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P^+-n^+隧道结的比接触电阻
1
作者 吴应前 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期44-48,共5页
本文根据Kane的直接隧穿理论,结合欧姆接触的特点,导出了p^+-n^+隧道结比接触电阻的计算公式.此式适用于直接能隙半导体,也适用于Si.在N_D+5×10^(20)cm^(-3)的磷浓度下,对一系列N_A值,按此式计算了Al/n^+-Si的比接触电阻R_(co)结果... 本文根据Kane的直接隧穿理论,结合欧姆接触的特点,导出了p^+-n^+隧道结比接触电阻的计算公式.此式适用于直接能隙半导体,也适用于Si.在N_D+5×10^(20)cm^(-3)的磷浓度下,对一系列N_A值,按此式计算了Al/n^+-Si的比接触电阻R_(co)结果与Finetti等的测量值在数量级上完全一致.证明AL/n^+-Si的R_c基本上由其中的p^+-n^+结决定,因而与合金工艺有密切关系. 展开更多
关键词 VLSI 欧姆接触 pn隧道结
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多层印制板可靠性评价
2
作者 裴潮 《电子工艺技术》 1989年第2期27-30,共4页
多层印刷板的可靠性与设计、制造以及质量保证的质量密切相关,要提高多层印制板的可靠性,就必须制定出一个高标准的设计规范,高水平的制造技术和高可靠性的质量保证手段。
关键词 多层印制板 可靠性 布线 VLSI
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