基于场效应管型气敏传感器的微电子工艺实验设计

1

作者 王海珍 冯德海 李德慧 《实验科学与技术》 2025年第5期32-39,共8页

现阶段我国集成电路产业人才短缺,培养具有创新实践能力的集成电路产业人才刻不容缓。微电子工艺是集成电路的基础,更是培养集成电路人才创新实践能力的重要实践课程。因此,设计了基于场效应管型气敏传感器的微电子工艺实验,采用微电子... 现阶段我国集成电路产业人才短缺,培养具有创新实践能力的集成电路产业人才刻不容缓。微电子工艺是集成电路的基础,更是培养集成电路人才创新实践能力的重要实践课程。因此,设计了基于场效应管型气敏传感器的微电子工艺实验,采用微电子工艺方法制备硅基电极并利用水相法制备敏感材料SnO_(2)/ZnO得到场效应管型气敏传感器。采用X射线衍射对敏感层材料进行表征,并进一步对传感器的气敏性能进行测试。该实验涵盖了材料合成及表征、微电子工艺、器件制备、气敏特性测试等手段,涉及材料学、微电子及集成电路学科,并将科研内容与实验教学相结合,有助于激发学生的科研兴趣,进而培养学生的创新实践能力。 展开更多

关键词 微电子工艺实验 场效应管型 气敏传感器 气敏性能

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16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅设计 被引量：2

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作者 安俊明 李健 +3 位作者 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 《光学技术》 CAS CSCD 2004年第6期676-678,681,共4页

给出了更为合理的阵列波导光栅(AWG)的设计原则。在设计时兼顾了输出谱的非均匀性Lu和输出通道数N的要求,克服了设计中可能引起通道数N丢失和不考虑输出谱非均匀性Lu的缺点。用该方法设计了折射率差为0 75%和16×0 8nm的硅基二氧化... 给出了更为合理的阵列波导光栅(AWG)的设计原则。在设计时兼顾了输出谱的非均匀性Lu和输出通道数N的要求,克服了设计中可能引起通道数N丢失和不考虑输出谱非均匀性Lu的缺点。用该方法设计了折射率差为0 75%和16×0 8nm的硅基二氧化硅AWG。采用广角有限差分束传播方法(FD BPM)对所设计的AWG进行了输出谱的模拟,得到了插损为 1.5dB、串扰为 48dB、通道非均匀性约为1dB的AWG,设计指标达到了商用要求。 展开更多

关键词 阵列波导 光栅 波分复用 设计 数值模拟

原文传递

硅棚MOS结构的辐射感生界面态 被引量：1

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作者 张玲珊 吾勤之 +3 位作者 刘昶时 王方 赵元富 甘勇 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第12期7-11,共5页

本文主要讨论栅氧化层厚度、辐照总剂量以及偏置电场对硅栅MOS结构辐照感生氧化物电荷△D_(it)和界面态密度△D_(it)的影响。实验表明,在Co^(60)γ射线辐照下,MOS结构的辐射损伤与栅氧化层厚度T_(cx)、辐射总剂量D_(ose)及偏置电场E_(?... 本文主要讨论栅氧化层厚度、辐照总剂量以及偏置电场对硅栅MOS结构辐照感生氧化物电荷△D_(it)和界面态密度△D_(it)的影响。实验表明,在Co^(60)γ射线辐照下,MOS结构的辐射损伤与栅氧化层厚度T_(cx)、辐射总剂量D_(ose)及偏置电场E_(?)有着强烈的依赖关系。由上述辐照损伤规律及MOSFET阈值电压漂移公式,可获得加固MOS器件的重要参数—栅氧化层厚度的最佳设计,这为研究Si—SiO_2界面的辐射损伤机制及MOS器件的抗核加固工程提供了重要的实验依据。 展开更多

关键词 MOS器件 辐射 硅栅器件 界面态

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WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析 被引量：1

4

作者 竺士炀 林成鲁 +1 位作者 高剑侠 李金华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期348-351,共4页

用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线... 用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。 展开更多

关键词 高温特性 BESOI CMOS 硅栅器件

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多晶硅/氧化硅界面的二次离子质谱分析 被引量：1

5

作者 赵杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期64-67,72,共5页

利用二次离子质谱仪对多晶硅/氧化硅界面进行分析,发现多晶硅/氧化硅界面不是突变的,而存在着一个过渡区;根据多晶硅薄膜的成核理论,分析该过渡区形成的物理起源和机理,并利用“氧化层电导”模型,定量分析过渡区对器件栅氧化层电导的影响。

关键词 多晶硅 氧化硅 界面 二次离子质谱分析 过渡区 栅氧化层电导 硅栅

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本征α－Si∶H　MIS结构电导机制

6

作者 刘坤 褚君浩 +2 位作者 孙剑 李标 汤定元 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期335-341,共7页

利用本征α－Ｓｉ：Ｈ薄膜材料制成了Ａｌ－Ｓｉ（１－ｘ）Ｎｘ－ａ－Ｓｉ：Ｈ金属－绝缘体－半导体结构，用高精度差分电容谱仪在５０℃和暗背景条件下测量了这种结构的变频电容谱及变频电导谱。讨论了该ＭＩＳ结构中可能存在的电导机... 利用本征α－Ｓｉ：Ｈ薄膜材料制成了Ａｌ－Ｓｉ（１－ｘ）Ｎｘ－ａ－Ｓｉ：Ｈ金属－绝缘体－半导体结构，用高精度差分电容谱仪在５０℃和暗背景条件下测量了这种结构的变频电容谱及变频电导谱。讨论了该ＭＩＳ结构中可能存在的电导机制，计算了禁带态能谱并根据修正后的实验结果得到了其俘获电子的时间常数及截面。 展开更多

关键词 α-Si∶HMIS结构 电导机制 俘获时间 俘获截面 禁带态密度

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低功耗MOS图象传感器自扫描电路的研究

7

作者 温志渝 黄友恕 +1 位作者 袁祥辉 何清义 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1992年第4期26-30,共5页

从高位数,低功耗MOS图象传感器发展的需要出发,对MOS图象传感器的自扫描电路进行研究。提出以一种带变容管自举电路的三管动态无比电路作MOS图象传感器的自扫描电路。该电路采用硅栅P-MOS工艺,是一种高速度,低功耗的动态无比电路。也是... 从高位数,低功耗MOS图象传感器发展的需要出发,对MOS图象传感器的自扫描电路进行研究。提出以一种带变容管自举电路的三管动态无比电路作MOS图象传感器的自扫描电路。该电路采用硅栅P-MOS工艺,是一种高速度,低功耗的动态无比电路。也是一种高位数列阵中的实用单元电路,它较好地解决了列阵功耗随位数增加而变大的问题。 展开更多

关键词 传感器 自扫描电路 图象 低功耗

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高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究

8

作者 李浩 任建伟 杜寰 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期2317-2322,共6页

提高射频功率器件的鲁棒性有利于增强器件的抗静电放电能力和抗失配能力.为了直观地了解器件内部发生的电学过程,本文研究了高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS (Radio Frequency Lateral Diffusion MOS)在TLP (Transmission Line Pulse)应力下的... 提高射频功率器件的鲁棒性有利于增强器件的抗静电放电能力和抗失配能力.为了直观地了解器件内部发生的电学过程,本文研究了高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS (Radio Frequency Lateral Diffusion MOS)在TLP (Transmission Line Pulse)应力下的电学机理.利用0.18μm BCD (Bipolar/CMOS/DMOS)先进制程,实现了特定尺寸器件的设计与流片.通过实测与仿真的对比,发现静电放电失效的随机性、芯片内部的热效应是导致仿真和实测差异的非理想因素.通过对TLP仿真的各阶段重要节点的分析,证明了源极下方的P型埋层有利于提高空穴电流的泄放能力,从而提高RF-LDMOS的鲁棒性. 展开更多

关键词 射频功率器件 LDMOS 芯片设计 BCD制程 TLP 碰撞电离 P型埋层

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硅膜厚度对SOI栅控混合管性能的影响

9

作者 黄如 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期670-675,共6页

本文分析了 Ｓ Ｏ Ｉ（ Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）栅控混合管（ Ｇ Ｃ Ｈ Ｔ）中硅膜厚度对器件短沟道效应、阈值电压、亚阈斜率、零栅压电流的影响，讨论了结构参数、工艺参数对硅膜厚度作用的影响．研究表明，与常... 本文分析了 Ｓ Ｏ Ｉ（ Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）栅控混合管（ Ｇ Ｃ Ｈ Ｔ）中硅膜厚度对器件短沟道效应、阈值电压、亚阈斜率、零栅压电流的影响，讨论了结构参数、工艺参数对硅膜厚度作用的影响．研究表明，与常规 Ｓ Ｏ Ｉ Ｍ Ｏ Ｓ器件相比， Ｓ Ｏ Ｉ栅控混合管具有较低的硅膜厚度灵敏度，改善了深亚微米常规 Ｓ Ｏ Ｉ Ｍ Ｏ Ｓ器件由于硅膜厚度的影响而性能下降的问题。 展开更多

关键词 SOI 栅控混合管 GCHT 硅膜厚度

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碳化硅功率器件及其应用的最新研发进展 被引量：3

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作者 刘鹿生 《电力电子》 2007年第4期5-12,共8页

本文基于最近几年发现的新效应和创新设计,综合评述了4H-SiC功率器件:MOSFET、IGBT、SiCGT和PiN二极管的最新研发进展,包括研发过程遇到的主要技术难题,器件特性和初步应用。实验初步验证,SiC功率器件具有高效节能和实现高功率密度的能力。

关键词 退化 界面性质(态) 节能 功率密度

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硅栅CMOS集成电路场区电离辐射性能研究

11

作者 赵元富 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期22-25,共4页

详细研究了硅栅ＣＭＯＳ集成电路场区电离辐射性能，分析了不同辐射偏置下，Ｎ沟场氧器件阈值电压漂移随辐射剂量的变化及场区边缘辐射寄生漏电对非封闭栅栅氧ＮＭＯＳ器件辐射性能的影响。结果表明：电离辐射引起的电路场氧隔离失效主... 详细研究了硅栅ＣＭＯＳ集成电路场区电离辐射性能，分析了不同辐射偏置下，Ｎ沟场氧器件阈值电压漂移随辐射剂量的变化及场区边缘辐射寄生漏电对非封闭栅栅氧ＮＭＯＳ器件辐射性能的影响。结果表明：电离辐射引起的电路场氧隔离失效主要来自于电离辐射引起的场区边缘寄生漏电，提出了分析场区边缘寄生漏电对器件辐射性能影响的等效电路。 展开更多

关键词 场氧 电离辐射 硅栅器件 CMOS 集成电路

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硅栅 MOS 结构 Poly-Si/SiO_2 界面研究

12

作者 赵杰 魏同立 +1 位作者 张安康 赵梦碧 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1997年第4期38-43,共6页

利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等表面分析手段，对硅栅ＭＯＳ结构Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面进行分析，发现该界面不是突变的，存在着成份过渡区．根据多晶硅薄膜的成核理论，确定该过渡区形成的物理起源．... 利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等表面分析手段，对硅栅ＭＯＳ结构Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面进行分析，发现该界面不是突变的，存在着成份过渡区．根据多晶硅薄膜的成核理论，确定该过渡区形成的物理起源．利用Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ隧道发射和“幸运电子”模型。 展开更多

关键词 界面 热载流子 硅栅MOS结构 Poly-硅 二氧化硅

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CMOS差动式流量传感器

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作者 于梅芳 《传感器技术》 CSCD 1995年第4期25-29,共5页

提出了一种新颖的与硅栅ＣＭＯＳ工艺相兼容的ＣＭＯＳ差动式流量传感器结构，文中对器件敏感机理和电路进行了分析，理论分析与实验结果相吻合。

关键词 流量传感器 差分结构 CMOS 硅

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栅氧击穿机理研究

14

作者 徐政 缪海滨 郑若成 《电子与封装》 2003年第3期32-35,共4页

栅氧击穿不仅和栅氧质量相关,而且受前工序的影响很大。本文介绍了影响栅氧击穿的 因素,如PBL隔离和腐蚀、电容结构。

关键词 栅氧 击穿 多晶缓冲隔离 能带

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基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究 被引量：4

15

作者 彭超 雷志锋 +3 位作者 张战刚 何玉娟 黄云 恩云飞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1755-1761,共7页

绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真... 绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真技术.通过对SOI器件三维结构进行建模,利用TCAD内置的辐射模型开展瞬态仿真,模拟氧化层中辐射感应电荷的产生、输运和俘获过程,从而分别评估绝缘埋层(Buried Oxide,BOX)和浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)氧化层中辐射感应陷阱电荷对器件电学性能的影响.基于该仿真技术,本文分别研究了不同偏置、沟道长度、体区掺杂浓度以及STI形貌对SOI MOSFET器件总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明高浓度的体区掺杂、较小的STI凹槽深度和更陡峭的STI侧壁将有助于改善SOI器件的抗总剂量效应性能. 展开更多

关键词 绝缘体上硅 总剂量效应 浅沟槽隔离 TCAD仿真

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Al:Ti合金栅a-Si TFT研究 被引量：1

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作者 熊绍珍 赵颖 +6 位作者 王宗畔 谷纯芝 王丽莉 李俊峰 周祯华 代永平 姚伦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期771-775,共5页

本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a－SiTFT中的应用．所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6．6μΩ·cm，与纯铝的相近．Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强，有效地抑制了小丘（Hillock）的产生和阳极氧化时的... 本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a－SiTFT中的应用．所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6．6μΩ·cm，与纯铝的相近．Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强，有效地抑制了小丘（Hillock）的产生和阳极氧化时的被腐蚀现象．采用Al∶Ti合金栅和Al2O3／SiNx双层绝缘层的a-SiTFT有着与采用Ta栅和单层SiNx绝缘层的a－SiTFT相近的I－V参数，但前者稳定性明显提高．经+10V栅偏压处理1小时，未见VT漂移．这种双层冗余技术还能有效提高成品率． 展开更多

关键词 半导体 铝钛合金栅 硅栅器件 α-硅 TFT

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双掺杂多晶Si栅MOSFET的截止频率研究 被引量：1

17

作者 齐锐 代月花 +1 位作者 陈军宁 李俊生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期534-537,共4页

在前期对双掺杂多晶Si栅(DDPG)LDMOSFET的电场、阈值电压、电容等特性所作分析的基础上,仍然采用双掺杂多晶Si栅结构,以低掺杂漏/源MOS(LDDMOS)为基础,重点研究了DDPG-LDDMOSFET的截止频率特性。通过MEDICI软件,模拟了栅长、栅氧化层厚... 在前期对双掺杂多晶Si栅(DDPG)LDMOSFET的电场、阈值电压、电容等特性所作分析的基础上,仍然采用双掺杂多晶Si栅结构,以低掺杂漏/源MOS(LDDMOS)为基础,重点研究了DDPG-LDDMOSFET的截止频率特性。通过MEDICI软件,模拟了栅长、栅氧化层厚度、源漏区结深、衬底掺杂浓度以及温度等关键参数对器件截止频率的影响,并与相同条件下p型单掺杂多晶Si栅(p-SDPG)MOSFET的频率特性进行了比较。仿真结果发现,在栅长90 nm、栅氧厚度2 nm,栅极p,n掺杂浓度均为5×1019cm-3条件下,截止频率由78.74 GHz提高到106.92 GHz,幅度高达35.8%。此结构很好地改善了MOSFET的频率性能,得出的结论对于结构的设计制作和性能优化具有一定的指导作用,在射频领域有很好的应用前景。 展开更多

关键词 双掺杂多晶Si栅 低掺杂漏/源MOS 栅极掺杂浓度 截止频率 MEDICI软件

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高增益硅超高频功率SIT 被引量：1

18

作者 梁法国 夏曼 刘红兵 《半导体情报》 1996年第4期24-27,共4页

采用全自对准介质盖栅工艺，通过合理设计，研制成功一种高增益硅超高频功率ＳＩＴ。在４００ＭＨｚ工作频率、５０Ｖ工作电压下，其输出功率Ｐｏ为４０Ｗ，漏极效率η＿Ｄ接近６０％，功率增益Ｇｐ高达１６ｄＢ。Ｐｏ＝２５Ｗ时，三阶... 采用全自对准介质盖栅工艺，通过合理设计，研制成功一种高增益硅超高频功率ＳＩＴ。在４００ＭＨｚ工作频率、５０Ｖ工作电压下，其输出功率Ｐｏ为４０Ｗ，漏极效率η＿Ｄ接近６０％，功率增益Ｇｐ高达１６ｄＢ。Ｐｏ＝２５Ｗ时，三阶交调３ＩＭ为－１６ｄＢ；Ｐｏ＝２．５Ｗ时，３ＩＭ为－５０ｄＢ。 展开更多

关键词 硅 高增益 SIT 半导体器件 制造工艺

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LET引线框通用精密硬质合金级进模设计

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作者 曹阳根 张恩霞 +1 位作者 秦秀珍 刘筱倩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1105-1107,1132,共4页

发光三极管的引线框结构较为精细,产量很大,用高速冲床生产,对模具的精度和寿命要求很高。设计了25工位两件通用冲压排样方案和相应的精密硬质合金级进模,该模具能够通过更换局部凸模通用于两个不同类型的发光管引线框的冲压生产。凸模... 发光三极管的引线框结构较为精细,产量很大,用高速冲床生产,对模具的精度和寿命要求很高。设计了25工位两件通用冲压排样方案和相应的精密硬质合金级进模,该模具能够通过更换局部凸模通用于两个不同类型的发光管引线框的冲压生产。凸模、凹模和卸料板的镶件部分均采用了硬质合金。经制造、调试达到了大批量、高精度、可通用的要求。 展开更多

关键词 发光三极管 引线框 通用 精密 级进模

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一种1.5～2μm双掺杂多晶硅栅CMOS工艺研究

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作者 谭开洲 胡永贵 张家斌 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期119-122,共4页

采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺，进行１．５～２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比，做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８～２３Ｖ，５Ｖ工作电压下沟道调制效应较小，相应的欧拉电压可达２５～３０Ｖ，工艺特点在于采用了硼... 采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺，进行１．５～２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比，做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８～２３Ｖ，５Ｖ工作电压下沟道调制效应较小，相应的欧拉电压可达２５～３０Ｖ，工艺特点在于采用了硼掺杂多晶硅作ＰＭＯＳ管栅电极，磷掺杂多晶硅作ＮＭＯＳ管栅电极。 展开更多

关键词 CMOS工艺 多晶硅栅 PMOS晶体管

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