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RF CMOS、BiCMOS的新进展(五)——移相器、RF开关、集成无源元件和相控阵
1
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期1-12,共12页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成`
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基于三维集成的Ku波段双面引出高功率T/R模块
2
作者 程玺琮 周彪 +1 位作者 许向前 王子杰 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期57-62,76,共7页
面向低剖面有源相控阵天线系统,基于三维集成技术研制了一款Ku波段双面引出四通道高功率收发(T/R)模块。模块通过多功能芯片集成技术实现大功率、高密度单层瓦式集成;设计了类同轴垂直互连结构,可通过球栅阵列实现双面对外信号互连,解... 面向低剖面有源相控阵天线系统,基于三维集成技术研制了一款Ku波段双面引出四通道高功率收发(T/R)模块。模块通过多功能芯片集成技术实现大功率、高密度单层瓦式集成;设计了类同轴垂直互连结构,可通过球栅阵列实现双面对外信号互连,解决了当前模块仅能单面互连的问题,并对关键结构进行电路分析及电磁仿真;为确保高输出功率工作,进行了散热设计和仿真验证。测试结果表明,在Ku波段发射通道饱和输出功率大于40 dBm,接收通道增益大于25 dB,噪声系数小于3.5 dB,模块尺寸仅为16.0 mm×16.0 mm×2.2 mm。 展开更多
关键词 收发(T/R)模块 KU波段 双面引出 高功率 三维集成
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一种基于HTCC工艺的高集成度微波前端系统级封装模块
3
作者 钟伟 李智鹏 +2 位作者 李照荣 曾荣 吕俊材 《微波学报》 北大核心 2025年第6期28-35,共8页
针对微波前端功能密度提升需求,文中设计了一种基于高温共烧陶瓷(HTCC)多腔堆叠集成结构的小型化前端系统级封装SiP模块,实现了收发变频、本振产生、发射放大与调制、中频放大等功能的一体化高密度集成。在各腔中通过植入球栅阵列(BGA)... 针对微波前端功能密度提升需求,文中设计了一种基于高温共烧陶瓷(HTCC)多腔堆叠集成结构的小型化前端系统级封装SiP模块,实现了收发变频、本振产生、发射放大与调制、中频放大等功能的一体化高密度集成。在各腔中通过植入球栅阵列(BGA)实现HTCC基板的垂直堆叠,有效提升了集成密度,整体尺寸仅为45 mm×45 mm×10 mm。通过研究多级过渡垂直互连结构与模块内电磁耦合特性,实现了射频信号的低损耗互连传输与内部敏感单元间的高电磁隔离,同时热力有限元仿真结果表明该集成形式具备良好的散热与抗机械振动能力。通过试制获得该SiP样机,实测发射功率大于47.7 dBm,接收噪声系数小于3.5 dB,接收链路增益大于85 dB。该技术为微波前端的高密度、高可靠一体集成提供了一条技术途径。 展开更多
关键词 高温共烧陶瓷 微波前端 基板堆叠 系统级封装
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一种3~12 GHz超宽带混频器设计
4
作者 曹智慧 董思源 应晓杰 《电子设计工程》 2026年第1期81-84,90,共5页
基于高性能超宽带无源双平衡混频器的需求,采用0.15μm砷化镓赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计开发出一种工作频段为3~12 GHz的混频器。混频器的整体电路主要由混频环路、射频微带巴伦、本振微带巴伦以及中频端口匹配电路组成。本... 基于高性能超宽带无源双平衡混频器的需求,采用0.15μm砷化镓赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计开发出一种工作频段为3~12 GHz的混频器。混频器的整体电路主要由混频环路、射频微带巴伦、本振微带巴伦以及中频端口匹配电路组成。本振巴伦采用新设计方案来实现超宽带、高隔离度的要求。测试结果表明,射频、本振频率带宽为3~12 GHz,射频端口功率为-10 dBm,本振端口功率为15 dBm,中频频率为DC~4 GHz,变频损耗小于10 dB,本振到射频端口隔离度大于45 dB,1 dB压缩点功率值大于9.5 dBm。 展开更多
关键词 砷化镓 超宽带 双平衡混频器 变频损耗
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面向超高频植入式RFID芯片的温度传感器研制 被引量：1
5
作者 王俊杰 肖宛昂 吴静珠 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第1期47-55,共9页
基于0.18μm工艺设计并实现了一款用于超高频植入式RFID芯片的温度传感器。该温度传感器将MOS管作为感温元件,采用基于亚阈值MOS管的低功耗感温核心。传感器利用PTAT和CTAT两种电压延时器构成脉宽产生电路,从而生成脉宽信号,并与时间数... 基于0.18μm工艺设计并实现了一款用于超高频植入式RFID芯片的温度传感器。该温度传感器将MOS管作为感温元件,采用基于亚阈值MOS管的低功耗感温核心。传感器利用PTAT和CTAT两种电压延时器构成脉宽产生电路,从而生成脉宽信号,并与时间数字转换器(TDC)一起构成温度量化电路。核心电路的版图面积为298μm×261μm,测温范围为35~45℃。流片测试结果表明,三颗芯片在两点校准后的测温最大误差为±0.4℃,关键温区的最大误差为±0.2℃,实测功耗为623 nW。基于流片实测结果,发现了当前芯片的局限性,并提出了未来芯片结构的改进方向。 展开更多
关键词 RFID芯片 温度传感器 TDC 亚阈值
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(一)——低噪声放大器与接收前端 被引量：1
6
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期757-772,共16页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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一种次级侧控制软开关15W反激变换器设计 被引量：1
7
作者 陈瑾怡 王俊峰 王凯 《微电子学与计算机》 2025年第2期103-111,共9页
传统的反激变换器多采用初级侧控制方法,即通过光电耦合器传递反馈信号的方法,由于光电耦合器的电流传输比与温度以及使用时间成负相关,导致电路可靠性下降,环路增益变差;近年来提出的原边反馈控制方法,即通过引入辅助绕组反馈输出电压... 传统的反激变换器多采用初级侧控制方法,即通过光电耦合器传递反馈信号的方法,由于光电耦合器的电流传输比与温度以及使用时间成负相关,导致电路可靠性下降,环路增益变差;近年来提出的原边反馈控制方法,即通过引入辅助绕组反馈输出电压,这种采样方式的误差较大,而且控制方法更为复杂。因此本文提出了次级侧控制策略,输出电压反馈误差信号可以直接接入脉宽控制电路,避免引入光电耦合器与辅助绕组,减小变换器面积与成本。针对较高工作频率下硬开关方式产生的开关损耗呈指数增长,以及电磁噪声更加严重的问题,本文采用一种软开关方法,通过对次级侧整流开关管注入软开关的驱动窄脉冲信号,实现初级侧功率开关管的零电压开通。综上,本文提出一种次级控制软开关反激变换器的设计方案,设计出一款典型输入28 V,输出5 V/15 W的原理样机,通过对样机的测试验证,得出本文提出的控制方法,能够在全电压范围内和全负载范围内实现零电压开通,使反激变换器在满载状态下效率达到90.8%,相较于传统控制方法效率提升了5%~6%。 展开更多
关键词 反激变换器 次级控制 软开关 同步整流
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双向DC-DC直流变换器设计优化 被引量：2
8
作者 李金彦 《中国科技论文》 2025年第3期224-230,共7页
针对双向DC-DC直流变换器(bidirectional DC-DC converter,BDC)充电模式效率低、电流控制精度不高的问题,对BDC的电池储能装置进行优化设计。该装置包括双向DC-DC主电路、测控电路和辅助电源,主电路拓扑为同步整流式非隔离型降压/升压(B... 针对双向DC-DC直流变换器(bidirectional DC-DC converter,BDC)充电模式效率低、电流控制精度不高的问题,对BDC的电池储能装置进行优化设计。该装置包括双向DC-DC主电路、测控电路和辅助电源,主电路拓扑为同步整流式非隔离型降压/升压(BUCK/BOOST)电路,采用STM32F103ZET6作为核心控制器,应用软件补偿网络、数字校准技术和比例-积分-微分(proportional-integral-derivative,PID)数字闭环控制技术,实现能量的双向流动。测试结果表明,优化后装置充电模式转换效率高达95%,电流控制误差低于1%,电流变化率低于1%,放电模式转换效率高达96%,大大提高了电能转换效率和电流控制精度。 展开更多
关键词 直流变换器 BUCK/BOOST PID数字闭环 转换效率
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基于GaN的高频高功率密度混合集成电源设计 被引量：3
9
作者 朱伟龙 王鹏 +1 位作者 郑辰雅 孙鹏飞 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第3期102-109,共8页
混合集成DC-DC变换器因其工作温度范围宽和长期可靠性高在苛刻环境及高可靠需求应用场景中得到广泛应用。基于GaNHEMT器件优异的高频低损耗特性,结合有源箝位软开关拓扑、混合集成微组装技术和高载流低热阻气密封装技术,设计了一款28V... 混合集成DC-DC变换器因其工作温度范围宽和长期可靠性高在苛刻环境及高可靠需求应用场景中得到广泛应用。基于GaNHEMT器件优异的高频低损耗特性,结合有源箝位软开关拓扑、混合集成微组装技术和高载流低热阻气密封装技术,设计了一款28V输入、5V/20A输出的混合集成DC-DC变换器。该变换器开关频率800kHz,峰值效率达92%。详细阐述了有源箝位功率电路设计、GaNHEMT驱动电路寄生参数与震荡电压控制、同步整流时序与死区时间优化、厚膜混合集成工艺及散热的设计方法和技术细节,并通过仿真与样机实验,验证和展示了GaNHEMT和混合集成电路在高功率密度和高效率方面的优势。 展开更多
关键词 混合集成电路 有源箝位正激 氮化镓 同步整流 高可靠
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(三)——功率放大器、RF信号放大器与发射机
10
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期981-994,共14页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(二)——射频-直流整流器与射频能量收集器
11
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期885-892,共8页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RFCMOS、BiCMOS的新进展(四)——振荡器、混频器与频率综合器
12
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第11期1093-1106,共14页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RFCMOS和RFBiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RFCMOS和RFBiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RFCMOS和RFBiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RFIC发展的主要方面,凝练了各类RFIC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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一种多姿态感知智能防护头盔的设计
13
作者 孙永 张瑞雪 +3 位作者 高东杰 张书鑫 张成超 王旭龙 《天津职业技术师范大学学报》 2025年第3期22-27,共6页
针对骑行者在复杂交通环境中的安全防护问题,设计了一种多姿态感知智能防护头盔。该头盔采用STM32F407ZGT6单片机为主控核心,集多传感器融合与KNN算法处理技术,全面提升了个人防护装备的智能化水平;通过对头部姿态、加速度及旋转角度等... 针对骑行者在复杂交通环境中的安全防护问题,设计了一种多姿态感知智能防护头盔。该头盔采用STM32F407ZGT6单片机为主控核心,集多传感器融合与KNN算法处理技术,全面提升了个人防护装备的智能化水平;通过对头部姿态、加速度及旋转角度等关键参数的实时监测与分析,实现了对使用者头部姿态的精准识别。实验结果表明,该头盔能够在事故发生时迅速响应,及时启动远程求救机制,使得安全防护更高效,识别准确率更高。 展开更多
关键词 STM32F407ZGT6单片机 智能防护头盔 KNN算法 姿态识别
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国产集成电路典型工艺可靠性风险分析及应用解决方案
14
作者 翟芳 邹雅冰 赵文志 《电子产品可靠性与环境试验》 2025年第2期66-75,共10页
随着国家科技自主战略的深入推进,我国集成电路产业蓬勃发展,大量国产集成电路获得应用。值得关注的是,近年来在国产集成电路规模应用的过程中,也暴露出一些风险和问题,直接影响到产品质量和应用可靠性。基于对当前国产集成电路应用现... 随着国家科技自主战略的深入推进,我国集成电路产业蓬勃发展,大量国产集成电路获得应用。值得关注的是,近年来在国产集成电路规模应用的过程中,也暴露出一些风险和问题,直接影响到产品质量和应用可靠性。基于对当前国产集成电路应用现状的广泛调研,系统分析了国产集成电路制造工艺及板级装联工艺存在的应用风险,对国产集成电路应用瓶颈问题开展了较为深入的原因分析,并从工艺可靠性保障的视角对国产集成电路应用的解决方案进行了探讨。 展开更多
关键词 国产集成电路 工艺风险 板级装联工艺 可靠性保障
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自动检测技术在半导体芯片制造中的应用研究
15
作者 郭美丽 《科技创新与生产力》 2025年第10期114-116,120,共4页
文章首先对自动检测技术进行了概述,其次对自动检测技术在半导体芯片制造中的应用价值和关键技术进行了深入分析,最后对自动检测技术在半导体芯片制造中的具体应用进行了详细探讨,以期对自动检测技术在半导体芯片制造中的实际应用提供... 文章首先对自动检测技术进行了概述,其次对自动检测技术在半导体芯片制造中的应用价值和关键技术进行了深入分析,最后对自动检测技术在半导体芯片制造中的具体应用进行了详细探讨,以期对自动检测技术在半导体芯片制造中的实际应用提供参考价值。 展开更多
关键词 自动检测 半导体 芯片制造
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基于GaN器件的高效抗辐射DC/DC变换器设计
16
作者 高东辉 张伶鳦 +1 位作者 陈家海 黄煜炜 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第5期540-548,555,共10页
针对当前混合集成抗辐射DC/DC变换器存在输出功率小、转换效率低等问题,在优化DC/DC变换器功率拓扑的基础上,采用先进的抗辐射GaN开关管,设计了一款70~120 V输入、28 V/150 W输出的高效混合集成抗辐射DC/DC变换器原理样机。首先对电路... 针对当前混合集成抗辐射DC/DC变换器存在输出功率小、转换效率低等问题,在优化DC/DC变换器功率拓扑的基础上,采用先进的抗辐射GaN开关管,设计了一款70~120 V输入、28 V/150 W输出的高效混合集成抗辐射DC/DC变换器原理样机。首先对电路方案进行了详细研究,主要包括半桥拓扑结构工作原理分析、控制电路设计、抗辐射GaN隔离驱动电路设计等;其次对混合集成工艺方案进行了详细设计和分析;最后对抗辐射GaN器件的损耗进行了详细计算,对比了采用抗辐射GaN器件和采用抗辐射MOSFET的DC/DC电源效率。原理样机测试结果表明:在同等体积下,相比于现有产品,输出功率由120 W提升至150 W,功率密度提升25%,额定工况转换效率由85.4%提升至91.3%。理论分析与实验结果吻合,为抗辐射DC/DC变换器实现大功率、高效率和小型化提供了思路。 展开更多
关键词 混合集成 抗辐射 DC/DC变换器 GAN 半桥
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一种基于模拟域特征提取的语音活动检测电路 被引量：1
17
作者 何建平 杨兵 +6 位作者 张静 乔飞 贾凯歌 魏琦 刘玉浩 喻剑依 石匆 《物联网技术》 2025年第5期16-20,共5页
随着人工智能的发展,智能终端设备中集成的常开型传感器的数量逐渐增加。然而,这些传感器无法对无用信息进行有效的处理,浪费了大量资源且会严重影响后续数据处理的精度。为了应对边缘终端声学传感设备在追求高精度和低功耗方面所面临... 随着人工智能的发展,智能终端设备中集成的常开型传感器的数量逐渐增加。然而,这些传感器无法对无用信息进行有效的处理,浪费了大量资源且会严重影响后续数据处理的精度。为了应对边缘终端声学传感设备在追求高精度和低功耗方面所面临的挑战,提出了一种基于语音时域特征的混合信号域语音活动检测架构。该架构能够集成于高精度声学处理系统,如关键词识别系统等,并与其组成逐级唤醒的边缘声学传感系统,从而降低边缘设备的部署成本。在具体实现上,该架构采用了基于短时能量和短时过零率的双门限语音活动检测算法,并通过将模拟域的特征提取与数字域的特征分类相结合,巧妙地规避了在边缘设备中使用功耗占比较高的ADC模块,显著降低了系统功耗。该设计采用TSMC 180 nm CMOS工艺实现,芯片面积仅为0.029 mm^(2)。仿真结果表明,该电路的功耗低至14.4μW,语音检测准确率高达97%,实现了低功耗与高性能的完美平衡,为边缘终端声学传感设备提供了高效、可靠的语音活动检测方案。 展开更多
关键词 人工智能 边缘终端声学传感设备 语音活动检测 短时能量 短时过零率 混合信号域
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一种新颖的缺陷地微带线低通滤波器 被引量：18
18
作者 魏峰 翟阳文 +2 位作者 史小卫 陈蕾 黄丘林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期645-648,共4页
传统的微带线低通滤波器尺寸偏大，阻带较窄，针对此问题提出了一种新型微带线低通滤波器，该滤波器由半圆型缺陷地结构（S-DGS）单元和半圆型阶梯阻抗并联枝节（S-SISS）级联而成．分析了S-DGS和S-SISS的参数变化对其带阻特性的影响，... 传统的微带线低通滤波器尺寸偏大，阻带较窄，针对此问题提出了一种新型微带线低通滤波器，该滤波器由半圆型缺陷地结构（S-DGS）单元和半圆型阶梯阻抗并联枝节（S-SISS）级联而成．分析了S-DGS和S-SISS的参数变化对其带阻特性的影响，建立了微带线滤波器的等效电路模型．该滤波器结构紧凑，3dB截止频率为2．7GHz，阻带为4～16GHz，比传统缺陷地结构滤波器阻带拓宽了20％．测试结果与仿真结果吻合较好，验证了所设计滤波器的可靠性． 展开更多
关键词 缺陷地结构 阶梯阻抗并联枝节 微带线 低通滤波器
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BIS:一种降低空时隙开销的RFID防碰撞算法 被引量：31
19
作者 王中祥 王俊宇 +1 位作者 刘丹 闵昊 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第9期1-6,共6页
提出了一种优化的基于时隙ALOHA的随机型防碰撞算法——BIS算法。该算法在帧开始前扫描空时隙的位置,并结合标签估算算法实现对帧长的动态调度,最大限度地减少空时隙的时间开销,以实现提高多标签读取效率的目标。仿真结果表明,在不考虑... 提出了一种优化的基于时隙ALOHA的随机型防碰撞算法——BIS算法。该算法在帧开始前扫描空时隙的位置,并结合标签估算算法实现对帧长的动态调度,最大限度地减少空时隙的时间开销,以实现提高多标签读取效率的目标。仿真结果表明,在不考虑误码的理想情况下,采用该算法的系统效率最高可以达到81%,高于ALOHA算法的理想系统效率,识别速度与一般的时隙ALOHA算法和二进制算法相比有较大幅度的提高。 展开更多
关键词 射频识别 防碰撞 时隙ALOHA
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基于均衡信度分配准则的冲突证据组合方法 被引量：18
20
作者 王壮 胡卫东 +1 位作者 郁文贤 庄钊文 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期1852-1855,共4页
本文针对目标综合识别中冲突信息的组合问题 ,以Dempster组合规则为基础 ,提出了一种基于均衡信度分配准则的冲突证据组合方法 ;并根据证据间的相似性程度来确定组合顺序 .通过仿真实验测试 。
关键词 DEMPSTER组合规则 均衡信度分配 冲突证据组合
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