期刊文献+
共找到290篇文章
< 1 2 15 >
每页显示 20 50 100
面向超高频植入式RFID芯片的温度传感器研制 被引量:1
1
作者 王俊杰 肖宛昂 吴静珠 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第1期47-55,共9页
基于0.18μm工艺设计并实现了一款用于超高频植入式RFID芯片的温度传感器。该温度传感器将MOS管作为感温元件,采用基于亚阈值MOS管的低功耗感温核心。传感器利用PTAT和CTAT两种电压延时器构成脉宽产生电路,从而生成脉宽信号,并与时间数... 基于0.18μm工艺设计并实现了一款用于超高频植入式RFID芯片的温度传感器。该温度传感器将MOS管作为感温元件,采用基于亚阈值MOS管的低功耗感温核心。传感器利用PTAT和CTAT两种电压延时器构成脉宽产生电路,从而生成脉宽信号,并与时间数字转换器(TDC)一起构成温度量化电路。核心电路的版图面积为298μm×261μm,测温范围为35~45℃。流片测试结果表明,三颗芯片在两点校准后的测温最大误差为±0.4℃,关键温区的最大误差为±0.2℃,实测功耗为623 nW。基于流片实测结果,发现了当前芯片的局限性,并提出了未来芯片结构的改进方向。 展开更多
关键词 RFID芯片 温度传感器 TDC 亚阈值
在线阅读 下载PDF
一种多姿态感知智能防护头盔的设计
2
作者 孙永 张瑞雪 +3 位作者 高东杰 张书鑫 张成超 王旭龙 《天津职业技术师范大学学报》 2025年第3期22-27,共6页
针对骑行者在复杂交通环境中的安全防护问题,设计了一种多姿态感知智能防护头盔。该头盔采用STM32F407ZGT6单片机为主控核心,集多传感器融合与KNN算法处理技术,全面提升了个人防护装备的智能化水平;通过对头部姿态、加速度及旋转角度等... 针对骑行者在复杂交通环境中的安全防护问题,设计了一种多姿态感知智能防护头盔。该头盔采用STM32F407ZGT6单片机为主控核心,集多传感器融合与KNN算法处理技术,全面提升了个人防护装备的智能化水平;通过对头部姿态、加速度及旋转角度等关键参数的实时监测与分析,实现了对使用者头部姿态的精准识别。实验结果表明,该头盔能够在事故发生时迅速响应,及时启动远程求救机制,使得安全防护更高效,识别准确率更高。 展开更多
关键词 STM32F407ZGT6单片机 智能防护头盔 KNN算法 姿态识别
在线阅读 下载PDF
自动检测技术在半导体芯片制造中的应用研究
3
作者 郭美丽 《科技创新与生产力》 2025年第10期114-116,120,共4页
文章首先对自动检测技术进行了概述,其次对自动检测技术在半导体芯片制造中的应用价值和关键技术进行了深入分析,最后对自动检测技术在半导体芯片制造中的具体应用进行了详细探讨,以期对自动检测技术在半导体芯片制造中的实际应用提供... 文章首先对自动检测技术进行了概述,其次对自动检测技术在半导体芯片制造中的应用价值和关键技术进行了深入分析,最后对自动检测技术在半导体芯片制造中的具体应用进行了详细探讨,以期对自动检测技术在半导体芯片制造中的实际应用提供参考价值。 展开更多
关键词 自动检测 半导体 芯片制造
在线阅读 下载PDF
一种基于模拟域特征提取的语音活动检测电路 被引量:1
4
作者 何建平 杨兵 +6 位作者 张静 乔飞 贾凯歌 魏琦 刘玉浩 喻剑依 石匆 《物联网技术》 2025年第5期16-20,共5页
随着人工智能的发展,智能终端设备中集成的常开型传感器的数量逐渐增加。然而,这些传感器无法对无用信息进行有效的处理,浪费了大量资源且会严重影响后续数据处理的精度。为了应对边缘终端声学传感设备在追求高精度和低功耗方面所面临... 随着人工智能的发展,智能终端设备中集成的常开型传感器的数量逐渐增加。然而,这些传感器无法对无用信息进行有效的处理,浪费了大量资源且会严重影响后续数据处理的精度。为了应对边缘终端声学传感设备在追求高精度和低功耗方面所面临的挑战,提出了一种基于语音时域特征的混合信号域语音活动检测架构。该架构能够集成于高精度声学处理系统,如关键词识别系统等,并与其组成逐级唤醒的边缘声学传感系统,从而降低边缘设备的部署成本。在具体实现上,该架构采用了基于短时能量和短时过零率的双门限语音活动检测算法,并通过将模拟域的特征提取与数字域的特征分类相结合,巧妙地规避了在边缘设备中使用功耗占比较高的ADC模块,显著降低了系统功耗。该设计采用TSMC 180 nm CMOS工艺实现,芯片面积仅为0.029 mm^(2)。仿真结果表明,该电路的功耗低至14.4μW,语音检测准确率高达97%,实现了低功耗与高性能的完美平衡,为边缘终端声学传感设备提供了高效、可靠的语音活动检测方案。 展开更多
关键词 人工智能 边缘终端声学传感设备 语音活动检测 短时能量 短时过零率 混合信号域
在线阅读 下载PDF
基于低功耗电容开关时序的12位SAR ADC设计
5
作者 佟吉祥 申人升 +1 位作者 汪家奇 徐宁 《微处理机》 2025年第3期33-38,共6页
逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的功耗主要来源于三个模块:DAC、比较器和SAR逻辑。其中,DAC电容阵列在充放电过程中消耗的能量是影响SAR ADC整体功耗的重要因素,因此,设计低功耗电容开关时序显得尤为关键。传统VCM-based电容开关时序由... 逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的功耗主要来源于三个模块:DAC、比较器和SAR逻辑。其中,DAC电容阵列在充放电过程中消耗的能量是影响SAR ADC整体功耗的重要因素,因此,设计低功耗电容开关时序显得尤为关键。传统VCM-based电容开关时序由于工作原理和实现方式相对简单,在SAR ADC电容切换方案的设计中被广泛采用,但这种时序当比较器前后比较结果相反时,开关切换的功耗会显著上升。针对这一问题,本文提出了一种分段式电容拆分VCM-based电容开关时序,能够有效降低电容开关功耗,并且基于65nm LP CMOS工艺设计了一款12 bit 10MS/s的低功耗SAR ADC。 展开更多
关键词 逐次逼近型模数转换器 电容开关时序 分段电容结构 电容拆分技术 栅压自举开关
在线阅读 下载PDF
高速高精度混合架构模数转换器集成电路综述
6
作者 李登全 朱樟明 《微电子学与计算机》 2025年第10期36-47,共12页
随着现代通信技术的不断发展,模数转换器(Analog-to-Digital Converter, ADC)的应用需求呈现显著增长态势。集成电路技术的持续进步不仅加速了ADC的整体发展,更推动了各类兼具高速与高精度特性的混合架构ADC的蓬勃发展。介绍与分析了混... 随着现代通信技术的不断发展,模数转换器(Analog-to-Digital Converter, ADC)的应用需求呈现显著增长态势。集成电路技术的持续进步不仅加速了ADC的整体发展,更推动了各类兼具高速与高精度特性的混合架构ADC的蓬勃发展。介绍与分析了混合架构ADC的最新研究进展,具体涵盖流水线-逐次逼近型(Pipelined-SAR)ADC、电压-时间混合域ADC及时域交织(Time-Interleaved, TI)ADC这3种类型,阐述了不同混合架构在高速、高分辨率及低功耗等关键性能指标上的突破,分析了这些技术与架构的优势及局限性,并对其未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 模数转换器 混合架构 逐次逼近寄存器 流水线 时间域 时间数字转换器 时域交织
在线阅读 下载PDF
面向芯片自动测试设备应用的高速高精度时序生成器
7
作者 韩珍华 曾英廉 +3 位作者 王鑫 陈天阳 蔡志匡 王子轩 《固体电子学研究与进展》 2025年第3期61-67,共7页
为解决集成电路产业自动测试设备测试频率低以及测试精度差的问题,基于40 nm CMOS工艺设计了一种高速、高精度的时序生成器。针对时序调节单元的锁定误差,提出了一种双环延迟锁相环电路,利用两个环路消除静态相位误差,提高环路锁定精度... 为解决集成电路产业自动测试设备测试频率低以及测试精度差的问题,基于40 nm CMOS工艺设计了一种高速、高精度的时序生成器。针对时序调节单元的锁定误差,提出了一种双环延迟锁相环电路,利用两个环路消除静态相位误差,提高环路锁定精度,保证时序生成器宽范围调节的连续性,并有效降低时序生成器的调节非线性。该设计采用高速延迟单元配合相位插值技术提升工作频率,并在高频下获得高精度调节。测试结果表明,在1.1 V电源电压下,时序生成器最高工作频率达到了3.3 GHz,并在3.3 GHz下实现了1.2 ps的分辨率,微分非线性为0.37 LSB,积分非线性为0.77 LSB。芯片包含4个通道,总面积为12 mm2。 展开更多
关键词 时序生成器 自动测试机台 延迟锁相环 高精度
原文传递
具有功率因数校正的单相在线式不间断电源设计
8
作者 黄嘉乐 林润鑫 +1 位作者 林辉煌 陈国泰 《电子设计工程》 2025年第1期74-79,共6页
文中以STM32F103C8T6为主控芯片设计了单相在线式不间断电源。该电源由变压器、功率因数校正电路、Buck电路、Boost电路、逆变电路和储能装置等构成。市电经变压等电路以直流电对储能装置进行恒流充电,而直流电也进入逆变电路产生所需... 文中以STM32F103C8T6为主控芯片设计了单相在线式不间断电源。该电源由变压器、功率因数校正电路、Buck电路、Boost电路、逆变电路和储能装置等构成。市电经变压等电路以直流电对储能装置进行恒流充电,而直流电也进入逆变电路产生所需的交流电为负载供电。当市电出现停电、过压或欠压的问题时,储能装置受控接入逆变电路,实现不间断电源供电。实验测试表明,系统具有输出电压有效值平均29.99 V,频率50.00 Hz下的总谐波失真不超过2.7%,交流输入时负载调整率1.60%,电压调整率3.69%,直流输入时电源输出效率约89.90%。此外,系统可以通过按键步进设置充电电流。 展开更多
关键词 STM32 功率因数校正 不间断电源 恒流充电
在线阅读 下载PDF
一种K波段晶圆级封装器件化R组件设计
9
作者 朱贵德 罗鑫 +2 位作者 王军会 罗里 何小峰 《电讯技术》 北大核心 2025年第6期980-985,共6页
介绍了一种基于树脂基晶圆级扇出封装的K波段器件化R组件。采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺和砷化镓(GaAs)工艺相结合的芯片架构,实现了一种紧凑型8通道数控延时低噪声放大前端。采用塑封... 介绍了一种基于树脂基晶圆级扇出封装的K波段器件化R组件。采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺和砷化镓(GaAs)工艺相结合的芯片架构,实现了一种紧凑型8通道数控延时低噪声放大前端。采用塑封扇出晶圆级封装工艺,通过在两种芯片上合理设置接地焊盘位置,再借助晶圆级封装的再布线设计和植球工艺,实现单个封装内多通道间以及多个封装间的良好电磁屏蔽。采用多物理场协同仿真方式,将无源互连的场级全波仿真结果与有源电路的电路级仿真结果进行场路协同联合仿真,通过场路协同调谐优化,得到最优宽带匹配效果,研制出了一款晶圆级扇出封装器件化R组件。实测表明在K波段噪声系数小于2.1 dB,小信号增益大于22 dB,延时误差均方根小于1.8 ps。R组件尺寸为11 mm×8 mm×0.7 mm,重量仅0.2 g。该设计方案充分发挥了CMOS工艺数模混合集成能力和GaAs工艺优异的射频性能,实现了R组件更高的功能密度、通道密度和低成本需求,具有一定的工程应用价值。 展开更多
关键词 相控阵天线 K波段R组件 晶圆级扇出封装 场路协同仿真
在线阅读 下载PDF
适用于PWM DC/DC变换器的无源无损缓冲电路 被引量:5
10
作者 伍瑶 张兴 +1 位作者 周小义 吴玉杨 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1601-1604,共4页
文章研究了适用于PWM DC/DC变换器的无源无损缓冲电路单元,仅通过在变换器中附加一些无源元件实现了开关管的零电流导通和零电压关断,并将缓冲元件的能量回馈给变换器的输入输出端,达到了无损的效果。该缓冲电路单元结构简单,控制方便,... 文章研究了适用于PWM DC/DC变换器的无源无损缓冲电路单元,仅通过在变换器中附加一些无源元件实现了开关管的零电流导通和零电压关断,并将缓冲元件的能量回馈给变换器的输入输出端,达到了无损的效果。该缓冲电路单元结构简单,控制方便,并能在软开关的情况下保持开关管的最小电压应力。 展开更多
关键词 PWM变换器 无源无损缓冲电路 软开关
在线阅读 下载PDF
5位1.5GHz采样频率的Flash ADC的设计及数字后台校正实现 被引量:3
11
作者 杨阳 赵显利 +1 位作者 仲顺安 李国峰 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期932-936,共5页
基于TSMC 0.18μm工艺设计了一个单通道5位,1.5GHz Flash模数转换器(ADC),该ADC通过改进跟踪保持电路和采用动态比较器结构实现了数据的高速转换.仿真结果表明,当输入信号达到奈奎斯特频率时,信号与噪声加谐波失真比(SNDR)为24.04dB,无... 基于TSMC 0.18μm工艺设计了一个单通道5位,1.5GHz Flash模数转换器(ADC),该ADC通过改进跟踪保持电路和采用动态比较器结构实现了数据的高速转换.仿真结果表明,当输入信号达到奈奎斯特频率时,信号与噪声加谐波失真比(SNDR)为24.04dB,无杂散动态范围(SFDR)为29.97dB.为进一步提高此ADC的性能,消除非线性,基于Volterra级数搭建了数字后台校正模型.对比仿真结果,校正后谐波明显下降,SNDR提高了4.91dB,SFDR提高了6.94dB,有效位数提高了约0.82位. 展开更多
关键词 Flash模数转换器 高速转换 VOLTERRA级数 数字后台校正平台
在线阅读 下载PDF
用于射频接收机的三阶多级Σ-Δ调制小数分频频率合成器的实现 被引量:5
12
作者 王皓磊 仲顺安 李国峰 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期307-310,317,共5页
基于TSMC 0.18μm工艺实现了一款适用于射频收发机的全集成小数分频频率合成器.设计中采用了三阶MASH结构Σ-Δ调制器以消除小数杂散,为节省芯片面积使用了环形振荡器,同时在电路设计中充分考虑了各种非理想因素以提高频谱纯净度和降低... 基于TSMC 0.18μm工艺实现了一款适用于射频收发机的全集成小数分频频率合成器.设计中采用了三阶MASH结构Σ-Δ调制器以消除小数杂散,为节省芯片面积使用了环形振荡器,同时在电路设计中充分考虑了各种非理想因素以提高频谱纯净度和降低芯片功耗.仿真结果表明,该频率合成器可以在900MHz~1.4GHz的频率范围内产生间隔为25kHz的输出信号.在1.2GHz输出时,偏离载波频率1MHz处的相位噪声可以达到-106dBc/Hz,锁定时间小于10μs. 展开更多
关键词 小数分频 多级整形Σ-Δ调制器 环形振荡器 双模预分频器
在线阅读 下载PDF
混合电路贮存可靠性及评价方法 被引量:4
13
作者 黄云 恩云飞 杨丹 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期173-176,共4页
系统地分析和总结了混合电路在贮存中的失效模式及机理,温度、湿度以及化学等导致贮存失效的主要因素,论述了缺陷消除或控制法、贮存寿命加速试验法、标准单元结构评估预计法、自然贮存试验法等评价贮存可靠性的方法,为评估/评价混合电... 系统地分析和总结了混合电路在贮存中的失效模式及机理,温度、湿度以及化学等导致贮存失效的主要因素,论述了缺陷消除或控制法、贮存寿命加速试验法、标准单元结构评估预计法、自然贮存试验法等评价贮存可靠性的方法,为评估/评价混合电路贮存可靠性提供了思路和参考。 展开更多
关键词 混合电路 贮存 失效 可靠性
在线阅读 下载PDF
基于磁隧道结back-hopping效应概率比特的设计及应用
14
作者 骆凯松 黄锐 王少昊 《微电子学与计算机》 2025年第11期130-137,共8页
磁隧道结(MagneticTunnelJunctions,MTJ)的back-hopping效应在概率比特(p-bit)应用中表现出高热稳定性和快速翻转特性,是实现概率计算的理想p-bit器件之一。然而,当前MTJback-hopping效应的转移特性曲线对称性和器件一致性尚未达到大规... 磁隧道结(MagneticTunnelJunctions,MTJ)的back-hopping效应在概率比特(p-bit)应用中表现出高热稳定性和快速翻转特性,是实现概率计算的理想p-bit器件之一。然而,当前MTJback-hopping效应的转移特性曲线对称性和器件一致性尚未达到大规模概率电路(p-电路)的要求。针对这一问题,提出结合查找表模块与补码运算电路,采用半波对称外推法修正高偏压下MTJ器件的back-hopping特性曲线可显著提高p-bit器件精度。采用现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)对上述方案进行了验证。结果显示:经过优化后的基础逻辑门电路输出概率分布值与理论预期值具有良好的一致性,与门的KL散度降低为0.048%。通过将两个与门级联的实验验证表明:该方案的系统级哈密顿量符合基础逻辑门哈密顿量的线性叠加特性。同时通过调整参数的配置,实现了可配置概率密度分布的真随机数发生器,支持正态分布、卡方分布和均匀分布等多种输出模式。针对多p-bit系统的资源优化,提出的顺序更新时分复用策略,通过增加控制逻辑复用单个p-bit模块,在维持处理速度的同时,使查找表与D触发器的资源消耗降低超过80%。 展开更多
关键词 概率比特 back-hopping效应 可逆逻辑 随机数发生器 磁隧道结
在线阅读 下载PDF
柔性热电技术在微电子电路中的集成与应用
15
作者 陈坤豪 刘文静 +1 位作者 张万田 逯瑶 《集成技术》 2025年第6期88-104,共17页
随着电路集成度提高,传统硅基器件在高频、高功率场景下面临温升失控难题,且其刚性与脆性特点与当代轻便柔性的需求相悖,因此需开展传统硅基器件的新型散热方式和新型非硅基器件的相关研究。柔性热电技术凭借制冷和发电特性为传统硅基... 随着电路集成度提高,传统硅基器件在高频、高功率场景下面临温升失控难题,且其刚性与脆性特点与当代轻便柔性的需求相悖,因此需开展传统硅基器件的新型散热方式和新型非硅基器件的相关研究。柔性热电技术凭借制冷和发电特性为传统硅基器件散热及柔性非硅基器件供能提供了创新方案,成为微电子领域的研究热点。本文首先系统综述了该技术的制冷与发电原理;其次,探讨了芯片散热设计策略与柔性热电自供能系统的构建方案,分析了从制冷材料研发到微型、薄膜与新型结构设计的芯片散热方案,阐述了从发电方式、能源管理到储能设计的完整柔性热电自供能系统架构;最后,展望了该技术与多能源系统协同、人工智能交叉创新两大研究方向,为其在微电子领域规模化应用提供理论与实践支撑。 展开更多
关键词 热电技术 集成技术 微电子 制冷 发电
在线阅读 下载PDF
硅集成的高Q值、高谐振频率的射频变压器 被引量:2
16
作者 张华斌 刘萍 +5 位作者 邓春健 杨健君 刘黎明 陈卉 王红航 熊召新 《重庆邮电大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2017年第2期161-166,共6页
提出一种硅基的用于射频集成电路的新型图形结构变压器。考虑到集成无源变压器器件对射频电路性能的提升具有重大的影响,设计时应尽量提升其性能和降低其占用的芯片面积,故采用凹凸24边形结构和顶层、厚铜金属绕线,使得该片上变压器能... 提出一种硅基的用于射频集成电路的新型图形结构变压器。考虑到集成无源变压器器件对射频电路性能的提升具有重大的影响,设计时应尽量提升其性能和降低其占用的芯片面积,故采用凹凸24边形结构和顶层、厚铜金属绕线,使得该片上变压器能够同时具有高性能和低芯片面积的优点。基于TSMC 0.13μm 1P6M CMOS工艺,应用Cadence Virtuoso工具设计出24边形变压器版图,将设计好的版图图形导入安捷伦Advanced Design System Momentum软件,完成新型变压器的电磁场S参数仿真验证。结果表明,与传统的方形、六边形和八边形变压器相比,自谐振频率分别提高了1.12,1.00,0.58 GHz;最大品质因子增加了2.4,0.9和0.3;面积也分别缩小了9%,10%,6%。该变压器在硅基射频集成电路中应用将进一步提高电路的性能和降低芯片成本。 展开更多
关键词 硅基 射频 品质因子 自谐振频率 变压器
在线阅读 下载PDF
双通道可重构14 bit 125 MS/s流水线ADC 被引量:2
17
作者 张惠国 陈珍海 +3 位作者 孙伟锋 周德金 于宗光 魏敬和 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期649-654,共6页
提出了一种双通道可重构14 bit 125 MS/s流水线模数转换器(ADC).该双通道14 bit ADC可工作在并行双通道14 bit 125 MS/s、时间交织14 bit 250 MS/s以及求和15 bit 125 MS/s三种模式.为抑制通道间失配误差的影响,提出一种数模混合前台校... 提出了一种双通道可重构14 bit 125 MS/s流水线模数转换器(ADC).该双通道14 bit ADC可工作在并行双通道14 bit 125 MS/s、时间交织14 bit 250 MS/s以及求和15 bit 125 MS/s三种模式.为抑制通道间失配误差的影响,提出一种数模混合前台校准技术.为减少ADC输出端口数目,数据输出由高速串行数据发送器驱动,并且其工作模式有1.75,2,3.5 Gbit/s三种.该ADC电路采用0.18μm 1P5M 1.8 V CMOS工艺实现,测试结果表明,对于相同的10.1 MHz的输入信号,该ADC电路在14 bit 125 MS/s模式下的SNR和SFDR分别为72.5 dBFS和83.1dB,在14 bit 250 MS/s模式下的SNR和SFDR分别为71.3 dBFS和77.6 dB,在15 bit 125 MS/s模式下的SNR和SFDR分别为75.3 dBFS和87.4 dB.芯片总体功耗为461 mW,单通道ADC内核功耗为210 mW,面积为1.3×4 mm^2. 展开更多
关键词 流水线模数转换器 可重构 时间交织 电流模发送器
在线阅读 下载PDF
一种脉宽调制型功率放大器的研究及应用 被引量:3
18
作者 李伟东 梁剑波 +1 位作者 庞佑兵 王若虚 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期584-587,共4页
基于PWM理论,设计了一种脉宽调制型功率放大器。该放大器采用典型的RC起振电路产生三角波,输入指令电压和三角波相比较后,生成PWM信号作为驱动/控制电路的输入信号,驱动/控制电路的输出信号用来控制四个功率MOS管的开启或关闭。这四个MO... 基于PWM理论,设计了一种脉宽调制型功率放大器。该放大器采用典型的RC起振电路产生三角波,输入指令电压和三角波相比较后,生成PWM信号作为驱动/控制电路的输入信号,驱动/控制电路的输出信号用来控制四个功率MOS管的开启或关闭。这四个MOS管组成一个H功率全桥。该放大器具有输出电流大、输出效率高、抗干扰能力强等特点。以对电机的驱动和控制为例,简单介绍了电路的实际应用。 展开更多
关键词 脉宽调制 功率放大器 H功率桥
在线阅读 下载PDF
用于SiC MOSFET驱动芯片的高CMTI OOK调制电路设计
19
作者 何宁业 刘佳佳 陈旭 《咸阳师范学院学报》 2025年第4期15-19,共5页
针对现有的Si MOSFET栅驱动电路无法直接应用于高功率领域的问题,基于SiC MOSFET栅驱动芯片的高CMTIOOK调制电路,在隔离型栅驱动芯片的数据信号发送端采用高共模瞬态干扰抑制技术。在电容隔离差分传输信号架构的基础上,设计CMTI滤波电路... 针对现有的Si MOSFET栅驱动电路无法直接应用于高功率领域的问题,基于SiC MOSFET栅驱动芯片的高CMTIOOK调制电路,在隔离型栅驱动芯片的数据信号发送端采用高共模瞬态干扰抑制技术。在电容隔离差分传输信号架构的基础上,设计CMTI滤波电路,对共模波动信号进行低频干扰滤波,减小外部输入共模波动的影响,最大程度上减少由于SiCMOSFET漏端在超高压摆率的共模噪声干扰,以此提高SiCMOSFET在高速开关操作中的可靠性和稳定性。 展开更多
关键词 SiCMOSFET 共模瞬变抗扰度 隔离型栅驱动芯片 开关键控调制
在线阅读 下载PDF
片上集成光电微能源工艺兼容性及器件特性研究(英文) 被引量:2
20
作者 肖丽仙 何永泰 +1 位作者 刘晋豪 李雷 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期834-840,共7页
根据暂存式光电微能源系统组成器件的制备工艺特点,提出了基于SOI晶片的光电微能源片上集成方案。主要工艺包括绝缘沟槽刻蚀、离子注入、氧化等,具有较好的制备工艺兼容性。另外,根据片上集成方案,对器件特性进行了研究。结果表明,光伏... 根据暂存式光电微能源系统组成器件的制备工艺特点,提出了基于SOI晶片的光电微能源片上集成方案。主要工艺包括绝缘沟槽刻蚀、离子注入、氧化等,具有较好的制备工艺兼容性。另外,根据片上集成方案,对器件特性进行了研究。结果表明,光伏电池的转换效率为9.7%,NMOS管阈值电压、漏极反向击穿电压VT分别为0.98 V和31.97 V,NPN三极管的电流放大倍数、集电极-发射极之间击穿电压约为83 V和12 V。各器件特性满足系统工作要求,集成方案具有较好的可行性。 展开更多
关键词 光电微能源 片上集成 工艺方案 兼容性 器件特性
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 15 下一页 到第
使用帮助 返回顶部