TDDB击穿特性评估薄介质层质量 被引量：8

1

作者 胡恒升 张敏 林立谨 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期80-83,74,共5页

与时间相关电介质击穿 (TDDB)测量是评估厚度小于 2 0nm薄栅介质层质量的重要方法 .氧化层击穿前 ,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态 ,当陷阱密度超过临界平均值 ρbd时 ,发生击穿 .击穿电量Qbd值表征了介质层的质... 与时间相关电介质击穿 (TDDB)测量是评估厚度小于 2 0nm薄栅介质层质量的重要方法 .氧化层击穿前 ,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态 ,当陷阱密度超过临界平均值 ρbd时 ,发生击穿 .击穿电量Qbd值表征了介质层的质量 .Qbd值及其失效统计分布与测试电流密度、电场强度、温度及氧化层面积等有定量关系 .TDDB的早期失效分布可以反映工艺引入的缺陷 .TDDB可以直接评估氧化、氮化、清洗、刻蚀等工艺对厚度小于 10nm的栅介质质量的影响 .它是硅片级评估可靠性和预测EEPROM擦写次数的重要方法 . 展开更多

关键词 薄介质层 VLSI 集成电路 TDDB 击穿特性

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VLSI成品率预测与仿真 被引量：6

2

作者 郝跃 林锐 马佩军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期55-58,共4页

本文建立ＩＣ光刻工艺相关缺陷计算模型和基于ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ统计成品率计算模型．阐述了集成电路功能成品率仿真系统ＸＤＹＥＳ实现，讨论了应用ＸＤＹＥＳ实现功能成品率设计，并给出该系统实用性验证．研究分析表明，其结... 本文建立ＩＣ光刻工艺相关缺陷计算模型和基于ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ统计成品率计算模型．阐述了集成电路功能成品率仿真系统ＸＤＹＥＳ实现，讨论了应用ＸＤＹＥＳ实现功能成品率设计，并给出该系统实用性验证．研究分析表明，其结果与实际结果符合很好． 展开更多

关键词 功能成品率 预测 仿真 VLSI

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d-叉树k-FT结构的可靠性分析及冗余单元的分配 被引量：1

3

作者 赵天绪 郝跃 +1 位作者 周涤非 许冬岗 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期197-200,共4页

随着芯片面积的增加及电路复杂性的增强，系统的可靠性逐渐下降．为了保证有较高的可靠性，人们将容错技术引进了集成电路的设计中．文中分析了ｄ－叉树的ｋ－ＦＴ结构的可靠性，同时讨论了如何分配冗余单元才能使系统具有较高可靠性的... 随着芯片面积的增加及电路复杂性的增强，系统的可靠性逐渐下降．为了保证有较高的可靠性，人们将容错技术引进了集成电路的设计中．文中分析了ｄ－叉树的ｋ－ＦＴ结构的可靠性，同时讨论了如何分配冗余单元才能使系统具有较高可靠性的问题． 展开更多

关键词 d-叉树 可靠性分析 覆盖因子 冗余单元分配 VLSI

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VLSI金属化互连可靠性的快速评价技术

4

作者 焦慧芳 章晓文 +4 位作者 孔学东 孙青 吴文章 扬文 徐征 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期75-81,共7页

深入探讨了标准晶片级电迁移加速试验方法 ( SWEAT试验方法 )的试验原理、试验系统的建立、试验步骤及试验结果的分析等 ,并将在实践中总结出的试验经验和技巧介绍给大家。同时将该方法应用到生产实际 ,为工艺可靠性监测、研究电迁移失... 深入探讨了标准晶片级电迁移加速试验方法 ( SWEAT试验方法 )的试验原理、试验系统的建立、试验步骤及试验结果的分析等 ,并将在实践中总结出的试验经验和技巧介绍给大家。同时将该方法应用到生产实际 ,为工艺可靠性监测、研究电迁移失效机理与关键工艺的相关关系提供了有效手段。 展开更多

关键词 VLSI 金属化互连 集成电路 可靠性

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热应力条件下VLSI金属化布线的可靠性

5

作者 郭伟玲 李志国 +3 位作者 周天夷 孙英华 张万荣 沈光地 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期203-207,共5页

利用深层掩埋Ｔｉ－Ｗ自加热结构产生了沿金属化条长方向的温度梯度，通过电阻测温法精确测定实验条上的温度分布，从电迁徙平均失效时间、ＳＥＭ分析等角度，研究了温度梯度对电迁徙的影响。实验发现，选择合适的工艺条件可保证电阻测... 利用深层掩埋Ｔｉ－Ｗ自加热结构产生了沿金属化条长方向的温度梯度，通过电阻测温法精确测定实验条上的温度分布，从电迁徙平均失效时间、ＳＥＭ分析等角度，研究了温度梯度对电迁徙的影响。实验发现，选择合适的工艺条件可保证电阻测温法的稳定性；温度梯度的不同取向对电迁徙平均失效时间存在较大影响，逆向温度梯度可极大地提高金属化的抗电迁徙寿命。 展开更多

关键词 VLSI 金属化 可靠性

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国内外电子元器件失效分析新技术及其采用的仪器设备 被引量：3

6

作者 费庆宇 《电子产品可靠性与环境试验》 1995年第3期57-59,共3页

1 引言 电子元器件的失效分析技术,由于集成电路的产生和发展,发生了重大的变革。 从80年代初VLSI出现,至今线宽已减到亚微米数量级并有可能继续减小。由于每芯片元件数的急剧增加,线宽和元件尺寸的大幅度减小,主要失效机理也发生了根... 1 引言 电子元器件的失效分析技术,由于集成电路的产生和发展,发生了重大的变革。 从80年代初VLSI出现,至今线宽已减到亚微米数量级并有可能继续减小。由于每芯片元件数的急剧增加,线宽和元件尺寸的大幅度减小,主要失效机理也发生了根本性的变化。分立晶体管和中小规模集成电路的主要失效机理为:引线键合缺陷、封装缺陷、钠离子沾污、氧化层针孔和金属半导体接触退化等,而大规模和超大规模集成电路的主要失效机理为:金属化引线电迁移、介质击穿、热载流子注入、ESD损伤和软失效等。 展开更多

关键词 电子元器件 失效分析 VLSI 测试

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深亚微米MOSFET热载流子退化机理及建模的研究进展 被引量：6

7

作者 张卫东 郝跃 汤玉生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期76-80,43,共6页

本文给出了深亚微米ＭＯＳ器件热载流子效应及可靠性研究与进展．对当前深亚微米ＭＯＳ器件中的主要热载流子现象以及由其引起的器件性能退化的物理机制进行了详细论述．不仅对热电子，同时也对热空穴的影响进行了重点研究，为深亚微米... 本文给出了深亚微米ＭＯＳ器件热载流子效应及可靠性研究与进展．对当前深亚微米ＭＯＳ器件中的主要热载流子现象以及由其引起的器件性能退化的物理机制进行了详细论述．不仅对热电子，同时也对热空穴的影响进行了重点研究，为深亚微米ＣＭＯＳ电路热载流子可靠性研究奠定了基础．本文还讨论了深亚微米器件热载流子可靠性模型，尤其是ＭＯＳ器件的热载流子退化模型． 展开更多

关键词 深亚微米 MOSFET 热载流子 可靠性 退化 模型

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低压低功耗集成电路: SOI技术的新机遇

8

作者 张兴 王阳元 《电子科技导报》 1998年第12期13-15,23,共4页

就热载流子效应、软失效、体效应及寄生电容等问题将薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅ＣＭＯＳ器件进行比较。并阐述薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术是低压低功耗集成电路的理想技术。

关键词 低压低功耗 SOI 体硅 CMOS ULSI

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VLSI/ULSI可靠性的监测与模拟

9

作者 杨谟华 方朋 《电子科技导报》 1998年第12期19-23,共5页

论述了ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性的监测与模拟领域的技术背景、研究特点、技术进展与现代监测分析技术，并进而讨论了ＶＬＳＩ可靠性工程技术发展趋势。

关键词 VLSI/ULSI 可靠性 监测 模拟 BERT 寿命 失效率

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VLSI中的Al金属化系统

10

作者 李志国 《半导体情报》 1995年第6期30-34,共5页

扼要介绍了Ａｌ在ＶＬＳＩ的作用及要求。指出了随着ＶＬＳＩ的发展，由Ａｌ金属化电迁徙引起的失效将成为影响ＶＬＳＩ可靠性的主要失效机理，并对由电迁徙引起的各种失效现象及相应的改进措施进行了分析。最后指出，随着Ａｌ金属化系... 扼要介绍了Ａｌ在ＶＬＳＩ的作用及要求。指出了随着ＶＬＳＩ的发展，由Ａｌ金属化电迁徙引起的失效将成为影响ＶＬＳＩ可靠性的主要失效机理，并对由电迁徙引起的各种失效现象及相应的改进措施进行了分析。最后指出，随着Ａｌ金属化系统抗电迁徙性能的提高和新结构、新工艺的出现，Ａｌ在ＶＬＳＩ金属中的地位将会得到进一步的确认。 展开更多

关键词 大规模集成电路 铝 金属化 可靠性

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国外VLSI可靠性工程的进展

11

作者 史保华 《电子产品可靠性与环境试验》 1994年第5期17-23,共7页

1 前言 随着VLSI技术的发展,采用按比例缩小的原则(即在恒定电压下,器件尺寸缩小k倍,掺杂浓度增加k倍,电场强度增加k倍,电流密度增加k^3倍),使IC的规模不断增加,性能和功能不断扩大和完善;但因工作电压并不能相应降低,电路中的电流密度... 1 前言 随着VLSI技术的发展,采用按比例缩小的原则(即在恒定电压下,器件尺寸缩小k倍,掺杂浓度增加k倍,电场强度增加k倍,电流密度增加k^3倍),使IC的规模不断增加,性能和功能不断扩大和完善;但因工作电压并不能相应降低,电路中的电流密度和电场强度大大增加,加上一些新技术的采用,如采用多层布线技术,互连线要经过多个复杂的台阶,台阶的覆盖性能变差,这就造成互连线中的电迁移问题严重起来。电场的增强使MOS器件中栅介质的漏电和击穿成了问题,在短沟器件中(有效沟道长度小于3μm),热载流子效应显著,成为当前MOS IC中的主要可靠性问题,另外,随着微电路应用领域的不断扩大,用户对微电路的可靠性要求日益提高,正是这种用户要求与市场的竞争,推动着微电路可靠性水平的不断发展与提高。 展开更多

关键词 超大规模 集成电路 VLSI 可靠性 进展

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VLSI容错设计研究进展(1)——缺陷的分布模型及容错设计的关键技术 被引量：2

12

作者 郝跃 赵天绪 易婷 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 1999年第1期20-32,共13页

随着芯片面积的增加及电路复杂性的增强，芯片的成品率逐渐下降，为了保证合理的成品率，人们将容错技术结合入了集成电路。文中首先概述了缺陷及其分布，然后概述了容错技术，并详细地叙述了动态容错技术中的两个关键问题：故障诊断及... 随着芯片面积的增加及电路复杂性的增强，芯片的成品率逐渐下降，为了保证合理的成品率，人们将容错技术结合入了集成电路。文中首先概述了缺陷及其分布，然后概述了容错技术，并详细地叙述了动态容错技术中的两个关键问题：故障诊断及冗余单元的分配问题。 展开更多

关键词 缺陷 故障诊断 容错技术 冗余单元 VLSI 设计

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VLSI容错设计研究进展(2)——功能成品率与可靠性的研究 被引量：1

13

作者 郝跃 赵天绪 易婷 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期129-138,共10页

带冗余的集成电路的成品率的估计对制造者来说是一个非常重要的问题。文中将集中分析和讨论带冗余的成品率模型和可靠性，给出了该领域研究进展的最新结果，并指出了进一步研究的方向和策略。

关键词 成品率模型 容错技术 多级冗余 可靠性分析 VLSI

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VLSI可靠性面临挑战——从器件物理性质到圆片规模系统

14

作者 蔡少英 《电子产品可靠性与环境试验》 1996年第2期66-67,共2页

在VLSI技术中,每块芯片有1亿块到10亿块晶体管,VLSI有非常高的速度和复杂的加工手段,从而把生产技术推向实际的极点。为了满足极低失效率的设计目标,出现了单圆片加工、工具组合和自动化的提高。如果生产方法要满足这些需要,就必须了解... 在VLSI技术中,每块芯片有1亿块到10亿块晶体管,VLSI有非常高的速度和复杂的加工手段,从而把生产技术推向实际的极点。为了满足极低失效率的设计目标,出现了单圆片加工、工具组合和自动化的提高。如果生产方法要满足这些需要,就必须了解不同失效机理的物理特性。在获取高可靠性方面,日本和美国的生产方法不太一样。在日本,对质量的期望和竞争的压力产生了一种用户应得到高可靠性的文化环境,用户的要求迫使厂家研制出内建可靠性的生产过程。因而质量控制管理观念得到了广泛接受(设计人员和组装工人一同合作,减少生产缺陷),设计者在设计中则坚持降低对供应和生产变量敏感度的设计思想。 展开更多

关键词 VLSI 可靠性

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薄栅氧化层的TDDB研究 被引量：3

15

作者 王晓泉 《微纳电子技术》 CAS 2002年第6期12-15,20,共5页

随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本文重点介绍了TDDB的几种主要击穿模型和机理,比较了软击穿和硬击穿过程的联系与区别,并... 随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本文重点介绍了TDDB的几种主要击穿模型和机理,比较了软击穿和硬击穿过程的联系与区别,并初步分析了TDDB与测试电场、温度以及氧化层厚度的关系。 展开更多

关键词 薄栅氧化层 TDDB 薄栅氧化层 绝缘击穿 可靠性 超大规模集成电路

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基于遗传算法的PCB互连测试矢量集优化初探 被引量：2

16

作者 卢静 周娅 郭学仁 《桂林电子工业学院学报》 2000年第3期41-44,共4页

测试矢量生成是 PCB互连测试的关键环节 ,它对整个 PCB测试过程有着重要意义。本文就基于遗传算法的 PCB互连测试矢量集优化讨论了编码策略、目标函数等问题 ,提出了几种遗传算子的改进方案 ,得出一种高效的遗传算法。实验数据证明该方... 测试矢量生成是 PCB互连测试的关键环节 ,它对整个 PCB测试过程有着重要意义。本文就基于遗传算法的 PCB互连测试矢量集优化讨论了编码策略、目标函数等问题 ,提出了几种遗传算子的改进方案 ,得出一种高效的遗传算法。实验数据证明该方法是有效的。 展开更多

关键词 遗传算法 VLSI 优化 PCB 互连 测试矢量集

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MOS VLSI可靠性浅析 被引量：2

17

作者 郭士东 《微处理机》 1996年第4期20-22,34,共4页

本文论述了MOSVLSI主要失效机理，即薄氧化层击穿、热载流子效应、铝－硅接触失效、电迁移以及软错误，并给出了预防上述失效的一些技术措施。

关键词 VLSI MOS 可靠性 集成电路

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一种轨至轨输入的低压低功耗运放的设计 被引量：1

18

作者 贾政亚 张丽燕 黄云川 《电子设计应用》 2006年第4期114-115,共2页

本文采用0.35μm的CMOS标准工艺,设计了一种轨至轨输入,静态功耗150μW,相位增益86dB,单位增益带宽2.3MHz的低压低功耗运算放大器。该运放在共模输入电平下有着几乎恒定的跨导,使频率补偿更容易实现,可应用于VLSI库单元及其相关技术领域。

关键词 低功耗 轨至轨 恒定跨导

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容错VLSI的可靠性分析模型及其应用

19

作者 陈湛 廖国宁 童勤义 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第6期36-39,共4页

本文提出了一级和多级容错系统的可靠性分析模型,并讨论了该模型在容错算法的评价、容错资源的分配、容错 VLSI 可靠性综合等方面的应用。

关键词 VLSI 容错 可靠性 集成电路 模型

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一种新的失效分析技术——光辐射检测技术 被引量：1

20

作者 恩云飞 《电子产品可靠性与环境试验》 1996年第4期45-49,共5页

光辐射检测技术是一种新的失效分析技术,它能确定器件失效部位、区分失效机理,还可以进行光谱分析.这项技术可用来研究器件的PN结退化、寄生晶体管效应、热电子退化、I/O保护电路中的ESD效应、介质层漏电和击穿退化、金属化系统退化等,... 光辐射检测技术是一种新的失效分析技术,它能确定器件失效部位、区分失效机理,还可以进行光谱分析.这项技术可用来研究器件的PN结退化、寄生晶体管效应、热电子退化、I/O保护电路中的ESD效应、介质层漏电和击穿退化、金属化系统退化等,具有灵敏度高、非接触、非破坏的特点.本文对光辐射检测技术及其在器件失效分析方面的应用情况作了一个全面的介绍. 展开更多

关键词 光辐射显微镜 VLSI器件 失效分析 可靠性

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