6dB。基于GCPW的砷化镓芯片电路结构简单,无需波导腔体装配,可以与其他射频器件集成在一起,减小芯片体积,增加集成度。 展开更多
关键词 太赫兹 肖特基二极管 接地共面波导 基波混频
在线阅读 下载PDF
基于肖特基平面二极管的150GHz和180GHz固定调节式倍频源(英文) 被引量:11
3
作者 姚常飞 周明 +2 位作者 罗运生 王毅刚 许从海 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期102-107,共6页
利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体... 利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体电路性能,提取相应的S参数文件,分析倍频器的效率.150 GHz二倍频器在149.2 GHz测得最高倍频效率7.5%,在147.4~152 GHz效率典型值为6.0%;180 GHz二倍频器在170 GHz测得最高倍频效率14.8%,在150~200 GHz效率典型值为8.0%. 展开更多
关键词 二倍频器 肖特基平面二极管 谐波平衡分析 效率
在线阅读 下载PDF
基于二极管3D精确模型的0.42 THz分谐波混频器 被引量:10
4
作者 刘戈 张波 +4 位作者 张立森 王俊龙 邢东 陈哲 樊勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期338-343,共6页
基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制宽带360~440 GHz分谐波混频器。详细描述二极管建模,以模拟在极高频复杂电磁环境中由于二极管结构引入的相关寄生效应.在软件HFSS与ADS中,通过场与路结... 基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制宽带360~440 GHz分谐波混频器。详细描述二极管建模,以模拟在极高频复杂电磁环境中由于二极管结构引入的相关寄生效应.在软件HFSS与ADS中,通过场与路结合的方法对分谐波混频器进行优化.实测结果显示在本振信号为210 GHz本振功率6 d Bm的驱动下,在406 GHz可得到最小变频损耗9.99 d B,在380~430 GHz范围内,变频损耗小于15 d B,在360~440 GHz范围内,变频损耗小于19 d B. 展开更多
关键词 分谐波混频器 变频损耗 寄生参数 肖特基二极管
在线阅读 下载PDF
基于倒扣技术的190~225GHz肖特基二极管高效率二倍频器(英文) 被引量:6
5
作者 姚常飞 周明 +1 位作者 罗运生 寇亚男 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期6-9,28,共5页
基于分立式GaA s肖特基势垒二极管,研制出了190~225 GHz高效率二倍频器.50μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻... 基于分立式GaA s肖特基势垒二极管,研制出了190~225 GHz高效率二倍频器.50μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻抗匹配电路.在202 GHz,测得最高倍频效率为9.6%,当输入驱动功率为85.5 mW时,其输出功率为8.25 mW;在190~225 GHz,测得倍频效率典型值为7.5%;该二倍频器工作频带宽、效率响应曲线平坦,性能达到了国外文献报道的水平. 展开更多
关键词 GaAs肖特基二极管 二倍频器 太赫兹 效率
在线阅读 下载PDF
140 GHz基于CPWG单平衡基波混频GaAs集成电路 被引量:5
6
作者 蒋均 陆彬 +4 位作者 何月 曾建平 缪丽 邓贤进 张健 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2018年第3期369-373,共5页
通过在300μm厚度的Ga As衬底条件下,利用共面波导传输线实现了基波混频集成电路设计。利用半导体分析仪测试I-U和C-U曲线,并成功提取了相应的肖特基二极管模型。结合建立的肖特基二极管模型,代入Lange耦合器、中频结构和匹配网络等实现... 通过在300μm厚度的Ga As衬底条件下,利用共面波导传输线实现了基波混频集成电路设计。利用半导体分析仪测试I-U和C-U曲线,并成功提取了相应的肖特基二极管模型。结合建立的肖特基二极管模型,代入Lange耦合器、中频结构和匹配网络等实现了140 GHz零中频基波混频片上电路,并加入了地-信号-地(GSG)测试封装。最终仿真结果表明:在固定中频1 GHz的条件下,变频损耗最优为-7 dB,3 dB带宽大于40 GHz。 展开更多
关键词 太赫兹 基波混频 零中频 厚基板 共面波导
在线阅读 下载PDF
基于微带线的W波段二次分谐波混频器设计 被引量:8
7
作者 许正彬 钱澄 +1 位作者 窦文斌 苏红艳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期242-247,共6页
采用微带混合集成电路技术设计了一款W波段二次分谐波混频器.通过分析二级管封装结构引入的寄生参量,提出了一种减小二级管并联寄生电容的方法.为了避免在W波段使用传统分谐波混频器中普遍使用的过孔接地及侧边平行耦合微带线带通滤波器... 采用微带混合集成电路技术设计了一款W波段二次分谐波混频器.通过分析二级管封装结构引入的寄生参量,提出了一种减小二级管并联寄生电容的方法.为了避免在W波段使用传统分谐波混频器中普遍使用的过孔接地及侧边平行耦合微带线带通滤波器,提出了一种改进型分谐波混频器结构.测试结果表明混频器在本振频率为45 GHz,中频频率为2.4 GHz时单边带变频损耗最小,最小值为8 dB.射频频率在90~100 GHz测试频率范围内,变频损耗的测量值小于10.5 dB. 展开更多
关键词 微带线 W波段 分谐波混频器 寄生参量
在线阅读 下载PDF
三毫米波段二次谐波混频器 被引量:7
8
作者 向博 窦文斌 何敏敏 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期343-346,349,共5页
采用微带结构研制出三毫米波段二次谐波混频器.该混频器核心器件采用型号为MS8251的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对.根据二次谐波混频器对本振、射频和中频网络的要求,先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大... 采用微带结构研制出三毫米波段二次谐波混频器.该混频器核心器件采用型号为MS8251的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对.根据二次谐波混频器对本振、射频和中频网络的要求,先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大信号阻抗,由此设计出本振网络;然后模拟出该器件在大信号本振激励下的小信号射频输入阻抗,并由此设计出射频网络.还设计了三毫米波波导到微带过渡转换,整个电路设计和安装在介电常数为2.22,厚度为0.127 mm的RT/Duroid 5880基片上.当本振频率为46.3 GHz时,该混频器射频输入90~95 GHz,实测带内变频损耗小于15 dB. 展开更多
关键词 3毫米波 二次谐波混频器 变频损耗 肖特基势垒二极管对
在线阅读 下载PDF
330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器 被引量:3
9
作者 刘戈 张波 +3 位作者 张立森 王俊龙 邢东 樊勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期252-256,共5页
在太赫兹频段,二极管尺寸与波长相比已不能忽略,二极管的封装会引入很大的寄生参量,因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大,会增加电路不确定性.采用12μm砷化镓单片集成悬置微带线结构,基于电子科技大学与中国电... 在太赫兹频段,二极管尺寸与波长相比已不能忽略,二极管的封装会引入很大的寄生参量,因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大,会增加电路不确定性.采用12μm砷化镓单片集成悬置微带线结构,基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器.实测结果显示在5 mW本振功率的驱动下,在328 GHz可得到最小变频损耗10.4 dB,在320~340 GHz范围内,单边带变频损耗小于14.7 dB. 展开更多
关键词 太赫兹 单片集成分谐波混频器 肖特基二极管 砷化镓 变频损耗
在线阅读 下载PDF
220GHz GaAs单片集成分谐波混频器 被引量:3
10
作者 杨大宝 赵向阳 +2 位作者 刘波 邢东 冯志红 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期886-890,共5页
基于在30μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器。考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真... 基于在30μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器。考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真软件中对混频器的性能进行仿真和优化。制作的220 GHz分谐波混频器模块在本振频率为110 GHz、输入功率为6 dBm的条件下进行测试。结果表明,在射频频率210~220 GHz内,混频器模块的单边带变频损耗小于11 dB,在220 GHz处具有最小变频损耗,为7.2 dB。 展开更多
关键词 单片集成电路 分谐波混频器 肖特基二极管 建模 变频损耗
原文传递
340GHz固定调谐分谐波混频器 被引量:1
11
作者 杨大宝 张立森 +5 位作者 徐鹏 赵向阳 顾国栋 梁士雄 吕元杰 冯志红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第12期99-105,共7页
基于最新研制的小阳极结反向并联肖特基二极管芯片,设计和制造了320~360GHz固定调谐分谐波混频器。混频器的结构采用的是传统电场(E)面腔体剖分式结构:将二极管芯片倒装焊粘在石英基片上,再用导电银胶将石英电路悬置粘结在混频器下半个... 基于最新研制的小阳极结反向并联肖特基二极管芯片,设计和制造了320~360GHz固定调谐分谐波混频器。混频器的结构采用的是传统电场(E)面腔体剖分式结构:将二极管芯片倒装焊粘在石英基片上,再用导电银胶将石英电路悬置粘结在混频器下半个腔体上。电路设计采用场路相结合的方法:用场仿真软件建立混频电路各个功能单元的S参数模型,将它们代入非线性电路仿真软件中与二极管结相结合进行混频器性能整体仿真优化。最终测试结果表明,谐波混频器的双边带在4~6mW的本振功率驱动下,在320~360GHz超过12%带宽范围内,双边带变频损耗均小于9dB;混频器在310~340GHz频带范围内,双边带噪声温度最低为780K。声温度最低为780K。 展开更多
关键词 固定调谐 谐波混频器 反向并联 变频损耗
原文传递
基于Q-MMIC技术的W波段低成本PIN管开关(英文) 被引量:1
12
作者 许正彬 徐杰 钱澄 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期680-683,共4页
采用低成本方法设计了一款W波段单刀单掷开关.通过在单独加工的石英基片无源电路上安装倒装PIN管,获得了一款W波段准毫米波单片(Q-MMIC)开关.为了获得低损耗、高隔离度性能,开关设计中采用了3-D PIN管模型和电路补偿结构.测试结果表... 采用低成本方法设计了一款W波段单刀单掷开关.通过在单独加工的石英基片无源电路上安装倒装PIN管,获得了一款W波段准毫米波单片(Q-MMIC)开关.为了获得低损耗、高隔离度性能,开关设计中采用了3-D PIN管模型和电路补偿结构.测试结果表明开关在88 GHz时插入损耗最小,最小值为0.5 dB;在80~101 GHz频率范围内,开关导通时的插入损耗小于2 dB;在84~104 GHz频率范围内,开关隔离度大于30 dB.整个开关电路尺寸为1.5 mm×3.0 mm. 展开更多
关键词 准毫米波单片 开关 PIN管 W波段
在线阅读 下载PDF
A broad-band sub-harmonic mixer for W-band applications 被引量:2
13
作者 许正彬 钱澄 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2013年第1期7-10,共4页
In order to improve the bandwidth of the conventional sub-harmonic mixer, a broad-band, high intermediate frequency(IF) sub-harmonic mixer for W-band applications is proposed. Replacing the open and short stubs that... In order to improve the bandwidth of the conventional sub-harmonic mixer, a broad-band, high intermediate frequency(IF) sub-harmonic mixer for W-band applications is proposed. Replacing the open and short stubs that are used in the convertional sub-harmonic mixer with a broad-band band-pass filter and a low-pass filter, respectively, a wide operating frequency band is achieved. Furthermore, without the use of the edge-coupled band-pass filter at radio frequency(RF) port, the proposed structure can be realized by common hybrid microwave integrated circuit technology at W- band. The measured results show that the proposed subharmonic mixer can operate from 80 to 107.5 GHz for RF frequency and support up to 18 GHz for the IF bandwidth. Also, the measured results show that the single-sideband conversion loss is less than 13. 7 dB over the available RF frequency band, while the minimum conversion loss is about 9 dB at an RF of 92. 5 GHz and an 1F of 3 GHz. Thus, a large operating bandwidth performance at W-band can be achieved by the orooosed mixer. 展开更多
关键词 BROAD-BAND W-BAND sub-harmonic mixer
在线阅读 下载PDF
Ka频段GaAs单片平衡混频器 被引量:1
14
作者 江关辉 孙柏根 +2 位作者 高葆薪 孙迎新 戴沛然 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期381-382,共2页
Ka频段GaAs单片平衡混频器江关辉,孙柏根,高葆薪,孙迎新,戴沛然(南京电子器件研究所,210016)(清华大学电子工程系,北京,100084)Ka-BandMonolithicGaAsBalancedMixer¥... Ka频段GaAs单片平衡混频器江关辉,孙柏根,高葆薪,孙迎新,戴沛然(南京电子器件研究所,210016)(清华大学电子工程系,北京,100084)Ka-BandMonolithicGaAsBalancedMixer¥JiangGuanhui;SunB... 展开更多
关键词 KA频段 单片混频器 平衡混频器 混频器
在线阅读 下载PDF
微波二极管变频器的频域分析 被引量:2
15
作者 曾学刚 吴万春 李海江 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第12期89-92,共4页
本文采用频域延拓交调波平衡法(FDCIBM)分析微波二极管变频器,讨论了本振(LO)和中频(IF)(或LO和射频(RF))输入均为大信号时的变频器分析,推导了上、下变频器统一的频域交调波平衡方程,并给出了一个微波巴伦二极管上变频器的分析和测量结果.
关键词 非线性电路 频域分析 微波变频器
在线阅读 下载PDF
单平衡混频器的ADS设计与仿真 被引量:3
16
作者 徐升槐 《实验科学与技术》 2008年第6期9-10,14,共3页
介绍了单平衡混频器的工作原理及借助ADS软件设计的步骤,给出设计实例,运用S参数及谐波平衡法对实例进行仿真,由仿真结果验证可行性,通过设计可以看出,利用ADS进行微波电路仿真,可以方便的得出最佳电路设计,指标符合规定值。
关键词 ADS软件 谐波平衡法 低通滤波器 单平衡混频器 3dB正交耦合电桥
在线阅读 下载PDF
二极管电路的频域分析及其仿真 被引量:1
17
作者 吴晓云 《商洛学院学报》 2013年第4期37-39,46,共4页
电子电路中典型的非线性元器件二极管对于单一的正弦波信号源会产生新的频率成分。针对该问题,分析了二极管的伏安特性模型和在大信号作用下的折线模型,并利用Multisim软件对典型的二极管电路的谐波进行仿真,仿真结果与理论分析完全一... 电子电路中典型的非线性元器件二极管对于单一的正弦波信号源会产生新的频率成分。针对该问题,分析了二极管的伏安特性模型和在大信号作用下的折线模型,并利用Multisim软件对典型的二极管电路的谐波进行仿真,仿真结果与理论分析完全一致。说明在电路中应用二极管时,对于不同的信号源幅值应选取相应的分析模型来确定谐波次数。该研究对二极管的非线性应用有着重要的理论指导和现实意义,并为电子类课程的实践教学提供了参考和借鉴。 展开更多
关键词 二极管 模型 频谱分析 谐波
在线阅读 下载PDF
高本振中频隔离超宽带混频芯片设计
18
作者 韩星宇 年夫顺 +1 位作者 代秀 张婷 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期86-93,共8页
超宽带谐波混频器一般采用本振中频双工器,从本振通路引出中频信号。但是当本振频率和中频频率相近或者重叠时,难以实现本振到中频高隔离。本文采用了不同于常用谐波混频器结构,用射频中频双工器替代了本振中频双工器,从射频通路引出中... 超宽带谐波混频器一般采用本振中频双工器,从本振通路引出中频信号。但是当本振频率和中频频率相近或者重叠时,难以实现本振到中频高隔离。本文采用了不同于常用谐波混频器结构,用射频中频双工器替代了本振中频双工器,从射频通路引出中频信号,设计了30~110 GHz 4次谐波混频芯片,并进行了封装实验测试。经测试,4次谐波混频器射频频率30~110 GHz,中频频率1 GHz的变频损耗小于25 dB,DC-15 GHz本振和中频端口间的隔离度可达30 dB,固定本振时中频频率DC-7 GHz变频损耗小于28 dB。因此,本设计可有效隔离频率相近的本振和中频信号,为拓宽中频带宽提供可能。 展开更多
关键词 混频器 谐波混频 反向二极管对 超宽带
原文传递
小型发电机交交变频模块的设计
19
作者 刘教瑜 黄福林 陈前平 《机电产品开发与创新》 2008年第3期153-155,共3页
为了缩小小型发电机变频装置的体积,降低变频装置硬件成本,本文设计了一种不同于传统交直交变频模式的交交变频的模块。应用单片机控制双向晶闸管的导通角,实现输出电压和频率的稳定。通过调节汽油机节气门的开度,实现输出功率的稳定。... 为了缩小小型发电机变频装置的体积,降低变频装置硬件成本,本文设计了一种不同于传统交直交变频模式的交交变频的模块。应用单片机控制双向晶闸管的导通角,实现输出电压和频率的稳定。通过调节汽油机节气门的开度,实现输出功率的稳定。系统选用ATmega16微处理器,在精度的要求范围内能对电压进行快速稳定地调节。 展开更多
关键词 小型发电机 交交变频 单片机 双向晶闸管
在线阅读 下载PDF
基于肖特基二极管的宽带低本振功率太赫兹四次谐波混频器 被引量:3
20
作者 杨益林 张波 +3 位作者 纪东峰 王依伟 赵向阳 樊勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期540-546,共7页
介绍了基于反向并联肖特基二极管的宽带低驱动功率太赫兹四次谐波混频器。详细地分析了二极管寄生参量与混频器性能间的关系。为了降低四次谐波混频器的最佳本振功率,对肖特基二极管的主要参数进行了优化。实际测试结果显示,在7 mW的最... 介绍了基于反向并联肖特基二极管的宽带低驱动功率太赫兹四次谐波混频器。详细地分析了二极管寄生参量与混频器性能间的关系。为了降低四次谐波混频器的最佳本振功率,对肖特基二极管的主要参数进行了优化。实际测试结果显示,在7 mW的最佳本振功率驱动下,该四次谐波混频器在340~490 GHz的宽带内,变频损耗在14.2~20 dB之间。同时,该频段内的混频器噪声温度为4020~17100 K。 展开更多
关键词 四次谐波混频器 低本振功率 肖特基二极管 太赫兹频段 宽带
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 3 下一页 到第
使用帮助 返回顶部