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InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作 被引量：1
1
作者 胡明 刘志刚 +1 位作者 张之圣 王文生 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期498-501,共4页
利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2／V.s，晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200～500Ω，乘积灵... 利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2／V.s，晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200～500Ω，乘积灵敏度达90～150V／A·T。 展开更多
关键词 INSB薄膜 真空蒸发 霍尔元件 电子迁移率
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