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宽带数字射频存储微系统的信号完整性设计
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作者 丁涛杰 王辂 +1 位作者 杨兵 张景辉 《半导体技术》 北大核心 2026年第4期373-381,397,共10页
数字射频存储(DRFM)微系统兼具电子设备小型化与高性能优势,其高密度集成形态引发的信号完整性问题是制约微系统电学稳定性的主要因素。采用模块化的设计方法,结合晶圆级扇出、三维堆叠、塑封和陶封等多种集成工艺,实现了一款小型化的... 数字射频存储(DRFM)微系统兼具电子设备小型化与高性能优势,其高密度集成形态引发的信号完整性问题是制约微系统电学稳定性的主要因素。采用模块化的设计方法,结合晶圆级扇出、三维堆叠、塑封和陶封等多种集成工艺,实现了一款小型化的宽带数字射频存储微系统。同时,为解决数字射频链路的典型信号完整性问题,建立了一套系统性的多维度、多层级仿真分析方法,充分评估各区域传输网络的频域与时域性能。结果表明,在保证系统功能完备性的同时,数字信号满足通信协议的标准要求,射频链路回波损耗满足全频段小于-15 dB的应用要求,为系统电学稳定性提供了充分保障。 展开更多
关键词 宽带数字射频存储(DRFM) 微系统 混合集成 信号完整性 仿真设计
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低功耗高电源抑制比的锁频环型片上RC振荡器
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作者 阴亚东 吴志伟 +3 位作者 邱学炜 方宇龙 钟杨源 高跃明 《湖南大学学报(自然科学版)》 北大核心 2026年第2期193-199,共7页
本文提出了一种基于惠斯顿电桥的锁频环型片上阻容(RC)振荡器,其主要由惠斯顿电桥、误差放大器、压控振荡器(voltage-controlled oscillator,VCO)、无交叠时钟生成电路以及低压差线性稳压器(low-dropout linear regulator,LDO)等组成.... 本文提出了一种基于惠斯顿电桥的锁频环型片上阻容(RC)振荡器,其主要由惠斯顿电桥、误差放大器、压控振荡器(voltage-controlled oscillator,VCO)、无交叠时钟生成电路以及低压差线性稳压器(low-dropout linear regulator,LDO)等组成.采用惠斯顿电桥通过阻容充放电形式实现VCO输出信号的频率-电压转换;与常规方法相比,惠斯顿电桥节省了芯片面积并提高了频率稳定性.采用LDO为锁频环路核心模块提供稳定电源,有效提升了振荡器的电源抑制能力.采用高阈值MOS管所构成的反相器级联环形振荡器构成VCO;通过将其供电电压设置为低于反相器中N/PMOS阈值电压之和的方式,有效地避免了N/PMOS同时导通而极大地降低了VCO功耗.完成了振荡器的工作原理分析、锁频环小信号模型建模分析及各模块的电路设计;采用CSMC 180 nm BCD工艺完成了流片验证和测试.测试结果表明,在锁频环作用下VCO锁定振荡于1.98 MHz频率而偏离目标频率1%;当电源电压为(4±1.5)V时,其电源灵敏度(line sensitivity)不超过200×10^(-6)/V;在-20~100℃温度范围内,频率温漂不超过3%,对应250×10^(-6)/℃;工作电流仅11.26μA.与同类设计相比,本文所述锁频环型片上RC振荡器具有较低功耗、较高电源抑制能力和较为优良的品质因数(FoM). 展开更多
关键词 RC振荡器 锁频环 惠斯顿电桥
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(六)——RF ASIC和微系统集成
3
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期205-214,共10页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(五)——移相器、RF开关、集成无源元件和相控阵
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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期1-12,共12页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成`
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(五)——移相器、RF开关、集成无源元件和相控阵(续)
5
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第2期109-118,共10页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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260MHz瞬时带宽的C波段150W内匹配功率放大器
6
作者 李俊敏 吴家锋 蔡道民 《半导体技术》 北大核心 2026年第4期382-387,共6页
提出了一种兼具射频和基带阻抗匹配能力的匹配电路拓扑,用于设计高功率、宽带宽信号内匹配功率放大器。在管壳内HEMT输出端采用键合线与瓷片电容构建L-C-L阻抗匹配网络,提高HEMT的输出阻抗;利用键合线、瓷片电容与大容值多层陶瓷电容构... 提出了一种兼具射频和基带阻抗匹配能力的匹配电路拓扑,用于设计高功率、宽带宽信号内匹配功率放大器。在管壳内HEMT输出端采用键合线与瓷片电容构建L-C-L阻抗匹配网络,提高HEMT的输出阻抗;利用键合线、瓷片电容与大容值多层陶瓷电容构成L-C串联,实现低频基带短路,降低HEMT漏极侧的基带阻抗,扩展功率器件的瞬时带宽。基于0.25μm GaN HEMT工艺研制了一款GaN HEMT内匹配功率放大器,在5.8~6.8 GHz、漏极电压28 V下进行测试。测试结果表明,输出功率大于150 W,漏极效率高于50%,功率增益超过11 dB;输出均值功率为60 W、双音间隔为2~260 MHz时,三阶交调失真小于-30 dBc,且上下边频交调失真差小于2 dB。 展开更多
关键词 基带阻抗 瞬时带宽 GaN HEMT 内匹配功率放大器
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中频可重构收发SiP电路设计
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作者 孙超 徐思远 +1 位作者 范童修 林逸群 《电子元件与材料》 北大核心 2026年第1期120-125,共6页
在高灵敏度、高性能的射频系统中,中频电路具有不可或缺的作用。目前SiP技术主要围绕三维堆叠封装高密度集成,使微波电路具备完整的系统功能,更加着眼于产品的小型化、轻量化、批量化,这不可避免地导致了更长的研发周期和更为复杂的工... 在高灵敏度、高性能的射频系统中,中频电路具有不可或缺的作用。目前SiP技术主要围绕三维堆叠封装高密度集成,使微波电路具备完整的系统功能,更加着眼于产品的小型化、轻量化、批量化,这不可避免地导致了更长的研发周期和更为复杂的工艺步骤。结合SIP技术和中频收发组件的电路特点,本文提出了一种可快速验证的中频可重构收发SIP电路,其优势在于可靠性高、研发成本低、开发周期短、尺寸灵活便于集成,适用于将成熟电路快速小型化或数量较少的低成本定制化产品以及新型电路的快速验证。在仿真的基础上完成了实物验证,并对首批次30件产品的增益数据进行了整理,数据表明,该种架构SiP的一致性和稳定性能够满足批量产品的需求。目前该款中频SiP已应用于实际工程,后续计划在X频段采用类似设计,进一步研究金丝匹配在X波段的适用性。 展开更多
关键词 射频 收发电路 SIP 中频可重构技术
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基于三维集成的Ku波段双面引出高功率T/R模块
8
作者 程玺琮 周彪 +1 位作者 许向前 王子杰 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期57-62,76,共7页
面向低剖面有源相控阵天线系统,基于三维集成技术研制了一款Ku波段双面引出四通道高功率收发(T/R)模块。模块通过多功能芯片集成技术实现大功率、高密度单层瓦式集成;设计了类同轴垂直互连结构,可通过球栅阵列实现双面对外信号互连,解... 面向低剖面有源相控阵天线系统,基于三维集成技术研制了一款Ku波段双面引出四通道高功率收发(T/R)模块。模块通过多功能芯片集成技术实现大功率、高密度单层瓦式集成;设计了类同轴垂直互连结构,可通过球栅阵列实现双面对外信号互连,解决了当前模块仅能单面互连的问题,并对关键结构进行电路分析及电磁仿真;为确保高输出功率工作,进行了散热设计和仿真验证。测试结果表明,在Ku波段发射通道饱和输出功率大于40 dBm,接收通道增益大于25 dB,噪声系数小于3.5 dB,模块尺寸仅为16.0 mm×16.0 mm×2.2 mm。 展开更多
关键词 收发(T/R)模块 KU波段 双面引出 高功率 三维集成
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三维集成无源电路研究进展
9
作者 邓悦 王凤娟 +2 位作者 尹湘坤 杨媛 余宁梅 《电子与封装》 2026年第2期1-8,共8页
在射频系统不断发展的背景下,射频电路在移动通信、卫星发射以及工业自动化等领域得到了广泛的应用。然而,随着技术的进步,业界对设备性能的要求越来越高,导致传统的电路设计在满足系统对小型化、低损耗和高集成度的需求上显得捉襟见肘... 在射频系统不断发展的背景下,射频电路在移动通信、卫星发射以及工业自动化等领域得到了广泛的应用。然而,随着技术的进步,业界对设备性能的要求越来越高,导致传统的电路设计在满足系统对小型化、低损耗和高集成度的需求上显得捉襟见肘。因此,垂直互连技术作为三维集成电路的核心,已被研究人员广泛应用于集成各类射频电路模块。这一技术不仅有效缩小了移动通信等领域射频电路的占用面积,还为其后续发展开辟了新的可能性。主要介绍了基于三维集成的无源电路的研究进展,包括三维集成滤波器、耦合器、变压器和巴伦,并对各无源电路的发展现状和发展前景做了总结和展望。 展开更多
关键词 三维集成 射频系统 无源电路 垂直互连
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一种基于HTCC工艺的高集成度微波前端系统级封装模块 被引量：1
10
作者 钟伟 李智鹏 +2 位作者 李照荣 曾荣 吕俊材 《微波学报》 北大核心 2025年第6期28-35,共8页
针对微波前端功能密度提升需求,文中设计了一种基于高温共烧陶瓷(HTCC)多腔堆叠集成结构的小型化前端系统级封装SiP模块,实现了收发变频、本振产生、发射放大与调制、中频放大等功能的一体化高密度集成。在各腔中通过植入球栅阵列(BGA)... 针对微波前端功能密度提升需求,文中设计了一种基于高温共烧陶瓷(HTCC)多腔堆叠集成结构的小型化前端系统级封装SiP模块,实现了收发变频、本振产生、发射放大与调制、中频放大等功能的一体化高密度集成。在各腔中通过植入球栅阵列(BGA)实现HTCC基板的垂直堆叠,有效提升了集成密度,整体尺寸仅为45 mm×45 mm×10 mm。通过研究多级过渡垂直互连结构与模块内电磁耦合特性,实现了射频信号的低损耗互连传输与内部敏感单元间的高电磁隔离,同时热力有限元仿真结果表明该集成形式具备良好的散热与抗机械振动能力。通过试制获得该SiP样机,实测发射功率大于47.7 dBm,接收噪声系数小于3.5 dB,接收链路增益大于85 dB。该技术为微波前端的高密度、高可靠一体集成提供了一条技术途径。 展开更多
关键词 高温共烧陶瓷 微波前端 基板堆叠 系统级封装
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基于扇出型晶圆级封装的X波段异构集成T/R模组研制
11
作者 张翔宇 张帅 +1 位作者 赵宇 吴洪江 《电子技术应用》 2026年第2期15-23,共9页
基于扇出型晶圆级封装(FOWLP)技术,设计并制造了一款X波段四通道收发模组。模组异构集成了CMOS和GaAs两种工艺的芯片,可实现接收射频信号的低噪声放大、幅相控制及功率放大输出等功能。模组内部通过重布线层实现芯片间的互联以及扇出,... 基于扇出型晶圆级封装(FOWLP)技术,设计并制造了一款X波段四通道收发模组。模组异构集成了CMOS和GaAs两种工艺的芯片,可实现接收射频信号的低噪声放大、幅相控制及功率放大输出等功能。模组内部通过重布线层实现芯片间的互联以及扇出,与印制电路板通过球栅阵列实现垂直连接,模组最终体积仅为12.8 mm×10.4 mm×0.5 mm。模组经测试,结果为接收增益≥27 dB,噪声系数≤4 dB,发射增益≥26.7 dB,饱和输出功率≥24 dBm,四位数控衰减精度RMS≤1 dB,六位数控移相精度RMS≤6°,符合设计预期,在高密度树脂基封装的基础上整合了两种材质芯片的特性,实现了优异的性能。 展开更多
关键词 晶圆级封装 T/R微系统 系统级封装 重布线 先进封装技术 小型化
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基于分布式DLL时序控制的高精度励磁电流控制系统设计
12
作者 张德文 张李晨曦 +2 位作者 秦莉雅 张杰 张鸿 《集成电路与嵌入式系统》 2026年第2期24-33,共10页
针对旋转变压器励磁电流峰值控制对高精度的需求,设计并实现了基于分布式延迟锁相环(DLL)时序控制的高精度励磁电流峰值控制系统。通过在芯片中集成7档低失调高带宽可编程增益放大器(PGA)、13位基于混合时序逻辑的逐次逼近型模数转换器(... 针对旋转变压器励磁电流峰值控制对高精度的需求,设计并实现了基于分布式延迟锁相环(DLL)时序控制的高精度励磁电流峰值控制系统。通过在芯片中集成7档低失调高带宽可编程增益放大器(PGA)、13位基于混合时序逻辑的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)、采用双极调制架构的12位数字正弦脉宽调制(SPWM)模块以及3组DLL时序控制电路,构建了完整的闭环励磁电流控制系统,实现了对励磁电流峰值的精确采样与动态调节。实验结果表明,本设计输出的PWM波形具有1.3 ns的分辨率,能够在400 mA目标电流下实现励磁电流峰值误差小于±0.934%,为旋转变压器励磁电流峰值控制问题提供了一个有效的解决方案。 展开更多
关键词 励磁电流峰值控制 PGA 混合时序逻辑SAR ADC 数字SPWM 分布式DLL
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阻焊油墨经环境老化对插入损耗和特性阻抗的影响
13
作者 肖美珍 方贵练 +1 位作者 陈泽坚 何骁 《电子器件》 2026年第1期204-209,共6页
主要研究4种环境老化试验(高温、低温、高温高湿、温度循环)对不同阻焊油墨传输线插入损耗和特性阻抗的影响。试验结果表明,传输线插入损耗均随着环境老化时间增长而增加;不同环境老化试验对不同阻焊油墨的老化影响程度不同,其中高温高... 主要研究4种环境老化试验(高温、低温、高温高湿、温度循环)对不同阻焊油墨传输线插入损耗和特性阻抗的影响。试验结果表明,传输线插入损耗均随着环境老化时间增长而增加;不同环境老化试验对不同阻焊油墨的老化影响程度不同,其中高温高湿环境试验对传输线插入损耗的影响最大;对比未涂覆阻焊油墨和涂覆有阻焊油墨的特性阻抗和插入损耗,未涂覆阻焊油墨的特性阻抗和插入损耗变化较大。 展开更多
关键词 阻焊油墨 插入损耗 特性阻抗 环境老化
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厚膜电路白色粉末清洗污染机理与解决方案
14
作者 蒋东廷 王晓卫 黄国平 《电子工艺技术》 2026年第1期59-63,共5页
厚膜混合集成电路的清洗工艺可用来去除电路中残留的助焊剂及污染物。但在清洗后常常出现白色粉末状残留物。这些白色粉末具有很强的黏附性,出现后很难再通过常规浸泡或喷淋的方式去除。分析了白色粉末的形貌和成分,并结合试验总结了白... 厚膜混合集成电路的清洗工艺可用来去除电路中残留的助焊剂及污染物。但在清洗后常常出现白色粉末状残留物。这些白色粉末具有很强的黏附性,出现后很难再通过常规浸泡或喷淋的方式去除。分析了白色粉末的形貌和成分,并结合试验总结了白色粉末的生成机理:首先助焊剂在焊接过程被氧化,随后清洗过程中与氟代烷烃清洗剂发生沉淀反应,最终形成白色粉末。根据反应机理,一方面通过调节焊接工艺参数避免了助焊剂氧化,另一方面调整清洗工艺方法减少白色粉末在焊点的聚集,最终实现了对白色粉末污染的有效抑制。 展开更多
关键词 厚膜混合集成电路 清洗工艺 白色粉末 焊接 喷淋 助焊剂氧化
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陶封光控电子开关陶瓷盖板加固稳定性研究
15
作者 韩文静 冯春苗 +2 位作者 李尧 肖泽平 袁海 《微纳电子技术》 2026年第2期140-146,共7页
对陶封光控电子开关电路中陶瓷盖板的加固胶型与加固工艺开展了系统研究,重点考察了不同黏度绝缘胶体及多种涂覆方式对电路电连接稳定性的影响。实验结果表明,陶瓷盖板的组装加固方法与电信号传输稳定性密切相关:采用高黏度白胶进行划... 对陶封光控电子开关电路中陶瓷盖板的加固胶型与加固工艺开展了系统研究,重点考察了不同黏度绝缘胶体及多种涂覆方式对电路电连接稳定性的影响。实验结果表明,陶瓷盖板的组装加固方法与电信号传输稳定性密切相关:采用高黏度白胶进行划线加固,电路在500次温度循环后正向压降稳定在1.33~1.34 V,电信号无异常;而使用低黏度黑胶划线加固后,部分电路出现正向压降升高,存在连接失效风险。进一步研究表明,采用双侧对称点涂黑胶的方式可显著改善胶体分布均匀性,使电路在温循及机械实验后仍保持1.34 V左右的稳定正向压降。仿真分析揭示,低温(-65℃)下不对称胶体分布会在导电胶中引入高达25.07 MPa的应力,显著高于对称结构(13.54 MPa),是导致粘接界面失效的主要原因。综上,采用高黏度胶体划线加固或双侧对称点涂加固均可有效提升界面粘接的稳定性,保障电路在复杂环境下的长期可靠性。 展开更多
关键词 陶封光控电子开关 陶瓷盖板 电信号 加固工艺 可靠性
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一种高输出功率的宽带上变频模块设计
16
作者 葛增亭 余高干 +1 位作者 姜建飞 王奇 《空天预警研究学报》 2026年第1期31-34,共4页
针对雷达等设备要求超外差接收机大工作带宽、高输出功率、小型化设计等技术难题,提出一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)的上变频微波多芯片模块(MCM)设计.该MCM集成了变频电路和驱动放大电路功能,提高了信号输出功率;采用LTCC基板,设计了紧... 针对雷达等设备要求超外差接收机大工作带宽、高输出功率、小型化设计等技术难题,提出一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)的上变频微波多芯片模块(MCM)设计.该MCM集成了变频电路和驱动放大电路功能,提高了信号输出功率;采用LTCC基板,设计了紧凑电路结构,缩小了模块的体积和重量;将L波段宽带中频信号上变频至X/Ku波段,提高了模块的瞬时带宽和信号处理能力.测试结果表明,本文模块的输出功率≥30 dBm,最大瞬时带宽≥1 GHz,满足了接收机对大带宽、高输出功率和轻量化设计的需求. 展开更多
关键词 微波多芯片模块 输出功率 上变频 小型化 轻量化
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一种3~12 GHz超宽带混频器设计
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作者 曹智慧 董思源 应晓杰 《电子设计工程》 2026年第1期81-84,90,共5页
基于高性能超宽带无源双平衡混频器的需求,采用0.15μm砷化镓赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计开发出一种工作频段为3~12 GHz的混频器。混频器的整体电路主要由混频环路、射频微带巴伦、本振微带巴伦以及中频端口匹配电路组成。本... 基于高性能超宽带无源双平衡混频器的需求,采用0.15μm砷化镓赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计开发出一种工作频段为3~12 GHz的混频器。混频器的整体电路主要由混频环路、射频微带巴伦、本振微带巴伦以及中频端口匹配电路组成。本振巴伦采用新设计方案来实现超宽带、高隔离度的要求。测试结果表明,射频、本振频率带宽为3~12 GHz,射频端口功率为-10 dBm,本振端口功率为15 dBm,中频频率为DC~4 GHz,变频损耗小于10 dB,本振到射频端口隔离度大于45 dB,1 dB压缩点功率值大于9.5 dBm。 展开更多
关键词 砷化镓 超宽带 双平衡混频器 变频损耗
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面向超高频植入式RFID芯片的温度传感器研制 被引量：1
18
作者 王俊杰 肖宛昂 吴静珠 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第1期47-55,共9页
基于0.18μm工艺设计并实现了一款用于超高频植入式RFID芯片的温度传感器。该温度传感器将MOS管作为感温元件,采用基于亚阈值MOS管的低功耗感温核心。传感器利用PTAT和CTAT两种电压延时器构成脉宽产生电路,从而生成脉宽信号,并与时间数... 基于0.18μm工艺设计并实现了一款用于超高频植入式RFID芯片的温度传感器。该温度传感器将MOS管作为感温元件,采用基于亚阈值MOS管的低功耗感温核心。传感器利用PTAT和CTAT两种电压延时器构成脉宽产生电路,从而生成脉宽信号,并与时间数字转换器(TDC)一起构成温度量化电路。核心电路的版图面积为298μm×261μm,测温范围为35~45℃。流片测试结果表明,三颗芯片在两点校准后的测温最大误差为±0.4℃,关键温区的最大误差为±0.2℃,实测功耗为623 nW。基于流片实测结果,发现了当前芯片的局限性,并提出了未来芯片结构的改进方向。 展开更多
关键词 RFID芯片 温度传感器 TDC 亚阈值
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(一)——低噪声放大器与接收前端 被引量：1
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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期757-772,共16页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF BiCMOS 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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一种次级侧控制软开关15W反激变换器设计 被引量：1
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作者 陈瑾怡 王俊峰 王凯 《微电子学与计算机》 2025年第2期103-111,共9页
传统的反激变换器多采用初级侧控制方法,即通过光电耦合器传递反馈信号的方法,由于光电耦合器的电流传输比与温度以及使用时间成负相关,导致电路可靠性下降,环路增益变差;近年来提出的原边反馈控制方法,即通过引入辅助绕组反馈输出电压... 传统的反激变换器多采用初级侧控制方法,即通过光电耦合器传递反馈信号的方法,由于光电耦合器的电流传输比与温度以及使用时间成负相关,导致电路可靠性下降,环路增益变差;近年来提出的原边反馈控制方法,即通过引入辅助绕组反馈输出电压,这种采样方式的误差较大,而且控制方法更为复杂。因此本文提出了次级侧控制策略,输出电压反馈误差信号可以直接接入脉宽控制电路,避免引入光电耦合器与辅助绕组,减小变换器面积与成本。针对较高工作频率下硬开关方式产生的开关损耗呈指数增长,以及电磁噪声更加严重的问题,本文采用一种软开关方法,通过对次级侧整流开关管注入软开关的驱动窄脉冲信号,实现初级侧功率开关管的零电压开通。综上,本文提出一种次级控制软开关反激变换器的设计方案,设计出一款典型输入28 V,输出5 V/15 W的原理样机,通过对样机的测试验证,得出本文提出的控制方法,能够在全电压范围内和全负载范围内实现零电压开通,使反激变换器在满载状态下效率达到90.8%,相较于传统控制方法效率提升了5%~6%。 展开更多
关键词 反激变换器 次级控制 软开关 同步整流
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