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双向DC-DC直流变换器设计优化 被引量：2
1
作者 李金彦 《中国科技论文》 2025年第3期224-230,共7页
针对双向DC-DC直流变换器(bidirectional DC-DC converter,BDC)充电模式效率低、电流控制精度不高的问题,对BDC的电池储能装置进行优化设计。该装置包括双向DC-DC主电路、测控电路和辅助电源,主电路拓扑为同步整流式非隔离型降压/升压(B... 针对双向DC-DC直流变换器(bidirectional DC-DC converter,BDC)充电模式效率低、电流控制精度不高的问题,对BDC的电池储能装置进行优化设计。该装置包括双向DC-DC主电路、测控电路和辅助电源,主电路拓扑为同步整流式非隔离型降压/升压(BUCK/BOOST)电路,采用STM32F103ZET6作为核心控制器,应用软件补偿网络、数字校准技术和比例-积分-微分(proportional-integral-derivative,PID)数字闭环控制技术,实现能量的双向流动。测试结果表明,优化后装置充电模式转换效率高达95%,电流控制误差低于1%,电流变化率低于1%,放电模式转换效率高达96%,大大提高了电能转换效率和电流控制精度。 展开更多
关键词 直流变换器 BUCK/BOOST PID数字闭环 转换效率
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石英挠性加速度计伺服电路水汽环境失效模式分析
2
作者 沈时俊 刘嘉 +1 位作者 古旻 周婷 《电子产品可靠性与环境试验》 2025年第5期36-41,共6页
石英挠性加速度计伺服电路是惯性测量系统中重要的信号处理单元,采用基于裸芯片的厚膜混合集成工艺制造。受限于加速度传感器的安装方式,其通过环氧胶将陶瓷盖板粘接于陶瓷电路板上,属非气密封装。相较于典型的全气密混合集成电路,该电... 石英挠性加速度计伺服电路是惯性测量系统中重要的信号处理单元,采用基于裸芯片的厚膜混合集成工艺制造。受限于加速度传感器的安装方式,其通过环氧胶将陶瓷盖板粘接于陶瓷电路板上,属非气密封装。相较于典型的全气密混合集成电路,该电路在长期水汽环境下的失效机理更为复杂多样。收集并分析了长期水汽及通电环境下石英挠性加速度计伺服电路的几种典型失效模式及成因,并针对该类非气密混合集成电路的设计、制造与检验提出合理建议,对于提升非气密封装集成电路的可靠性和工程应用价值具有重要指导意义。 展开更多
关键词 石英挠性加速度计 伺服电路 水汽环境 非气密封装 失效分析
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不同表面状态的氮化铝薄膜电路制备研究
3
作者 赖辉信 《广州化工》 2025年第1期73-77,共5页
氮化铝陶瓷是薄膜电路常用的主要基材,常见的产品分类有薄膜电阻器、薄膜功分器、薄膜衰减器、通孔薄膜电路等,其中电阻器是其中的一个大分类。对于薄膜电阻器而言,耐功率是一项重要参数。耐功率通常指直流功率和射频功率两种,但因射频... 氮化铝陶瓷是薄膜电路常用的主要基材,常见的产品分类有薄膜电阻器、薄膜功分器、薄膜衰减器、通孔薄膜电路等,其中电阻器是其中的一个大分类。对于薄膜电阻器而言,耐功率是一项重要参数。耐功率通常指直流功率和射频功率两种,但因射频的频率范围大,参数影响多,所以通常耐功率一般指的是直流条件下测试的功率,即在电阻器的电极两端导通至电源的正负极,调电压大小,通电一定的时间,电阻体烧毁时的瞬时电压、瞬电流之积。通孔薄膜电路通常最重要的指标是线缝宽精度及孔的激光加工精度,这两项加工精度对产品的微波性能影响较大。陶瓷一般分为片抛光态、即烧态和研磨态,陶瓷的表面状态直接影响薄膜电路产品的外观、质量。 展开更多
关键词 薄膜工艺 氮化铝陶瓷制备 粗糙度 线缝宽精度 表面状态
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一种正负电源供电伺服系统中的半桥驱动电路设计
4
作者 孙鹏飞 李昕煜 张志阳 《电子与封装》 2025年第1期47-51,共5页
针对正负电源供电的直流电机伺服系统,通常采用半桥驱动电路对电机进行调速与控制。相比于全桥驱动电路,半桥驱动电路结构简单,且节省功率器件,能够提高驱动效率,具有一定的应用优势。详细介绍了一种用于正负电源供电直流电机伺服系统... 针对正负电源供电的直流电机伺服系统,通常采用半桥驱动电路对电机进行调速与控制。相比于全桥驱动电路,半桥驱动电路结构简单,且节省功率器件,能够提高驱动效率,具有一定的应用优势。详细介绍了一种用于正负电源供电直流电机伺服系统中的半桥驱动电路的设计方法。介绍了电路的设计思路,对电路中的方波积分、脉宽调制、死区时间设置、电压自举及半桥驱动等模块的工作原理及设计方法进行了详细阐述,并通过仿真输出波形和样机实际输出波形验证了该设计方法的合理性。 展开更多
关键词 脉宽调制 死区时间设置 电压自举 半桥驱动
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3D打印-激光烧结制备导体和介质厚膜的显微结构与性能 被引量：2
5
作者 王之巍 刘俊夫 +1 位作者 张景 汤文明 《贵金属》 CAS 北大核心 2024年第2期44-51,共8页
为拓展3D打印技术在厚膜混合集成电路制备领域的应用,提高厚膜浆料烧结效率,采用3D直写+激光烧结制备三种导体浆料厚膜和一种介质浆料厚膜,并与常规的丝网印刷+高温炉烧结厚膜进行显微结构与性能的对比研究。结果表明,常规丝网印刷+高... 为拓展3D打印技术在厚膜混合集成电路制备领域的应用,提高厚膜浆料烧结效率,采用3D直写+激光烧结制备三种导体浆料厚膜和一种介质浆料厚膜,并与常规的丝网印刷+高温炉烧结厚膜进行显微结构与性能的对比研究。结果表明,常规丝网印刷+高温炉烧结的导体及介质厚膜具有良好的显微结构与性能。相比而言,3D直写+激光烧结制备的导体厚膜平整连续、厚度均匀,焊接性能良好,但结构不够致密,部分导体厚膜存在膜层附着力不足,方阻偏大的问题;介质厚膜激光烧结后的致密性较导体厚膜更低,绝缘性能不满足要求。3D直写制备导体或介质浆料厚膜具有可行性,但激光烧结工艺参数有待优化,以实现厚膜的烧结致密化,提高厚膜与基板的结合强度。 展开更多
关键词 厚膜混合集成电路 3D打印 激光烧结 丝网印刷 显微结构 性能
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厚膜电阻浆料用有机载体挥发特性研究 被引量：22
6
作者 张君启 堵永国 +2 位作者 张为军 杨娟 郑晓慧 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期40-42,共3页
研究了厚膜电阻浆料用有机载体的挥发特性。模拟厚膜浆料的烘干曲线进行实验,对乙基纤维素为增稠剂的载体系列的挥发特性进行了研究,比较了不同溶剂对载体挥发特性的影响。通过使用混合溶剂,得到了具有层次挥发性的厚膜电阻浆料用有机载... 研究了厚膜电阻浆料用有机载体的挥发特性。模拟厚膜浆料的烘干曲线进行实验,对乙基纤维素为增稠剂的载体系列的挥发特性进行了研究,比较了不同溶剂对载体挥发特性的影响。通过使用混合溶剂,得到了具有层次挥发性的厚膜电阻浆料用有机载体,此载体在添加少量添加剂后表现出良好的使用性能,满足了实际生产的需要。 展开更多
关键词 厚膜浆料 有机载体 挥发特性
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电流型PWM DC-DC升压转换器的稳定性分析与实现 被引量：15
7
作者 郑朝霞 邹雪城 +1 位作者 邵轲 李阳 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第6期229-232,共4页
文章先对影响电流型DC-DC升压转换器电路的系统稳定性的因素进行分析,然后在电路设计实现上提出了具体的改进办法:在误差放大器模块增加频率补偿电路来消除放大器反馈环路可能存在的振荡现象;采用斜坡补偿电路来增强反馈电流环路的稳定... 文章先对影响电流型DC-DC升压转换器电路的系统稳定性的因素进行分析,然后在电路设计实现上提出了具体的改进办法:在误差放大器模块增加频率补偿电路来消除放大器反馈环路可能存在的振荡现象;采用斜坡补偿电路来增强反馈电流环路的稳定;为了提高电压反馈环路的稳定性,创新提出在芯片外部增加COMP管脚,内部增加环路补偿电路;输入管脚增加旁路电容以减少噪声;输出管脚增加旁路电容以增强芯片反馈系统的稳定性;通过采取这些措施,保证了芯片电路的的稳定性能,并极大的提高了输出电压的精度,设计取得了很大成功。 展开更多
关键词 脉冲宽度调制 电容寄生等效电阻 斜坡补偿 环路补偿
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低温陶瓷共烧技术——MCM-C发展新趋势 被引量：10
8
作者 冉建桥 刘欣 +1 位作者 唐哲 刘中其 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期287-290,共4页
介绍了目前国际上厚膜混合工艺技术的动态 ,指出了低温共烧陶瓷技术 (LTCC)是MCM- C发展的重要趋势。探讨了国内 MCM- C技术的现状 ,认为必须同 IC技术保持紧密的联系 。
关键词 低温共烧陶瓷 MCM-C 厚膜混合工艺
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PZT压电厚膜的研究现状与进展 被引量：7
9
作者 李传山 沈建兴 +1 位作者 张雷 董金美 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期103-107,共5页
PZT压电厚膜材料具有良好的压电性能,它兼顾了块体材料和薄膜的优点,近年来得到了广泛的研究与应用。本文简述了制备PZT压电厚膜的制备方法及基板、电极材料的研究情况,讨论了目前制造PZT压电厚膜所存在的基板与厚膜之间的高温扩散以及... PZT压电厚膜材料具有良好的压电性能,它兼顾了块体材料和薄膜的优点,近年来得到了广泛的研究与应用。本文简述了制备PZT压电厚膜的制备方法及基板、电极材料的研究情况,讨论了目前制造PZT压电厚膜所存在的基板与厚膜之间的高温扩散以及丝网印刷用厚膜浆料难以分散均匀等共性问题,同时,就如何解决这些问题进行了评述。 展开更多
关键词 PZT 压电厚膜 浆料 扩散 缓冲层
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钨粉颗粒级配对氧化铝陶瓷金属化方阻的影响 被引量：9
10
作者 吴茂 陈晓伟 +3 位作者 曹车正 赵聪 何新波 曲选辉 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 北大核心 2012年第5期579-585,共7页
选取3种平均粒径分别为0.2、0.5和1μm的钨粉,将任意2种钨粉按一定的质量比混合后与氧化铝陶瓷共烧,得到氧化铝陶瓷的金属化层,研究钨粉颗粒级配对氧化铝陶瓷金属化方阻的影响。结果表明,钨金属化层的方阻与其烧结致密化程度直接相关,... 选取3种平均粒径分别为0.2、0.5和1μm的钨粉,将任意2种钨粉按一定的质量比混合后与氧化铝陶瓷共烧,得到氧化铝陶瓷的金属化层,研究钨粉颗粒级配对氧化铝陶瓷金属化方阻的影响。结果表明,钨金属化层的方阻与其烧结致密化程度直接相关,钨金属化层越致密,其表面方阻越低。单独使用其中1种粒度的钨粉与氧化铝陶瓷共烧时,金属化方阻较高。将0.5μm和1μm钨粉混合能显著降低方阻,当两者质量比为45:55时得到的金属化方阻最小(12.10 m/□)。混合钨粉的累积分布曲线符合Dinger-Funk粉体堆积公式,分布模数n越接近0.37,其烧结致密化程度越高,金属化方阻越低。 展开更多
关键词 钨金属化 表面方阻 Dinger-Funk公式 颗粒级配
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用激光微细熔覆法直写电阻浆料制备厚膜电阻 被引量：8
11
作者 李文兵 李祥友 曾晓雁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期80-82,共3页
介绍了一种激光微细熔覆法直写电阻浆料制备厚膜电阻的新技术,并利用该技术在陶瓷基板上制备出厚膜电阻。文章中展示了部分实验结果,并分析了其附着机理。由于激光微细熔覆直写电阻技术具有无需掩模、图形由计算机控制、分辨率高、柔性... 介绍了一种激光微细熔覆法直写电阻浆料制备厚膜电阻的新技术,并利用该技术在陶瓷基板上制备出厚膜电阻。文章中展示了部分实验结果,并分析了其附着机理。由于激光微细熔覆直写电阻技术具有无需掩模、图形由计算机控制、分辨率高、柔性化制造程度高等优点,显示该技术在电子工业中将具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 厚膜电阻 激光微细熔覆 激光直写 陶瓷基板
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一种低功耗三相无刷电机驱动控制器的设计 被引量：6
12
作者 李伟东 唐万军 庞佑兵 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期252-255,共4页
介绍了一种基于数字信号逻辑运算理论的低功耗三相无刷电机驱动控制器。调速PWM信号、换向逻辑、霍尔位置信号等输入信号经运算处理后,产生6路与电机换相顺序相对应的控制信号,用来控制三相全桥驱动电机负载。该驱动控制器具有静态电流... 介绍了一种基于数字信号逻辑运算理论的低功耗三相无刷电机驱动控制器。调速PWM信号、换向逻辑、霍尔位置信号等输入信号经运算处理后,产生6路与电机换相顺序相对应的控制信号,用来控制三相全桥驱动电机负载。该驱动控制器具有静态电流小、输出电流大、抗干扰能力强、集成过流保护等特点,可广泛应用于三相电机控制、伺服电机驱动、万向节控制等领域。 展开更多
关键词 数字信号运算 驱动控制 三相桥 无刷电机
原文传递
一种电流反馈型三相无刷直流电机控制器 被引量：5
13
作者 李伟东 马朝骥 庞佑兵 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期219-223,共5页
基于经典的闭环反馈控制理论和PWM理论在电机控制中的应用,设计了一种三相无刷直流电机控制器。该电路可实现对三相无刷直流电机的驱动和控制,具有功率电压高、驱动电流大、零点精确等优点,同时具有高边占空比100%可调和过流保护等功能... 基于经典的闭环反馈控制理论和PWM理论在电机控制中的应用,设计了一种三相无刷直流电机控制器。该电路可实现对三相无刷直流电机的驱动和控制,具有功率电压高、驱动电流大、零点精确等优点,同时具有高边占空比100%可调和过流保护等功能,是一款真正的四象限扭矩电机控制器。 展开更多
关键词 闭环控制 脉宽调制 电流反馈 无刷直流电机 电机驱动控制
原文传递
银膜在玻璃基体上烧结过程的微观结构分析 被引量：9
14
作者 韦群燕 俞守耕 《贵金属》 CAS CSCD 2001年第2期5-8,共4页
研究了银膜在各温度下烧结的微观结构变化 ;;讨论了影响膜层致密的因素。还描述了颗粒和孔隙长大及致密化过程 ;;发现在 60 0～ 70 0℃银膜出现分布均匀的针眼透光现象 ;;
关键词 银膜 微观结构 烧结 玻璃 集成电路 银浆 厚膜电路
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一种木马电路的实现与特征分析 被引量：3
15
作者 郑朝霞 韩玲 +1 位作者 李阳 邹雪城 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2012年第10期78-80,共3页
由于硬件木马等恶意电路的隐蔽性,攻击者可以利用其窃取机密信息,破坏硬件电路,造成严重的经济损失与社会危害.本文基于典型的芯片设计流程与EDA工具,首先建立硬件木马的电路模型,然后尝试在一简单ADC芯片中,利用其电路的剩余空间,设计... 由于硬件木马等恶意电路的隐蔽性,攻击者可以利用其窃取机密信息,破坏硬件电路,造成严重的经济损失与社会危害.本文基于典型的芯片设计流程与EDA工具,首先建立硬件木马的电路模型,然后尝试在一简单ADC芯片中,利用其电路的剩余空间,设计实现了一种计数器木马电路.该木马电路的规模大约占芯片总面积的5.6%,将受污染的电路与真实电路一起用标准CMOS工艺HJ0.25μm流片,然后采用旁路功耗分析技术进行深入分析.实验数据表明,在正常工作情况下,受污染和没受污染的芯片功耗并无明显差异,而当木马触发条件满足时,受污染的芯片却成功的实现了攻击. 展开更多
关键词 芯片安全 恶意电路 硬件木马 计数器
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WSN中CSMA/CA协处理器的软硬协同设计 被引量：3
16
作者 郑朝霞 邹雪城 +1 位作者 姜天杰 杜鹃 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期132-137,共6页
在分析了IEEE802.15.4关于无线传感器网络协议带有冲突避免的载波监听多点接入机制的基础上,通过采用独立的指令集、使用软件来控制射频接入流程的实现方式和复用伪随机数产生电路和CRC校验电路等技术,实现了节点芯片的CSMA/CA协处理器... 在分析了IEEE802.15.4关于无线传感器网络协议带有冲突避免的载波监听多点接入机制的基础上,通过采用独立的指令集、使用软件来控制射频接入流程的实现方式和复用伪随机数产生电路和CRC校验电路等技术,实现了节点芯片的CSMA/CA协处理器。给出采用了这种CSMA/CA协处理器结构的无线传感器网络节点基带芯片的FPGA硬件资源消耗情况,并搭建了该节点芯片与CC2420进行相互通信的测试平台,给出了测试结果,分析时延情况表明,节点芯片在资源有限的情况下获得了较高的处理速度,并实现了对多射频收发芯片支持的灵活性。 展开更多
关键词 CSMA/CA 协处理器 软硬协同设计 线性反馈移位寄存器
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晶圆级封装中的SnPb焊料凸点制作工艺 被引量：2
17
作者 杨立功 罗驰 +2 位作者 刘欣 刘建华 叶冬 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期529-531,共3页
　以晶圆级封装工艺技术(WLP)研究为基础,阐述了电化学淀积SnPb焊料凸点的工艺控制过程。采用电化学淀积方法,制备出150μm高(均匀性为±10μm)的SnPb焊料凸点。经扫描电镜分析,SnPb焊料凸点的成份含量(63/37)控制在5%范围之内。
关键词 晶圆级封装 电化学淀积 SnPb 焊料凸点
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PZT压电厚膜的发展及其应用 被引量：3
18
作者 董金美 沈建兴 +1 位作者 李传山 张雷 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期3-6,共4页
PZT压电厚膜材料是20世纪90年代发展起来的一种新型功能材料,它兼顾了块体材料和薄膜材料的优点,具有良好的压电、介电和热释电性能。简述了PZT压电厚膜的国内外研究进展,对PZT压电厚膜的制备方法做了简短的介绍,并对其改性研究做了较... PZT压电厚膜材料是20世纪90年代发展起来的一种新型功能材料,它兼顾了块体材料和薄膜材料的优点,具有良好的压电、介电和热释电性能。简述了PZT压电厚膜的国内外研究进展,对PZT压电厚膜的制备方法做了简短的介绍,并对其改性研究做了较为详细的总结,最后,阐述了PZT压电厚膜在国内外的应用并展望了其前景。 展开更多
关键词 PZT 压电厚膜 研究进展
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钉基厚膜电阻中钽钌酸铅颗粒尺寸效应的研究 被引量：3
19
作者 巨新 杨建红 +1 位作者 施朝淑 唐孝威 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第5期96-98,共3页
本文研究了钌基厚膜电阻导电相图钌酸铅(Pb_2(Ta_x,Ru_(2-x))O_σ+σ)(δ=0.1)颗粒尺寸对其阻值和电阻温度系数(TCR)的影响。发现适当控制颗粒度大小,可获得具有稳定阻值和TCR的厚膜电阻。
关键词 钌基厚膜电阻 导电相 厚膜电路
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一种高精度易扩展的分段线性补偿带隙基准源 被引量：4
20
作者 郑朝霞 邹雪城 邵超 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2008年第8期33-36,共4页
提出了一种电路结构简单的分段线性补偿方法。不同分段子区间复用一个PTAT电路架构，通过调节外部增加的较少其它电路参数来实现多个补偿电流，采用该复用方法，增加一次分段区间，仅需增加5个MOS管、一个BJT和一个电阻。与一般的分段... 提出了一种电路结构简单的分段线性补偿方法。不同分段子区间复用一个PTAT电路架构，通过调节外部增加的较少其它电路参数来实现多个补偿电流，采用该复用方法，增加一次分段区间，仅需增加5个MOS管、一个BJT和一个电阻。与一般的分段线性补偿电路相比，所需的MOS器件和BJT器件大大减少了，易于扩展。将该电路应用于一款Boost升压芯片的带隙基准源中，在一40～120℃的温度区间分三个子区间进行线性补偿，采用JAZZ BCD05 2P3M BiCMOS工艺实现，仿真结果表明，在整个温度范围，温漂可达到5.85×10^-7/℃，实现了很高的精度。 展开更多
关键词 带隙基准 分段线性补偿 温漂系数
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