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简易水处理活性炭的选择和应用方法 被引量：29
1
作者 应维琪 常启刚 +1 位作者 张巍 蒋文新 《环境污染与防治》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期430-435,439,共7页
首先介绍活性炭性能测试与水处理活性炭选炭、吸附技术选择、工艺应用的关系,其次报导两个活性炭选用方面的改进方法。通过重新定义、整合、完善现有活性炭性能指标,建立了以酚值、碘值、亚甲基蓝、丹宁酸值为吸附性能指标的选炭方法。... 首先介绍活性炭性能测试与水处理活性炭选炭、吸附技术选择、工艺应用的关系,其次报导两个活性炭选用方面的改进方法。通过重新定义、整合、完善现有活性炭性能指标,建立了以酚值、碘值、亚甲基蓝、丹宁酸值为吸附性能指标的选炭方法。这四种指标化合物的分子量与直径覆盖了大多数有机污染物的范围,用此法可减少活性炭应用测试的炭型。在活性炭精选和吸附工艺应用研究中,用微型炭柱进行穿透实验可弥补缩小式传统型、小型炭柱的不足。相对于国外现用微型柱的实验方法,文中介绍的微型柱快速穿透(MCRB)方法的设备要求较低,操作简单,可以在国内大多数实验室中进行;通过对多种污染物质的实验结果,建立了MCRB方法的可信性和适用性。这两种新方法完善了活性炭水处理研究的实验体系,可降低其应用于水与污水处理的成本,有利于中国的环境保护。 展开更多
关键词 选炭 吸附容量 指标化合物 容量利用率 微型柱 快速穿透
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表面活性剂对硅单晶片表面吸附颗粒的作用 被引量：13
2
作者 刘玉岭 桑建新 叶占江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第7期59-61,共3页
提出了新抛光硅片镜面吸附动力学过程；深入研究表面活性剂的性质和作用；利用表面活性剂特性，有效地控制硅片表面颗粒处于易清洗的物理吸附状态。
关键词 硅片 表面吸附颗粒 表面活性剂 渗透模型 硅单晶片 ULSI 集成电路
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聚乳酸微球的制备及应用 被引量：4
3
作者 陆荣 郑雪芹 +1 位作者 安晶 董锐 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期44-47,共4页
以聚乳酸(PLA)为基体材料,选择聚乙烯醇(PVAL)为乳化剂,采用乳化-溶剂挥发法制备形态较好的PLA微球。在固定可确定因素、保证成球质量的基础上,分别通过调节乳化剂的浓度和其它因素在一定范围内来控制微球的平均粒径。实验结果表明,PLA... 以聚乳酸(PLA)为基体材料,选择聚乙烯醇(PVAL)为乳化剂,采用乳化-溶剂挥发法制备形态较好的PLA微球。在固定可确定因素、保证成球质量的基础上,分别通过调节乳化剂的浓度和其它因素在一定范围内来控制微球的平均粒径。实验结果表明,PLA浓度、乳化剂浓度、搅拌速度、滴加速度4个因素对微球性能影响显著。通过正交实验摸索出制得粒径约为100μm的PLA微球的最佳工艺方案:搅拌速度为600 r/min,PLA浓度为0.09 g/mL,PVAL浓度为0.005 g/mL,滴加速度为1.5 mL/min。这为下一步将此工艺应用于载药微球的研究奠定了基础。 展开更多
关键词 聚乳酸 微球 制备 应用 正交设计
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硅片抛光雾的分析研究 被引量：7
4
作者 刘玉岭 刘钠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期50-51,54,共3页
通过试验分析了抛光雾产生的机理和影响因素。在试验的基础上，优化选择了抛光工艺技术，有效地控制了抛光雾，取得较好的结果。
关键词 硅片 抛光雾 抛光 抛光液 集成电路
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印制板化学镀铜工艺 被引量：1
5
作者 蔡积庆 《表面技术》 EI CAS CSCD 1995年第3期40-42,共3页
概述了由铜盐、铜络合剂、还原剂、pH调整剂、L—精氨酸与α,α′—联吡啶和氰络合物中的至少一种之类的添加剂组成的化学镀铜溶液可以获得高延展性和附着强度的镀层,机械特性优良,特别适用于印制板的制造。
关键词 印制板 化学镀铜 添加剂 L-精氨酸 镀铜
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一步湿法化学刻蚀硅微尖冷阴极
6
作者 王维彪 金长春 +6 位作者 梁静秋 姜锦秀 刘乃康 姚劲松 赵海峰 王永珍 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期81-85,共5页
主要研究了湿法化学刻蚀硅微尖．采用各向同性腐蚀的方法在〈１１１〉晶面和〈１００〉晶面的单晶硅衬底上制备了硅微尖．实验结果表明〈１１１〉晶面的硅衬底上容易制备顶端曲率半径比较小的硅微尖．通过实验，调整了腐蚀剂的组成。
关键词 微电子 硅微尖 冷阴极 化学刻蚀 一步湿法 腐蚀
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450 mm晶圆CMP设备技术现状与展望 被引量：2
7
作者 柳滨 周国安 《电子工业专用设备》 2014年第3期33-36,60,共5页
分析化学机械平坦化(CMP)耗材发展现状及趋势,推断450 mm晶圆的CMP设备及技术的迫切性;在此基础上,展望450 mm晶圆将会采用系统集成技术、多区域压力控制承载器技术、抛光垫修整技术、终点检测技术、后清洗技术,并初步分析以上这些技术... 分析化学机械平坦化(CMP)耗材发展现状及趋势,推断450 mm晶圆的CMP设备及技术的迫切性;在此基础上,展望450 mm晶圆将会采用系统集成技术、多区域压力控制承载器技术、抛光垫修整技术、终点检测技术、后清洗技术,并初步分析以上这些技术的特点。最后指出随着晶圆制造厂激烈竞争和持续投资,对450 mm的CMP设备要求必有所突破。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 集成技术 多区域压力控制 终点检测 抛光垫修整 后清洗
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硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究
8
作者 刘峥 翟富义 +1 位作者 张椿 尤重远 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期70-74,共5页
硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题，它是指经... 硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题，它是指经过高温（大于１０５０℃）氧化后的ｐ... 展开更多
关键词 硅片 背损伤 雾缺陷 吸除 集成电路
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高浓度硼扩散硅片CMP工艺研究
9
作者 谭刚 吴嘉丽 唐海林 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2009年第B11期196-198,共3页
"叉指式微加速度计"的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,很难将其去除,不能在高浓度硼扩散层上制作更好的"叉指式微加速度计"结构。针对上述问题,在CMP研磨抛... "叉指式微加速度计"的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,很难将其去除,不能在高浓度硼扩散层上制作更好的"叉指式微加速度计"结构。针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,选择合适的研磨料和抛光料以及研磨盘和抛光盘,通过对浆料浓度、流量大小、抛光温度进行改进,优化研磨抛光工艺流程及工艺参数,以完成高浓度硼扩散硅片的表面平坦化。 展开更多
关键词 硼扩散片 化学机械抛光 平坦化
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超薄栅介质膜生长前硅表面处理的研究
10
作者 熊大菁 侯苇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期30-36,共7页
在超薄栅介质膜的制备技术中，膜生成前，用稀ＨＦ酸进行表面处理，能使生成的超薄膜均匀性、完整性提高，从而使膜的击穿、漏电得到改善。
关键词 表面处理 超薄膜 均匀性 完整性 ULSI 集成电路
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AB工艺在城市污水处理中的应用 被引量：1
11
作者 黄梅 《广州化工》 CAS 2009年第4期155-157,共3页
介绍了将AB工艺应用于某污水处理厂的工程概况、工艺流程、各主要处理构筑物的设计参数以及运行情况。运行实践表明,该工艺对污染物浓度较低的城市污水有很好的处理效果,各项指标均可达到现行的排放标准。
关键词 AB工艺 污水处理厂 应用
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碱渣处理工艺应用
12
作者 何爱明 张静 +1 位作者 李聪敏 王伟 《天然气与石油》 2008年第6期31-34,共4页
碱渣是油品精制后产生的一种混合物,具有恶臭气味,对人和环境极为有害,是一种危险固体废物。通过加酸中和反应和BAF池处理后,碱渣再进入污水处理系统,实现达标排放及碱渣无害化处理,符合环保要求。
关键词 碱渣 中和 内循环BAF池 无害化处理 环境保护
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漆工艺的现代应用 被引量：1
13
作者 霍炬 《科技信息》 2007年第5期19-19,共1页
该文基于“漆工艺的现代应用”这一观点,分析并总结了传统漆工艺中的图案样式、工艺技法等元素,并加以改造、提炼;同时将其与现代漆工艺独特的艺术表现形式相结合,产生新的艺术形式。通过对材料、表现形式、实用性等几方面的说明,阐述... 该文基于“漆工艺的现代应用”这一观点,分析并总结了传统漆工艺中的图案样式、工艺技法等元素,并加以改造、提炼;同时将其与现代漆工艺独特的艺术表现形式相结合,产生新的艺术形式。通过对材料、表现形式、实用性等几方面的说明,阐述了传统漆工艺应用到现代工艺中的意义,认知和理解了传统漆工艺现代应用的重要性。 展开更多
关键词 漆工艺 材料 表现形式 实用性
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PECVD氯化硅介质膜Si／N比值的工艺监控
14
作者 李惠军 龙莹山 武广栋 《山东科学》 CAS 1995年第1期14-17,共4页
本文介绍了作者在微电子工艺ＰＥＣＶＤ氮化硅制备过程中对其Ｓｉ／Ｎ比值进行测定及工艺监控的技术手段和方法．
关键词 钝化工艺 氮化硅 硅/氮 PECVD 薄膜 集成电路
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白俄罗斯明斯克州地方公路管理和养护工作中的几点做法
15
作者 胡建荣 《中外公路》 北大核心 2008年第2期240-243,共4页
该文介绍了白俄罗斯明斯克州公路建设局在国家养护资金拨付困难的情况下,积极探索和采用养护新材料、新工艺,新的养护管理方法,把采用节能及资源节约工艺生产的乳化沥青、改性沥青和冷再生工艺应用在地方公路的养护施工中,积累了丰富的... 该文介绍了白俄罗斯明斯克州公路建设局在国家养护资金拨付困难的情况下,积极探索和采用养护新材料、新工艺,新的养护管理方法,把采用节能及资源节约工艺生产的乳化沥青、改性沥青和冷再生工艺应用在地方公路的养护施工中,积累了丰富的经验,达到了明显的技术和经济效果。 展开更多
关键词 明斯克州 地方公路管理和养护 施工工艺 效果和经验
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全低变工艺应用的进展
16
作者 李小定 张雄斌 李新怀 《气体净化》 2008年第C00期85-95,共11页
我们于1984年开始研究球形耐硫变换催化剂即B302Q，首先在中小型化肥厂中串低工艺中应用。1988年完成了国内第一个中型厂的中串低工艺改造以后，经过理论和电脑模拟，下一步应该是串两个低变的中低低工艺口’和三个低变即全低变的工艺... 我们于1984年开始研究球形耐硫变换催化剂即B302Q，首先在中小型化肥厂中串低工艺中应用。1988年完成了国内第一个中型厂的中串低工艺改造以后，经过理论和电脑模拟，下一步应该是串两个低变的中低低工艺口’和三个低变即全低变的工艺，进行比较后认为中低低本质上仍是中串低，慎重研究决定下一个工作目标就是重点研究全低变工艺，而不是中低低工艺。 展开更多
关键词 全低变工艺 工艺应用 耐硫变换催化剂 中低低工艺 中串低 工艺改造 电脑模拟 化肥厂
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折光印刷工艺应用于彩色包装盒
17
作者 高珊珊 宋晓明 《今日印刷》 2009年第2期40-41,共2页
在彩盒包装中，特殊材料与新材料的应用与推陈出新是一种潮流，从纸质软包、卡纸硬包发展到铝箔金银卡纸硬包。这些高光泽表面的复合或涂布材料具有金属光泽与折光表面，印刷上各种颜色的精美图案后，给人高档典雅的感觉，能极大地提升... 在彩盒包装中，特殊材料与新材料的应用与推陈出新是一种潮流，从纸质软包、卡纸硬包发展到铝箔金银卡纸硬包。这些高光泽表面的复合或涂布材料具有金属光泽与折光表面，印刷上各种颜色的精美图案后，给人高档典雅的感觉，能极大地提升产品增值空间，在高档彩盒中的应用十分广泛。 展开更多
关键词 彩盒包装 折光印刷 丝网印刷 高档 防伪
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溶气气浮工艺应用于含聚污水处理 被引量：10
18
作者 张海水 王传新 +1 位作者 张华峰 牛永亮 《油气田地面工程》 北大核心 2010年第1期42-43,共2页
针对孤岛采油厂孤六污水站污水含聚浓度高、污水水质差的现状,详细介绍了溶气气浮工艺的应用情况;同时根据该技术初次大规模应用于油田含聚污水处理的实际情况,总结出了该工艺现场适应性方面存在的问题,并且提出了改进的意见,通过工艺... 针对孤岛采油厂孤六污水站污水含聚浓度高、污水水质差的现状,详细介绍了溶气气浮工艺的应用情况;同时根据该技术初次大规模应用于油田含聚污水处理的实际情况,总结出了该工艺现场适应性方面存在的问题,并且提出了改进的意见,通过工艺生产参数的不断优化,基本解决了存在的问题。 展开更多
关键词 溶气气浮工艺 含聚 污水处理 应用
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凹凸压印工艺应用的技术探讨
19
作者 康启来 《今日印刷》 2005年第8期2-4,共3页
如今包装装潢印刷工艺的应用越来越广泛.其中,凹凸压印工艺,就是包装装潢印刷工艺的重要组成部分,在印品装饰加工方面发挥着重要的作用.凹凸压印又称压凸纹工艺,它是印刷品、纸容器表面加工的一种特殊的工艺技术,该工艺是利用凸版印刷... 如今包装装潢印刷工艺的应用越来越广泛.其中,凹凸压印工艺,就是包装装潢印刷工艺的重要组成部分,在印品装饰加工方面发挥着重要的作用.凹凸压印又称压凸纹工艺,它是印刷品、纸容器表面加工的一种特殊的工艺技术,该工艺是利用凸版印刷机较大的压力,把已经印刷好的半成品上的局部图案或文字,轧压成凹凸明显差异的立体感的图文,使印品图文更具美感而富有艺术魅力,从而增强了印刷品、纸容器的艺术效果,提高了产品的质量. 展开更多
关键词 凹凸压印工艺 工艺应用 技术探讨 印刷工艺 包装装潢 凸版印刷机 组成部分 装饰加工 工艺技术
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用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层 被引量：1
20
作者 刘世民 于栋利 +3 位作者 田永君 何巨龙 李东春 陈世镇 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第1期51-54,共4页
利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ＥＬＩＤ磨削技术制作的两种单晶硅片磨削样品的表面变质层的厚度及其结构。结果表明，表面粗糙度依次为９．５ｎｍ和２２．５ｎｍ两种〈１１１〉单晶硅片样品的变质层厚度分别为２．８μｍ... 利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ＥＬＩＤ磨削技术制作的两种单晶硅片磨削样品的表面变质层的厚度及其结构。结果表明，表面粗糙度依次为９．５ｎｍ和２２．５ｎｍ两种〈１１１〉单晶硅片样品的变质层厚度分别为２．８μｍ和４．８μｍ。 展开更多
关键词 SACP ELID磨削 硅片 超大规模 集成电路
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