报道了研制的 Al Ga N / Ga N微波功率 HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂 Al Ga N/ Ga N异质结构 ,器件工艺采用了 Ti/ Al/ Ni/ Au欧姆接触和 Ni/ Au肖特基势垒接触以及 Si N介质进行器件的钝化 .研制的 2 0 0μm栅宽 T型布局 Al ...报道了研制的 Al Ga N / Ga N微波功率 HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂 Al Ga N/ Ga N异质结构 ,器件工艺采用了 Ti/ Al/ Ni/ Au欧姆接触和 Ni/ Au肖特基势垒接触以及 Si N介质进行器件的钝化 .研制的 2 0 0μm栅宽 T型布局 Al Ga N / Ga N HEMT在 1.8GHz,Vds=30 V时输出功率为 2 8.93d Bm,输出功率密度达到 3.9W/mm ,功率增益为 15 .5 9d B,功率附加效率 (PAE)为 4 8.3% .在 6 .2 GHz,Vds=2 5 V时该器件输出功率为 2 7.0 6 d Bm ,输出功率密度为 2 .5 W/ mm ,功率增益为 10 .2 4 d B,PAE为 35 .2 % .展开更多
文摘报道了研制的 Al Ga N / Ga N微波功率 HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂 Al Ga N/ Ga N异质结构 ,器件工艺采用了 Ti/ Al/ Ni/ Au欧姆接触和 Ni/ Au肖特基势垒接触以及 Si N介质进行器件的钝化 .研制的 2 0 0μm栅宽 T型布局 Al Ga N / Ga N HEMT在 1.8GHz,Vds=30 V时输出功率为 2 8.93d Bm,输出功率密度达到 3.9W/mm ,功率增益为 15 .5 9d B,功率附加效率 (PAE)为 4 8.3% .在 6 .2 GHz,Vds=2 5 V时该器件输出功率为 2 7.0 6 d Bm ,输出功率密度为 2 .5 W/ mm ,功率增益为 10 .2 4 d B,PAE为 35 .2 % .
