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GaAs功率MESFET热阻测试与分析 被引量：6
1
作者 李祖华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期50-58,共9页
通过对ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的热阻分析、测试及相关热试验，促进芯片结构的优化设计和工艺控制，能有效地提高ＧａＡｓ器件的可靠性，以延长通讯卫星及微波电子整机的使用寿命。
关键词 砷化镓 热阻 可靠性 场效应晶体管
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我厂N沟道耗尽型场效应晶体管的失效分析及改进效果
2
作者 肖清华 汤实诚 《电子产品可靠性与环境试验》 1998年第5期34-36,44,共4页
本文介绍了我厂贯军标代表品种场效应器件的主要失效模式，并针对失效机理采取了措施，取得了一定的效果。
关键词 耗尽型 场效应晶体管 失效分析 可靠性
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功率VDMOS场效应晶体管的可靠性（3）
3
作者 韩卓人 《半导体杂志》 1993年第4期26-35,共10页
关键词 场效应晶体管 可靠性 VDMOS
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功率VDMOS场效应晶体管的可靠性（2）
4
作者 韩卓人 《半导体杂志》 1993年第3期36-49,共14页
关键词 场效应晶体管 可靠性 VDMOS
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PFWM120的设计与可靠性研究
5
作者 王世明 吴又生 邓柱兵 《光通信研究》 北大核心 1999年第5期50-54,共5页
本文介绍为朗讯ＯＴＵＬ－ １４０ 系统设计的一种高性能、高可靠性的１４０ Ｍｂｉｔ／ｓ ＰＩＮ－ ＦＥＴ组件的设计以及对组件进行严格的可靠性试验。试验表明，该组件具有无需调试，灵敏度好，性能稳定，适于量产等优点。
关键词 PIN-FET组件 可靠性 PFWM120 设计 场效应器件
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