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光电突触器件权重离散特性对图像识别性能的影响
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作者 陈小青 黄翔茂 +1 位作者 刘恒阳 张永哲 《北京工业大学学报》 北大核心 2026年第2期130-137,共8页
随着互联网和数字技术的快速发展,各类数据爆炸式增长,以图像识别为代表的任务亟须对海量数据高效分析和处理的手段,从而推动人工智能技术的快速发展。现有的基于冯诺依曼架构的常规图像识别技术由于自身感、存、算分离的特点,在运算速... 随着互联网和数字技术的快速发展,各类数据爆炸式增长,以图像识别为代表的任务亟须对海量数据高效分析和处理的手段,从而推动人工智能技术的快速发展。现有的基于冯诺依曼架构的常规图像识别技术由于自身感、存、算分离的特点,在运算速度和功耗方面受到极大的限制。为此,近年来发展了一种非冯诺依曼架构的片上图像识别解决方案,这种新型的基于人工突触的存算一体图像识别技术相比传统冯诺依曼架构的图像识别技术具有功耗更低、运算速度更快的优点。然而,由于突触元件的设计和制造技术限制,人工突触的电导往往是离散的,导致该类新型图像识别技术的可部署权重值是分散的,这意味着无法部署理想的神经网络权重,从而降低了图像识别效果。为了解决这一问题,基于Keras库设计了相关算法,将连续的理想权重量化成离散权重,以模拟实际器件的非理想特性。探讨了权重离散程度、权重的分布模式以及图像不同区域对神经网络在图像识别任务中准确率的影响。研究发现,通过增加权重选项数,即使用精度更高的器件,可以有效减少权重非理想特性的影响;权重离散特性对信息密度高的图像区域影响更大,在资源受限时,应优先考虑这些区域;权重的各种分布模式在图像不同区域产生的效果各异,每个子区域都有对应的最优分布。在不同子区域选择各自最优权重分布所组成的“综合分布模式”可以最有效地降低离散特性所带来的影响,但相比单一的分布模式,性能提升有限。探究结果揭示了图像各区域的不同权重量化级别对识别性能的具体影响,为优化基于人工突触的图像识别系统提供了有价值的参考。 展开更多
关键词 人工突触 离散权重 量化 图像识别 神经网络 非冯诺依曼计算
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基于新型忆阻器的多端输入LIF神经元电路的设计 被引量:1
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作者 柯善武 金尧耀 +3 位作者 蒙嘉豪 吴鑫江 王今朝 叶葱 《微电子学与计算机》 2025年第2期86-92,共7页
由于传统的互补金属-氧化物-半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)神经元电路与生物学的契合性较差且电路复杂,提出了一种基于忆阻器的多端口输入的泄露-整合-激发(Leaky-Integrate-Fire,LIF)神经元电路。该电路由运... 由于传统的互补金属-氧化物-半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)神经元电路与生物学的契合性较差且电路复杂,提出了一种基于忆阻器的多端口输入的泄露-整合-激发(Leaky-Integrate-Fire,LIF)神经元电路。该电路由运放、逻辑门等器件以及忆阻器构成,主要分为信号叠加模块和神经元信号产生模块。通过施加多个双尖峰脉冲信号并调节输入信号的数量和频率,模拟了生物神经元受到的不同程度刺激。研究发现施加到神经元上信号的数量和频率达到一定的值,神经元电路才会输出电压信号,这与生物体中只有受到一定程度的刺激时才会做出反应的现象是一致的。进一步,调节该电路中神经元信号产生模块的阈值电压大小,研究发现输入相同的信号,只有当电路的阈值电压较低时,神经元电路才能输出电压信号,这与生物中不同部位受到相同的刺激,神经元兴奋程度越高,越容易做出反应的现象一致。由此,该文所提出的LIF神经元电路不仅解决了传统电路输入信号单一、输入信号波形与生物信号波形差异大等问题,而且能模拟生物神经元的兴奋程度,这为人工神经网络的设计提供理论依据。 展开更多
关键词 忆阻器 LIF神经元电路 多端输入 阈值电压 人工神经网络
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面向存储和神经形态计算应用的CBRAM发展综述
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作者 杨瀚 刘国柱 +7 位作者 魏轶聃 赵伟 魏应强 周颖 隋志远 刘美杰 尤兴宇 魏敬和 《材料导报》 北大核心 2025年第21期116-127,共12页
导电桥式随机存储器(CBRAM)作为一种新兴的非易失性存储器技术,近年来在半导体存储领域引起了广泛关注。随着物联网(IoT)、可穿戴设备、移动计算等应用的快速发展,对存储器的性能、功耗、尺寸和成本提出了更高的要求,CBRAM等新一代存储... 导电桥式随机存储器(CBRAM)作为一种新兴的非易失性存储器技术,近年来在半导体存储领域引起了广泛关注。随着物联网(IoT)、可穿戴设备、移动计算等应用的快速发展,对存储器的性能、功耗、尺寸和成本提出了更高的要求,CBRAM等新一代存储器技术应运而生。本文阐述了CBRAM的基本概念与基本结构;详细分析了不同介质层中导电细丝的形成机理;对比了不同电极材料和介质层材料制备的器件电学性能的差异;介绍了CBRAM在存储器及神经形态计算领域的应用;总结了忆阻器面临的挑战并对未来的进一步发展提出了建议。 展开更多
关键词 导电桥式随机存储器 阻变机制 介质层材料 电极材料 存储器 神经形态计算
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机器学习在气敏传感器领域的应用及展望
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作者 夏安逸 张昊哲 +1 位作者 梅润嘉 杨贵钦 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期773-788,共16页
随着气敏传感器在环境监测和工业安全等领域的广泛应用,其性能优化需求愈发迫切。传统传感器设计方法效率低、成本高,机器学习(ML)凭借其强大的建模与识别能力为气敏传感器性能提升提供了新的思路。综述了ML在气敏传感器中的应用进展:... 随着气敏传感器在环境监测和工业安全等领域的广泛应用,其性能优化需求愈发迫切。传统传感器设计方法效率低、成本高,机器学习(ML)凭借其强大的建模与识别能力为气敏传感器性能提升提供了新的思路。综述了ML在气敏传感器中的应用进展:在性能预测方面,通过集成与深度学习模型,构建材料特性与传感器响应之间的关系,实现高精度预测(拟合优度R2>0.99);在气体分类方面,结合温度调制、多模态融合与支持向量机(SVM)等方法,实现了多气体的高分类准确率(>98%)识别;在传感器校准方面,迁移学习与变分贝叶斯方法有效解决了传感器漂移与数据缺失问题。目前,该领域面临数据稀缺、可解释性差和多因素建模等挑战。未来研究应聚焦构建智能传感网络、推进多模态分析与新型算法应用,推动气敏传感器向高精度、智能化发展。 展开更多
关键词 机器学习(ML) 气敏传感器 气体分类与识别 传感器校准 智能传感网络 多模态学习
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基于MEMS悬臂梁的微波功率检测芯片的研究
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作者 徐奇睿 丁治尹 王德波 《微电子学》 北大核心 2025年第2期303-308,共6页
为了进一步提高微波功率检测芯片的性能,设计了一种新型MEMS悬臂梁结构的微波功率检测芯片。提出了MEMS悬臂梁微波功率检测芯片的负载响应理论模型,分析了检测芯片的力学特性。利用悬臂梁负载感测理论模型研究了MEMS悬臂梁检测芯片的过... 为了进一步提高微波功率检测芯片的性能,设计了一种新型MEMS悬臂梁结构的微波功率检测芯片。提出了MEMS悬臂梁微波功率检测芯片的负载响应理论模型,分析了检测芯片的力学特性。利用悬臂梁负载感测理论模型研究了MEMS悬臂梁检测芯片的过载功率和灵敏度,并将实验结果与悬臂梁负载理论模型进行对比。实验结果表明,检测芯片在9~12 GHz的频段内表现出优异的微波特性,回波损耗值小于-10 dB。特别地,在10 GHz的信号频率下,负载感测理论模型与实验测得的灵敏度数据相符,灵敏度理论值为154 fF/W,与测试值144 fF/W的相对误差仅为6.94%。提出的负载响应感测理论模型对于指导MEMS微波功率检测芯片的设计和性能优化提供了理论支持。 展开更多
关键词 MEMS 功率检测芯片 悬臂梁 负载响应理论模型 灵敏度
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用于苯系物快速分离的微型气相色谱柱
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作者 李文博 祝雨晨 +4 位作者 李之睿 马少杰 曾睿 赵斌 冯飞 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期248-253,共6页
苯、甲苯、乙苯和二甲苯等苯系物(BTEX)因化学性质相似、分子结构相近,通常难以快速分离。基于微电子机械系统(MEMS)技术研制了一种以SE-54为固定相的含有高密度椭圆柱阵列的微型气相色谱柱(μGCC),该μGCC表面积大、深宽比高。研究结... 苯、甲苯、乙苯和二甲苯等苯系物(BTEX)因化学性质相似、分子结构相近,通常难以快速分离。基于微电子机械系统(MEMS)技术研制了一种以SE-54为固定相的含有高密度椭圆柱阵列的微型气相色谱柱(μGCC),该μGCC表面积大、深宽比高。研究结果表明,所研制的μGCC最快能在55 s内分离苯、甲苯、对二甲苯和邻二甲苯这四种苯系物,且四种苯系物的分离度均大于1.5,实现了对苯系物的快速基线分离,且柱前压仅为8.71 psi(1 psi≈6.895 kPa),有利于将其应用于便携式气相色谱系统。该μGCC有望在苯系物现场实时检测领域获得广泛应用。 展开更多
关键词 微型气相色谱柱(μGCC) 高密度椭圆柱阵列 快速分离 苯系物(BTEX) 微电子机械系统(MEMS)
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基于忆阻器的LIF神经元设计与研究
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作者 刘露 李锦屏 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第8期928-933,共6页
针对传统互补金属氧化物半导体(CMOS)神经元电路存在器件冗余、波形适配能力不足的问题,该文提出一种基于忆阻器的泄漏整合发放(Leaky Integrate-and-Fire, LIF)神经元电路架构。该电路由放大器、电容电阻及忆阻器组成,划分为信号整合... 针对传统互补金属氧化物半导体(CMOS)神经元电路存在器件冗余、波形适配能力不足的问题,该文提出一种基于忆阻器的泄漏整合发放(Leaky Integrate-and-Fire, LIF)神经元电路架构。该电路由放大器、电容电阻及忆阻器组成,划分为信号整合、泄漏与脉冲生成三大功能模块。通过电路仿真分析,该电路能够模拟LIF神经元的时间积分特性,输出符合生物信号特征的双尖峰脉冲波形。通过输入不同幅值与频率的输入信号,可有效模拟生物体所受的多样化外界刺激。此外,该电路具备独特的阈值响应机制,仅当输入信号幅值与频率同时满足设定阈值时,才可触发脉冲输出,此特性契合生物体在特定刺激下的生理响应机制,为人工神经网络的仿生优化设计提供了理论依据与技术支撑。 展开更多
关键词 忆阻器 LIF神经元电路 阈值电压 生物神经元模拟
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基于混合离子电解质的有机电化学晶体管在神经突触模拟中的应用
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作者 齐浩荣 张蓓 《功能材料与器件学报》 2025年第4期283-291,共9页
通过将3种离子液体EMIM-TFSI、EMIM-BF_(4)、EMIM-PF_(6)分别与聚合物电解质(PIL,poly(DADMATFSI))混合,构建混合离子电解质体系。将该体系应用于有机电化学晶体管(OECT)中,显著提升了其扫描速率和非易失特性,并实现了生物突触的功能模... 通过将3种离子液体EMIM-TFSI、EMIM-BF_(4)、EMIM-PF_(6)分别与聚合物电解质(PIL,poly(DADMATFSI))混合,构建混合离子电解质体系。将该体系应用于有机电化学晶体管(OECT)中,显著提升了其扫描速率和非易失特性,并实现了生物突触的功能模拟,为神经形态计算提供了新策略。研究采用电学测试、电化学阻抗谱测试以及多层感知器仿真。结果表明,基于EMIM基离子体系的混合电解质在扫描速率方面表现优异,其中EMIM-TFSI的表现尤为突出。基于EMIM-TFSI离子电解质的OECT实现了良好的非易失特性和响应快速的离子传输,成功模拟了生物突触的可塑性。在手写体识别任务中,该OECT的识别率高达84.2%,相较于其他两种体系分别提升了19.1%和12.7%。研究结果为开发高性能OECT神经突触器件提供了新的思路和方法,有望推动神经形态计算技术的发展。 展开更多
关键词 聚合物电解质 混合策略 有机电化学晶体管 非易失特性 神经形态计算
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多响应柔性传感器设计与制备工艺研究
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作者 高硕 亓剑 黄大可 《微纳电子技术》 2025年第11期86-95,共10页
柔性传感器具有优异的柔韧性和响应特性,在可穿戴电子设备的应用上具有巨大的潜力。提出一种基于蜻蜓翅膀结构的柔性传感器,选用聚氨酯和聚己内酯作为基体材料、碳纳米管与Fe3O4作为填料,运用浆料直接墨水书写(DIW)3D打印技术制备出多... 柔性传感器具有优异的柔韧性和响应特性,在可穿戴电子设备的应用上具有巨大的潜力。提出一种基于蜻蜓翅膀结构的柔性传感器,选用聚氨酯和聚己内酯作为基体材料、碳纳米管与Fe3O4作为填料,运用浆料直接墨水书写(DIW)3D打印技术制备出多响应柔性传感器,其灵敏度可达0.1190 kPa-1,响应时间80 ms、恢复时间40 ms。在8 kPa压力下,1000次重复按压后电阻变化率约53%,能检测手指、手腕弯曲及喉咙发声、吞咽动作。在热响应方面,80℃环境下,11 s内可将受力弯折90°形状恢复至初始状态,形状固定率和恢复率分别为87%和86%;在磁响应中,该柔性传感器可对外加磁场产生反应,受磁场吸引发生弯曲,并将磁场变化转化为电阻变化。本研究为未来可穿戴设备的智能化、多功能化发展提供了一定的理论基础。 展开更多
关键词 3D打印 柔性传感器 仿生设计 多响应 灵敏度
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一种制备纯铝基泡沫铝的新方法及工艺
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作者 雷羡尧 许兴语 +3 位作者 范绍楷 吴春妮 李光先 林琳 《微纳电子技术》 2025年第12期108-118,共11页
泡沫铝是一种新型轻质多功能材料,具有密度低、吸能缓冲、隔热隔音和电磁屏蔽等优异性能,在汽车、航空航天和电子器件等领域应用前景广阔。然而,传统制备方法工艺复杂、成本高、效率低,难以制造复杂结构零件。针对以上问题,提出采用以... 泡沫铝是一种新型轻质多功能材料,具有密度低、吸能缓冲、隔热隔音和电磁屏蔽等优异性能,在汽车、航空航天和电子器件等领域应用前景广阔。然而,传统制备方法工艺复杂、成本高、效率低,难以制造复杂结构零件。针对以上问题,提出采用以淀粉为成孔剂的直写式3D打印技术制备泡沫铝。系统研究了成孔剂含量与粒径对泡沫铝孔隙率和孔径的影响,分析了烧结温度对孔结构及收缩率的作用,并优化了打印参数。实验结果表明,烧结后可形成圆孔和长通孔两种结构,圆孔孔径与淀粉粒径接近,总孔隙率与成孔剂质量分数正相关。当溶液中固含量不变、成孔剂质量分数达4.87%时,开始出现孔结构,孔隙率为1.79%;当成孔剂质量分数提高至14.60%时,出现孔隙连通现象,孔隙率达2.97%。该方法可实现复杂镂空结构的一体化成型,为泡沫铝的绿色、高效制备提供了新途径。 展开更多
关键词 直写式3D打印 泡沫铝 铝粉浆料 淀粉成孔剂 打印参数优化
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基于二硒化钨界面态调控的类脑人工突触创新实验设计
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作者 王海珍 任俊文 李德慧 《实验技术与管理》 北大核心 2025年第5期36-44,共9页
人工智能等新兴技术的快速发展,使得基于“冯·诺依曼”架构的传统计算机面临高能耗和低计算效率的挑战,无法满足当前更高效、快速的应用需求。类似于人脑的神经形态计算体系因其可实现“运算-存储”一体化,是实现大规模高密度并行... 人工智能等新兴技术的快速发展,使得基于“冯·诺依曼”架构的传统计算机面临高能耗和低计算效率的挑战,无法满足当前更高效、快速的应用需求。类似于人脑的神经形态计算体系因其可实现“运算-存储”一体化,是实现大规模高密度并行运算的重要途径之一。而基于忆阻器原理模拟生物突触功能的类脑人工突触器件可以为类脑计算提供硬件支持。近年来,二维材料逐渐被用作类脑人工突触的候选材料,其中,过渡金属硫族化合物由于其与层数相关的带隙特征、高载流子迁移率和栅压调控的光电特性等被广泛应用于对生物突触可塑性功能的模拟。因此,该文设计了基于过渡金属硫族化合物晶体管的类脑人工突触创新实验。基于二硒化钨材料,采用等离子体处理二氧化硅/硅衬底表面引入界面态用以制备类脑人工突触晶体管器件。通过调控栅压极性,实现器件高低阻态转换,并且通过调节等离子体处理时间来调控生物突触可塑性功能。该实验囊括了器件制备及表征和测试等手段,并且将科研与实践教学相融合,不仅可以激发学生的兴趣,还有助于培养学生的创新实践能力。 展开更多
关键词 二维材料 二硒化钨 界面态 类脑人工突触
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半导体桥换能元结构设计与制备 被引量:1
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作者 刘宇韬 左玉晨 +1 位作者 刘黎 刘兆伦 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期351-357,共7页
换能元作为电火工品的核心部件,直接影响着电火工品的安全性和可靠性。以发火性能最佳的双V形桥形为基础,推导出双V形半导体桥(SCB)换能元电阻的计算公式。通过TCAD工具构建了双V形半导体桥换能元三维结构模型,并对桥区电流密度进行了... 换能元作为电火工品的核心部件,直接影响着电火工品的安全性和可靠性。以发火性能最佳的双V形桥形为基础,推导出双V形半导体桥(SCB)换能元电阻的计算公式。通过TCAD工具构建了双V形半导体桥换能元三维结构模型,并对桥区电流密度进行了仿真。依据SCB桥区电阻计算理论和建模仿真结果,制备出相应尺寸的SCB换能元芯片并进行阻值测量。仿真结果表明,在1 V直流电压激励下,双V形SCB桥区尖角处的电流密度最大,约为2.2×10^(5)A/cm^(2),中心处的电流密度约为1.67×10^(5)A/cm^(2)。实验结果表明,在双V形夹角为90°、桥区尺寸为380μm×80μm×2μm、方阻为4.2Ω的情况下,封装后的SCB换能元芯片阻值均在(1±0.05)Ω范围内,与理论计算及仿真分析结果一致。 展开更多
关键词 电火工品 半导体桥(SCB) 换能元 TCAD 电流密度分析
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金属氧化物气敏传感器的研究现状及其发展趋势 被引量:7
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作者 章天金 周东祥 +2 位作者 付明 龚树萍 姜胜林 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期38-40,44,共4页
综述了国内外金属氧化物气敏传感器的生产和应用概况,分析了国内外目前的生产技术水平与现状,展望了金属氧化物气敏传感器的发展前景。
关键词 金属氧化物 气敏 传感器 气敏器件 现状 发展
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IGBT技术发展综述 被引量:32
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作者 叶立剑 邹勉 杨小慧 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期937-940,951,共5页
绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展。概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新进展。特别是宽禁带半导体材料SiC的异军突起,... 绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展。概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新进展。特别是宽禁带半导体材料SiC的异军突起,为IGBT技术开辟了一个新的发展空间。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 专利 碳化硅 掺砷
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M_xLa_(1-x)FeO_3气敏材料的制备及表征 被引量:17
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作者 孔令兵 沈瑜生 姚熹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期399-402,共4页
采用液相化学共沉淀法制备出MxLa1-xFeO3气敏材料。利用XRD、SEM、TEM、IR、DTA-TG等分析技术,对材料的物相组成、结构、形貌等方面进行了表征。研究了各种因素对材料导电特性的影响情况。
关键词 化学共沉淀 MLaFeO3 气敏材料 材料表征
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一种微型化制造的双腔结构芯片原子钟^(87)Rb蒸汽腔(英文) 被引量:6
16
作者 李绍良 徐静 +1 位作者 张志强 吴亚明 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第5期1463-1468,共6页
碱金属蒸汽腔是芯片原子钟(CSACs)中重要的核心部件之一,其微型化制造具有重要的实用价值,同时也非常具有挑战性。采用MEMS技术批量化制作了具有双腔结构的芯片原子钟87Rb蒸汽腔阵列。在阳极键合过程中,通过原位化学反应产生纯净的87Rb... 碱金属蒸汽腔是芯片原子钟(CSACs)中重要的核心部件之一,其微型化制造具有重要的实用价值,同时也非常具有挑战性。采用MEMS技术批量化制作了具有双腔结构的芯片原子钟87Rb蒸汽腔阵列。在阳极键合过程中,通过原位化学反应产生纯净的87Rb元素蒸汽,缓冲气体(N2)采用反充的方法充入到87Rb蒸汽腔内以保证缓冲气体的压强可以精确的控制。所设计的双腔结构可以防止原位化学反应中产生的杂质阻挡光路,从而能够提高探测到的光信号的强度。通过原子钟桌面系统测试,得到了87Rb元素D1线的光学吸收谱和用于芯片原子钟锁频的误差信号,在90℃时,87Rb元素D1线纠偏信号的线宽(波峰与波谷间距)可达到0.53 kHz。测试结果表明,双腔结构的87Rb蒸汽腔满足芯片原子钟或其他芯片级原子器件的设计要求。 展开更多
关键词 ^87Rb蒸汽腔 芯片原子钟 相干布居数囚禁(CPT) 双腔结构 MEMS技术
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一种优化设计的高频高压电力半导体器件 被引量:7
17
作者 邹德恕 亢宝位 +3 位作者 杜金玉 王东风 高国 王敬元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期29-32,共4页
介绍一种优化设计的静电屏蔽晶体管(GAT)的结构、工作原理。通过采用网格版图设计,加场限环,使器件具有更好的高耐压、高频率、快速开关和宽的安全工作区等良好性能。
关键词 静电屏蔽晶体管 栅极 半导体器件
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用电抗标定方法改善SnO_2气敏元件的选择性 被引量:5
18
作者 傅刚 陈环 +1 位作者 陈志雄 张进修 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2001年第2期36-38,46,共4页
本文采用复阻抗谱方法测试SnO2 气敏元件 ,用元件在接触可燃性气体前后电抗值的变化 ,即电抗 -频率关系曲线中电抗峰随可燃性气体浓度增加 ,峰高降低以及峰频位置向高频移动的特性 ,来标定元件的气体灵敏度和选择性 ,简称电抗标定。结... 本文采用复阻抗谱方法测试SnO2 气敏元件 ,用元件在接触可燃性气体前后电抗值的变化 ,即电抗 -频率关系曲线中电抗峰随可燃性气体浓度增加 ,峰高降低以及峰频位置向高频移动的特性 ,来标定元件的气体灵敏度和选择性 ,简称电抗标定。结果表明 ,与传统的直流电阻标定方法相比较 ,元件的灵敏度显著提高 ,更有意义的是元件的选择性得到很大改善。因此 ,电抗标定方法是一种显著改善SnO2 气敏元件灵敏度和选择性的新方法。 展开更多
关键词 气敏元件 电阻 电抗 灵敏度 选择性 二氧化锡 标定
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柠檬酸盐法合成的纳米晶La_0.7Sr_0.3FeO_3材料酒敏特性研究 被引量:5
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作者 索辉 吴凤清 +3 位作者 全宝富 刘国范 徐宝琨 赵慕愚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期274-275,共2页
用柠檬酸盐法合成了纳米晶La0.7Sr0.3FeO3材料,平均粒度在10nm左右。检测了用该材料制成的气敏元件的酒敏特性,发现其不仅灵敏度高,抗干扰性强,响应速度快而且具有相当好的电阻值稳定性以及与之相关的测量准确性... 用柠檬酸盐法合成了纳米晶La0.7Sr0.3FeO3材料,平均粒度在10nm左右。检测了用该材料制成的气敏元件的酒敏特性,发现其不仅灵敏度高,抗干扰性强,响应速度快而且具有相当好的电阻值稳定性以及与之相关的测量准确性和稳定性。 展开更多
关键词 纳米晶 酒敏特性 LaSrFeO 气敏器件
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逆导型IGBT发展概述 被引量:11
20
作者 张文亮 田晓丽 +1 位作者 谈景飞 朱阳军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期836-841,共6页
逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上。逆导型IGBT器件具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等诸多优点,但是逆导型IGBT的电压回跳现象限制了它在... 逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上。逆导型IGBT器件具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等诸多优点,但是逆导型IGBT的电压回跳现象限制了它在实际中的应用。研究了逆导型IGBT器件的结构原理以及回跳现象产生的原因,介绍了引导区结构和背面版图正交布局两种有效抑制回跳现象的方法。通过合理的设计,逆导型IGBT基本上克服了传统的特性缺陷,这将使逆导型IGBT在未来有更为广阔的应用前景。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 逆导型绝缘栅双极型晶体管 初次回跳 二次回跳 引导区
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