期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到138篇文章
< 1 2 … 7 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
高阈值电压的半环绕式MIS栅极P-GaNHEMT
1
作者 何晓宁 贾茂 +3 位作者 李明志 侯斌 杨凌 马晓华 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期333-338,共6页
p-GaNHEMT以阈值电压稳定、导通损耗低、开关频率高和工艺成熟等优势,成为新一代主流功率开关器件。针对其栅控能力与开态损耗优化需求,提出了一种采用半环绕式金属-绝缘体-半导体(MIS)栅结构的p-GaNHEMT。通过采用SiN介质层及栅极金属... p-GaNHEMT以阈值电压稳定、导通损耗低、开关频率高和工艺成熟等优势,成为新一代主流功率开关器件。针对其栅控能力与开态损耗优化需求,提出了一种采用半环绕式金属-绝缘体-半导体(MIS)栅结构的p-GaNHEMT。通过采用SiN介质层及栅极金属环绕p-GaN层,该器件实现了6.9 V的高阈值电压,且栅极操作范围提升至14 V。器件的输出电流由17.1 mA/mm提升至30.5 mA/mm,导通电阻则由106.4Ω·mm降低至47.6Ω·mm。基于SilvacoTCAD软件的仿真结果表明,半环绕式MIS栅极结构显著提升了沟道电流密度,有效降低了栅极下方的尖峰电场强度,从而提高了器件的击穿电压。此外,峰值跨导的误差棒显示样品的平均峰值跨导从5.8 mS/mm增至6.8 mS/mm,进一步验证了半环绕栅(GSA)技术对提升p-GaNHEMT栅极控制能力的显著效果。 展开更多
关键词 半环绕栅(GSA) 常关型 ALGAN/GAN HEMT p-GaN栅极 电学特性
原文传递
漏场板提升增强型AlGaN/GaN/AlGaN HEMT击穿电压的研究 被引量：1
2
作者 周世刚 于永强 +2 位作者 夏元治 钱君涵 吴春艳 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第5期622-627,共6页
p-GaN帽层增强型AlGaN/GaN/AlGaN HEMT存在背势垒,因此可显著降低GaN缓冲层泄漏电流,提升器件击穿电压,但会面临漏极下方电场强度峰值集中的问题,导致击穿电压偏离。文章通过Silvaco ATLAS仿真,探讨漏场板结构和漏场板下钝化层厚度对p-... p-GaN帽层增强型AlGaN/GaN/AlGaN HEMT存在背势垒,因此可显著降低GaN缓冲层泄漏电流,提升器件击穿电压,但会面临漏极下方电场强度峰值集中的问题,导致击穿电压偏离。文章通过Silvaco ATLAS仿真,探讨漏场板结构和漏场板下钝化层厚度对p-GaN帽层增强型AlGaN/GaN/AlGaN HEMT器件击穿电压的调制,优化漏极下方电场强度峰值分布。结果表明:漏场板的引入可显著提升器件的击穿电压,漏场板厚度在0.10~1.10μm范围时,器件的击穿电压随着漏场板厚度增大而增大;随着漏场板下方钝化层厚度的增大,漏场板边缘下方的沟道电场强度峰值减小,漏极下方的沟道电场强度峰值增大,当漏场板下方钝化层厚度增厚至0.25μm时,沟道电场强度峰值最小,器件的击穿电压提升至1370 V,增幅达53.6%。研究发现,击穿电压的提升主要是由于漏场板的电场调制效应降低了电场强度峰值。 展开更多
关键词 p-GaN帽层增强型AlGaN/GaN/AlGaN HEMT 漏场板 钝化层 击穿电压 电场强度
在线阅读 下载PDF
嵌入半超结的增强型GaN/AlGaN异质结垂直HFET
3
作者 杨晨飞 韦文生 +3 位作者 汪子盛 丁靖扬 陈超逸 杨锦天 《电子器件》 2025年第5期979-988,共10页
元胞面积相同的GaN/AlGaN异质结垂直场效应管(HFETs)比横向HFET的击穿电压(V_(B))更高,值得进一步研发。本文利用Silvaco TCAD软件仿真,构建了一种包含GaN/AlGaN异质结源极、p型GaN埋层与n型GaN漂移区组成半超结的增强型垂直HFET,模拟... 元胞面积相同的GaN/AlGaN异质结垂直场效应管(HFETs)比横向HFET的击穿电压(V_(B))更高,值得进一步研发。本文利用Silvaco TCAD软件仿真,构建了一种包含GaN/AlGaN异质结源极、p型GaN埋层与n型GaN漂移区组成半超结的增强型垂直HFET,模拟了器件性能对异质结源极的Al组分、电流阻挡层掺杂浓度、GaN埋层宽度及掺杂浓度的依赖性;分析了Al组分突变、缓变异质结源极对器件性能的影响。结果反映,包含Al组分突变异质结源极器件的比导通电阻(R_(on,sp))更低,半超结对R_(on,sp)影响微弱,却能优化漂移区电场分布。与没有半超结的参照器件对比,本器件的V_(B)提升114.71%,寄生电容更小,关断延迟时间(t_(off))减少33.04%,导通延迟时间(t_(on))缩短25.28%。本文可为设计高性能HFET提供新的方案。 展开更多
关键词 增强型垂直HFET Al组份突变、缓变的GaN/AlGaN异质结 半超结
在线阅读 下载PDF
反向导通电流对GaN HEMT动态导通电阻漂移的影响
4
作者 孙凯 《半导体技术》 北大核心 2025年第11期1122-1127,共6页
动态导通电阻(R_(ON))会导致GaN HEMT额外的导通损耗,进而影响电力电子变换器的效率和热管理。探究了不同工作模式下反向导通电流对GaN HEMTR_(ON)漂移的影响。设计了基于全桥电路的测试方法,能够灵活调节器件的工作模式。实验发现反向... 动态导通电阻(R_(ON))会导致GaN HEMT额外的导通损耗,进而影响电力电子变换器的效率和热管理。探究了不同工作模式下反向导通电流对GaN HEMTR_(ON)漂移的影响。设计了基于全桥电路的测试方法,能够灵活调节器件的工作模式。实验发现反向导通工作模式对GaN HEMTR_(ON)漂移有积极影响。在无反向导通的软开关、硬开关和反向导通后软开关模式下,其R_(ON)分别为374、394和365mΩ,表明反向导通后软开关模式能使器件的R_(ON)显著减小;当反向导通电流从1A增大到4A时,R_(ON)从365mΩ进一步减小到342mΩ。此外,基于理论分析及TCAD仿真,对该现象进行了机理分析。本研究为GaN功率器件在实际应用中的设计和性能优化提供了新思路。 展开更多
关键词 GaN HEMT 动态导通电阻 反向导通 软开关 硬开关
原文传递
基于超晶格结构的高电流密度增强型AlGaN/GaN HEMT
5
作者 夏元治 吴春艳 +2 位作者 周世刚 钱君涵 于永强 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第10期1352-1356,共5页
凹槽栅是实现增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的常见技术,但随着栅下AlGaN的刻蚀,极化效应减弱,二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)浓度降低,电流密度显著降低。文章提出在凹... 凹槽栅是实现增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的常见技术,但随着栅下AlGaN的刻蚀,极化效应减弱,二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)浓度降低,电流密度显著降低。文章提出在凹槽栅金属-绝缘层-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构栅下叠加4 nm GaN和1 nm AlN超晶格(superlattice,SL)结构,通过在AlGaN与GaN之间引入一层超晶格层、增加一层二维电子气沟道来提高电流密度,并利用Silvaco TCAD软件系统仿真凹槽深度、栅介质以及超晶格层对器件电流密度的影响。仿真结果表明:使用5 nm HfO_(2)栅介质层并增加一层超晶格层(4 nm GaN+1 nm AlN)的AlGaN/GaN SL-MISHEMT,阈值电压V_(th)为0.14 V,电流密度I_(ds)达到1014 mA/mm(V ds=10 V,V_(gs)=10 V);与常规AlGaN/GaN HEMT(V_(th)=-3.16 V)相比,器件阈值电压增加了3.28 V;与无超晶格层的AlGaN/GaN MISHEMT相比,电流密度提高了24%。 展开更多
关键词 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 凹槽栅 超晶格(SL) 功率器件仿真
在线阅读 下载PDF
BJFET直流特性的PSpice模拟分析 被引量：6
6
作者 曾云 盛霞 +1 位作者 樊卫 马群刚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期181-184,共4页
新型双极结型场效应晶体管 (BJFET)兼有双极型和单极场效应两种器件的功能特点。文中分析推导出该新型器件的直流特性 ,然后使用 PSpice软件进行直流特性及其参数扫描模拟分析 。
关键词 双注入 结型场效应管 直流特性 PSpice模拟分析 双极型 晶体管
在线阅读 下载PDF
大动态范围高线性JFET压控电阻 被引量：10
7
作者 宋树贵 柏松 《南开大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期65-67,71,共4页
工作在三极管区的JFET广泛用作可变电阻 ,但是其狭小的工作范围和ID～VDS的非线性关系 ,限制了它的应用 .本文用简单的方法 ,扩大了可变电阻区的动态范围 ,消除了非线性 ,并能实现压控正电阻和压控负电阻 .
关键词 压控电阻 结型场效应晶体管 动态范围 JFET 三极管 非线性
在线阅读 下载PDF
IGBT晶圆背面机械臂印记缺陷改善研究
8
作者 袁福全 夏碧波 +3 位作者 胡泽权 魏宏杰 张鸿鑫 谢为芝 《今日制造与升级》 2025年第11期45-47,66,共4页
IGBT晶圆的生产制造因涵盖背面工艺,因此在结构、性能和应用上与普通晶圆工艺制程存在显著差异。由于背面工艺的存在,IGBT晶圆背面在传送中产生较多划伤或者接触印记,将导致IGBT晶圆良率损失较大。文章系统分析了IGBT晶圆不同背面膜层... IGBT晶圆的生产制造因涵盖背面工艺,因此在结构、性能和应用上与普通晶圆工艺制程存在显著差异。由于背面工艺的存在,IGBT晶圆背面在传送中产生较多划伤或者接触印记,将导致IGBT晶圆良率损失较大。文章系统分析了IGBT晶圆不同背面膜层造成缺陷的形成机理,并通过有限元仿真模型设计,制作新机械臂结构,降低了IGBT晶圆与机械臂之间的应力,改善了印记缺陷。 展开更多
关键词 IGBT晶圆 机械臂 塑性形变 有限元仿真 印记
在线阅读 下载PDF
一种考虑温度影响的SiC JFET的数据驱动模型 被引量：2
9
作者 朱萍 王莉 阮立刚 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期150-158,共9页
提出了基于数据驱动建模思想建立考虑温度影响的常断型SiC JFET器件模型的方法,解决了目前物理建模方法应用于功率半导体器件建模过程中器件自身结构、材料等参数获取困难的问题。根据常断型SiC JFET器件手册的图表信息并结合部分实测数... 提出了基于数据驱动建模思想建立考虑温度影响的常断型SiC JFET器件模型的方法,解决了目前物理建模方法应用于功率半导体器件建模过程中器件自身结构、材料等参数获取困难的问题。根据常断型SiC JFET器件手册的图表信息并结合部分实测数据,在Saber软件中建立其热电耦合模型。通过对其静态特性和动态特性的仿真和实验研究,验证了考虑温度影响的常断型SiC JFET数据驱动模型的准确性。该数据驱动建模方法可以推广应用于其他功率半导体器件如功率SiC MOSFETs和GaN FETs等的建模。 展开更多
关键词 电力电子与电力传动 数据驱动模型 碳化硅 温度影响
在线阅读 下载PDF
短沟道MOS阈值电压物理模型 被引量：2
10
作者 谢晓锋 张文俊 杨之廉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期155-158,共4页
通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道 MOS的阈值电压模型 ,得到的 DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。模拟的结果能很好地与数值模拟器
关键词 短沟道 阀值电压 金属—氧化物—半导体场效应晶体管 MOS 电压物理模型
在线阅读 下载PDF
宽带GaAs MESFET开关模型 被引量：1
11
作者 陈新宇 徐全胜 +4 位作者 陈继义 陈效建 郝西萍 李拂晓 蒋幼泉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期189-192,共4页
提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内 。
关键词 开关模型 MESFET MMIC电路 金属半导体场效应晶体管 GAAS 砷化镓 等效电路
在线阅读 下载PDF
ITO作为源漏电极的有机场效应晶体管 被引量：2
12
作者 陈金伙 欧谷平 张福甲 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期164-168,共5页
报道了一种OFET,它采用ITO作为源漏电极,聚酰亚胺为绝缘层,CuPc为半导体层。实验结果表明,该器件具有明显的场效应性质,性能较好,载流子迁移率和开关比分别达2.3×10-3cm2/V.s、800,表明ITO是一种合适的、有前途的p型OFET源漏极材... 报道了一种OFET,它采用ITO作为源漏电极,聚酰亚胺为绝缘层,CuPc为半导体层。实验结果表明,该器件具有明显的场效应性质,性能较好,载流子迁移率和开关比分别达2.3×10-3cm2/V.s、800,表明ITO是一种合适的、有前途的p型OFET源漏极材料。为此,本文对由电极材料和半导体材料间形成的接触电阻对OFET性能影响进行了分析。 展开更多
关键词 有机场效应晶体管 ITO 聚酰亚胺
在线阅读 下载PDF
电力SITH阳极造型对耐电容量的影响及提高 被引量：1
13
作者 胡冬青 李思渊 王永顺 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期77-79,共3页
分析了影响电力静电感应晶闸管阻断电压BVAK的因素,提出了提高BVAK的方法,并构造了几种阳极结构.在实验了3种结构的基础上,给出一种新阳极造型.它有效利用了外延过程中在p-阳极区形成的轻掺杂n-层,在该层上进行条形p+重掺杂,为正向导通... 分析了影响电力静电感应晶闸管阻断电压BVAK的因素,提出了提高BVAK的方法,并构造了几种阳极结构.在实验了3种结构的基础上,给出一种新阳极造型.它有效利用了外延过程中在p-阳极区形成的轻掺杂n-层,在该层上进行条形p+重掺杂,为正向导通过程提供空穴注入,从而实现电导调制,降低通态压降.而未掺杂的透明阳极区则形成电流漏.实验表明,该结构不仅能有效增大阻断电压,同时利于关断过程积累电荷的抽取,加快关断时间,降低关断损耗. 展开更多
关键词 电力SITH 阻断电压 阳极造型 关断损耗
在线阅读 下载PDF
氢化非晶硅双极性场效应晶体管 被引量：2
14
作者 颜一凡 刘正元 何丰如 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期358-363,共6页
本文着重研究了玻璃栅介质(GGI)氢化非晶硅双极性场效应晶体管(α-Si:HBFET)的转移特性,并比较了SiO_2和SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET的性质.业已发现:(1)硼掺杂和磷掺杂不仅可以人大地提高(GGI)α-Si:HBFET的电流驱动能力,而且可... 本文着重研究了玻璃栅介质(GGI)氢化非晶硅双极性场效应晶体管(α-Si:HBFET)的转移特性,并比较了SiO_2和SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET的性质.业已发现:(1)硼掺杂和磷掺杂不仅可以人大地提高(GGI)α-Si:HBFET的电流驱动能力,而且可以大大地改善其双极对称性.(2)(GGI)未掺杂α-Si:HBFET可以用来构成静态特性良好的CMOS倒相器.(3)SiO_2栅介质α-Si:HFET具有典型的双极性,但是SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET则不是双极性的. 展开更多
关键词 氢化非晶硅 场效应晶体管 双极性
在线阅读 下载PDF
大功率IGBT模块并联均流特性研究 被引量：13
15
作者 祁善军 翁星方 +1 位作者 宋文娟 黄南 《大功率变流技术》 2011年第6期10-14,共5页
大功率IGBT并联运行能够承受更高的负载电流,但是大功率IGBT并联设计时需要考虑静、动态均流问题。PSpice仿真分析表明,影响静态均流的主要因素是IGBT模块的饱和导通压降和集电极、发射极引线的等值电阻;影响动态均流的主要因素涉及驱... 大功率IGBT并联运行能够承受更高的负载电流,但是大功率IGBT并联设计时需要考虑静、动态均流问题。PSpice仿真分析表明,影响静态均流的主要因素是IGBT模块的饱和导通压降和集电极、发射极引线的等值电阻;影响动态均流的主要因素涉及驱动电路、IGBT器件参数和主电路布局。提出了IGBT并联均流的措施,分析了IGBT并联电路设计的关键点,并通过仿真分析验证了所提出方法的可行性。 展开更多
关键词 IGBT并联 静态均流 动态均流 PSPICE仿真
原文传递
新型双注入结型场效应器件 被引量：4
16
作者 曾云 曾健平 +1 位作者 颜永红 陈迪平 《微细加工技术》 1997年第2期34-36,共3页
本文提出一种新型双注入结型场效应晶体管（BJFET）器件构思，并说明其工作原理。这种器件兼有双极型器件和结型场效应器件的特点，即有两种载流子参与导电，导电能力受电压控制，具有较大的电流容量和输入电阻。
关键词 晶体管 双注入结型 场效应器件
在线阅读 下载PDF
OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究 被引量：1
17
作者 陈金伙 李文剑 程树英 《贵州大学学报（自然科学版）》 2012年第4期71-76,共6页
本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源... 本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。 展开更多
关键词 OTFT IV方程 开关比 杂质浓度上限 膜层厚度上限
在线阅读 下载PDF
HEMT中二维电子气的电子密度的研究 被引量：1
18
作者 徐敏 《江西师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2002年第3期266-269,共4页
考虑到界面态影响 ,通过求解泊松方程 ,推导出了HEMT中二维电子气的电子密度表达式 。
关键词 HEMT 高电子迁移率晶体管 二维电子气 界面态 电子密度 泊松方程 肖特基势垒
在线阅读 下载PDF
SOI-NMOS场效应晶体管的Kink特性分析 被引量：1
19
作者 李秀琼 M.Tack +2 位作者 E.Simoen C.Claeys G.Declerck 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期50-56,共7页
本文研究了在室温(RT)、液氮温度(LN)和液氮温度(LHe)下的SOI-NMOS场效应晶体管的电流—电压特性。研究的器件制作在二氧化硅上的经激光退火后的多晶硅薄膜体上。结果表明室温下带有薄膜引出端的晶体管的I_D—V_D特性曲线的Kink形状和... 本文研究了在室温(RT)、液氮温度(LN)和液氮温度(LHe)下的SOI-NMOS场效应晶体管的电流—电压特性。研究的器件制作在二氧化硅上的经激光退火后的多晶硅薄膜体上。结果表明室温下带有薄膜引出端的晶体管的I_D—V_D特性曲线的Kink形状和液氦下观测到的N-MOS场效应晶体管的Kink形状很类似。实验还表明Kink大小是液氮下比室温下大、液氦下比液氮下的大。应用电容效应,低温下载流子“冻结”机制和不同偏压下载流子产生和复合的物理过程分析可以相应地解释不同温度下Kink效应。 展开更多
关键词 场效应 晶体管 Kink特性 SOI-NMOS
在线阅读 下载PDF
Ⅲ族氮化物及其二维电子气输运特性的研究进展 被引量：1
20
作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期265-274,280,共11页
Ⅲ族氮化物半导体具有宽禁带和直接带隙 ,导带能谷间距大 ,强场输运特性好。Al Ga N/Ga N异质结产生高密度的二维电子气 ,屏蔽了杂质和缺陷的散射 ,改善了低场输运性能。它弥补了宽禁带半导体输运性能差的缺点 ,已研制成大功率的 HFET... Ⅲ族氮化物半导体具有宽禁带和直接带隙 ,导带能谷间距大 ,强场输运特性好。Al Ga N/Ga N异质结产生高密度的二维电子气 ,屏蔽了杂质和缺陷的散射 ,改善了低场输运性能。它弥补了宽禁带半导体输运性能差的缺点 ,已研制成大功率的 HFET。利用强场下的速度过冲有望消除阴极端的速度凹坑 ,显著改进器件性能。电子气的强二维性使输运特征依赖于器件结构和工作状态 ,器件设计变为一个剪裁电子状态和输运特性的复杂工程。文中综述了 族氮化物及其二维电子气的输运特性 ,讨论了从输运特性出发 ,优化 HFET性能的问题。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物 二维电子气 输运性能 异质结场效应管
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 7 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部