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金属Sn氧化薄膜的真空退火与原位XPS测量 被引量：6
1
作者 严辉 马黎君 +3 位作者 陈光华 黄世平 文华杰 郭伟民 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期65-70,共6页
本文研究了在真空退火过程中金属Sn氧化薄膜表面L元素Sn和O的化学性质．利用X射线光电子能谱（XPS）的表面分析方法，发现在金属Sn氧化薄膜的表面上存在大量的吸附氧粒子（O-和）提高真空退火温度，吸附氧粒子的数量增加；同时吸附氧粒... 本文研究了在真空退火过程中金属Sn氧化薄膜表面L元素Sn和O的化学性质．利用X射线光电子能谱（XPS）的表面分析方法，发现在金属Sn氧化薄膜的表面上存在大量的吸附氧粒子（O-和）提高真空退火温度，吸附氧粒子的数量增加；同时吸附氧粒子的负电性变弱．当退火温度低于350℃时，吸附氧粒子数量的增加是起因于SnO2→Sn2O3的转变；在这种情况下，可以观察到Sn2O3是相对稳定的金属Sn氧化物，继续提高退火温度，达到400℃时，Sn在金属Sn中的相对含量急剧增大，Sn在金属Sn中相对含量增加的原因与金属Sn的价态Sn3+→Sn0的转变相关在这个转变过程中伴随着O的释放和薄膜表面氧粒子的进一步堆积．与温度低于350℃时的退火条件相比，XPS的测量也发现，在400℃的退火温度下；SnO2相对于Sn2O3反而成为比较稳定的金属Sn氧化物．还讨论了金属Sn氧化薄膜表面上吸附氧粒子的吸附状态以及吸附状态与退火温度的关系． 展开更多
关键词 氧化薄膜 高温退火 XPS 测量 锡 气敏器件
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MgO对ZnO压敏电阻电性能的影响 被引量：2
2
作者 许毓春 李慧峰 +1 位作者 王礼琼 王士良 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第2期114-116,共3页
研究了ＭｇＯ掺杂对ＺｎＯ压敏电阻电性能的影响。结果表明，ＭｇＯ含量增加，压敏场强Ｅ１ｍａ＝Ｖ１ｍＡ／ｄ上升，通流能力增强，非线性指数α和漏电流ＩＬ变化不大。文中还对上述结果进行了理论分析。
关键词 压敏电阻 掺杂 电性能 氧化锌 氧化镁
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射频溅射-热处理法研制SnO_2薄膜 被引量：1
3
作者 蒙冕武 邓希敏 刘明登 《传感器世界》 1998年第11期10-15,共6页
本文比较详细地研究射频溅射Sn膜—热处理氧化制备SnO_2薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响,得到了采用该新工艺制备SnO_2薄膜的最佳条件:首先采用350W×0.10Pa×20min的射频溅射工艺制备 β-Sn膜;然后采用在550～650℃温度条件下... 本文比较详细地研究射频溅射Sn膜—热处理氧化制备SnO_2薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响,得到了采用该新工艺制备SnO_2薄膜的最佳条件:首先采用350W×0.10Pa×20min的射频溅射工艺制备 β-Sn膜;然后采用在550～650℃温度条件下保温2～3h的热处理工艺制备出SnO_2薄膜。X-射线衍射实验结果表明,在该工艺条件下可以得到非常细小均匀的纳米级SnO_2晶体结构,为薄膜型SnO_2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。 展开更多
关键词 射频溅射 薄膜 气敏元件 二氧化锡 研制
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离子束刻蚀深度检测技术的研究 被引量：1
4
作者 赵光兴 洪彩云 +2 位作者 张英杰 陈洪 杨国光 《微细加工技术》 1999年第1期74-78,共5页
将光学薄片用作敏感元件，利用激光干涉原理，将离子束刻蚀深度的信息转换为可测的激光干涉条纹的移动信息。这对微光学元件的离子束微细加工具有现实意义。对敏感元件与传感元件间的耦合进行了探讨，给出了振动误差的抑制措施。
关键词 离子束 刻蚀 测量 敏感元件
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焊接工艺的改进
5
作者 刘显战 张巧云 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第2期136-138,共3页
介绍了压电角速率传感器用敏感元件的焊接及密封工艺的改进。采用新工艺后，敏感元件的成本降低，可靠性提高及性能得到了改善。将该工艺应用到低频滤波器用谐振子中，同样得到了满意的结果。
关键词 焊接 密封 敏感元件 谐振子
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非晶态SiO_2掺杂Fe^（2＋）薄膜气敏特性的研究 被引量：3
6
作者 陈康 王忠诚 耿殿丽 《传感器技术》 CSCD 1996年第1期5-10,共6页
研制成功一种以ＳｉＯ２作为主体，掺杂Ｆｅ２＋离子薄膜制备的气敏元件，对ＣＯ气体有良好的气敏特性。它的线性范围为１．２×１０－４～８．９２×１０－３ｍｏｌ·ｄｍ－３，检测下限为５×１０－５ｍｏｌ·ｄ... 研制成功一种以ＳｉＯ２作为主体，掺杂Ｆｅ２＋离子薄膜制备的气敏元件，对ＣＯ气体有良好的气敏特性。它的线性范围为１．２×１０－４～８．９２×１０－３ｍｏｌ·ｄｍ－３，检测下限为５×１０－５ｍｏｌ·ｄｍ－３３，响应速度≤５ｓ．本工作以非晶态半导体的Ｍｏｔｔ－Ｄａｖｉｓ能带模型结合表面吸附理论，初步探讨了该材料的气敏机理，确立了元件阻值Ｒ与吸附浓度Ｃ的关系方程，以此解释元件的气敏特性．该方程对非晶态ＳｉＯ２掺杂薄膜是普遍适用的。 展开更多
关键词 氧 气敏元件 非晶态 掺杂 二氧化硅 铁
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MQLQ-11型气敏元件的研制 被引量：1
7
作者 段春名 《传感器世界》 1999年第5期18-20,共3页
本文介绍了MQLQ-11型硫化氢气体传感器,论述了元件的材料制备、制作工艺及性能。
关键词 硫化氢 氧化锌 传感器 气敏元件
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改进工艺手段提高色敏传感器蓝、紫光特性
8
作者 朱健 《电子机械工程》 1998年第4期62-64,共3页
本文论述了通过浅硼扩散、氧化退火处理、磷扩散、控制光刻工艺的套刻精度等工艺手段研制成功的光电二极管，其在蓝、紫光方面的光电特性具有明显的优越性。
关键词 光电二极管 色敏传感器 制造工艺
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表面覆膜法氢敏元件的研制及其选择性的研究 被引量：2
9
作者 黎丽琳 王维臣 《传感器世界》 1997年第9期40-42,共3页
本文介绍了采用表面修饰技术,利用气敏元件表面覆盖生长的SiO_2分子膜的滤过作用,得到高选择性SnO_2半导体H_2敏感元件的方法,并对元件的特性及机理进行了分析.
关键词 灵敏度 稳定性 表面覆膜 半导体 气敏元件
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