摘要
主要研究了湿法化学刻蚀硅微尖．采用各向同性腐蚀的方法在〈１１１〉晶面和〈１００〉晶面的单晶硅衬底上制备了硅微尖．实验结果表明〈１１１〉晶面的硅衬底上容易制备顶端曲率半径比较小的硅微尖．通过实验，调整了腐蚀剂的组成。
We fabricated Si tips by one step wet chemical etching 〈111〉 silicon substrate in solution of HF∶HNO 3∶H 2O=1 5∶15∶5. The radii of Si tip's top about 10～15nm is gotten after experiment.
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期81-85,共5页
Chinese Journal of Luminescence
基金
国家自然科学基金
