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面向超高频植入式RFID芯片的温度传感器研制 被引量:1
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作者 王俊杰 肖宛昂 吴静珠 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第1期47-55,共9页
基于0.18μm工艺设计并实现了一款用于超高频植入式RFID芯片的温度传感器。该温度传感器将MOS管作为感温元件,采用基于亚阈值MOS管的低功耗感温核心。传感器利用PTAT和CTAT两种电压延时器构成脉宽产生电路,从而生成脉宽信号,并与时间数... 基于0.18μm工艺设计并实现了一款用于超高频植入式RFID芯片的温度传感器。该温度传感器将MOS管作为感温元件,采用基于亚阈值MOS管的低功耗感温核心。传感器利用PTAT和CTAT两种电压延时器构成脉宽产生电路,从而生成脉宽信号,并与时间数字转换器(TDC)一起构成温度量化电路。核心电路的版图面积为298μm×261μm,测温范围为35~45℃。流片测试结果表明,三颗芯片在两点校准后的测温最大误差为±0.4℃,关键温区的最大误差为±0.2℃,实测功耗为623 nW。基于流片实测结果,发现了当前芯片的局限性,并提出了未来芯片结构的改进方向。 展开更多
关键词 RFID芯片 温度传感器 TDC 亚阈值
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一种多姿态感知智能防护头盔的设计
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作者 孙永 张瑞雪 +3 位作者 高东杰 张书鑫 张成超 王旭龙 《天津职业技术师范大学学报》 2025年第3期22-27,共6页
针对骑行者在复杂交通环境中的安全防护问题,设计了一种多姿态感知智能防护头盔。该头盔采用STM32F407ZGT6单片机为主控核心,集多传感器融合与KNN算法处理技术,全面提升了个人防护装备的智能化水平;通过对头部姿态、加速度及旋转角度等... 针对骑行者在复杂交通环境中的安全防护问题,设计了一种多姿态感知智能防护头盔。该头盔采用STM32F407ZGT6单片机为主控核心,集多传感器融合与KNN算法处理技术,全面提升了个人防护装备的智能化水平;通过对头部姿态、加速度及旋转角度等关键参数的实时监测与分析,实现了对使用者头部姿态的精准识别。实验结果表明,该头盔能够在事故发生时迅速响应,及时启动远程求救机制,使得安全防护更高效,识别准确率更高。 展开更多
关键词 STM32F407ZGT6单片机 智能防护头盔 KNN算法 姿态识别
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自动检测技术在半导体芯片制造中的应用研究
3
作者 郭美丽 《科技创新与生产力》 2025年第10期114-116,120,共4页
文章首先对自动检测技术进行了概述,其次对自动检测技术在半导体芯片制造中的应用价值和关键技术进行了深入分析,最后对自动检测技术在半导体芯片制造中的具体应用进行了详细探讨,以期对自动检测技术在半导体芯片制造中的实际应用提供... 文章首先对自动检测技术进行了概述,其次对自动检测技术在半导体芯片制造中的应用价值和关键技术进行了深入分析,最后对自动检测技术在半导体芯片制造中的具体应用进行了详细探讨,以期对自动检测技术在半导体芯片制造中的实际应用提供参考价值。 展开更多
关键词 自动检测 半导体 芯片制造
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一种基于模拟域特征提取的语音活动检测电路 被引量:1
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作者 何建平 杨兵 +6 位作者 张静 乔飞 贾凯歌 魏琦 刘玉浩 喻剑依 石匆 《物联网技术》 2025年第5期16-20,共5页
随着人工智能的发展,智能终端设备中集成的常开型传感器的数量逐渐增加。然而,这些传感器无法对无用信息进行有效的处理,浪费了大量资源且会严重影响后续数据处理的精度。为了应对边缘终端声学传感设备在追求高精度和低功耗方面所面临... 随着人工智能的发展,智能终端设备中集成的常开型传感器的数量逐渐增加。然而,这些传感器无法对无用信息进行有效的处理,浪费了大量资源且会严重影响后续数据处理的精度。为了应对边缘终端声学传感设备在追求高精度和低功耗方面所面临的挑战,提出了一种基于语音时域特征的混合信号域语音活动检测架构。该架构能够集成于高精度声学处理系统,如关键词识别系统等,并与其组成逐级唤醒的边缘声学传感系统,从而降低边缘设备的部署成本。在具体实现上,该架构采用了基于短时能量和短时过零率的双门限语音活动检测算法,并通过将模拟域的特征提取与数字域的特征分类相结合,巧妙地规避了在边缘设备中使用功耗占比较高的ADC模块,显著降低了系统功耗。该设计采用TSMC 180 nm CMOS工艺实现,芯片面积仅为0.029 mm^(2)。仿真结果表明,该电路的功耗低至14.4μW,语音检测准确率高达97%,实现了低功耗与高性能的完美平衡,为边缘终端声学传感设备提供了高效、可靠的语音活动检测方案。 展开更多
关键词 人工智能 边缘终端声学传感设备 语音活动检测 短时能量 短时过零率 混合信号域
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基于低功耗电容开关时序的12位SAR ADC设计
5
作者 佟吉祥 申人升 +1 位作者 汪家奇 徐宁 《微处理机》 2025年第3期33-38,共6页
逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的功耗主要来源于三个模块:DAC、比较器和SAR逻辑。其中,DAC电容阵列在充放电过程中消耗的能量是影响SAR ADC整体功耗的重要因素,因此,设计低功耗电容开关时序显得尤为关键。传统VCM-based电容开关时序由... 逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的功耗主要来源于三个模块:DAC、比较器和SAR逻辑。其中,DAC电容阵列在充放电过程中消耗的能量是影响SAR ADC整体功耗的重要因素,因此,设计低功耗电容开关时序显得尤为关键。传统VCM-based电容开关时序由于工作原理和实现方式相对简单,在SAR ADC电容切换方案的设计中被广泛采用,但这种时序当比较器前后比较结果相反时,开关切换的功耗会显著上升。针对这一问题,本文提出了一种分段式电容拆分VCM-based电容开关时序,能够有效降低电容开关功耗,并且基于65nm LP CMOS工艺设计了一款12 bit 10MS/s的低功耗SAR ADC。 展开更多
关键词 逐次逼近型模数转换器 电容开关时序 分段电容结构 电容拆分技术 栅压自举开关
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高速高精度混合架构模数转换器集成电路综述
6
作者 李登全 朱樟明 《微电子学与计算机》 2025年第10期36-47,共12页
随着现代通信技术的不断发展,模数转换器(Analog-to-Digital Converter, ADC)的应用需求呈现显著增长态势。集成电路技术的持续进步不仅加速了ADC的整体发展,更推动了各类兼具高速与高精度特性的混合架构ADC的蓬勃发展。介绍与分析了混... 随着现代通信技术的不断发展,模数转换器(Analog-to-Digital Converter, ADC)的应用需求呈现显著增长态势。集成电路技术的持续进步不仅加速了ADC的整体发展,更推动了各类兼具高速与高精度特性的混合架构ADC的蓬勃发展。介绍与分析了混合架构ADC的最新研究进展,具体涵盖流水线-逐次逼近型(Pipelined-SAR)ADC、电压-时间混合域ADC及时域交织(Time-Interleaved, TI)ADC这3种类型,阐述了不同混合架构在高速、高分辨率及低功耗等关键性能指标上的突破,分析了这些技术与架构的优势及局限性,并对其未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 模数转换器 混合架构 逐次逼近寄存器 流水线 时间域 时间数字转换器 时域交织
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面向芯片自动测试设备应用的高速高精度时序生成器
7
作者 韩珍华 曾英廉 +3 位作者 王鑫 陈天阳 蔡志匡 王子轩 《固体电子学研究与进展》 2025年第3期61-67,共7页
为解决集成电路产业自动测试设备测试频率低以及测试精度差的问题,基于40 nm CMOS工艺设计了一种高速、高精度的时序生成器。针对时序调节单元的锁定误差,提出了一种双环延迟锁相环电路,利用两个环路消除静态相位误差,提高环路锁定精度... 为解决集成电路产业自动测试设备测试频率低以及测试精度差的问题,基于40 nm CMOS工艺设计了一种高速、高精度的时序生成器。针对时序调节单元的锁定误差,提出了一种双环延迟锁相环电路,利用两个环路消除静态相位误差,提高环路锁定精度,保证时序生成器宽范围调节的连续性,并有效降低时序生成器的调节非线性。该设计采用高速延迟单元配合相位插值技术提升工作频率,并在高频下获得高精度调节。测试结果表明,在1.1 V电源电压下,时序生成器最高工作频率达到了3.3 GHz,并在3.3 GHz下实现了1.2 ps的分辨率,微分非线性为0.37 LSB,积分非线性为0.77 LSB。芯片包含4个通道,总面积为12 mm2。 展开更多
关键词 时序生成器 自动测试机台 延迟锁相环 高精度
原文传递
具有功率因数校正的单相在线式不间断电源设计
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作者 黄嘉乐 林润鑫 +1 位作者 林辉煌 陈国泰 《电子设计工程》 2025年第1期74-79,共6页
文中以STM32F103C8T6为主控芯片设计了单相在线式不间断电源。该电源由变压器、功率因数校正电路、Buck电路、Boost电路、逆变电路和储能装置等构成。市电经变压等电路以直流电对储能装置进行恒流充电,而直流电也进入逆变电路产生所需... 文中以STM32F103C8T6为主控芯片设计了单相在线式不间断电源。该电源由变压器、功率因数校正电路、Buck电路、Boost电路、逆变电路和储能装置等构成。市电经变压等电路以直流电对储能装置进行恒流充电,而直流电也进入逆变电路产生所需的交流电为负载供电。当市电出现停电、过压或欠压的问题时,储能装置受控接入逆变电路,实现不间断电源供电。实验测试表明,系统具有输出电压有效值平均29.99 V,频率50.00 Hz下的总谐波失真不超过2.7%,交流输入时负载调整率1.60%,电压调整率3.69%,直流输入时电源输出效率约89.90%。此外,系统可以通过按键步进设置充电电流。 展开更多
关键词 STM32 功率因数校正 不间断电源 恒流充电
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一种K波段晶圆级封装器件化R组件设计
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作者 朱贵德 罗鑫 +2 位作者 王军会 罗里 何小峰 《电讯技术》 北大核心 2025年第6期980-985,共6页
介绍了一种基于树脂基晶圆级扇出封装的K波段器件化R组件。采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺和砷化镓(GaAs)工艺相结合的芯片架构,实现了一种紧凑型8通道数控延时低噪声放大前端。采用塑封... 介绍了一种基于树脂基晶圆级扇出封装的K波段器件化R组件。采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺和砷化镓(GaAs)工艺相结合的芯片架构,实现了一种紧凑型8通道数控延时低噪声放大前端。采用塑封扇出晶圆级封装工艺,通过在两种芯片上合理设置接地焊盘位置,再借助晶圆级封装的再布线设计和植球工艺,实现单个封装内多通道间以及多个封装间的良好电磁屏蔽。采用多物理场协同仿真方式,将无源互连的场级全波仿真结果与有源电路的电路级仿真结果进行场路协同联合仿真,通过场路协同调谐优化,得到最优宽带匹配效果,研制出了一款晶圆级扇出封装器件化R组件。实测表明在K波段噪声系数小于2.1 dB,小信号增益大于22 dB,延时误差均方根小于1.8 ps。R组件尺寸为11 mm×8 mm×0.7 mm,重量仅0.2 g。该设计方案充分发挥了CMOS工艺数模混合集成能力和GaAs工艺优异的射频性能,实现了R组件更高的功能密度、通道密度和低成本需求,具有一定的工程应用价值。 展开更多
关键词 相控阵天线 K波段R组件 晶圆级扇出封装 场路协同仿真
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基于磁隧道结back-hopping效应概率比特的设计及应用
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作者 骆凯松 黄锐 王少昊 《微电子学与计算机》 2025年第11期130-137,共8页
磁隧道结(MagneticTunnelJunctions,MTJ)的back-hopping效应在概率比特(p-bit)应用中表现出高热稳定性和快速翻转特性,是实现概率计算的理想p-bit器件之一。然而,当前MTJback-hopping效应的转移特性曲线对称性和器件一致性尚未达到大规... 磁隧道结(MagneticTunnelJunctions,MTJ)的back-hopping效应在概率比特(p-bit)应用中表现出高热稳定性和快速翻转特性,是实现概率计算的理想p-bit器件之一。然而,当前MTJback-hopping效应的转移特性曲线对称性和器件一致性尚未达到大规模概率电路(p-电路)的要求。针对这一问题,提出结合查找表模块与补码运算电路,采用半波对称外推法修正高偏压下MTJ器件的back-hopping特性曲线可显著提高p-bit器件精度。采用现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)对上述方案进行了验证。结果显示:经过优化后的基础逻辑门电路输出概率分布值与理论预期值具有良好的一致性,与门的KL散度降低为0.048%。通过将两个与门级联的实验验证表明:该方案的系统级哈密顿量符合基础逻辑门哈密顿量的线性叠加特性。同时通过调整参数的配置,实现了可配置概率密度分布的真随机数发生器,支持正态分布、卡方分布和均匀分布等多种输出模式。针对多p-bit系统的资源优化,提出的顺序更新时分复用策略,通过增加控制逻辑复用单个p-bit模块,在维持处理速度的同时,使查找表与D触发器的资源消耗降低超过80%。 展开更多
关键词 概率比特 back-hopping效应 可逆逻辑 随机数发生器 磁隧道结
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柔性热电技术在微电子电路中的集成与应用
11
作者 陈坤豪 刘文静 +1 位作者 张万田 逯瑶 《集成技术》 2025年第6期88-104,共17页
随着电路集成度提高,传统硅基器件在高频、高功率场景下面临温升失控难题,且其刚性与脆性特点与当代轻便柔性的需求相悖,因此需开展传统硅基器件的新型散热方式和新型非硅基器件的相关研究。柔性热电技术凭借制冷和发电特性为传统硅基... 随着电路集成度提高,传统硅基器件在高频、高功率场景下面临温升失控难题,且其刚性与脆性特点与当代轻便柔性的需求相悖,因此需开展传统硅基器件的新型散热方式和新型非硅基器件的相关研究。柔性热电技术凭借制冷和发电特性为传统硅基器件散热及柔性非硅基器件供能提供了创新方案,成为微电子领域的研究热点。本文首先系统综述了该技术的制冷与发电原理;其次,探讨了芯片散热设计策略与柔性热电自供能系统的构建方案,分析了从制冷材料研发到微型、薄膜与新型结构设计的芯片散热方案,阐述了从发电方式、能源管理到储能设计的完整柔性热电自供能系统架构;最后,展望了该技术与多能源系统协同、人工智能交叉创新两大研究方向,为其在微电子领域规模化应用提供理论与实践支撑。 展开更多
关键词 热电技术 集成技术 微电子 制冷 发电
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用于SiC MOSFET驱动芯片的高CMTI OOK调制电路设计
12
作者 何宁业 刘佳佳 陈旭 《咸阳师范学院学报》 2025年第4期15-19,共5页
针对现有的Si MOSFET栅驱动电路无法直接应用于高功率领域的问题,基于SiC MOSFET栅驱动芯片的高CMTIOOK调制电路,在隔离型栅驱动芯片的数据信号发送端采用高共模瞬态干扰抑制技术。在电容隔离差分传输信号架构的基础上,设计CMTI滤波电路... 针对现有的Si MOSFET栅驱动电路无法直接应用于高功率领域的问题,基于SiC MOSFET栅驱动芯片的高CMTIOOK调制电路,在隔离型栅驱动芯片的数据信号发送端采用高共模瞬态干扰抑制技术。在电容隔离差分传输信号架构的基础上,设计CMTI滤波电路,对共模波动信号进行低频干扰滤波,减小外部输入共模波动的影响,最大程度上减少由于SiCMOSFET漏端在超高压摆率的共模噪声干扰,以此提高SiCMOSFET在高速开关操作中的可靠性和稳定性。 展开更多
关键词 SiCMOSFET 共模瞬变抗扰度 隔离型栅驱动芯片 开关键控调制
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一种基于可调SPWM算法的面积优化方法
13
作者 郑骏 贺晰 《电子技术应用》 2025年第7期20-23,共4页
在LED显示驱动芯片中,采用可调的SPWM算法实现显示刷新率可调的功能。提出了一种基于SPWM算法的面积优化方法,以解决传统的可调SPWM算法在硬件实施时,所需要的面积资源较多、成本较大的问题。该算法将子周期分成2的幂长度的两种类型,由... 在LED显示驱动芯片中,采用可调的SPWM算法实现显示刷新率可调的功能。提出了一种基于SPWM算法的面积优化方法,以解决传统的可调SPWM算法在硬件实施时,所需要的面积资源较多、成本较大的问题。该算法将子周期分成2的幂长度的两种类型,由此简化了可调SPWM算法硬件化所需要的运算资源,从而能够有效地减少驱动芯片的面积。在Synopsys DC下,分别对传统和本文优化方法实现的电路进行了综合,综合结果表明,该方法可以节省33.6%的面积。 展开更多
关键词 LED显示驱动 SPWM算法 面积优化
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面向未来应急消防的柔性智能头盔设计
14
作者 赵鹤然 严义君 +5 位作者 黄维 曹中复 王诗兆 刘笛 蔡玉辉 陈明祥 《无线电工程》 2025年第6期1358-1366,共9页
柔性电子具有轻、薄、柔的物理特性,具备在有限异形空间内弯折共形、贴合人体表面实现可穿戴以及在低重量水平实现高密度集成的能力,是未来实现应急消防器械轻量化、柔性化、智能化的关键技术途径。介绍了柔性智能电子头盔为应对复杂多... 柔性电子具有轻、薄、柔的物理特性,具备在有限异形空间内弯折共形、贴合人体表面实现可穿戴以及在低重量水平实现高密度集成的能力,是未来实现应急消防器械轻量化、柔性化、智能化的关键技术途径。介绍了柔性智能电子头盔为应对复杂多变对抗环境的最新发展趋势,归纳了柔性头盔拓展对抗能力的六大辅助功能,包括应急消防人员生命体征监测、异常状态预警、特殊环境应对调节、环境感知增强、环境异常监测以及天地一体化信息网络。分析并探讨了柔性智能头盔的优势与挑战,展望了未来发展方向。 展开更多
关键词 柔性电子 智能头盔 应急消防 轻量化 健康监测
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硅基三维异构集成射频微系统的多物理场耦合仿真与设计 被引量:1
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作者 张睿 朱旻琦 +6 位作者 杨兵 冯政森 王辂 张先荣 陆宇 蔡源 邱钊 《电子技术应用》 2024年第5期1-6,共6页
利用硅基三维异构集成工艺设计一款射频微系统,以满足设备对射频模组高性能、小型化的需求。为了在设计初期充分评估该微系统的潜在可靠性风险,根据工艺特征以及产品在多物理场中的耦合现象,建立一种面向硅基三维异构集成工艺射频微系... 利用硅基三维异构集成工艺设计一款射频微系统,以满足设备对射频模组高性能、小型化的需求。为了在设计初期充分评估该微系统的潜在可靠性风险,根据工艺特征以及产品在多物理场中的耦合现象,建立一种面向硅基三维异构集成工艺射频微系统的多物理场一体化仿真流程,逐一分析所涉及的电-热耦合和热-力耦合过程,预判产品在工作条件下的热学和力学特性,为设计环节提供针对性的指导,预先规避可靠性风险,从而有效提高一次性设计成功率。 展开更多
关键词 硅基三维异构集成射频微系统 多物理场耦合仿真 电-热耦合 热-力耦合
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高密度混合电路封装技术发展趋势及可靠性评价方法研究 被引量:4
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作者 吉美宁 常明超 +4 位作者 贾子健 马保梁 王锦 董浩威 范壮壮 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第7期25-29,共5页
电子产品向小型化、智能化方向演进已是必然的发展趋势,高密度集成电路封装技术是实现产品小型化的关键技术。本文对高密度混合集成电路封装技术进行了深入研究,从基板选择、结构设计和散热设计等方面对高密度混合集成电路的封装设计进... 电子产品向小型化、智能化方向演进已是必然的发展趋势,高密度集成电路封装技术是实现产品小型化的关键技术。本文对高密度混合集成电路封装技术进行了深入研究,从基板选择、结构设计和散热设计等方面对高密度混合集成电路的封装设计进行了论述。在此基础上,结合国外非气密性混合集成电路保证要求,文章进一步研究了高密度非气密混合集成电路的可靠性评价方法,并通过应用实例说明了评价方法的有效性,可作为国产化非气密性集成电路质量保证体系建设的参考。 展开更多
关键词 混合集成电路 封装技术 可靠性评价 双列直插封装 无引脚芯片载体封装
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八边形片上螺旋电感等效电路模型研究 被引量:1
17
作者 黄智超 赵昭 李洁 《电子制作》 2024年第19期99-103,共5页
片上螺旋电感的电感值、品质因数等参数对高速无源延迟电路的性能影响较大,需要进行精确的建模和分析。本文提出了一种八边形片上螺旋电感的双π等效电路模型。该八边形片上螺旋电感双等效电路模型可以有效反映螺旋电感中的趋肤效应、... 片上螺旋电感的电感值、品质因数等参数对高速无源延迟电路的性能影响较大,需要进行精确的建模和分析。本文提出了一种八边形片上螺旋电感的双π等效电路模型。该八边形片上螺旋电感双等效电路模型可以有效反映螺旋电感中的趋肤效应、邻近效应、衬底涡流效应、衬底耦合、馈通电容、导体间电容等分布电容的影响。推导了该模型中组件的估算公式,由估算公式得出的组件参数,可作为实际数据拟合的参考值。经过拟合后的等效电路模型参数,在0.1~10GHz频率范围内,与电磁场仿真软件ADS所得的仿真结果误差不超过5%,有很好的一致性。 展开更多
关键词 片上螺旋电感 双π 等效电路模型 高速无源延时电路
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BGA焊点微裂纹缺陷检测研究 被引量:1
18
作者 牛浩浩 张祎彤 陈奎 《印制电路信息》 2024年第4期49-52,共4页
球栅阵列封装(BGA)元器件的焊点隐藏于IC芯片底部,经电装后仅边缘焊点可见,因此检验其焊接质量是行业普遍的难题。探讨了BGA焊点微裂纹缺陷的产生机理和裂纹分布,设计了基于计算机分层层析成像(CL)技术的BGA焊点微裂纹缺陷检测方法和检... 球栅阵列封装(BGA)元器件的焊点隐藏于IC芯片底部,经电装后仅边缘焊点可见,因此检验其焊接质量是行业普遍的难题。探讨了BGA焊点微裂纹缺陷的产生机理和裂纹分布,设计了基于计算机分层层析成像(CL)技术的BGA焊点微裂纹缺陷检测方法和检测流程。经实测证明,该测试方法可以兼顾检测质量和效率,具有工程应用的可行性,可为BGA焊点检验人员提供参考。 展开更多
关键词 BGA焊点 微裂纹 缺陷检测 CL技术
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军用高精度惯性微系统集成技术展望
19
作者 范昶 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第10期1181-1189,共9页
随着军事领域对精确导航和定位的需求不断提升,高精度惯性微系统集成技术在军用方面展现出显著的应用潜力。通过提升组装精度、优化封装方式、增强抗干扰能力和实现微型化设计等举措,有效突破了现有技术的瓶颈。综述了惯性传感器、导航... 随着军事领域对精确导航和定位的需求不断提升,高精度惯性微系统集成技术在军用方面展现出显著的应用潜力。通过提升组装精度、优化封装方式、增强抗干扰能力和实现微型化设计等举措,有效突破了现有技术的瓶颈。综述了惯性传感器、导航系统和集成技术的基本发展状况,深入探讨了国内外军事领域对高精度惯性微系统集成技术的需求。针对国内研究现状以及打破国外禁运的迫切需求,分析了当前在高精度、高可靠、微小型化层面进行研究的重要性和紧迫性,阐述了这些要求对于军事系统的关键作用。同时,提出了提高组装正交性、解决组装残余机械应力等封装问题的研究方向,以期推动军用高精度惯性微系统集成技术的创新和发展。 展开更多
关键词 惯性 微系统 综述 传感器融合 高精度集成
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一种高速高集成度MaskROM的设计与研究
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作者 文冠果 张进成 廖健生 《微电子学与计算机》 2024年第7期96-103,共8页
MaskROM在MCU设计应用中扮演着重要角色,而高速、高集成度是未来发展趋势。设计了一种混合结构MaskROM,兼有NAND的高集成度以及NOR的快速读出优点。子模块中串联的管子越多,集成度越高,但速度会降低。通过对行译码进行小的子模块划分,... MaskROM在MCU设计应用中扮演着重要角色,而高速、高集成度是未来发展趋势。设计了一种混合结构MaskROM,兼有NAND的高集成度以及NOR的快速读出优点。子模块中串联的管子越多,集成度越高,但速度会降低。通过对行译码进行小的子模块划分,阵列被划分为多个子模块并联。选择每个子模块为5个MOS管串联,这样既能提高集成度又能保持快速读出的特点。在选中的子模块中,被进一步选中的WL(Word Line)为低,其他WL为高,串联的bit被导通的MOS管短路掉4行,WL为低的那一行MOS管关闭,从而其MOS管两端有没有被金属短接决定了cell是否产生电流。行译码的方式可以很容易地通过数学公式进行归纳和理解。SA采用伪差分方式,通过预设offset方式实现cell的快速读出。基于0.18μm 2P5M EEPROM工艺设计实现了一款32 K×34bit的MaskROM,芯片测试结果表明,在典型条件下其读出速度能达到170 MHz。 展开更多
关键词 MASKROM NAND结构 NOR结构 灵敏放大器
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