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一种应用于宽带分数锁相环的快速高精度压控振荡器频率校准技术
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作者 张磊 林敏 《工业控制计算机》 2025年第3期155-156,159,共3页
基于锁相环(Phase-Locked Loop,PLL)的宽带、低相位噪声和快速锁定频率综合器是现代无线通信和广播系统中射频收发机的重要组成部分。提出了一种适用于宽带分数锁相环的压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)自动频率校准(Auto... 基于锁相环(Phase-Locked Loop,PLL)的宽带、低相位噪声和快速锁定频率综合器是现代无线通信和广播系统中射频收发机的重要组成部分。提出了一种适用于宽带分数锁相环的压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)自动频率校准(Automatic Frequency Calibration,AFC)技术,其提供了在分数PLL粗调谐过程中对VCO的最优离散调谐曲线的快速和高精度的搜索,这种快速频率校准克服了传统技术的缺点和局限性,大大缩短了宽带PLL的总锁定时间。这对高性能的宽带分数PLL在大规模的生产和应用中具有重要意义。 展开更多
关键词 自动频率校准 锁相环 压控振荡器频率校准
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一种低温漂张弛振荡器设计
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作者 于浩 杨兵 《中国集成电路》 2025年第10期51-57,共7页
本文针对传统电压模张弛振荡器输出频率易受比较器延迟影响,同时在不同温度下频率输出不稳定的问题,采用双电容结构优化电平翻转,使用低温漂带隙基准源作为参考电流源和电压源,实现了宽工作温度,同时具有低温度系数的张弛振荡器。电路... 本文针对传统电压模张弛振荡器输出频率易受比较器延迟影响,同时在不同温度下频率输出不稳定的问题,采用双电容结构优化电平翻转,使用低温漂带隙基准源作为参考电流源和电压源,实现了宽工作温度,同时具有低温度系数的张弛振荡器。电路设计基于Cadence平台设计并仿真,使用smic 0.18μm CMOS工艺。通过仿真结果表明,在1.8V电源电压下和-55℃至155℃温度范围内,输出10Mhz的振荡频率,并且该振荡器振荡频率的温度系数仅为16.7ppm/℃。 展开更多
关键词 低温度系数 张弛振荡器 低温漂
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采用新型差分有源电感的宽调谐范围低相位噪声VCO
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作者 王雪 张万荣 +2 位作者 宋金达 张辉 楚尚勋 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第1期79-87,94,共10页
提出了一种基于新型差分有源电感(DAI)的小面积、宽调谐范围、低相位噪声的电感-电容型压控振荡器(L_(AI)C VCO)。其中DAI主要由差分正跨导器、改进型负跨导器以及反馈电阻构成,以获得电感值的大调谐范围,且同时保持较高Q值和较低的噪声... 提出了一种基于新型差分有源电感(DAI)的小面积、宽调谐范围、低相位噪声的电感-电容型压控振荡器(L_(AI)C VCO)。其中DAI主要由差分正跨导器、改进型负跨导器以及反馈电阻构成,以获得电感值的大调谐范围,且同时保持较高Q值和较低的噪声值;将DAI代替VCO中的传统无源LC谐振腔,以减小芯片面积、拓展振荡频率的可调范围、降低相位噪声;同时采用RC滤波负阻产生电路,以滤除流入L_(AI)C谐振腔的噪声电流,进一步降低VCO的相位噪声。最终,VCO获得了良好的综合性能。基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,利用Cadence设计工具,对该L_(AI)C VCO进行了前仿真验证、版图绘制以及后仿真性能验证。前仿真结果表明,振荡频率可在0.48~3.24 GHz之间进行调节,即调谐百分比为148.39%;在频率偏移1 MHz处的相位噪声变化范围为-75.9~-95.4 dBc/Hz,最终获得了-165 dBc/Hz的电路优值;版图后仿真结果表明,所提出的L_(AI)C VCO电路也实现了较好的性能。 展开更多
关键词 压控振荡器 有源电感 高集成度 调谐范围 相位噪声 优值
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一种用于低EMI Buck的离散跳频振荡器
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作者 龚正 罗萍 +4 位作者 王浩 李成鑫 连卓凡 陈小文 刘畅 《微电子学》 北大核心 2025年第3期400-406,共7页
设计了一种离散跳频振荡器,以降低Buck变换器的EMI。跳频振荡器电路将Buck固定开关频率拓展为9个离散且接近的频率,频率范围(92.5%f_(SW),107.5%f_(SW)),且每隔16个开关周期进行一次频率跳变,最终完整的跳频周期为256个开关周期。采用0... 设计了一种离散跳频振荡器,以降低Buck变换器的EMI。跳频振荡器电路将Buck固定开关频率拓展为9个离散且接近的频率,频率范围(92.5%f_(SW),107.5%f_(SW)),且每隔16个开关周期进行一次频率跳变,最终完整的跳频周期为256个开关周期。采用0.18μm BCD工艺所设计的跳频振荡器引入的额外低频纹波仅为开关纹波本身的3.14%,而EMI优化效果达到了11.94 dB,本技术相比传统展频技术在EMI优化与低频纹波抑制上取得了良好地折中。 展开更多
关键词 离散跳频 振荡器 低EMI 低频纹波 BUCK变换器
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基于C8051F002的微处理器温度补偿石英晶体振荡器 被引量:3
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作者 周芸 路青起 刘连敏 《弹箭与制导学报》 CSCD 北大核心 2008年第3期299-301,共3页
文中利用新型的芯片,采用曲线拟合、实验标定等方法构成的微处理器温度补偿石英晶体振荡器,与以往的微处理器温度补偿晶体振荡器相比,体积更小、频率的稳定度和准确度更高。
关键词 晶体振荡器 C8051F002 曲线拟合 温度补偿
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软硬件协同的射频振荡器教学实践研究——基于Multisim的LC振荡电路仿真与实验验证
6
作者 闫淑卿 王花 +5 位作者 郭恒 朱安福 刘高峰 肖旭华 李健 李军明 《教育进展》 2025年第11期877-883,共7页
针对射频电路课程中LC振荡器理论抽象、实践脱节及工程思维培养不足的问题,本文提出“问题驱动–仿真探究–实验验证–优化拓展”的软硬件协同教学方案。以考毕兹、Clapp、Seiler振荡器为案例,通过Multisim仿真与硬件实验联动,系统解析... 针对射频电路课程中LC振荡器理论抽象、实践脱节及工程思维培养不足的问题,本文提出“问题驱动–仿真探究–实验验证–优化拓展”的软硬件协同教学方案。以考毕兹、Clapp、Seiler振荡器为案例,通过Multisim仿真与硬件实验联动,系统解析电路演进逻辑:考毕兹电路因寄生参数导致频率误差达64.8%,Clapp电路串联小电容(C3 = 10 pF)将误差降至3.1%,Seiler电路并联电容(C4 = 10 pF)使幅度波动降低42%。教学实践表明,该方案显著提升学生对理论的理解深度、实践能力及创新设计能力。学生反馈与成效评估证实,该方法有效破解了振荡器教学中的抽象性难题,为射频电路“理论–实践–创新”融合教学提供了可复用范式。 展开更多
关键词 软硬件协同教学 LC振荡器 MULTISIM仿真 频率稳定性 教学改革
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W波段宽带带状注行波管超短高频结构设计
7
作者 郭铮 张长青 +1 位作者 蔡军 冯进军 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第4期360-365,375,共7页
基于超短H面耦合器和切断结构,将一个W波段周期会切磁场(PCM)聚焦的宽带带状注行波管的高频结构缩短了27.7 mm,使其在13 GHz带宽内(90~103 GHz)可以产生超过200 W的功率。并对超短切断结构中的注波互作用进行了研究。研究表明,在第一段... 基于超短H面耦合器和切断结构,将一个W波段周期会切磁场(PCM)聚焦的宽带带状注行波管的高频结构缩短了27.7 mm,使其在13 GHz带宽内(90~103 GHz)可以产生超过200 W的功率。并对超短切断结构中的注波互作用进行了研究。研究表明,在第一段慢波电路足够长时,超短切断结构可以缓解行波管切断处群聚电子的发散程度,从而大幅提升行波管的输出功率和带宽。因此,在设计大带宽行波管时,应当避免出现长切断结构、大输入信号电压和低电子枪电压。 展开更多
关键词 带状注行波管 切断结构 耦合器 注波互作用 W波段 周期会切磁场
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一种含精确AFC及VCO幅度校准的低噪声锁相环 被引量:1
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作者 刘钰 倪屹 《微电子学》 北大核心 2025年第4期535-542,共8页
为了避免选择过大的调谐增益Kvco造成锁相环频率综合器相位噪声恶化以及由于非最佳子带的选择而带来的各种不良影响,提出一种精确自动频率校准(AFC)算法来实现对压控振荡器(VCO)频率子带的精确选择。同时为了进一步提升其噪声性能,提出... 为了避免选择过大的调谐增益Kvco造成锁相环频率综合器相位噪声恶化以及由于非最佳子带的选择而带来的各种不良影响,提出一种精确自动频率校准(AFC)算法来实现对压控振荡器(VCO)频率子带的精确选择。同时为了进一步提升其噪声性能,提出了一种通过对电压偏置型VCO的振荡幅度进行调节来优化噪声的方法,在尽可能提高锁相环噪声性能的同时避免过大的功耗。采用SMIC 0.11μm CMOS工艺制造该锁相环频率综合器,其VCO的工作频率范围为1.7~2.6 GHz,经过四分频后在433.92 MHz本振频率的1 MHz频偏处相位噪声为-129.59 dBc/Hz,所提出的频率综合器总功耗为4.8 mW,面积大小为0.32 mm^(2)。 展开更多
关键词 频率综合器 锁相环 AFC算法 压控振荡器 相位噪声
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一种基于比较器失调补偿的低功耗RC振荡器
9
作者 夏宇航 冯全源 尹香 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第11期1349-1356,共8页
针对传统RC振荡器在低功耗应用中面临的“功耗-面积-稳定性”难以兼顾,以及宽温度范围下频率漂移的问题,设计了一款基于比较器失调补偿的低功耗RC振荡器。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,通过将RC振荡器中的电阻部分与基准电流源相结合,将... 针对传统RC振荡器在低功耗应用中面临的“功耗-面积-稳定性”难以兼顾,以及宽温度范围下频率漂移的问题,设计了一款基于比较器失调补偿的低功耗RC振荡器。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,通过将RC振荡器中的电阻部分与基准电流源相结合,将电阻阻值从10 MΩ降至2.5 MΩ,实现版图中电阻占用面积缩减75%;并通过正/负温度系数电阻串联实现二阶温度补偿,显著抑制振荡器在宽温度范围内的输出频率漂移特性;同时结合4位二进制电容修调网络,将全工艺角频率偏差从±32.5%优化至±1.5%。仿真结果表明,在1 V电源电压,典型工艺角下,该振荡器静态功耗为85 nW,在-40~125℃的温度范围内,输出频率的温度系数为97×10-6/℃,在1~3 V的电源电压范围,输出频率的波动仅为0.94%,芯片面积约为0.027 mm^(2)。该设计为电池供电设备与工业物联网提供了一种低功耗、宽温度范围稳定的时钟解决方案。 展开更多
关键词 比较器失调补偿 RC振荡器 低功耗 低温度系数
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一种比较器延迟补偿的张弛振荡器
10
作者 任世佳 王洛尧 +3 位作者 骆妙艺 王煜文 毛升贵 王锋 《微电子学》 北大核心 2025年第4期543-548,共6页
设计了一种比较器延迟补偿的张弛振荡器,通过将张弛振荡器中电容充电时的峰值电压箝位至所设置的基准电压,以补偿比较器延迟的影响。采用SMIC 0.18μm工艺完成电路和版图设计,后仿真结果表明,振荡器输出频率为640 kHz,在-40~125℃温度... 设计了一种比较器延迟补偿的张弛振荡器,通过将张弛振荡器中电容充电时的峰值电压箝位至所设置的基准电压,以补偿比较器延迟的影响。采用SMIC 0.18μm工艺完成电路和版图设计,后仿真结果表明,振荡器输出频率为640 kHz,在-40~125℃温度范围内,温度变化率为±0.27%,在2.5~3.3 V的电压范围内,电源敏感度为±0.48%/V。 展开更多
关键词 张弛振荡器 比较器延迟补偿 峰值电压箝位
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6.98 K低温蓝宝石振荡器研制
11
作者 范思晨 雷鹏越 +2 位作者 赵义发 王心亮 阮军 《时间频率学报》 2025年第3期167-173,共7页
蓝宝石晶体在液氦环境下介质损耗极低,回音壁模式的谐振腔品质因数值达到1×10^(9)量级,由此制成的振荡器具有超低相位噪声和较高中短期频率稳定度等特性。设计并研制了工作在WGH 15,0,0的蓝宝石谐振腔,采用GM制冷机为其提供低温环... 蓝宝石晶体在液氦环境下介质损耗极低,回音壁模式的谐振腔品质因数值达到1×10^(9)量级,由此制成的振荡器具有超低相位噪声和较高中短期频率稳定度等特性。设计并研制了工作在WGH 15,0,0的蓝宝石谐振腔,采用GM制冷机为其提供低温环境,温度峰峰值波动优于±5 mK,振动优于±1μm。蓝宝石谐振腔工作在频率-温度拐点温度6.98 K处,无载品质因数为1.8×10^(8)。利用谐振腔和放大器构成的振荡环路在满足Barkhausen条件下实现了9.98 GHz的微波信号输出,同时利用Pound锁频的方法把振荡频率锁定在蓝宝石谐振腔的谐振频率上,并且对振荡环路进行功率稳定控制,从而获得高频率稳定度和低相位噪声的微波信号,相位噪声为-88 dBc/Hz@1 Hz,秒级频率稳定度为1.2×10^(-13)。 展开更多
关键词 蓝宝石谐振腔 品质因数 高频率稳定度 低相位噪声
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应用Tracker软件分析磁机械振荡器的运动规律
12
作者 徐鸿泰 张敏 《物理通报》 2025年第4期151-156,共6页
将两个完全相同的弹性片下端固定在无磁基座上,弹性片上端固定两块质量和磁力均相同的磁铁,拨动其中一个弹性片使其具有一定的初始速度,在两块磁铁的磁力作用下,两片弹性片将做相互扰动的运动.通过改变磁铁磁力、间距、弹性片长度等变量... 将两个完全相同的弹性片下端固定在无磁基座上,弹性片上端固定两块质量和磁力均相同的磁铁,拨动其中一个弹性片使其具有一定的初始速度,在两块磁铁的磁力作用下,两片弹性片将做相互扰动的运动.通过改变磁铁磁力、间距、弹性片长度等变量,用摄影机拍摄弹性片运动图像,再利用Tracker软件得到弹性片运动轨迹,借助牛顿定律、周期运动公式等,结合磁机械振荡机的工作原理分析这些因素对磁机械振荡的影响规律,发现磁力等因素对弹性片最大振幅和运动波形均有影响,而弹性片间距对其运动轨迹和波形影响最大.研究证明Tracker软件有助于分析磁机械振荡器的运动轨迹. 展开更多
关键词 扰动 周期运动公式 磁机械振荡 Tracker软件
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锁相环中差分环形压控振荡器的性能设计与研究
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作者 郭升伟 柴一峰 +2 位作者 王炳林 谭圣霞 朱中华 《电力系统装备》 2025年第2期25-27,共3页
基于TSMC180nm BCD CMOS工艺设计了一种差分环形压控振荡器。电路采用三级延时单元环形结构作为核心,结合Maneatis对称负载,显著提升了延时单元的线性度、对称性及稳定性。此外,设计中集成了偏置电路和缓冲电路,偏置电路的设计关键在于... 基于TSMC180nm BCD CMOS工艺设计了一种差分环形压控振荡器。电路采用三级延时单元环形结构作为核心,结合Maneatis对称负载,显著提升了延时单元的线性度、对称性及稳定性。此外,设计中集成了偏置电路和缓冲电路,偏置电路的设计关键在于提升输出阻抗,通过优化尾电流源来实现,从而加强电路稳定性与抗干扰性。缓冲电路则实现了0~1.8V电压输出,确保信号占空比接近50%,并增强了驱动能力以适应后续并转串模块的需求。使用Cadence Spectre在1.8V电源电压下的模拟仿真结果显示,该VCO具备180~795MHz的宽频率调节范围,在1MHz频偏处相位噪声达到–92.7534dBc/Hz,在典型工作频率600MHz时输出抖动低于1ps。这些性能指标表明,VCO具有更好的稳定性和噪声性能,适合高精度锁相环。 展开更多
关键词 环形压控振荡器 锁相环 延时单元 偏置电路
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一种高鲁棒性低漏电亚谐波注入锁定环形振荡器电路设计
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作者 盛旭阳 林敏 《工业控制计算机》 2025年第1期146-148,共3页
由于工作在射频频段的环形振荡器(Ring Oscillator,RO)存在漏电大和相噪性能差的问题,使其难以应用于高性能低功耗的片上电子系统中,提出了一种低漏电的射频环形振荡器电路架构,并利用亚谐波注入锁定(Subharmonic Injection Locking,SIL... 由于工作在射频频段的环形振荡器(Ring Oscillator,RO)存在漏电大和相噪性能差的问题,使其难以应用于高性能低功耗的片上电子系统中,提出了一种低漏电的射频环形振荡器电路架构,并利用亚谐波注入锁定(Subharmonic Injection Locking,SIL)技术提升其相噪性能。仿真结果表明,所提出的电路设计能确保环形振荡器在任意PVT变化下频率覆盖6.5~9 GHz,且亚谐波注入锁定后的相噪可降低至理论下限,最大漏电流与基准漏电流分为13μA与2.1μA,验证了所提电路架构的高性能与鲁棒性。 展开更多
关键词 环形振荡器 亚谐波注入锁定 低漏电 高鲁棒性
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低相位噪声CMOS LC压控振荡器的设计与优化
15
作者 郭雪锋 王志功 李智群 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1280-1284,共5页
采用线性时变(LTV)模型分析了电压偏置型 CMOS LC 交叉耦合压控振荡器(VCO)的相位噪声。以相位噪声为优化目标,元件参数为设计变量,根据理论计算与仿真结果确定了晶体管宽长比和谐振腔电感的最佳值,完成了电路的优化过程。并以此优化结... 采用线性时变(LTV)模型分析了电压偏置型 CMOS LC 交叉耦合压控振荡器(VCO)的相位噪声。以相位噪声为优化目标,元件参数为设计变量,根据理论计算与仿真结果确定了晶体管宽长比和谐振腔电感的最佳值,完成了电路的优化过程。并以此优化结果为依据,用 0.18gm CMOS 工艺设计、实现了一个芯片面积为1.1mm×0.7rnm 的 LC 交叉耦合振荡器。测试结果表明,在1.8V 电源电压下,该压控振荡器的频率范围覆盖1150~1210 MHz,10kHz 频偏处相位噪声达到-89dBc/Hz,核心电流4.3mA,抑制相位噪声性能优于其他振荡器。 展开更多
关键词 压控振荡器 相位噪声 线性时变 优化
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Ku频段介质稳频谐波振荡器研究 被引量:1
16
作者 和新阳 崔骏业 《空间电子技术》 2008年第3期26-29,47,共5页
文章介绍了一种Ku频段介质稳频谐波振荡器的原理、仿真和试验结果。设计中采用电磁仿真和电路仿真结合的方式对推-推(push-push)型介质振荡器进行了整体非线性仿真,得到振荡器的输出频谱、相位噪声和输出功率的仿真结果,并进行了试验验... 文章介绍了一种Ku频段介质稳频谐波振荡器的原理、仿真和试验结果。设计中采用电磁仿真和电路仿真结合的方式对推-推(push-push)型介质振荡器进行了整体非线性仿真,得到振荡器的输出频谱、相位噪声和输出功率的仿真结果,并进行了试验验证。通过二次谐波输出的方式提高了BJT振荡器的输出频率,得到了较好的相位噪声指标。 展开更多
关键词 介质稳频 谐波振荡器 推-推型
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利用负载电流产生微波的新型MILO 被引量:12
17
作者 张晓萍 钟辉煌 +3 位作者 张建德 舒挺 刘永贵 李传胪 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期80-84,共5页
 为了进一步提高MILO产生微波的功率和效率,提出了其负载电流能量全部利用来产生微波的新思想。设计并运用二维全电磁PIC方法模拟了基于此思想的新型MILO,它是传统MILO与VCO的有机结合(简称MVO)。模拟结果表明MVO中MILO部分与作为MILO...  为了进一步提高MILO产生微波的功率和效率,提出了其负载电流能量全部利用来产生微波的新思想。设计并运用二维全电磁PIC方法模拟了基于此思想的新型MILO,它是传统MILO与VCO的有机结合(简称MVO)。模拟结果表明MVO中MILO部分与作为MILO负载的VCO部分各自工作正常,VCO部分产生微波的主频受MILO部分产生微波的牵引。在输入25GW电功率(工作电压约500kV)下,与相应传统MILO相比,MVO的微波平均输出功率提高了500MW,效率从6%提高到了8%。 展开更多
关键词 负载电流 MILO 高功率微波源 磁绝缘线振荡器 虚阴极振荡器 PIC方法
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具有谐振腔的多波切伦柯夫振荡器的粒子模拟 被引量:17
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作者 张军 钟辉煌 +1 位作者 杨建华 舒挺 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期85-88,共4页
 设计了一种新型的多波切伦柯夫振荡器,即在第二慢波段和输出喇叭之间加一个谐振腔,并采用PIC方法模拟了器件产生微波的物理过程。结果表明这种新型器件符合普通多波切伦柯夫振荡器的基本特征,同时具有纵向尺寸短,导引磁场低,功率、效...  设计了一种新型的多波切伦柯夫振荡器,即在第二慢波段和输出喇叭之间加一个谐振腔,并采用PIC方法模拟了器件产生微波的物理过程。结果表明这种新型器件符合普通多波切伦柯夫振荡器的基本特征,同时具有纵向尺寸短,导引磁场低,功率、效率高等优点。 展开更多
关键词 多波切伦柯夫振荡器 谐振腔 低磁场 粒子模拟
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同轴虚阴极振荡器实验研究 被引量:9
19
作者 罗雄 廖成 +5 位作者 孟凡宝 张运俭 于爱民 王晓东 范植开 张新凯 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期249-252,共4页
介绍了中国工程物理研究院应用电子学研究所关于同轴虚阴极振荡器实验的最新进展。实验结果表明,带阳极反射板结构的同轴虚阴极振荡器比不带阳极反射板结构的同轴虚阴极振荡器输出微波功率更高,频谱更纯。在二极管电压350 kV,电流23 kA... 介绍了中国工程物理研究院应用电子学研究所关于同轴虚阴极振荡器实验的最新进展。实验结果表明,带阳极反射板结构的同轴虚阴极振荡器比不带阳极反射板结构的同轴虚阴极振荡器输出微波功率更高,频谱更纯。在二极管电压350 kV,电流23 kA条件下,输出微波峰值功率500 MW,能量转换效率约6.2%,工作频率为3.3 GHz。对实验结果进行了理论分析。 展开更多
关键词 高功率微波 同轴虚阴极振荡器 谐振腔 能量转换效率
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一种适用于2.4GHz ISM射频波段的全集成C MOS压控振荡器 被引量:7
20
作者 王海永 林敏 +1 位作者 李永明 陈弘毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期322-326,共5页
提出了一种频率可调范围约 2 30MHz的全集成LC压控振荡器 (VCO) .该压控振荡器是用 6层金属、0 18μm的标准CMOS工艺制造完成 .采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管 ,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感 ,并实施了低电压、低... 提出了一种频率可调范围约 2 30MHz的全集成LC压控振荡器 (VCO) .该压控振荡器是用 6层金属、0 18μm的标准CMOS工艺制造完成 .采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管 ,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感 ,并实施了低电压、低功耗的措施 .测试结果表明 ,该压控振荡器在电源电压为 1 8V的情况下功耗约为10mW ,在振荡器中心频率为 2 46GHz时的单边带相位噪声为 - 10 5 89dBc/Hz @6 0 0kHz .该压控振荡器可以应用于锁相环电路或频率综合器中 . 展开更多
关键词 CMOS 压控振荡器 射频 变容管 互补金属氧化物半导体晶体管 VCO ISM频段
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