文中设计了一种宽带低相位噪声压控振荡器(VCO)。该VCO采用了基于周期性时变电感的Class-D结构,并将共模谐振扩展技术应用于谐振腔,实现了宽带谐波整形,优化了整个带宽内的相位噪声性能。此外,将传统的N沟道金属氧化物半导体对替换为P...文中设计了一种宽带低相位噪声压控振荡器(VCO)。该VCO采用了基于周期性时变电感的Class-D结构,并将共模谐振扩展技术应用于谐振腔,实现了宽带谐波整形,优化了整个带宽内的相位噪声性能。此外,将传统的N沟道金属氧化物半导体对替换为P沟道金属氧化物半导体交叉耦合对,降低了沟道电流的热噪声与闪烁噪声。该芯片采用SMIC 55-nm CMOS工艺制造,包括焊盘在内的芯片面积为0.47 mm^(2)。测试结果表明,该VCO芯片在3.5 GHz~5.1 GHz(38.4%)的宽频率范围内能连续工作,输出功率为7.5 d Bm~7.1 d Bm,其在3.5 GHz处测试的相位噪声为-125.8 d Bc/Hz@1 MHz。当电源电压为1.8 V时,该VCO核心消耗电流为21.3 m A~23.0 m A,缓冲级消耗电流为14.4 m A~15.3 m A,对应含调谐范围的优值(Fo MT)为192.4 d Bc/Hz~189.6 d Bc/Hz。展开更多
文摘文中设计了一种宽带低相位噪声压控振荡器(VCO)。该VCO采用了基于周期性时变电感的Class-D结构,并将共模谐振扩展技术应用于谐振腔,实现了宽带谐波整形,优化了整个带宽内的相位噪声性能。此外,将传统的N沟道金属氧化物半导体对替换为P沟道金属氧化物半导体交叉耦合对,降低了沟道电流的热噪声与闪烁噪声。该芯片采用SMIC 55-nm CMOS工艺制造,包括焊盘在内的芯片面积为0.47 mm^(2)。测试结果表明,该VCO芯片在3.5 GHz~5.1 GHz(38.4%)的宽频率范围内能连续工作,输出功率为7.5 d Bm~7.1 d Bm,其在3.5 GHz处测试的相位噪声为-125.8 d Bc/Hz@1 MHz。当电源电压为1.8 V时,该VCO核心消耗电流为21.3 m A~23.0 m A,缓冲级消耗电流为14.4 m A~15.3 m A,对应含调谐范围的优值(Fo MT)为192.4 d Bc/Hz~189.6 d Bc/Hz。
文摘基于锁相环(Phase-Locked Loop,PLL)的宽带、低相位噪声和快速锁定频率综合器是现代无线通信和广播系统中射频收发机的重要组成部分。提出了一种适用于宽带分数锁相环的压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)自动频率校准(Automatic Frequency Calibration,AFC)技术,其提供了在分数PLL粗调谐过程中对VCO的最优离散调谐曲线的快速和高精度的搜索,这种快速频率校准克服了传统技术的缺点和局限性,大大缩短了宽带PLL的总锁定时间。这对高性能的宽带分数PLL在大规模的生产和应用中具有重要意义。
