基于半导体光放大器交叉增益调制的全光波长变换器啁啾特性分析 被引量：5

1

作者 郑学彦 管克俭 叶培大 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期69-72,共4页

本文分析了基于半导体光放大器。

关键词 全光波长变换 交叉增益调制 半导体光放大器

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微波放大器增益与噪声关系的分析方法 被引量：1

2

作者 延波 徐静 薛良金 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期483-486,共4页

提出了一种在微波宽带低噪声放大器设计中，放大器增益性能与噪声性能之间关系的解析表达式，对其解析解进行了详尽的讨论，大大简化了传统的设计过程，并对微波低噪声ＨＥＭＴ器件ＪＳ８９０５－ＡＳ的性能进行了分析设计，经验证，与... 提出了一种在微波宽带低噪声放大器设计中，放大器增益性能与噪声性能之间关系的解析表达式，对其解析解进行了详尽的讨论，大大简化了传统的设计过程，并对微波低噪声ＨＥＭＴ器件ＪＳ８９０５－ＡＳ的性能进行了分析设计，经验证，与传统方法的结果相吻合。 展开更多

关键词 微波 宽带 低噪声放大器 增益 噪声 解析表达式

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晶体管放大器偏置电路的噪声计算 被引量：2

3

作者 王军 戴逸松 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期56-59,共4页

本文首次给出了晶体管放大器三种电路组态各管脚偏置噪声的计算方法．该方法能够定量模拟晶体管放大器不同工作状态下的偏置噪声，从而为晶体管放大器偏置电路的噪声分析和低噪声优化设计提供了有利的工具．

关键词 晶体管放大器 偏置噪声 计算 偏置电路

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多级放大器噪声谱矩阵计算及在低噪声设计中应用 被引量：1

4

作者 戴逸松 张鸣 戴群亮 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 1998年第6期84-89,共6页

本文针对通信接收机噪声性能分析中广泛采用的弗里斯（Ｆｒｉｓ）公式在低噪声设计中的不足，提出了具有复相关系数的放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的谱矩阵形式，推导了多级放大器的噪声谱矩阵计算公式。成功地解决了多级放大器噪声性能分... 本文针对通信接收机噪声性能分析中广泛采用的弗里斯（Ｆｒｉｓ）公式在低噪声设计中的不足，提出了具有复相关系数的放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的谱矩阵形式，推导了多级放大器的噪声谱矩阵计算公式。成功地解决了多级放大器噪声性能分析及低噪声设计必需的噪声参数（最佳源阻抗及最小噪声系数）计算。 展开更多

关键词 噪声谱矩阵 多级放大器 低噪声设计

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Ka频段低噪声放大器的设计 被引量：6

5

作者 王军贤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期280-284,共5页

介绍了Ka频段低噪声放大器的设计方法，采用HP－EESOF公司Libra软件对有源器件进行直流分析与参数提取，并运用小信号线性分析法进行电路模拟与设计。研制的放大器在34－36GHz频率下噪声系数小于3dB。

关键词 HEMT 低噪声放大器 设计

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具有HEMT和MMIC的Ku波段低噪声放大器 被引量：1

6

作者 戴永胜 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期94-96,共3页

本文介绍了由HEMT和MMIC组成的一种新颖的Ku波段低噪声放大器,放大器第一级采用了HEMT和反馈技术以同时获得噪声和增益的最佳化,讨论了这种放大器的设计,MMIC采用了二次混合微波集成,放大嚣输入和输出端均为BJ-120波导。在11.7—12.2GH... 本文介绍了由HEMT和MMIC组成的一种新颖的Ku波段低噪声放大器,放大器第一级采用了HEMT和反馈技术以同时获得噪声和增益的最佳化,讨论了这种放大器的设计,MMIC采用了二次混合微波集成,放大嚣输入和输出端均为BJ-120波导。在11.7—12.2GHz频率下,放大器噪声系数小于1.9dB,增益大于27±0.25dB,输入和输出驻波比小于1.4。 展开更多

关键词 KU波段 集成电路 低噪声 放大器

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高功率激光放大器中小尺度调制传输方程及其精确解 被引量：1

7

作者 文双春 范滇元 《衡阳师范学院学报》 1999年第6期9-15,共7页

在综合考虑衍射、放大、自聚焦三种过程同时作用的情况下，推导出了高功率激光放大器中激光束的传输方程和小尺度自聚焦方程。在小信号增益情形下，得到了小尺度自聚焦方程的精确解析解。

关键词 高功率激光放大器 传输方程 小尺度自聚焦方程

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放大器E_n-I_n噪声模型的完善及其与R_n-G_n噪声模型的关系

8

作者 徐建生 戴逸松 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 1998年第2期80-84,共5页

目前，微波低噪声放大器设计中采用的Ｒｎ－Ｇｎ噪声模型只适用于高频、窄带和源导纳（Ｇｓ≠０）情况，其应用范围有限，特别是不适用于低频段的低噪声放大器设计。本文对文献［１］提出的Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型作了改进，使其不仅适用于... 目前，微波低噪声放大器设计中采用的Ｒｎ－Ｇｎ噪声模型只适用于高频、窄带和源导纳（Ｇｓ≠０）情况，其应用范围有限，特别是不适用于低频段的低噪声放大器设计。本文对文献［１］提出的Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型作了改进，使其不仅适用于高频、窄带，而且也适用于低频、宽带放大器的低噪声设计。进而推导出放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型与Ｒｎ－Ｇｎ噪声模型的等价关系，给出放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的测量方法及实测结果。 展开更多

关键词 噪声模型 低噪声 设计 放大器

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一种适用于心电信号检测的放大器设计 被引量：2

9

作者 杨骁 齐骋 +1 位作者 黄炜炜 凌朝东 《华侨大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2011年第6期633-637,共5页

针对传统斩波放大器功耗较大,以及电极的直流极化电压容易使得高增益放大器进入饱和状态的问题,提出一种适合应用于心电信号的放大器.该低功耗斩波放大器电路由一个两级放大器组成,第1级折叠共源共栅放大器的高输出阻抗与第1级和第2级... 针对传统斩波放大器功耗较大,以及电极的直流极化电压容易使得高增益放大器进入饱和状态的问题,提出一种适合应用于心电信号的放大器.该低功耗斩波放大器电路由一个两级放大器组成,第1级折叠共源共栅放大器的高输出阻抗与第1级和第2级之间的密勒等效电容组成一个低通滤波器,以滤除调制噪声.采用TSMC 0.18μm 1P4M工艺,对所提出的放大器结构进行电路设计.仿真结果表明:整个放大器带宽为0.2～170Hz,功耗为52μW,其等效输入噪声电压为150nV@0.1Hz,等效输入积分噪声为0.68μV(0.1～150Hz),具有较好的低功耗、低噪声特性. 展开更多

关键词 斩波技术 放大器 失调电压 噪声 心电信号

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单电子晶体管放大器的数值分析 被引量：7

10

作者 沈波 蒋建飞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期626-630,共5页

本文基于单电子隧道效应晶体管的半经典模型，研究了电容耦会单电子隧道晶体管放大器的静态特性和小信号特性．结果表明：单电子晶体管放大器具有灵敏度高，功耗低等优点，缺点是由于几率工作，工作条件受到严格的限制．

关键词 单电子晶体管 放大器 单电子隧道效应

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用于激光电离质谱的低噪声脉冲放大器 被引量：1

11

作者 张子斌 翟利华 《质谱学报》 EI CAS CSCD 2000年第1期56-60,共5页

本文简要介绍了用于激光共振电离质谱实验的低噪声脉冲放大器的设计思路、实现的要点及其测试结果。

关键词 激光电离质谱 设计 低噪声脉冲放大器

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一种微型化低噪微波AGC接收模组的设计 被引量：1

12

作者 周旭烨 董金明 《华侨大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2009年第5期523-525,共3页

针对超微型化、低成本的微波低波段混合集成电路的要求，设计一种微型化2GHz低噪声、高选择性、自动增益控制（AGC）接收模组．该放大模组通过对微型化的低噪声放大、高选择性滤波、平衡混频、电调衰减等电路的设计，采用超微细微带薄... 针对超微型化、低成本的微波低波段混合集成电路的要求，设计一种微型化2GHz低噪声、高选择性、自动增益控制（AGC）接收模组．该放大模组通过对微型化的低噪声放大、高选择性滤波、平衡混频、电调衰减等电路的设计，采用超微细微带薄膜工艺，在68mm×18mm×0．5mm陶瓷基片上制作，具有集成度高、体积小的特点，适合作为无线通信接收电路．在1．8～2．2GHz范围内，其增益≥50dB，噪声系数≤0．9dB，带外抑制≥40dB，AGC≥30dB． 展开更多

关键词 低噪声放大器 椭圆函数带通滤波器 平衡混频 超微细薄膜工艺 自动增益控制

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小型化电荷放大器设计的一种新方法 被引量：2

13

作者 张登峰 康兴国 《兵工自动化》 1999年第1期53-55,59,共4页

介绍一种新的小型化电荷放大器的设计方法。该方法从新的角度对电荷放大器的原理进行了剖析，不要求电荷放大器具有极高的输入阻抗，又能有效地抑制非线性失真等。试验表明该方法是可行的。

关键词 压电晶体传感器 电荷放大器 放大器 设计

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锥形有源条半导体光放大器增益和饱和特性分析

14

作者 姚芳 段子刚 +1 位作者 刘德明 黄德修 《红外与激光工程》 EI CSCD 1998年第6期31-33,47,共4页

以行波半导体光放大器速率方程为基础，采用传输矩阵方法，对锥形结构半导体光放大器的增益和饱和特性进行理论研究。讨论了不同锥形长度，不同结构时的增益和饱和特性差异。理论研究表明，锥形结构能改善半导体光放大器的偏振灵敏度。... 以行波半导体光放大器速率方程为基础，采用传输矩阵方法，对锥形结构半导体光放大器的增益和饱和特性进行理论研究。讨论了不同锥形长度，不同结构时的增益和饱和特性差异。理论研究表明，锥形结构能改善半导体光放大器的偏振灵敏度。在同一锥度下，长锥形长度能提高饱和增益，降低偏振灵敏度。在进行半导体光放大器有源条结构设计时要综合考虑锥度及锥形长度的影响，以实现结构优化。 展开更多

关键词 半导体光放大器 特性分析 结构设计

原文传递

1～6GHz宽带低噪声放大器的研制 被引量：2

15

作者 李大平 《半导体情报》 1999年第5期37-38,42,共3页

该放大器采用负反馈的设计原理， 利用ＥＥＳＯＦ进行ＣＡＤ设计， 选用噪声较小增益较高的日本ＦＵＪＩＴＵ公司的ＧａＡｓ晶体管（ＦＨＸ１４ 型）。通过精心调试，解决了研制中两个难题， 即多级级联与稳定性和可靠性难题，

关键词 宽带 低噪声放大器 负反馈 放大器 设计

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混合集成双频段低噪声放大器的设计

16

作者 徐新光 王勤 韩建国 《微波学报》 CSCD 北大核心 1996年第2期151-154,共4页

本文主要讨论双频段微波低噪声放大器的设计技术,介绍实现双频段的设计方法及工艺和制作方法.利用这些方法,我们在850±120MHz和3000±120MHz二个频段上实现了低噪声放大.其主要技术指标如下:增益40dB±1dB,噪声系数N_F<... 本文主要讨论双频段微波低噪声放大器的设计技术,介绍实现双频段的设计方法及工艺和制作方法.利用这些方法,我们在850±120MHz和3000±120MHz二个频段上实现了低噪声放大.其主要技术指标如下:增益40dB±1dB,噪声系数N_F<1.5,输入驻波比ρ≤2.0,输出驻波比ρ≤1.5. 展开更多

关键词 低噪声放大器 微波集成电路 放大器 设计

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低噪声宽带放大器的设计及应用

17

作者 张志兰 贾振义 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 1989年第2期46-52,共7页

本文详细地叙述了UHF频段低噪声宽带放大器的设计及其应用。放大器由三只低噪声双极晶体管2sc3358组成,制作在环氧玻璃纤维敷铜板上,并安装在一个90×50×30mm^3的铝制屏蔽盒内。其性能为:频率范围470～970MH_2,增益>28dB,... 本文详细地叙述了UHF频段低噪声宽带放大器的设计及其应用。放大器由三只低噪声双极晶体管2sc3358组成,制作在环氧玻璃纤维敷铜板上,并安装在一个90×50×30mm^3的铝制屏蔽盒内。其性能为:频率范围470～970MH_2,增益>28dB,噪声系数(合混频器)<1.5dB。 展开更多

关键词 低噪声放大器 宽带放大器 设计

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宽带低噪声放大器的计算机辅助设计 被引量：1

18

作者 马瑞东 《微波与卫星通信》 1995年第4期45-48,共4页

主要讨论了微波通信系统用宽带低噪声放大器的ＣＡＡ与ＣＡＤ的原理与方法。介绍了利用ＣＡＡ与ＣＡＤ软件技术，在复合介质基片上实现了７．７～８．２ＧＨｚ频段上的宽带放大器。其增益Ｇ≥２０ｄＢ，带内起伏ΔＧ≤±１ｄＢ，噪... 主要讨论了微波通信系统用宽带低噪声放大器的ＣＡＡ与ＣＡＤ的原理与方法。介绍了利用ＣＡＡ与ＣＡＤ软件技术，在复合介质基片上实现了７．７～８．２ＧＨｚ频段上的宽带放大器。其增益Ｇ≥２０ｄＢ，带内起伏ΔＧ≤±１ｄＢ，噪声系数ＮＦ≤２．５ｄＢ，输入／出驻波比ρ０≤１．２。微带放大器电路尺寸为３７×２５ｍｍ。 展开更多

关键词 低噪声放大器 CAD 放大器 微波通信

原文传递

低温低噪声放大器的发展概况及其结构设计综述

19

作者 李大志 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期55-61,共7页

介绍了低温低噪声放大器的研制历史、现状及应用情况 ,举例分析了在该类放大器的结构设计中需要解决的关键技术 ,对军事和民用装备的有关领域有参考作用。

关键词 结构设计 放大器 防振 防漏热措施 低温 低噪声 密封

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幅度、相位可调低噪声放大器的计算机辅助设计 被引量：1

20

作者 张远见 《现代雷达》 CSCD 1992年第4期60-66,共7页

本文利用计算机辅助设计(CAD)技术对T/R(Transmit/Receive)组件中低噪声放大器的幅度和相位得出了一种调整的方法。同时,本文对放大器中各元件进行了容差分析。本文所得结果对这类放大器的研制有一定的意义,并已通过实验作了验证。

关键词 低噪声 放大器 相位 CAD

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