研究了直径200 mm BCD器件用Si外延片滑移线的影响因素,探究了超高温条件下滑移线的工艺控制方法。基于BCD器件对Si外延片特性的要求,分析了石墨基座位置、衬底电阻率分布、温度分布对于超高温条件下外延层滑移线的影响,优化了外延控制...研究了直径200 mm BCD器件用Si外延片滑移线的影响因素,探究了超高温条件下滑移线的工艺控制方法。基于BCD器件对Si外延片特性的要求,分析了石墨基座位置、衬底电阻率分布、温度分布对于超高温条件下外延层滑移线的影响,优化了外延控制方法。采用常压高温化学气相沉积技术制备了BCD器件用Si外延片,并通过Hg-CV等设备对外延片进行测试分析。实验结果证明,该工艺控制方法可有效抑制滑移线的产生,同时满足BCD器件工艺所需的外延层均匀性、图形漂移畸变等控制要求,并通过长期外延验证确认了工艺稳定性。展开更多
文摘研究了直径200 mm BCD器件用Si外延片滑移线的影响因素,探究了超高温条件下滑移线的工艺控制方法。基于BCD器件对Si外延片特性的要求,分析了石墨基座位置、衬底电阻率分布、温度分布对于超高温条件下外延层滑移线的影响,优化了外延控制方法。采用常压高温化学气相沉积技术制备了BCD器件用Si外延片,并通过Hg-CV等设备对外延片进行测试分析。实验结果证明,该工艺控制方法可有效抑制滑移线的产生,同时满足BCD器件工艺所需的外延层均匀性、图形漂移畸变等控制要求,并通过长期外延验证确认了工艺稳定性。
