MOS结构Si/SiO_2界面态的电荷泵测量 被引量：4

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作者 张国强 王国彬 +2 位作者 余学锋 任迪远 严荣良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期344-349,共6页

建立了一套进行MOS结构Si／SiO2界面态电荷泵测量的测试系统，其发展的快速电荷泵技术可使界面态测量速度达到5次／秒．分析研究了泵电流与Si／SiO2界面态测量之间所应关注的技术细节．借助于电荷泵法，研究了PMOSFETSi／SiO2界面态在... 建立了一套进行MOS结构Si／SiO2界面态电荷泵测量的测试系统，其发展的快速电荷泵技术可使界面态测量速度达到5次／秒．分析研究了泵电流与Si／SiO2界面态测量之间所应关注的技术细节．借助于电荷泵法，研究了PMOSFETSi／SiO2界面态在辐照和退火过程中生长和退火的行为规律． 展开更多

关键词 MOS结构 硅 氧化硅 界面态 电荷泵 测量

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利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量 被引量：1

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作者 张正选 罗晋生 +3 位作者 袁仁峰 何宝平 姜景和 罗尹虹 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期128-129,132,共3页

本文利用MOSFET亚阈IV曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量.

关键词 I-V特性 辐射 界面陷阱 MOSFET

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单粒子烧毁、栅穿效应的电路模拟与测试技术

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作者 唐本奇 王燕萍 +1 位作者 耿斌 杜凯 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2000年第4期56-59,共4页

建立了功率MOS器件单粒子烧毁、栅穿效应的等效电路模型 ,介绍了模型参数提取方法。采用PSPICE电路模拟程序 ,对单粒子烧毁、栅穿效应机理进行了模拟和分析 ,建立了利用Cf 2 52裂片源模拟空间重离子单粒子烧毁、栅穿效应的测试装置。实... 建立了功率MOS器件单粒子烧毁、栅穿效应的等效电路模型 ,介绍了模型参数提取方法。采用PSPICE电路模拟程序 ,对单粒子烧毁、栅穿效应机理进行了模拟和分析 ,建立了利用Cf 2 52裂片源模拟空间重离子单粒子烧毁、栅穿效应的测试装置。实验结果表明 ,本文建立的模拟方法。 展开更多

关键词 电路模拟 功率MOS器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿

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MOS器件1/f噪声理论及应用

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作者 方志豪 朱秋萍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期37-43,共7页

本文推出MOS器件1/f噪声理论,可以用于包括强反型亚饱和区及饱和区在内的任何漏压偏置状态,是迄今适用范围最宽的一种理论。利用本理论,可以通过噪声测量确定器件的一些特性参数,从而提出一种不同于传统方法的参数测试新方法。这些研究... 本文推出MOS器件1/f噪声理论,可以用于包括强反型亚饱和区及饱和区在内的任何漏压偏置状态,是迄今适用范围最宽的一种理论。利用本理论,可以通过噪声测量确定器件的一些特性参数,从而提出一种不同于传统方法的参数测试新方法。这些研究表明,本理论有很好的实用价值。 展开更多

关键词 MOS器件 1/f噪声 亚饱和区 饱和区

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MNOS晶体管的存储特性及其测量方法

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作者 钟雨乐 赵守安 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期25-27,37,共4页

本文介绍了MNOS晶体管的存储特性,包括开关滞后特性、写擦特性、存储电荷保留特性和耐久性.提出了测量这些特性的一种有效方法,并给出了研制中的MNOS晶体管的测量结果.

关键词 MNOS晶体管 存储特性 测量

全文增补中

MOS器件鸟咀区非本征电容研究

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作者 戚盛勇 俞权 彭军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期773-776,共4页

在ＭＯＳ结构的窄沟器件、倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂散电容的影响，不易测准．本文研究了精确测量Ｃｇｂ０的方法，同时也发现它的值不... 在ＭＯＳ结构的窄沟器件、倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂散电容的影响，不易测准．本文研究了精确测量Ｃｇｂ０的方法，同时也发现它的值不是常数，并给出了Ｃｇｂ０随Ｖｇｂ变化的经验公式． 展开更多

关键词 MOS器件 非本征电容 测量

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IDDQ测试生成系统模拟实现

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作者 张新林 《湘潭大学自然科学学报》 EI CAS CSCD 1999年第2期117-120,共4页

采用了一种新的电路描述方法，适用于ＣＭＯＳ开关级电路及桥接故障模型；给出了几个主要的数据类型及操作；介绍了基本算法，并分析了算法的主要特点；根据这一算法，设计了一个实用测试生成系统，并以标准电路Ｔ７４１８１为例。

关键词 IDDQ测试 桥接故障 测试生成系统 CMOS电路

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轻掺杂漏LDDMOS FET的BV_(DS)与低级击穿电压 被引量：1

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作者 余山 章定康 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第1期36-38,共3页

本文对测试的LDD结构BV_(DS)和低级击穿电压进行了分析。结果表明,BV_(DS)与低级击穿电压的机理完全不一样,常规MOSFET的衬底电流解析式应用于LDD MOSFET时需要进行修正。

关键词 LDDMOSFET BVDS 击穿电压 MOS器件

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高输入阻抗MOSFET工艺探讨

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作者 马瑞芬 张宝才 郭晓丽 《山东电子》 1998年第4期24-25,共2页

本文以管芯为主，讨论了如何从工艺角度，实现高输入阻抗，涉及的主要工艺有：栅氧化、蒸发、光刻。

关键词 MOS管 光刻 蒸发 栅氧化 MOSFET

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大功率MOS场效应管电气参数的测量方法

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作者 从余 《实用影音技术》 1999年第8期51-52,共2页

大功率MOS场效应管是音频功率放大器中经常使用的功率放大器件之一。其性能的优劣直接关系到放大器性能的好坏。为了选好、用好大功率MOS场效应管,我们必需对大功率MOS场效应管电气参数的测量方法有所了解。本文以2SK2614为例进行介绍... 大功率MOS场效应管是音频功率放大器中经常使用的功率放大器件之一。其性能的优劣直接关系到放大器性能的好坏。为了选好、用好大功率MOS场效应管,我们必需对大功率MOS场效应管电气参数的测量方法有所了解。本文以2SK2614为例进行介绍。一、栅极漏电电流I_(GSS)I_(GSS)是场效应管漏极源极间电压为OV时栅极的漏电电流。测量电路如图1所示,将漏极源极用导线短接。 展开更多

关键词 MOS 场效应管 电气参数 测量

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万用表测试MOSFET

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作者 魏勤 《山东通信技术》 2000年第2期33-33,40,共2页

本文从绝缘门栅型场效应晶体管的结构、工作机理方面分析了用普通万用表测试其外部特性的途径,并提出了一种简单实用的测试方法,为一般电子设备维修人员提供了一项有用的经验。

关键词 测试 场效应晶体管 万用表

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IDDQ令人费尽心思 被引量：1

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作者 陈思成 《国外电子测量技术》 1997年第6期17-19,共3页

当CMOS器件的静态电流(I_(DDQ))测试作为一种几乎必不可少的和十分有价值的测试技术,而引起人们越来越多的注意时,对其应用前景的疑问也随之出现。在1996年IEEE国际测试会议上这两方面都表现得十分明显。 第二届IEEE I_(DDQ)测试研讨会... 当CMOS器件的静态电流(I_(DDQ))测试作为一种几乎必不可少的和十分有价值的测试技术,而引起人们越来越多的注意时,对其应用前景的疑问也随之出现。在1996年IEEE国际测试会议上这两方面都表现得十分明显。 第二届IEEE I_(DDQ)测试研讨会聚集了众多的与会者。但这个会议上,一个名为“在亚微米技术下,I_(DDQ)测试会逐渐消失吗?”的研究小组预测,I_(DDQ)很可能会失去生命力。 导致九十年代后期I_(DDQ)测试升温的因素包括: 展开更多

关键词 静态电流 IDDQ测试 CMOS器件

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