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面向超高频植入式RFID芯片的温度传感器研制 被引量:1
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作者 王俊杰 肖宛昂 吴静珠 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第1期47-55,共9页
基于0.18μm工艺设计并实现了一款用于超高频植入式RFID芯片的温度传感器。该温度传感器将MOS管作为感温元件,采用基于亚阈值MOS管的低功耗感温核心。传感器利用PTAT和CTAT两种电压延时器构成脉宽产生电路,从而生成脉宽信号,并与时间数... 基于0.18μm工艺设计并实现了一款用于超高频植入式RFID芯片的温度传感器。该温度传感器将MOS管作为感温元件,采用基于亚阈值MOS管的低功耗感温核心。传感器利用PTAT和CTAT两种电压延时器构成脉宽产生电路,从而生成脉宽信号,并与时间数字转换器(TDC)一起构成温度量化电路。核心电路的版图面积为298μm×261μm,测温范围为35~45℃。流片测试结果表明,三颗芯片在两点校准后的测温最大误差为±0.4℃,关键温区的最大误差为±0.2℃,实测功耗为623 nW。基于流片实测结果,发现了当前芯片的局限性,并提出了未来芯片结构的改进方向。 展开更多
关键词 RFID芯片 温度传感器 TDC 亚阈值
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一种次级侧控制软开关15W反激变换器设计 被引量:1
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作者 陈瑾怡 王俊峰 王凯 《微电子学与计算机》 2025年第2期103-111,共9页
传统的反激变换器多采用初级侧控制方法,即通过光电耦合器传递反馈信号的方法,由于光电耦合器的电流传输比与温度以及使用时间成负相关,导致电路可靠性下降,环路增益变差;近年来提出的原边反馈控制方法,即通过引入辅助绕组反馈输出电压... 传统的反激变换器多采用初级侧控制方法,即通过光电耦合器传递反馈信号的方法,由于光电耦合器的电流传输比与温度以及使用时间成负相关,导致电路可靠性下降,环路增益变差;近年来提出的原边反馈控制方法,即通过引入辅助绕组反馈输出电压,这种采样方式的误差较大,而且控制方法更为复杂。因此本文提出了次级侧控制策略,输出电压反馈误差信号可以直接接入脉宽控制电路,避免引入光电耦合器与辅助绕组,减小变换器面积与成本。针对较高工作频率下硬开关方式产生的开关损耗呈指数增长,以及电磁噪声更加严重的问题,本文采用一种软开关方法,通过对次级侧整流开关管注入软开关的驱动窄脉冲信号,实现初级侧功率开关管的零电压开通。综上,本文提出一种次级控制软开关反激变换器的设计方案,设计出一款典型输入28 V,输出5 V/15 W的原理样机,通过对样机的测试验证,得出本文提出的控制方法,能够在全电压范围内和全负载范围内实现零电压开通,使反激变换器在满载状态下效率达到90.8%,相较于传统控制方法效率提升了5%~6%。 展开更多
关键词 反激变换器 次级控制 软开关 同步整流
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双向DC-DC直流变换器设计优化 被引量:2
3
作者 李金彦 《中国科技论文》 2025年第3期224-230,共7页
针对双向DC-DC直流变换器(bidirectional DC-DC converter,BDC)充电模式效率低、电流控制精度不高的问题,对BDC的电池储能装置进行优化设计。该装置包括双向DC-DC主电路、测控电路和辅助电源,主电路拓扑为同步整流式非隔离型降压/升压(B... 针对双向DC-DC直流变换器(bidirectional DC-DC converter,BDC)充电模式效率低、电流控制精度不高的问题,对BDC的电池储能装置进行优化设计。该装置包括双向DC-DC主电路、测控电路和辅助电源,主电路拓扑为同步整流式非隔离型降压/升压(BUCK/BOOST)电路,采用STM32F103ZET6作为核心控制器,应用软件补偿网络、数字校准技术和比例-积分-微分(proportional-integral-derivative,PID)数字闭环控制技术,实现能量的双向流动。测试结果表明,优化后装置充电模式转换效率高达95%,电流控制误差低于1%,电流变化率低于1%,放电模式转换效率高达96%,大大提高了电能转换效率和电流控制精度。 展开更多
关键词 直流变换器 BUCK/BOOST PID数字闭环 转换效率
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(三)——功率放大器、RF信号放大器与发射机
4
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期981-994,共14页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(二)——射频-直流整流器与射频能量收集器
5
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期885-892,共8页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RFCMOS、BiCMOS的新进展(四)——振荡器、混频器与频率综合器
6
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第11期1093-1106,共14页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RFCMOS和RFBiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RFCMOS和RFBiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RFCMOS和RFBiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RFIC发展的主要方面,凝练了各类RFIC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(一)——低噪声放大器与接收前端
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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期757-772,共16页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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基于GaN的高频高功率密度混合集成电源设计 被引量:2
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作者 朱伟龙 王鹏 +1 位作者 郑辰雅 孙鹏飞 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第3期102-109,共8页
混合集成DC-DC变换器因其工作温度范围宽和长期可靠性高在苛刻环境及高可靠需求应用场景中得到广泛应用。基于GaNHEMT器件优异的高频低损耗特性,结合有源箝位软开关拓扑、混合集成微组装技术和高载流低热阻气密封装技术,设计了一款28V... 混合集成DC-DC变换器因其工作温度范围宽和长期可靠性高在苛刻环境及高可靠需求应用场景中得到广泛应用。基于GaNHEMT器件优异的高频低损耗特性,结合有源箝位软开关拓扑、混合集成微组装技术和高载流低热阻气密封装技术,设计了一款28V输入、5V/20A输出的混合集成DC-DC变换器。该变换器开关频率800kHz,峰值效率达92%。详细阐述了有源箝位功率电路设计、GaNHEMT驱动电路寄生参数与震荡电压控制、同步整流时序与死区时间优化、厚膜混合集成工艺及散热的设计方法和技术细节,并通过仿真与样机实验,验证和展示了GaNHEMT和混合集成电路在高功率密度和高效率方面的优势。 展开更多
关键词 混合集成电路 有源箝位正激 氮化镓 同步整流 高可靠
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一种多姿态感知智能防护头盔的设计
9
作者 孙永 张瑞雪 +3 位作者 高东杰 张书鑫 张成超 王旭龙 《天津职业技术师范大学学报》 2025年第3期22-27,共6页
针对骑行者在复杂交通环境中的安全防护问题,设计了一种多姿态感知智能防护头盔。该头盔采用STM32F407ZGT6单片机为主控核心,集多传感器融合与KNN算法处理技术,全面提升了个人防护装备的智能化水平;通过对头部姿态、加速度及旋转角度等... 针对骑行者在复杂交通环境中的安全防护问题,设计了一种多姿态感知智能防护头盔。该头盔采用STM32F407ZGT6单片机为主控核心,集多传感器融合与KNN算法处理技术,全面提升了个人防护装备的智能化水平;通过对头部姿态、加速度及旋转角度等关键参数的实时监测与分析,实现了对使用者头部姿态的精准识别。实验结果表明,该头盔能够在事故发生时迅速响应,及时启动远程求救机制,使得安全防护更高效,识别准确率更高。 展开更多
关键词 STM32F407ZGT6单片机 智能防护头盔 KNN算法 姿态识别
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国产集成电路典型工艺可靠性风险分析及应用解决方案
10
作者 翟芳 邹雅冰 赵文志 《电子产品可靠性与环境试验》 2025年第2期66-75,共10页
随着国家科技自主战略的深入推进,我国集成电路产业蓬勃发展,大量国产集成电路获得应用。值得关注的是,近年来在国产集成电路规模应用的过程中,也暴露出一些风险和问题,直接影响到产品质量和应用可靠性。基于对当前国产集成电路应用现... 随着国家科技自主战略的深入推进,我国集成电路产业蓬勃发展,大量国产集成电路获得应用。值得关注的是,近年来在国产集成电路规模应用的过程中,也暴露出一些风险和问题,直接影响到产品质量和应用可靠性。基于对当前国产集成电路应用现状的广泛调研,系统分析了国产集成电路制造工艺及板级装联工艺存在的应用风险,对国产集成电路应用瓶颈问题开展了较为深入的原因分析,并从工艺可靠性保障的视角对国产集成电路应用的解决方案进行了探讨。 展开更多
关键词 国产集成电路 工艺风险 板级装联工艺 可靠性保障
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自动检测技术在半导体芯片制造中的应用研究
11
作者 郭美丽 《科技创新与生产力》 2025年第10期114-116,120,共4页
文章首先对自动检测技术进行了概述,其次对自动检测技术在半导体芯片制造中的应用价值和关键技术进行了深入分析,最后对自动检测技术在半导体芯片制造中的具体应用进行了详细探讨,以期对自动检测技术在半导体芯片制造中的实际应用提供... 文章首先对自动检测技术进行了概述,其次对自动检测技术在半导体芯片制造中的应用价值和关键技术进行了深入分析,最后对自动检测技术在半导体芯片制造中的具体应用进行了详细探讨,以期对自动检测技术在半导体芯片制造中的实际应用提供参考价值。 展开更多
关键词 自动检测 半导体 芯片制造
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基于GaN器件的高效抗辐射DC/DC变换器设计
12
作者 高东辉 张伶鳦 +1 位作者 陈家海 黄煜炜 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第5期540-548,555,共10页
针对当前混合集成抗辐射DC/DC变换器存在输出功率小、转换效率低等问题,在优化DC/DC变换器功率拓扑的基础上,采用先进的抗辐射GaN开关管,设计了一款70~120 V输入、28 V/150 W输出的高效混合集成抗辐射DC/DC变换器原理样机。首先对电路... 针对当前混合集成抗辐射DC/DC变换器存在输出功率小、转换效率低等问题,在优化DC/DC变换器功率拓扑的基础上,采用先进的抗辐射GaN开关管,设计了一款70~120 V输入、28 V/150 W输出的高效混合集成抗辐射DC/DC变换器原理样机。首先对电路方案进行了详细研究,主要包括半桥拓扑结构工作原理分析、控制电路设计、抗辐射GaN隔离驱动电路设计等;其次对混合集成工艺方案进行了详细设计和分析;最后对抗辐射GaN器件的损耗进行了详细计算,对比了采用抗辐射GaN器件和采用抗辐射MOSFET的DC/DC电源效率。原理样机测试结果表明:在同等体积下,相比于现有产品,输出功率由120 W提升至150 W,功率密度提升25%,额定工况转换效率由85.4%提升至91.3%。理论分析与实验结果吻合,为抗辐射DC/DC变换器实现大功率、高效率和小型化提供了思路。 展开更多
关键词 混合集成 抗辐射 DC/DC变换器 GAN 半桥
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一种基于模拟域特征提取的语音活动检测电路 被引量:1
13
作者 何建平 杨兵 +6 位作者 张静 乔飞 贾凯歌 魏琦 刘玉浩 喻剑依 石匆 《物联网技术》 2025年第5期16-20,共5页
随着人工智能的发展,智能终端设备中集成的常开型传感器的数量逐渐增加。然而,这些传感器无法对无用信息进行有效的处理,浪费了大量资源且会严重影响后续数据处理的精度。为了应对边缘终端声学传感设备在追求高精度和低功耗方面所面临... 随着人工智能的发展,智能终端设备中集成的常开型传感器的数量逐渐增加。然而,这些传感器无法对无用信息进行有效的处理,浪费了大量资源且会严重影响后续数据处理的精度。为了应对边缘终端声学传感设备在追求高精度和低功耗方面所面临的挑战,提出了一种基于语音时域特征的混合信号域语音活动检测架构。该架构能够集成于高精度声学处理系统,如关键词识别系统等,并与其组成逐级唤醒的边缘声学传感系统,从而降低边缘设备的部署成本。在具体实现上,该架构采用了基于短时能量和短时过零率的双门限语音活动检测算法,并通过将模拟域的特征提取与数字域的特征分类相结合,巧妙地规避了在边缘设备中使用功耗占比较高的ADC模块,显著降低了系统功耗。该设计采用TSMC 180 nm CMOS工艺实现,芯片面积仅为0.029 mm^(2)。仿真结果表明,该电路的功耗低至14.4μW,语音检测准确率高达97%,实现了低功耗与高性能的完美平衡,为边缘终端声学传感设备提供了高效、可靠的语音活动检测方案。 展开更多
关键词 人工智能 边缘终端声学传感设备 语音活动检测 短时能量 短时过零率 混合信号域
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基于谐波调谐的C波段高效率GaN HEMT功率放大器
14
作者 李俊敏 刘英坤 +1 位作者 李通 蔡道民 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期289-295,共7页
为解决传统功率放大器在管壳外部进行谐波匹配,导致谐波短路传输相位不一致和谐波、基波匹配电路互相影响的问题,基于0.25μm GaN HEMT工艺,对C波段高效率预匹配功率放大器进行研究。功率放大器管壳内部HEMT输入端采用键合线和瓷片电容... 为解决传统功率放大器在管壳外部进行谐波匹配,导致谐波短路传输相位不一致和谐波、基波匹配电路互相影响的问题,基于0.25μm GaN HEMT工艺,对C波段高效率预匹配功率放大器进行研究。功率放大器管壳内部HEMT输入端采用键合线和瓷片电容形成T型匹配网络来提升输入阻抗,以HEMT输出端键合线和瓷片电容分别作为电感和电容进行串联,使HEMT输出端对二次谐波短路,控制器件的电压和电流波形,提高放大器的漏极效率。管壳外部利用微带线进行阻抗变换,将输入输出阻抗匹配到50Ω。经测试,GaN HEMT功率放大器在5.8 GHz下饱和输出功率、漏极效率和功率增益分别为48.7 dBm、72%和11.3 dB。 展开更多
关键词 谐波阻抗匹配 漏极效率 GAN HEMT 功率放大器
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Wideband Microstrip-to-Microstrip Vialess Vertical Transition Based on Multilayer Liquid Crystal Polymer Technology
15
作者 LIU Weihong GUAN Dongyang +2 位作者 HUANG Qian CHEN Liuyang ZHANG Menglin 《Journal of Shanghai Jiaotong university(Science)》 2025年第2期220-226,共7页
A Ka-band wideband microstrip-to-microstrip(MS-to-MS)vialess vertical transition on slotline multimode resonator(MMR)is presented.The proposed transition mainly consists of a slotline MMR on the common ground plane,an... A Ka-band wideband microstrip-to-microstrip(MS-to-MS)vialess vertical transition on slotline multimode resonator(MMR)is presented.The proposed transition mainly consists of a slotline MMR on the common ground plane,and two microstrip(MS)lines facing each other at the top and third layers in the four-layered liquid crystal polymer(LCP)substrate.In order to improve the bandwidth of the proposed transition,a U-shaped branch is added to the top-and third-layer MS lines,separately.The slotline MMR can be properly excited by setting the position of the U-shaped branch line.As such,a three-pole wideband vertical transition is obtained,which shows a good transmission performance over a wide frequency range of 29.27-39.95 GHz.The three-pole wideband vertical transition based on multilayer LCP substrate is designed,fabricated,and measured.Test results indicate that a wide frequency range of 26.8436.26 GHz can be obtained with return loss better than-10dB and insertion loss less than-3dB. 展开更多
关键词 WIDEBAND microstrip-to-microstrip(MS-to-MS) vialess vertical transition slotline multi-mode resonator(MMR)
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一种大带宽、高增益的高速跨阻放大器芯片设计
16
作者 班郁 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第1期35-39,共5页
提出一种可用于高速光接收系统的宽带跨阻放大器(TIA)芯片架构和电路设计。跨阻放大器芯片作为光电探测器后端电路,可对探测器输出的电流信号进行低噪声放大,并使其满足速率和系统灵敏度需求。高速跨阻放大器设计架构由跨阻放大器核心... 提出一种可用于高速光接收系统的宽带跨阻放大器(TIA)芯片架构和电路设计。跨阻放大器芯片作为光电探测器后端电路,可对探测器输出的电流信号进行低噪声放大,并使其满足速率和系统灵敏度需求。高速跨阻放大器设计架构由跨阻放大器核心电路、单端到差分转换电路以及限幅放大器电路3部分组成。在限幅放大器设计中,利用密勒效应引入可调电容平衡高频电路输出电压幅度、带宽和电路稳定性,实现信号宽带接收、限幅放大以及外部驱动等功能,提升高速传输信号的质量。通过在不同工艺角下对芯片进行小信号幅频特性分析、噪声仿真及大信号时域分析,进一步验证了跨阻放大器芯片的带宽、噪声和灵敏度以及传输特性等芯片各项性能指标。 展开更多
关键词 宽带跨阻放大器(TIA) 高速光收发 密勒效应
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一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器
17
作者 张斌 蒋颖丹 +4 位作者 权帅超 汪柏康 孙莎莎 秦战明 孙文俊 《现代电子技术》 北大核心 2025年第2期14-20,共7页
为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦... 为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦,同时基于0.18μm SiGe BiCMOS高性能异质结双极晶体管工艺进行设计。电磁仿真结果显示,在8~16 GHz的频带范围内,放大器的增益>26 dB,输出1 dB功率压缩点≥10 dBm,饱和输出功率≥13 dBm,端口回波损耗≤-10 dB,-40~125℃范围内同频点增益浮动≤1.5 dB。所设计的驱动放大器电路性能稳定,2.8 V电源工作电流为45 mA,尺寸仅为0.50 mm×0.58 mm,实现了SiGe放大器高性能、小型化的设计要求。 展开更多
关键词 驱动放大器 宽带射频 SIGE工艺 温度补偿 共射-共基极(cascode)结构 Marchand巴伦 异质结双极晶体管
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碳纳米管射频晶体管及放大器电路研究
18
作者 赵亮 杨扬 +7 位作者 霍帅 张勇 陆辉 汪珍胜 钟世昌 唐世军 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 2025年第1期22-27,共6页
基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料,研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管,并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计,实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB,增益1 dB压缩点处三... 基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料,研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管,并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计,实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB,增益1 dB压缩点处三阶交调优于-35 dBc。本文首次报道了X波段碳纳米管射频放大器电路,可为碳纳米管射频电子技术的发展提供技术参考。 展开更多
关键词 碳纳米管 射频 放大器
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基于低功耗电容开关时序的12位SAR ADC设计
19
作者 佟吉祥 申人升 +1 位作者 汪家奇 徐宁 《微处理机》 2025年第3期33-38,共6页
逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的功耗主要来源于三个模块:DAC、比较器和SAR逻辑。其中,DAC电容阵列在充放电过程中消耗的能量是影响SAR ADC整体功耗的重要因素,因此,设计低功耗电容开关时序显得尤为关键。传统VCM-based电容开关时序由... 逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的功耗主要来源于三个模块:DAC、比较器和SAR逻辑。其中,DAC电容阵列在充放电过程中消耗的能量是影响SAR ADC整体功耗的重要因素,因此,设计低功耗电容开关时序显得尤为关键。传统VCM-based电容开关时序由于工作原理和实现方式相对简单,在SAR ADC电容切换方案的设计中被广泛采用,但这种时序当比较器前后比较结果相反时,开关切换的功耗会显著上升。针对这一问题,本文提出了一种分段式电容拆分VCM-based电容开关时序,能够有效降低电容开关功耗,并且基于65nm LP CMOS工艺设计了一款12 bit 10MS/s的低功耗SAR ADC。 展开更多
关键词 逐次逼近型模数转换器 电容开关时序 分段电容结构 电容拆分技术 栅压自举开关
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陀螺平台稳定回路中的相敏解调器设计
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作者 沈时俊 刘嘉 +1 位作者 庄永河 孙函子 《电子技术应用》 2025年第8期114-119,共6页
通过对传统相敏解调器原理的分析,提出了一种基于同步相控原理的应用于陀螺平台稳定回路中的相敏解调器。该电路采用独特的电路拓扑结构,解决了传统电路体积大、电路复杂等问题。针对电路的输出零位电压,通过合理的参数设计和先进的薄... 通过对传统相敏解调器原理的分析,提出了一种基于同步相控原理的应用于陀螺平台稳定回路中的相敏解调器。该电路采用独特的电路拓扑结构,解决了传统电路体积大、电路复杂等问题。针对电路的输出零位电压,通过合理的参数设计和先进的薄膜工艺,将零位电压降低了一个数量级,极大地改善了电路零位特性,对提高整机性能具有重要的意义。 展开更多
关键词 相敏解调器 陀螺平台稳定回路 零位电压 薄膜工艺
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