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微型高集成可压缩电缆组件设计制造及互联阵列实施
1
作者 周三三 朱建军 +1 位作者 曹志伟 苏扬 《现代雷达》 北大核心 2025年第3期58-61,共4页
机载雷达综合层的层间空间狭小,层内器件布局密集,实现有限空间各模块、元器件间的互联互通结构复杂,装配工艺难度高。常规的导线对接方式如分线环转接、焊锡环对接、U型搭接等的对接区域约30 mm,无法满足高集成空间内电信号的多点互联... 机载雷达综合层的层间空间狭小,层内器件布局密集,实现有限空间各模块、元器件间的互联互通结构复杂,装配工艺难度高。常规的导线对接方式如分线环转接、焊锡环对接、U型搭接等的对接区域约30 mm,无法满足高集成空间内电信号的多点互联。文中提出一种基于嵌入微型电路板的微型高集成可压缩、互联阵列的电缆组件的转接方式,创新性地将微型电路板引入电缆组件中,由微型电路板作为转接媒介实现电缆组件的多孔位转接,同时将电缆组件的导线束预成型使电连接器头部可浮动伸缩,实现了可压缩功能,通过多个电缆组件组合可实现互联阵列,解决了低矮空间内的高可靠性电信号转接与机载雷达综合层间的高密度、高集成的电缆互联的难题。 展开更多
关键词 微型电缆组件 高集成 可压缩 微型电路板 互联阵列
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基于ALD生长技术的高密度电容器件
2
作者 王敬轩 康建波 +2 位作者 商庆杰 宋洁晶 杨志 《电子工艺技术》 2025年第5期14-17,共4页
随着微电子芯片集成化程度的提高,电容器件对容值密度及击穿电压提出了更高的要求。介绍了一种基于微机械加工(Micro-Electron-Mechanical System,MEMS)技术和原子层淀积(Atomic Layer Deposition,ALD)的硅基高密度电容芯片的制备方法... 随着微电子芯片集成化程度的提高,电容器件对容值密度及击穿电压提出了更高的要求。介绍了一种基于微机械加工(Micro-Electron-Mechanical System,MEMS)技术和原子层淀积(Atomic Layer Deposition,ALD)的硅基高密度电容芯片的制备方法。该电容芯片采用MEMS工艺中常用的深孔刻蚀技术形成高深宽比的硅孔阵列,增大了电容芯片的表面积,从而提高了容值密度;采用原子层淀积技术,利用其原子级的精度控制生长介电常数高、孔内覆盖性好的Al_(2)O_(3)与HfO_(2)薄膜,并通过优化薄膜结构制备出高密度电容芯片。电容密度与击穿电场的乘积达到289.8(nF/mm^(2))·(MV/cm),比优化前提升60%以上,同时还可以降低器件的漏电流。 展开更多
关键词 微机械加工 高密度电容 原子层淀积
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某型PBGA芯片混装回流焊工艺及质量控制
3
作者 杨伟 黎全英 +1 位作者 巫应刚 任康桥 《电子工艺技术》 2025年第2期1-6,共6页
为满足电子设备可靠性要求,新品元器件在产品装配前首先应分析潜在的质量风险,然后开展工艺验证,最后得出新品元器件的生产工艺和质量控制措施。针对某型FC-PBGA芯片,分析了芯片结构特点及生产工艺对芯片的影响,根据引起芯片分层的质量... 为满足电子设备可靠性要求,新品元器件在产品装配前首先应分析潜在的质量风险,然后开展工艺验证,最后得出新品元器件的生产工艺和质量控制措施。针对某型FC-PBGA芯片,分析了芯片结构特点及生产工艺对芯片的影响,根据引起芯片分层的质量控制要点,提出混装回流焊工艺验证方案,从存储、烘烤、车间放置、回流焊进行了工艺试验,结合声学扫描检测,得出了最佳工艺参数及生产过程控制措施,再从实际产品多芯片焊接需求出发,进行返修性和批量生产验证,最后形成了该型芯片的混装回流焊生产工艺及质量控制措施。 展开更多
关键词 PBGA 混装回流焊 工艺研究 芯片分层
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封装器件内部水汽含量离线控制技术
4
作者 刘炳龙 闵志先 王传伟 《电子工艺技术》 2025年第3期17-19,23,共4页
针对传统烘烤除水汽方法效果差、持续时间长的问题,研究了一种新的水汽控制方法。先将封装器件在离线独立烘箱中,以T_(1)温度进行时长为t_(1)的预烘烤;完成预烘后,将器件转入封盖机的在线集成烘箱中,在另一温度T_(2)进行时长为t_(2)的... 针对传统烘烤除水汽方法效果差、持续时间长的问题,研究了一种新的水汽控制方法。先将封装器件在离线独立烘箱中,以T_(1)温度进行时长为t_(1)的预烘烤;完成预烘后,将器件转入封盖机的在线集成烘箱中,在另一温度T_(2)进行时长为t_(2)的短暂的二次烘烤,然后进行气密封装。对比并分析了烘烤温度(离线T_(1)和在线T_(2))和烘烤时间(离线t_(1)和在线t_(2))对封盖后器件内部水汽含量的影响。结果表明,适当参数的离线耦合变温烘烤方法可以显著降低器件内部水汽含量,大幅缩短在线烘烤时间。 展开更多
关键词 水汽含量 封装器件 烘烤时间 烘烤温度
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高电感值MEMS拱形电感器的设计与工艺研究
5
作者 张波 闻小龙 +2 位作者 万亚东 张超 李建华 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第10期1169-1175,共7页
三维电感器凭借小体积、低损耗和高电感值等优势在MEMS传感器、射频MEMS及储能器件等领域得到广泛应用。传统三维MEMS电感器的支撑结构为高深宽比立柱,通常依赖UV-LIGA光刻或硅通孔(TSV)技术制备,工艺流程复杂。为简化制备流程,该文基于... 三维电感器凭借小体积、低损耗和高电感值等优势在MEMS传感器、射频MEMS及储能器件等领域得到广泛应用。传统三维MEMS电感器的支撑结构为高深宽比立柱,通常依赖UV-LIGA光刻或硅通孔(TSV)技术制备,工艺流程复杂。为简化制备流程,该文基于MEMS工艺设计并制作了一种以非光敏聚酰亚胺为支撑层的三维MEMS拱形电感器。该器件采用高磁导率Co基非晶合金丝作为磁芯,显著提升了电性能;通过优化显影时间提高聚酰亚胺侧壁平整度,在无需高深宽比立柱支撑的情况下制备了拱形线圈,简化工艺流程的同时提高了器件的稳定性。制备出的MEMS拱形电感器在78.5 MHz的激励频率下电感值达到1881 nH。在20~120℃温度范围内,电性能的变化不超过3%。 展开更多
关键词 电感器 拱形线圈 聚酰亚胺 非晶合金丝
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无铅焊工艺中的金属间化合物特性
6
作者 江平 《电子工艺技术》 2025年第5期1-4,共4页
传统的Sn-Pb钎料难以满足当前微电子行业对环保和高性能焊接的要求,这推动了Sn-Ag3.0-Cu0.5(SAC305)等无铅钎料的广泛应用和推广。尽管SAC305具有出色的焊接性与力学性能,但焊接过程中在钎料与基板界面处所生成的金属间化合物(IMC)的粗... 传统的Sn-Pb钎料难以满足当前微电子行业对环保和高性能焊接的要求,这推动了Sn-Ag3.0-Cu0.5(SAC305)等无铅钎料的广泛应用和推广。尽管SAC305具有出色的焊接性与力学性能,但焊接过程中在钎料与基板界面处所生成的金属间化合物(IMC)的粗化问题,严重影响了微焊点的长期可靠性。基于IMC独特的物理化学特性,对无铅焊接工艺中SAC系微焊点的IMC特性进行了系统分析,主要关注于Cu_(6)Sn_(5)和Cu_(3)Sn的生成机制及其对焊接性能的双向影响,探讨了这两类IMC各自存在的优势与缺陷。 展开更多
关键词 金属间化合物 Cu_(3)Sn Sn-Ag-Cu焊料 无铅焊
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基于丝网印刷的触觉传感器研究综述 被引量：2
7
作者 王一琳 赵佳锋 +3 位作者 黄婧雯 温丫丁 王彦 张晓升 《电子学报》 北大核心 2025年第1期24-40,共17页
触觉传感器是一种模拟人类触觉感知能力的传感器,能够检测和量化物理接触时产生的机械刺激或热刺激,并将这些信息转化为电信号,使电子系统获得感知触摸的能力,在人机接口、机器人等领域中受到广泛关注.随着纳米技术、材料科学和信息技... 触觉传感器是一种模拟人类触觉感知能力的传感器,能够检测和量化物理接触时产生的机械刺激或热刺激,并将这些信息转化为电信号,使电子系统获得感知触摸的能力,在人机接口、机器人等领域中受到广泛关注.随着纳米技术、材料科学和信息技术的发展,触觉传感器在向着柔性化、小型化的方向发展以适应在复杂曲面和可动表面上的运用.丝网印刷作为一种成熟的平面图形化加工工艺已被广泛应用于柔性电子的加工过程中.由于具备材料选择灵活、加工成本低、生产速度快等特点,丝网印刷在推动触觉传感器大规模应用方面具有巨大的潜力.本文对基于丝网印刷的触觉传感器的研究现状与最新进展进行了综述,从“丝网印刷的作用”、“丝网印刷触觉传感器的原理”和“提高丝网印刷触觉传感器灵敏度的方法”三个方面进行了分析与归纳.通过对文献的综述,总结了基于丝网印刷的触觉传感器制造方法,并揭示了丝网印刷的优势.最后基于丝网印刷触觉传感器所面临的问题和挑战,对其未来发展方向进行了展望,为相关研究提供参考. 展开更多
关键词 触觉传感器 压力传感器 丝网印刷 印刷电子 电子皮肤 有源传感 无源传感
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国产化LTCC基陶瓷管壳的可靠性分析 被引量：1
8
作者 卢会湘 柴昭尔 +6 位作者 徐亚新 唐小平 李攀峰 田玉 王康 韩威 尹学全 《电子工艺技术》 2025年第2期11-14,共4页
针对低温共烧陶瓷(LTCC)基陶瓷管壳开展了国产化替代研究,采用化学镀镍钯金工艺提高焊盘的焊接可靠性。通过键合强度、耐焊性和气密性的检测,对管壳及镀层质量进行全面评估,并通过温度循环及多批次重复验证,保证了陶瓷管壳的稳定性、一... 针对低温共烧陶瓷(LTCC)基陶瓷管壳开展了国产化替代研究,采用化学镀镍钯金工艺提高焊盘的焊接可靠性。通过键合强度、耐焊性和气密性的检测,对管壳及镀层质量进行全面评估,并通过温度循环及多批次重复验证,保证了陶瓷管壳的稳定性、一致性。结果表明,所选用的国产可化镀LTCC材料具有较好的应用前景。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷 国产化 化学镀钯金 可靠性
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面向数字微系统应用的高密度陶瓷封装基板工艺 被引量：2
9
作者 柴昭尔 卢会湘 +6 位作者 徐亚新 唐小平 李攀峰 田玉 王康 韩威 尹学全 《电子工艺技术》 2025年第1期1-3,14,共4页
针对数字微系统应用中对封装基板高密度集成的要求,以高密度陶瓷封装基板为研究对象,重点研究了精细线条、小间距互连孔的印刷/填孔工艺,并对其影响因素展开了详细研究,获得了最优工艺参数,为最终形成数字信号处理功能的最小系统提供了... 针对数字微系统应用中对封装基板高密度集成的要求,以高密度陶瓷封装基板为研究对象,重点研究了精细线条、小间距互连孔的印刷/填孔工艺,并对其影响因素展开了详细研究,获得了最优工艺参数,为最终形成数字信号处理功能的最小系统提供了高集成陶瓷基板。 展开更多
关键词 LTCC 精细线条 互连孔
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微波3D-SiP模组的关键工艺方法研究
10
作者 廖雯 张威 +2 位作者 文鹏 吉垚 张磊 《压电与声光》 北大核心 2025年第5期852-856,共5页
本文介绍了一种微波3D-SiP模组的工艺设计方法。该模组内部采用4种焊接材料和1种粘接材料,基于通用气密封HTCC管壳进行三维堆叠,实现了立体组装的产品小型化。同时,通过理论仿真与产品加工工艺相结合,分别对影响模组装配质量的键合、电... 本文介绍了一种微波3D-SiP模组的工艺设计方法。该模组内部采用4种焊接材料和1种粘接材料,基于通用气密封HTCC管壳进行三维堆叠,实现了立体组装的产品小型化。同时,通过理论仿真与产品加工工艺相结合,分别对影响模组装配质量的键合、电路板入壳和批量植球3项关键工艺进行研究。研究表明,该模组采用的工艺方法具有标准化、通用化、可靠性高的工艺特点。 展开更多
关键词 微波3D-SiP模组 三维堆叠 仿真 金丝键合 植球工艺
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全银体系国产化LTCC基板工艺的关键技术 被引量：1
11
作者 马涛 张鹏飞 李靖巍 《电子工艺技术》 2025年第2期19-23,共5页
研究了全银体系国产化LTCC基板的填孔、烧结及化学镀镍钯金工艺。分析了浆料性能和掩模版参数对填孔工艺质量的影响,探讨了基板烧结平整性与收缩一致性的控制方案,并剖析了化学镀镍钯金工艺的影响因素。研究表明,填孔浆料的收缩率、触... 研究了全银体系国产化LTCC基板的填孔、烧结及化学镀镍钯金工艺。分析了浆料性能和掩模版参数对填孔工艺质量的影响,探讨了基板烧结平整性与收缩一致性的控制方案,并剖析了化学镀镍钯金工艺的影响因素。研究表明,填孔浆料的收缩率、触变性能以及掩模版的厚度和孔径均会显著影响填孔工艺质量;导体浆料的烧结收缩率、基板烧结温度及等静压工艺则直接关系基板的平整性和收缩一致性;LTCC材料特性及化学镀镍钯金工艺对表层金属化质量产生重要影响。 展开更多
关键词 银浆 LTCC 填孔 烧结 化学镀镍钯金
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电子封装用Al_(2)O_(3)陶瓷绝缘子金属外壳漏气研究
12
作者 张玉君 张浩 +3 位作者 于辰伟 冯东 赵飞 张志成 《中国集成电路》 2025年第7期62-66,共5页
金属外壳具有良好的密封性能,是高可靠器件的首选。目前,大部分金属外壳采用玻璃绝缘子熔封的形式实现密封,但玻璃脆性大,受外力时易碎裂,存在漏气风险。使用强度更高的氧化铝陶瓷绝缘子能有效避免此问题,但此类外壳在生产过程中偶发漏... 金属外壳具有良好的密封性能,是高可靠器件的首选。目前,大部分金属外壳采用玻璃绝缘子熔封的形式实现密封,但玻璃脆性大,受外力时易碎裂,存在漏气风险。使用强度更高的氧化铝陶瓷绝缘子能有效避免此问题,但此类外壳在生产过程中偶发漏气现象。本文选取漏气外壳,进行了漏气部位确认,并使用扫描电镜对漏气部位进行了形貌及成分分析,判断造成漏气的主要原因为绝缘子镍层较薄、存在孔洞,在钎焊过程中无法起到阻挡钎料的作用。高温时钎料穿过镍层,到达并侵蚀金属化层,金属化层在个别位置出现了分层,导致外壳漏气。 展开更多
关键词 金属外壳 陶瓷绝缘子 镍层 金属化层 漏气
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高密度电容硅孔刻蚀工艺
13
作者 康建波 王敬轩 +1 位作者 商庆杰 宋洁晶 《电子工艺技术》 2025年第6期13-18,共6页
硅孔刻蚀是制备高密度电容芯片的重要工序。采用博世(Bosch)工艺刻蚀直径1.5±0.1μm的硅孔,刻蚀后的硅孔侧壁出现弯曲(Bowing)现象。对此现象进行试验分析,认为是刻蚀气体在硅孔中、上部位停留时间过长导致在硅孔侧壁上形成刻蚀损... 硅孔刻蚀是制备高密度电容芯片的重要工序。采用博世(Bosch)工艺刻蚀直径1.5±0.1μm的硅孔,刻蚀后的硅孔侧壁出现弯曲(Bowing)现象。对此现象进行试验分析,认为是刻蚀气体在硅孔中、上部位停留时间过长导致在硅孔侧壁上形成刻蚀损伤的原因。通过减小刻蚀气体流量、增加偏置电极功率和降低腔室压力可有效避免硅孔侧壁Bowing现象发生。研究了不同刻蚀循环数、化学刻蚀气体流量、化学刻蚀腔室压力和化学刻蚀偏置电极功率对硅孔深宽比的影响。试验结果表明:增加化学刻蚀偏置电极功率能够有效提升硅孔深宽比,优化后的博世(Bosch)工艺获得了顶部直径1.49μm,底部直径1.05μm,深度36μm,侧壁倾角89.6°,深宽比达到24:1的硅孔,制备的高密度电容芯片容值密度为40 nF/mm^(2),击穿电压达到50 V以上,漏电流在1μA以下。 展开更多
关键词 硅孔刻蚀 刻蚀损伤 高密度电容 博世工艺 深宽比 偏置电极功率
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多芯片组件功率芯片粘接失效分析及工艺改进
14
作者 孙鑫 金家富 +3 位作者 闵志先 吴伟 张建 何威 《电子工艺技术》 2025年第2期15-18,共4页
在微波多芯片组件中,VDMOS功率芯片常见的组装模式为粘接或焊接。导电胶粘接芯片虽具有操作简单、工艺温度低和便于返修的优点,但芯片的流片过程中易引入污染,在水、氧气条件下与背金电镀Ni层、导电胶Ag粉发生电化学腐蚀,导致接触电阻... 在微波多芯片组件中,VDMOS功率芯片常见的组装模式为粘接或焊接。导电胶粘接芯片虽具有操作简单、工艺温度低和便于返修的优点,但芯片的流片过程中易引入污染,在水、氧气条件下与背金电镀Ni层、导电胶Ag粉发生电化学腐蚀,导致接触电阻增大的失效现象。经试验分析发现,芯片背面污染无有效的去除方法,为避免污染物对电性能的影响,将粘接改为焊接后粘接,即芯片先焊接到钼铜载体上,检查钎透率合格后再用导电胶粘接到基板上,芯片漏极背金层熔解到焊料中形成稳定的冶金结合,原有污染界面将不复存在,可有效提升芯片连接的可靠性。 展开更多
关键词 多芯片组件 VDMOS 粘接 焊接 钼铜载体
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3D封装BGA器件控温焊接工艺研究
15
作者 郭立 高鹏 +2 位作者 张婷婷 耿煜 田翔文 《宇航材料工艺》 北大核心 2025年第1期87-92,共6页
航天用3D封装BGA器件在印制板组装件的焊接过程中存在温度限制,无法与其他大尺寸面阵列器件(例如BGA、CCGA、LGA)的焊接温度相兼容,在回流焊过程中需对3D BGA器件实施控温焊接。本文专为3D封装BGA器件设计了回流焊控温焊接工装,并构建... 航天用3D封装BGA器件在印制板组装件的焊接过程中存在温度限制,无法与其他大尺寸面阵列器件(例如BGA、CCGA、LGA)的焊接温度相兼容,在回流焊过程中需对3D BGA器件实施控温焊接。本文专为3D封装BGA器件设计了回流焊控温焊接工装,并构建了热仿真模型,模拟了该器件在回流焊过程中的焊接情况。同时,还对采用控温工装进行的回流焊接过程进行了试验,以验证仿真数据的准确性。结果显示,控温工装能有效降低器件温度,其中工装顶部遮挡了焊接环境中上部的射流,对器件温度的影响最为显著。试验结果与仿真结果相吻合,证实了仿真结果的准确性和有效性,表明可采用仿真方法缩短实验周期。对使用工装回流焊接后的器件进行微观组织分析发现,焊接后的器件焊点完整,无明显缺陷,内部状态良好,焊点均形成了连续的扇贝状界面层,且IMC层厚度均满足航天标准要求。 展开更多
关键词 3D封装 BGA 控温 回流焊 仿真分析
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Ho元素调控“芯-壳”结构超薄层MLCC介电性能和可靠性研究
16
作者 蔡振灏 赵一凡 +4 位作者 张蕾 于杰 曹秀华 付振晓 孙蓉 《现代技术陶瓷》 2025年第5期470-483,共14页
随着电子器件微型化的发展,片式多层陶瓷电容器(MLCC)作为核心电子元件,其超薄层化进程中的介电性能和可靠性提升成为关键挑战。本研究通过“芯-壳”结构精准调控,实现了超薄层MLCC中BaTiO3基陶瓷介质层性能的改善。研究表明,Ho掺杂浓... 随着电子器件微型化的发展,片式多层陶瓷电容器(MLCC)作为核心电子元件,其超薄层化进程中的介电性能和可靠性提升成为关键挑战。本研究通过“芯-壳”结构精准调控,实现了超薄层MLCC中BaTiO3基陶瓷介质层性能的改善。研究表明,Ho掺杂浓度的调节能有效调控“芯-壳”结构特征,从而系统优化MLCC的介电性能和可靠性。当Ho掺杂量达到1.5 mol%时,壳层浓度显著提升,材料表现出优异的介电性能:常温介电常数达3820,介电损耗低于2.0%,且在-55℃至100℃温度区间内表现出优异的温度稳定性,容温系数变化不超过15%。值得注意的是,当Ho掺杂量增至2 mol%时,壳层厚度增加导致“芯-壳”比例改变使介电性能降低,但材料的绝缘电阻得到显著提升,整体可靠性获得增强。本研究系统阐明了Ho掺杂浓度、“芯-壳”结构特征与材料性能间的构效关系,为超薄层MLCC介质材料的结构设计和性能优化提供了重要的理论指导和实验基础。这些发现对推动新一代高性能MLCC的发展具有重要的科学意义和应用价值。 展开更多
关键词 MLCC 芯-壳结构 介电性能 可靠性 X5R
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某产品微带基板导电胶接过程中的脱粘机理研究
17
作者 武建锋 胡梦园 +1 位作者 谢颖然 佟文清 《环境技术》 2025年第5期64-67,共4页
导电胶膜是一种具有导电性能的粘合剂,在雷达电子领域主要应用于大面积导电粘接,如各类基板和金属的连接。导电胶接的过程通常需经历一定的温度和压力才能保证胶接的质量。本文针对某产品导电胶接过程中的基板脱粘缺陷,从装配工艺、工... 导电胶膜是一种具有导电性能的粘合剂,在雷达电子领域主要应用于大面积导电粘接,如各类基板和金属的连接。导电胶接的过程通常需经历一定的温度和压力才能保证胶接的质量。本文针对某产品导电胶接过程中的基板脱粘缺陷,从装配工艺、工装设计及使用情况以及胶接参数控制等方面进行故障分析,定位到胶接压力的传输路径被切断是造成微带脱粘的根因,并给出该类产品在胶接过程中的控制要求。 展开更多
关键词 微带基板 导电胶接 胶接工装设计 雷达组件
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多芯片组件GaAs芯片氢效应失效分析及改进
18
作者 孙鑫 金家富 +2 位作者 吴伟 何威 张建 《电子工艺技术》 2025年第4期18-22,共5页
密封组件中GaAs芯片易受氢效应影响导致性能退化。研究表明GaAs芯片有多种失效模式,且失效速率和氢含量、工作时间及温度强相关,依赖关系服从经验公式,因此氢效应控制方法和工艺应结合其具体工作状态来确定。通过分析GaAs器件中的典型... 密封组件中GaAs芯片易受氢效应影响导致性能退化。研究表明GaAs芯片有多种失效模式,且失效速率和氢含量、工作时间及温度强相关,依赖关系服从经验公式,因此氢效应控制方法和工艺应结合其具体工作状态来确定。通过分析GaAs器件中的典型氢效应失效现象和特征,探究其失效模式及机理,研究氢的来源、组件析氢及消耗机理。可从原材料选型、芯片制作工艺优化和电路或封装设计改进三方面控制氢效应,组件氢效应失效率降低了70%,为生产和使用中的控氢过程提供参考和依据。 展开更多
关键词 多芯片组件 GAAS 失效 氢效应
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微波印制基板与深腔盒体导电胶粘接工艺实验
19
作者 贺彩霞 崔晓萌 刘亚柳 《信息记录材料》 2025年第7期28-30,68,共4页
为解决微波印制基板与深腔屏蔽盒体大面积接地可靠连接的问题,本文采用丝印导电胶工艺,进行了材料选择、底版设计、丝印印刷、固化参数正交、胶膜厚度测试等实验,确定了导电胶固化工艺参数和丝印粘接的工艺条件,解决了溢胶、真空加压和... 为解决微波印制基板与深腔屏蔽盒体大面积接地可靠连接的问题,本文采用丝印导电胶工艺,进行了材料选择、底版设计、丝印印刷、固化参数正交、胶膜厚度测试等实验,确定了导电胶固化工艺参数和丝印粘接的工艺条件,解决了溢胶、真空加压和消除气泡的问题。实验结果表明:微波印制基板与深腔屏蔽盒体采用丝印导电胶进行粘接的方法更加简便、可行。 展开更多
关键词 微波印制基板 深腔型屏蔽盒 大面积接地 丝印导电胶 真空袋
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μBGA焊接缺陷分析与改善
20
作者 高燕青 黎全英 《电子工艺技术》 2025年第2期24-27,共4页
BGA器件的出现促进了SMT的发展和革新,因其高度集成、体积小、性能稳定,在多个领域得到了广泛的应用,μBGA是一种更小的BGA形式。对μBGA器件出现的焊接缺陷进行了分析,排除了焊接工艺问题、器件本身问题。通过优化印制板焊盘的设计方式... BGA器件的出现促进了SMT的发展和革新,因其高度集成、体积小、性能稳定,在多个领域得到了广泛的应用,μBGA是一种更小的BGA形式。对μBGA器件出现的焊接缺陷进行了分析,排除了焊接工艺问题、器件本身问题。通过优化印制板焊盘的设计方式,解决了μBGA焊接缺陷。 展开更多
关键词 SMT μBGA 焊接缺陷 印制板 焊盘
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