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基于电荷泵内电源的高速迟滞比较器设计
1
作者 吴琼 刘祖韬 +2 位作者 刘清惓 杨天祺 成哲 《信息技术》 2026年第1期8-14,共7页
基于华虹0.5μm BCD工艺,文中提出了一种基于电荷泵内电源的高速迟滞比较器结构,该比较器在轨到轨输入范围内能正常工作且输入电压上限可接近两倍电源轨。使用双极工艺设计电路使比较器的响应速度变快,通过判断级正反馈电阻的设计实现... 基于华虹0.5μm BCD工艺,文中提出了一种基于电荷泵内电源的高速迟滞比较器结构,该比较器在轨到轨输入范围内能正常工作且输入电压上限可接近两倍电源轨。使用双极工艺设计电路使比较器的响应速度变快,通过判断级正反馈电阻的设计实现迟滞比较功能,且比较器的输出级设有电流负反馈支路用以稳定输出级电流。使用Cadence软件对电路进行仿真验证。结果表明,在-40°C~85°C温度范围内,不同工艺角下比较器的电压输入范围更广,输出级电流稳定,传播时延为6ns,迟滞电压为3mv。该比较器适用于阈值检测器、晶体振荡器、红外线接收器等电路中。 展开更多
关键词 宽电压输入范围 电荷泵 传播时延 电流负反馈 迟滞比较器
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一种隔离式DC/DC变换器输出电压动态调整方案
2
作者 董礼 黄国良 +1 位作者 彭昊 陈长兴 《电子技术应用》 2026年第2期95-99,共5页
针对目前供电系统无法在线动态调节电压的不足,提出了一种实现开关电源输出电压动态调整方案。该方案适配多种有线通信协议,受系统控制,在工作过程中动态调整开关电源输出电压以适配负载供电要求;同时实现对输出电压的同步监测,并回传... 针对目前供电系统无法在线动态调节电压的不足,提出了一种实现开关电源输出电压动态调整方案。该方案适配多种有线通信协议,受系统控制,在工作过程中动态调整开关电源输出电压以适配负载供电要求;同时实现对输出电压的同步监测,并回传至系统上位机,从而实现对输出电压的在线调整和监控功能。 展开更多
关键词 DC/DC变换器 输出电压动态调整 数字通信
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一种具有可调折返过流保护的LDO电路设计 被引量：1
3
作者 王晶 张瑛 +2 位作者 李玉标 罗寅 方玉明 《电子与封装》 2025年第2期62-67,共6页
基于CSMC 0.18μm BCD工艺,设计了一种具有可调折返限流功能且无须内部补偿的低压差线性稳压器(LDO)。为防止闩锁,设计了一个可通过外部单电阻调整折返点的限流结构。此外,为了降低LDO环路补偿的设计难度,设计了一种无须内部补偿的LDO... 基于CSMC 0.18μm BCD工艺,设计了一种具有可调折返限流功能且无须内部补偿的低压差线性稳压器(LDO)。为防止闩锁,设计了一个可通过外部单电阻调整折返点的限流结构。此外,为了降低LDO环路补偿的设计难度,设计了一种无须内部补偿的LDO环路。该设计的限流点为13.78 mA,短路电流为0.56 mA,在输入电压为3.4~42 V、输出电压为3V时,线性调整率不超过0.5 mV/V,且在轻载和重载情况下,相位裕度分别为89.7°和74.7°,1 kHz时电源抑制比为-65 dB。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 过流保护 折返限流 闩锁 无内部补偿
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一种无运放带曲率补偿的带隙基准设计
4
作者 张波 邹循成 +2 位作者 卢光林 董凯珠 张加宏 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第8期969-976,共8页
针对传统带隙基准中运放失调电压引起的精度劣化及功耗问题,提出了一种无运放架构的带隙基准电路,结合指数型曲率补偿技术以实现低温漂和低功耗性能。区别于运放钳位的方式,采用低失配的双极性晶体管直接钳位电压,有效消除了运放输入失... 针对传统带隙基准中运放失调电压引起的精度劣化及功耗问题,提出了一种无运放架构的带隙基准电路,结合指数型曲率补偿技术以实现低温漂和低功耗性能。区别于运放钳位的方式,采用低失配的双极性晶体管直接钳位电压,有效消除了运放输入失调电压对基准精度的影响;构建共源共栅电流镜和负反馈环路,确保电源电压抑制能力和系统的稳定性;引入非线性曲率补偿电路,提高了输出基准电压的温度稳定性。基于华虹0.18μm BCD工艺,通过Cadence Spectre进行电路设计及仿真验证,仿真结果表明:输入3.3 V电源电压,在-40~125℃温度范围内,温漂系数为1.66×10^(-6)℃^(-1),低频段的电源电压抑制比为-69 dB,静态电流约为10μA。该设计的综合性能表现优异,提供了一种低温漂兼顾低功耗的基准电压源解决方案。 展开更多
关键词 带隙基准 无运放 曲率补偿 低温漂 低功耗
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高效同步整流开关型超级电容充电管理芯片
5
作者 陈晓飞 丁泽宇 +1 位作者 肖培磊 邓文涛 《华中科技大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第3期142-147,共6页
设计了一款为超级电容充电的高效率大功率充电管理芯片.采用降压型开关拓扑,基于平均电流模控制方式,设计了新颖的恒流和恒压充电控制环路,实现了对超级电容器高效、高精度、大功率充电管理.芯片采用0.18μm BCD工艺,仿真及芯片测试结... 设计了一款为超级电容充电的高效率大功率充电管理芯片.采用降压型开关拓扑,基于平均电流模控制方式,设计了新颖的恒流和恒压充电控制环路,实现了对超级电容器高效、高精度、大功率充电管理.芯片采用0.18μm BCD工艺,仿真及芯片测试结果表明:芯片工作在6~36 V的宽输入电压范围下,输出电压范围达到1.2~34.0 V,开关频率为500 kHz,最大充电电流为20 A,芯片的峰值效率为95.28%. 展开更多
关键词 恒流恒压充电 超级电容器 平均电流模式 小信号建模 高效同步整流
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一种具有基极电流补偿的低噪声LDO 被引量：1
6
作者 黄经纬 罗萍 +3 位作者 王浩 辛相文 李鹏 罗凯 《微电子学》 北大核心 2025年第4期563-569,共7页
基于180 nm BCD工艺,设计了一种具有基极电流补偿的低噪声LDO电路,采用BJT预放大级,降低了误差放大器的1/f噪声;采用单位增益负反馈架构,消除了反馈电阻网络贡献的噪声,并通过一阶RC低通滤波器降低了基准的高频噪声;同时,提出一种基极... 基于180 nm BCD工艺,设计了一种具有基极电流补偿的低噪声LDO电路,采用BJT预放大级,降低了误差放大器的1/f噪声;采用单位增益负反馈架构,消除了反馈电阻网络贡献的噪声,并通过一阶RC低通滤波器降低了基准的高频噪声;同时,提出一种基极电流补偿电路,用于补偿BJT预放大级的基极电流,避免基准电压的降低。仿真结果表明:该LDO输入电压2.4~5.5 V,输出电压0.8~5.3 V,最大带载电流500 mA,在1 kHz处的输出噪声谱密度为4 nV/√Hz,10~100 kHz积分噪声为0.92μVRMS。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 低噪声 基极电流补偿 电流基准
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应用于Flash型FPGA的正高压电荷泵 被引量：2
7
作者 江少祥 禹胜林 +1 位作者 马金龙 吴楚彬 《电子科技》 2025年第3期75-81,共7页
Flash型FPGA(Filed Programmable Gate Array)在进行编程操作时,电荷泵为编程管栅端提供正高压。为满足Flash型FPGA的上电及时运行性和编程稳定性,要求电荷泵不仅能输出高压,还应具有较快的启动速度和较小的输出电压纹波。文中基于传统... Flash型FPGA(Filed Programmable Gate Array)在进行编程操作时,电荷泵为编程管栅端提供正高压。为满足Flash型FPGA的上电及时运行性和编程稳定性,要求电荷泵不仅能输出高压,还应具有较快的启动速度和较小的输出电压纹波。文中基于传统交叉耦合电荷泵提出一种正高压电荷泵。电荷泵的主体采取并联双支路结构,降低了输出电压纹波,采用六相不交叠时钟和新增时钟升压模块对电荷泵进行时序控制,在消除了反向电流影响的同时提高了电荷泵启动速度。在输出端设置稳压模块进行稳压调节,保证编程稳定性。仿真结果表明,在电源电压为3.3 V、时钟频率为20 MHz、负载电容为50 pF的条件下,电荷泵启动时间为6.6μs,输出电压稳定到15 V,输出纹波仅有23 mV。采用0.18μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺流片后,测试结果满足Flash型FPGA的编程需求。 展开更多
关键词 Flash型FPGA 编程 高压 交叉耦合 并联双支路 六相不交叠时钟 纹波 电荷泵
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BiCMOS工艺PWM主控器总剂量效应研究
8
作者 雷雨涵 王锦春 +4 位作者 周东 张丹 文林 郭旗 李豫东 《微电子学》 北大核心 2025年第6期1089-1094,共6页
针对UCC2800型PWM主控器开展总剂量辐射损伤效应研究,分析了PWM主控器输出脉冲和占空比的变化规律,探讨了PWM主控器单元模块构成的DC-DC电源转换器在不同负载电流条件下的输出电压退化规律,揭示了升压型DC-DC电源转换器辐射损伤退化机... 针对UCC2800型PWM主控器开展总剂量辐射损伤效应研究,分析了PWM主控器输出脉冲和占空比的变化规律,探讨了PWM主控器单元模块构成的DC-DC电源转换器在不同负载电流条件下的输出电压退化规律,揭示了升压型DC-DC电源转换器辐射损伤退化机理。研究结果表明,PWM主控器中的误差放大器退化会导致PWM主控器输出波形变化,输出波形的变化会导致占空比变大,占空比的变化导致功率开关管MOSFET导通时间变大,进而导致DC-DC电源转换器输出电压退化;负载电流越大,PWM主控器输出占空比越大,DC-DC电源转换器输出电压退化越严重。 展开更多
关键词 总剂量效应 PWM主控器 占空比 负载电流 输出电压
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应用于开关电源的隔离误差放大器芯片设计
9
作者 张芮 甄少伟 +5 位作者 刘洋 李彦良 张佳宁 李逸康 欧熠 张波 《微电子学》 北大核心 2025年第1期99-103,共5页
开关电源按照是否有电气隔离可分为隔离型开关电源和非隔离型开关电源。隔离电源是指在功率传输和信号反馈通路中使用器件进行电气隔离,以达到对地线环路和电源故障的保护。针对传统隔离电源应用中线性光耦存在有限带宽与老化问题,提出... 开关电源按照是否有电气隔离可分为隔离型开关电源和非隔离型开关电源。隔离电源是指在功率传输和信号反馈通路中使用器件进行电气隔离,以达到对地线环路和电源故障的保护。针对传统隔离电源应用中线性光耦存在有限带宽与老化问题,提出采用高压电容隔离并传输反馈信号的隔离误差放大器设计。通过综合利用PWM调制和OOK调制,实现了穿越高压隔离电容的模拟信号传输过程,具有集成度高、抗共模干扰能力强等优点。详细分析了所提出的隔离误差放大器电路工作原理及模拟信号调制、解调方式。所提出的隔离误差放大器基于0.18μm BCD工艺进行设计,仿真结果表明,隔离电源输出电压4~40 V时,隔离误差放大器可支持1倍放大与2.6倍反馈电压传输,用以驱动PWM控制器。 展开更多
关键词 开关电源 电压误差反馈 电容隔离
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一种VNPN双极器件总电离剂量辐射加固方法
10
作者 葛超洋 谢儒彬 +4 位作者 李燕妃 鞠镇毅 彭洪 丁兵 常瑞恒 《微电子学》 北大核心 2025年第5期868-875,共8页
针对标准0.18μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺中的VNPN(Vertical NPN)双极器件,分析了总电离剂量辐射(TID)加固的重点区域。提出了一种新颖的VNPN双极器件总电离剂量辐射加固方法,利用薄氧化层和多晶硅双层结构取代基射结上方的浅沟槽隔... 针对标准0.18μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺中的VNPN(Vertical NPN)双极器件,分析了总电离剂量辐射(TID)加固的重点区域。提出了一种新颖的VNPN双极器件总电离剂量辐射加固方法,利用薄氧化层和多晶硅双层结构取代基射结上方的浅沟槽隔离(STI)结构。由于薄氧化层厚度远小于STI氧化层厚度,在相同总电离剂量辐射下,薄氧化层产生的氧化层固定电荷和界面态的数量大大减少,显著加强了VNPN双极器件的抗总电离剂量辐射能力。选取了3种典型VNPN双极器件,进行了总电离剂量辐射实验。实验结果表明,采用该加固方法的3种VNPN双极器件在1500 Gy(Si)总电离剂量辐射后,归一化电流增益均能保持在0.900左右,验证了薄氧化层和多晶硅双层结构加固方法的有效性。对3种加固的VNPN双极器件进行了本征基区尺寸偏差实验,研究了本征基区尺寸对总电离剂量辐射后归一化电流增益的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量辐射下,本征基区尺寸越小,归一化电流增益越大。因此,使用薄氧化层和多晶硅双层结构是一种有效的VNPN双极器件总电离剂量辐射加固方法。另外,缩小本征基区尺寸能够进一步降低VNPN双极器件在总电离剂量辐射前后归一化电流增益的变化幅度,从而确保器件在总电离剂量辐射后的性能与总电离剂量辐射前的初始值基本一致。 展开更多
关键词 双极器件 总电离剂量(TID)辐射 0.18μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺
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一种低温漂高精度的带隙基准电压芯片 被引量：1
11
作者 邵泽川 王婷婷 +1 位作者 华攀 刘甲俊 《电子科技》 2025年第10期34-41,共8页
稳定且不随外部环境变化而变化的输入电压对便携式设备和手持测试设备的正常工作具有重要作用,应用于此类设备的基准电压源芯片需具有低温漂、高电源抑制比、强带负载能力和适用性广等特性。针对以上需求,文中在传统Kuijk带隙基准电路... 稳定且不随外部环境变化而变化的输入电压对便携式设备和手持测试设备的正常工作具有重要作用,应用于此类设备的基准电压源芯片需具有低温漂、高电源抑制比、强带负载能力和适用性广等特性。针对以上需求,文中在传统Kuijk带隙基准电路的基础上设计了一款高阶补偿的带隙基准电压源芯片。带隙基准电压源采用背栅输入的运算放大器并结合不同温度特性的电阻进行温漂补偿,在传统结构上增加输出缓冲级,在提高带载能力的同时使输出电压实现可调。通过版图的局部改版或熔丝的熔断可实现覆盖1.25~4.00 V的多种输出电压。仿真结果表明,该带隙基准电压源在-55~125℃温度范围内的最大输出电压变化为1.08 mV,温度系数为2.4 ppm·℃^(-1)。在10 Hz频率时的电源抑制比为-87 dB,线性调整率为0.0144%,带载能力为42 mA。电路采用0.18μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺实现流片,已应用于实际设备。 展开更多
关键词 基准电压源 背栅输入运放 电阻温度特性补偿 温度系数 电源抑制比 带载能力 熔丝修条 芯片设计
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一种面向微步控制的比较器失调校准电路
12
作者 刘耀阳 孙江 +2 位作者 邹海洋 舒哲瞳 郭洋 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第6期706-713,共8页
在步进电机驱动芯片的应用中,为解决步进电机高细分输出电流控制时,比较器参考电压差小、输入失调电压影响比较器翻转、输出电流控制精度低等问题,设计了一种面向微步控制的失调校准电路。该电路为差分输入,当制造工艺引入随机失调时,... 在步进电机驱动芯片的应用中,为解决步进电机高细分输出电流控制时,比较器参考电压差小、输入失调电压影响比较器翻转、输出电流控制精度低等问题,设计了一种面向微步控制的失调校准电路。该电路为差分输入,当制造工艺引入随机失调时,电路启动自动检测并校准输入失调电压,实现了一种低输入失调的比较器电路。通过改变修调电流和电阻可调整校准失调电压的范围与精度。电路使用静态失调校准技术,与传统比较器失调校准电路相比,结构更加简易,且控制方便可行。该电路具有良好的失调校准能力,同时规模增加较小。该电路采用0.18μm BCD工艺设计,典型条件下设定相应修调电流及电阻,失调校准范围为±3.5 mV,比较器输入失调电压可校准至150μV左右。 展开更多
关键词 低失调 静态校准 比较器 步进电机 微步控制
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用于高PSRR低压差线性稳压源的带隙基准源设计
13
作者 马晨光 李严 殷树娟 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第5期573-578,共6页
电源电压抑制比(PSRR)是低压差线性稳压源(LDO)的重要性能指标,较高的PSRR可以有效抑制纹波干扰,提高系统的稳定性。分析了带隙基准电压源的PSRR对LDO PSRR的影响,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种具有高PSRR的带隙基准电压源,以此提升LD... 电源电压抑制比(PSRR)是低压差线性稳压源(LDO)的重要性能指标,较高的PSRR可以有效抑制纹波干扰,提高系统的稳定性。分析了带隙基准电压源的PSRR对LDO PSRR的影响,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种具有高PSRR的带隙基准电压源,以此提升LDO的PSRR。采用的PSRR提升措施包括带电压负反馈的预调压电路、电容倍增电路以及低通滤波电路。仿真结果显示,基准源在100 Hz,1 MHz,3 MHz时,分别获得了137.9,93.6,87 dB的PSRR,对比其他基准源,提升约50 dB。采用该基准源的LDO与其他LDO相比,在1 Hz~3 MHz频率范围内,PSRR提升40~50 dB。可见,通过提升带隙基准电压源的PSRR可以显著提高LDO中频段的PSRR。 展开更多
关键词 电源电压抑制比 低压差线性稳压源 电容倍增 带隙基准电压源 预调压
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一种集成式步进电机智能调优电路设计
14
作者 邹海洋 孙江 +2 位作者 舒哲曈 刘耀阳 郭洋 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第7期846-851,859,共7页
针对传统步进电机续流全慢衰减和固定比例混合衰减模式下相电流波形失真和纹波较大的问题,提出了一种集成式的智能调优动态衰减电路。通过窗口时间采样判断相电流与目标值之差,选择对应的粗或细调步长并调整固定关闭时间中快衰减比例,... 针对传统步进电机续流全慢衰减和固定比例混合衰减模式下相电流波形失真和纹波较大的问题,提出了一种集成式的智能调优动态衰减电路。通过窗口时间采样判断相电流与目标值之差,选择对应的粗或细调步长并调整固定关闭时间中快衰减比例,保证在窗口时间1/2处达到目标值。通过LDMOS负载与功率管导通阻抗的温度系数匹配等处理增加电路精准度。电路采用SMIC 0.18μm BCD工艺设计,仿真结果表明,对于256细分应用,在电源电压20 V,负载电感3.4 mH,负载电阻5.6Ω,消隐时间1μs,关闭时间8μs情况下,不会出现波形失真,0~100%量程电流纹波表现均匀,满量程电流纹波10.47 mA,仅为固定30%混合衰减的一半。 展开更多
关键词 步进电机 智能调优 动态衰减 电流纹波 集成式
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一种高可靠启动低压差三端口稳压电路
15
作者 罗章成 左世柱 +3 位作者 黄强 李琴鹏 李征洋 孙江 《微电子学》 北大核心 2025年第1期83-90,共8页
针对片内无地三端稳压电路的启动问题,提出了一种基于电流采样和MOS开关的高可靠启动电路。在设计时采用了低压设计策略,能够实现较低的压差。电路基于CSMC 0.25μm 60 V BCD工艺进行设计与仿真验证,并进行流片测试。仿真结果表明,在采... 针对片内无地三端稳压电路的启动问题,提出了一种基于电流采样和MOS开关的高可靠启动电路。在设计时采用了低压设计策略,能够实现较低的压差。电路基于CSMC 0.25μm 60 V BCD工艺进行设计与仿真验证,并进行流片测试。仿真结果表明,在采用了提出的启动电路方案之后,稳压电路能够可靠启动。稳压电路压差范围为1.35~35 V,最大输出电流为7.5 A。稳压电路的基准电压和输出电压的温度系数分别为1.13×10^(-5)/℃和1.22×10^(-5)/℃。稳压电路具有较好的线性调整率和负载调整率。芯片的测试结果表明,设计的高可靠启动电路能够使稳压电路正常上电启动。 展开更多
关键词 三端口稳压电路 启动电路 低压差 模拟集成电路
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一种用于霍尔传感器的可编程增益放大器
16
作者 张昊哲 陈红梅 +1 位作者 范凯欣 尹勇生 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第12期1615-1620,共6页
文章设计一种用于霍尔传感器的高线性可编程增益放大器(programmable gain amplifier,PGA)。该PGA采用两级结构:第1级为增益可变的基于对称型跨导放大器的开环放大器,可实现增益控制与较高的响应速度;第2级为仪表放大器,可实现极高的共... 文章设计一种用于霍尔传感器的高线性可编程增益放大器(programmable gain amplifier,PGA)。该PGA采用两级结构:第1级为增益可变的基于对称型跨导放大器的开环放大器,可实现增益控制与较高的响应速度;第2级为仪表放大器,可实现极高的共模抑制比(common-mode rejection ratio,CMRR)。为实现-40~140℃范围内稳定的增益,采用霍尔器件作为第1级的负载,利用霍尔器件的正温度电阻特性对霍尔电压的负温度系数进行补偿,并引入高阶温度补偿,使得高温段和低温段的灵敏度温漂进一步降低;为适应较宽的检测范围,设计可通过单引脚编程的熔丝修调电路来调节PGA的增益,并在GF 180 nm BiCMOS工艺下完成整体电路的设计与仿真。后仿结果表明:PGA的增益可调范围为46.4~65.5 dB,灵敏度可调范围为1.5~15.8 mV/G;在-40~140℃的工作温度范围内,灵敏度的线性误差小于0.40%,温度漂移小于0.30%。 展开更多
关键词 可编程增益放大器(PGA) 温度补偿 高线性度 霍尔传感器
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一种高电源抑制比高精度的带隙基准电压源
17
作者 屈佳琦 蒋品群 +2 位作者 宋树祥 蔡超波 岑明灿 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第8期948-954,共7页
针对传统带隙基准电压源的精度受运放失调电压影响大、电源抑制比(PSRR)受限于环路增益和温度系数大等问题,改进了一种失调抑制结构,在抑制运放失调电压影响的同时,通过PMOS电流镜和反馈环路的特性,提高基准电压的PSRR;还设计了一种曲... 针对传统带隙基准电压源的精度受运放失调电压影响大、电源抑制比(PSRR)受限于环路增益和温度系数大等问题,改进了一种失调抑制结构,在抑制运放失调电压影响的同时,通过PMOS电流镜和反馈环路的特性,提高基准电压的PSRR;还设计了一种曲率补偿电路,利用三极管放大倍数β的温度特性,补偿了三极管负温度系数电压V_(BE)的非线性项。仿真结果表明,在-40~125℃的温度范围内,输出电压为703 mV,温度系数为3.52×10^(-6)/℃,低频PSRR为91.9 dB,常温下精度为0.25%。 展开更多
关键词 带隙基准 高电源抑制比 高精度 曲率补偿
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面向超表面天线设计的95~105 GHz SiGe BiCMOS宽带数控衰减器
18
作者 罗将 张文柱 程强 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第2期344-352,共9页
近年来,因对电磁波具备灵活的调控能力,超表面天线技术受到来自通信、雷达以及天线领域学者的广泛关注。其中,超表面天线单元中所使用的有源调控器件,是决定整个系统性能的最关键部件之一。该文基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一个95... 近年来,因对电磁波具备灵活的调控能力,超表面天线技术受到来自通信、雷达以及天线领域学者的广泛关注。其中,超表面天线单元中所使用的有源调控器件,是决定整个系统性能的最关键部件之一。该文基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一个95~105 GHz的五位宽带数控衰减器芯片。该衰减器采用了反射式和简化T型两种拓扑结构,其中4 dB与8 dB反射式衰减单元采用交叉耦合宽带耦合器代替传统的3 dB耦合器或定向耦合器,同时获得了高衰减精度和低插入损耗;而0.5 dB,1 dB,2 dB三个衰减单元均采用简化T型结构。此外,利用RC正斜率和负斜率校正网络分别应用于不同的衰减单元进行相位补偿,极大地改善了衰减器的附加相移。经过仿真验证,在95~105 GHz的感兴趣工作频率内,衰减器芯片在0.12 mm^(2)的紧凑的尺寸下实现了0~15.5 dB的衰减范围,步进为0.5 dB,基态插入损耗小于2.5 dB,幅度均方根误差小于0.31 dB,附加相移均方根误差小于2.2°。所提出的W波段衰减器可作为一个关键部件赋能集成T/R的辐散一体化超表面天线系统的硬件实现。 展开更多
关键词 SiGe BiCMOS W波段 衰减器 交叉耦合宽带耦合器 超表面
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一种抗辐射宽输入范围带隙基准源
19
作者 李成鑫 罗萍 +3 位作者 冯皆凯 龚正 罗凯 姚福林 《微电子学》 北大核心 2025年第1期46-51,共6页
基于对辐射环境下带隙基准电路退化机理的研究,设计了一种抗辐射宽输入范围带隙基准源。通过建立内部电源轨使其工作在更高电压下;采用MOS器件的叉指结构,将浅槽隔离区(STI)与有源区进行有效隔离,实现基准核心对总剂量效应(TID)的加固;... 基于对辐射环境下带隙基准电路退化机理的研究,设计了一种抗辐射宽输入范围带隙基准源。通过建立内部电源轨使其工作在更高电压下;采用MOS器件的叉指结构,将浅槽隔离区(STI)与有源区进行有效隔离,实现基准核心对总剂量效应(TID)的加固;针对单粒子瞬态(SET)对基准电路的影响,提出了动态负载追踪(Dynamic Load Tracking,DLT)技术,并综合运用输出滤波、调整管栅极滤波、DLT技术对SET进行加固。基于0.18μm 40 V BCD工艺对电路进行设计,仿真结果表明,该电路可在6~40 V电压下工作,最大陷阱电荷浓度下叉指结构的PN结电流变化相比单指结构减小27%,SET脉冲幅值相比加固前减小80%。 展开更多
关键词 带隙基准 抗辐射加固 总剂量效应 单粒子瞬态 动态负载追踪
原文传递
一种低功耗环路复用的LDO
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作者 童洒洒 喻思禹 +2 位作者 郑孝辰 刘欣洋 周泽坤 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第4期408-415,共8页
为进一步降低片上系统供电电路的面积和功耗,提出了一种无片外电容的低功耗环路复用低压差线性稳压器(LLM-LDO)电路。首先,该电路无需引入外部基准,输出电压仅由带隙核心和电阻比例决定。其次,带隙核心和LDO系统环路复用同一个误差放大... 为进一步降低片上系统供电电路的面积和功耗,提出了一种无片外电容的低功耗环路复用低压差线性稳压器(LLM-LDO)电路。首先,该电路无需引入外部基准,输出电压仅由带隙核心和电阻比例决定。其次,带隙核心和LDO系统环路复用同一个误差放大器,减小了电路的面积和功耗。最后,LLM-LDO系统在单位增益带宽内近似为单极点系统,在无片外电容的情况下,系统可以产生稳定的电源轨。本文基于180 nm BCD对系统各项性能参数进行仿真验证,结果显示:系统的静态电流为8.5μA,线性调整率为0.18μV/V;当负载电流在10μA~100 mA变化范围内时,负载调整率为1.9μV/mA,系统的相位裕度最小为71.4°,PSR在100 Hz时为-121 dB,系统的最长启动时间为39.6μs。 展开更多
关键词 低功耗 环路复用 无片外电容LDO 环路稳定性 电源抑制
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