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高性能铌酸锂光学电场传感器
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作者 宋伟 董曼玲 +6 位作者 张保红 寇晓适 黄小川 辛伟峰 石泽岩 詹振宇 周晓妍 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期181-188,共8页
基于电光效应的光学电场传感器凭借其大场强测量范围和高灵敏度等优势,正逐步取代传统电学电场传感器。针对高压直流应用场景对高精度电场实时监测的迫切需求,本文提出了一种基于Pockels效应的Z-cut铌酸锂光学电场传感器。该传感器采用... 基于电光效应的光学电场传感器凭借其大场强测量范围和高灵敏度等优势,正逐步取代传统电学电场传感器。针对高压直流应用场景对高精度电场实时监测的迫切需求,本文提出了一种基于Pockels效应的Z-cut铌酸锂光学电场传感器。该传感器采用全光纤无源结构设计,通过精密光学系统实现电场-光强的高效转换,其核心创新点体现在:采用紧凑型设计(尺寸仅为Ф55 mm×80 mm),在保持1800 kV/m超高场强耐受能力的同时,仍可检测到低至25 kV/m弱电场信号;在0℃和20℃特征温度点下,响应曲线标准差分别达到6.7×10^(-4)和3.9×10^(-4),展现出优异的温度稳定性;全光纤无源结构设计有效解决了传统传感器抗干扰能力差等关键问题。实验结果表明,该传感器有望应用于高压直流场景下的电场监测,同时为新一代电场传感器的研发提供了技术方案。 展开更多
关键词 光学电场传感器 POCKELS效应 Z-cut铌酸锂 高压直流
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双金属离子掺杂调控准二维钙钛矿薄膜光学性质
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作者 季思航 胡言松 +1 位作者 张婉怡 袁曦 《半导体光电》 北大核心 2026年第1期116-123,共8页
准二维铅卤钙钛矿薄膜(A_(2)B_(n-1)Pb_(n)Br_(3n+1))具有发光线宽窄、激子束缚能高和载流子扩散寿命长等优势,但该材料在发光效率和光稳定性方面仍存在不足,在多种实际应用场景中仍然面临挑战。为此,文章提出一种双金属协同掺杂策略,... 准二维铅卤钙钛矿薄膜(A_(2)B_(n-1)Pb_(n)Br_(3n+1))具有发光线宽窄、激子束缚能高和载流子扩散寿命长等优势,但该材料在发光效率和光稳定性方面仍存在不足,在多种实际应用场景中仍然面临挑战。为此,文章提出一种双金属协同掺杂策略,以增强薄膜的光量子产率。通过在准二维锌钛矿(BA_(2)MA_(n-1)Pb_(n)Br_(3n+1))薄膜中共掺杂Cs^(+)和Cd^(2+)离子,显著优化了薄膜的光学性能和相稳定性。X射线衍射证实了准二维钙钛矿的结构演变,层数从n=1增加至n>3。扫描电子显微镜展示出掺杂薄膜的平坦形貌、表面针孔被有效修饰。X射线光电子能谱特征峰证明,Cs^(+)和Cd^(2+)离子被有效掺杂到晶格。光谱分析表明,一价Cs^(+)离子掺杂会迫使准二维钙钛矿层数增加,导致使激子发光峰红移,而二价Cd^(2+)离子掺杂会引起晶格收缩,导致激子发光蓝移。将这两种金属离子引入晶格后,有效钝化了薄膜的能级缺陷态,延长了带边的复合寿命,进而提高了薄膜量子产率至85%。此外,Cs^(+)和Cd^(2+)离子的协同作用改善了薄膜的相稳定性,在12 h后仍能维持高质量发光。 展开更多
关键词 准二维钙钛矿薄膜 金属离子掺杂 缺陷态 光致发光 相稳定性
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空间高效三结砷化镓太阳电池电子辐照研究
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作者 李彬 殷茂淑 +4 位作者 曹万水 仇恒抗 胡南滔 邵枫 姚路 《微纳电子技术》 2026年第2期67-74,共8页
空间太阳电池作为航天器主要能量来源会受到来自空间高能粒子辐照作用,因此,航天器太阳电池阵设计时必须考虑空间电子辐照引起的性能损失,将辐照衰降以辐照损失因子形式体现在太阳电池阵重要参数设计中,使末期输出功率满足航天器需求,... 空间太阳电池作为航天器主要能量来源会受到来自空间高能粒子辐照作用,因此,航天器太阳电池阵设计时必须考虑空间电子辐照引起的性能损失,将辐照衰降以辐照损失因子形式体现在太阳电池阵重要参数设计中,使末期输出功率满足航天器需求,避免太阳电池阵性能衰减影响整星功率输出。对光电转换效率为34%的空间高效三结砷化镓太阳电池的电子辐照损失因子进行了测算,分析了特定剂量电子辐照试验后电性能随时间变化情况。通过累计通量为1×1013 e/cm2的电子能量1 MeV电子辐照试验及光退火试验,得到34%空间高效三结砷化镓太阳电池最佳工作点电压和电流的辐照损失因子分别为2.7%和1.8%,光退火处理使最佳工作点电压和电流分别恢复了1.65%和0.22%。这对其空间推广应用、提升卫星太阳翼质量比功率、降低发射成本具有重要意义。 展开更多
关键词 砷化镓太阳电池 电子辐照 辐照损失 空间太阳电池阵 最佳工作点
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不同电极材料AlN基3D-MSM紫外探测器设计与仿真分析
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作者 李滔 饶浩勇 宋文青 《传感器与微系统》 北大核心 2026年第3期101-105,共5页
金属—半导体—金属(MSM)紫外探测器在紫外杀毒、光纤通信、导弹追踪、航空航天等方面具有广泛的应用。根据传统MSM紫外探测器,设计了一种基于氮化铝(AlN)的3D-MSM器件,然后设计了不同金属电极材料(Al-Al、Ni-Ni、Ni-Al)3D-MSM器件,利用... 金属—半导体—金属(MSM)紫外探测器在紫外杀毒、光纤通信、导弹追踪、航空航天等方面具有广泛的应用。根据传统MSM紫外探测器,设计了一种基于氮化铝(AlN)的3D-MSM器件,然后设计了不同金属电极材料(Al-Al、Ni-Ni、Ni-Al)3D-MSM器件,利用APSYS仿真软件分析了AlN基3D-MSM器件光电流、暗电流、响应度、时间光电响应及外量子效率等性能参数对器件性能的影响规律。仿真结果表明:3D-MSM器件的3D结构优化了器件的电场分布,有效提升了2个电极间的电场强度,这一改进有益于降低由Ni-Al电极材料在3D-MSM器件内因不同接触势垒高度造成的内部电场。同时,在刻蚀过程引入的刻蚀缺陷有助于金属与AlN接触界面合金的形成,这进一步降低了接触势垒,因此,3D-MSM器件有助于减少不同电极材料导致的器件性能差异。 展开更多
关键词 金属-半导体-金属 氮化铝 3D 紫外探测器 响应度
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面向高温应用的压电振动能量收集器设计
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作者 屈国浩 周兴 +6 位作者 靳旭 明仕林 王立闻 腾小军 罗阳 张扬 伍剑波 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期53-59,共7页
在工业应用中,为了实现封闭式大型水轮发电机定子运行状态监测传感器的自供能,需要将发电机定子运行过程中产生的振动能量转化为电能。然而发电机定子运行时产生的高温,成为制约自供电技术发展的关键挑战。本文根据发电机组内部温度环... 在工业应用中,为了实现封闭式大型水轮发电机定子运行状态监测传感器的自供能,需要将发电机定子运行过程中产生的振动能量转化为电能。然而发电机定子运行时产生的高温,成为制约自供电技术发展的关键挑战。本文根据发电机组内部温度环境和振动频率特征,利用扫频仿真手段并调整末端质量块,将谐振频率调整到50 Hz;提出了一种基于PZT材料的悬臂梁式耐高温压电振动能量收集方法,并在此基础上研制了能量收集器。实验结果表明,该能量收集器能产生9.45 mW充电功率,用于给超级电容充电时约17 min充电至5.35 V。在120℃极限温度条件下,该装置持续工作30 min后仍保持1.85 mV输出功率。这为高温环境下振动能量收集提供了新的解决方案,具有重要的工程应用价值。 展开更多
关键词 振动能量收集 压电效应 悬臂梁结构 耐高温 谐振频率
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混合维度CsPbBr_(3)/VO_(2)异质结构的制备及其在光探测中的应用
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作者 陈琴棋 张春阳 +3 位作者 易荣锋 云文磊 苏志城 郭喜涛 《微纳电子技术》 2026年第2期75-84,共10页
全无机钙钛矿CsPbBr_(3)因其优异的光电特性和环境稳定性,近年来在光电探测领域引起了巨大的研究兴趣。然而,受限于CsPbBr_(3)材料的本征光学带隙(~2.2 eV),其光谱响应通常限制在了560 nm以内。在此,采用一个简便的的两步法,即先离心铸... 全无机钙钛矿CsPbBr_(3)因其优异的光电特性和环境稳定性,近年来在光电探测领域引起了巨大的研究兴趣。然而,受限于CsPbBr_(3)材料的本征光学带隙(~2.2 eV),其光谱响应通常限制在了560 nm以内。在此,采用一个简便的的两步法,即先离心铸造后压力辅助热退火,成功地制备了CsPbBr_(3)纳米晶与VO_(2)纳米线(VO_(2) NW)网络的混合维度异质结构(typeⅡ型),利用二者的协调优势,拓宽了CsPbBr_(3)基光电探测器的光谱响应范围。研究结果表明,该异质结构光电探测器对不同光波段包括447、520、637 nm均表现出较好的光电流响应(纳安量级)和较快的响应速度(毫秒量级)。该研究工作为钙钛矿混合维度异质结的构建提供了一种可行的制造方法,也为宽光谱钙钛矿光电器件的实现提供了一种新思路。 展开更多
关键词 CsPbBr_(3) VO_(2)纳米线 离心铸造 压力协助热退火 混合维度异质结构 光电探测器
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压力诱导WS_(2)纳米管光电性能的显著提升
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作者 姜懿峰 岳磊 +3 位作者 魏子寓 赵晓续 李全军 刘冰冰 《物理学报》 北大核心 2026年第3期38-45,共8页
探索功能材料光电性能优化的有效途径对于新一代光电子器件的发展至关重要.然而现有调控策略常存在工艺复杂等问题,且一维过渡金属硫族化合物(TMDs)在极端条件下的结构演化与光电性能提升的内在关系尚不明确,制约了光电性能的进一步提升... 探索功能材料光电性能优化的有效途径对于新一代光电子器件的发展至关重要.然而现有调控策略常存在工艺复杂等问题,且一维过渡金属硫族化合物(TMDs)在极端条件下的结构演化与光电性能提升的内在关系尚不明确,制约了光电性能的进一步提升.本研究通过压力调控实现了WS_(2)纳米管(NT-WS_(2))光电响应特性的显著增强.在13.5 GPa压力下,器件响应度提升至43.75 A/W,较初始值提高近2个数量级,外量子效率和比探测率也分别提高约67倍和10倍.高压原位X射线衍射与拉曼光谱结果表明,NTWS_(2)光电性能的提升源于压力下层间作用增强导致的带隙收缩,以及纳米管致密堆积改善了载流子输运性能.本工作不仅深化了一维TMDs在极端条件下光电演化规律的理解,也为高性能纳米光电子器件的设计与优化提供了新的思路. 展开更多
关键词 高压 过渡金属硫族化合物 纳米管 光电响应
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二维莫尔材料的制备及新奇物性
8
作者 曹品品 陈瑞杰 +1 位作者 郝玉英 樊晓鹏 《应用光学》 北大核心 2026年第1期80-97,共18页
莫尔材料中存在周期性的莫尔超晶格,是天然人工量子系统,其独特的电子能带结构及新奇物性使其在电子学、光电子学等领域具有潜在应用价值,是延续摩尔定律的候选电子材料。当下,二维莫尔材料的研究范畴已从单一材料体系拓展到多元异质结... 莫尔材料中存在周期性的莫尔超晶格,是天然人工量子系统,其独特的电子能带结构及新奇物性使其在电子学、光电子学等领域具有潜在应用价值,是延续摩尔定律的候选电子材料。当下,二维莫尔材料的研究范畴已从单一材料体系拓展到多元异质结构,从双层堆叠发展到多层堆叠,从固定转角延伸到转角连续可调,为探索强关联电子体系和拓扑量子态提供了全新的平台。如何大批量、产业化制备高质量二维莫尔材料,探究其内在性质,推动其在半导体领域的应用是亟待解决的重要问题。综述了近年来二维莫尔材料的研究进展,包括材料的制备方法以及在实验中发现的多种新奇物性,并对二维莫尔材料的研究现状进行了总结和展望。 展开更多
关键词 二维莫尔材料 过渡金属硫族化合物 莫尔超晶格 石墨烯
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Bi_(2)O_(3)/Bi_(2)S_(3)异质结材料的制备及其光电探测性能研究
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作者 方向明 张荣科 +4 位作者 孙宇 武韦羽 朱建华 游秀芬 高世勇 《中国光学(中英文)》 北大核心 2025年第5期1036-1043,共8页
采用热聚法结合室温溶液法制备了Bi_(2)O_(3)/Bi_(2)S_(3)异质结复合材料,并对其微观形貌、晶体结构和元素组成等进行了表征。结果表明Bi_(2)O_(3)/Bi_(2)S_(3)异质结复合材料整体呈现为块状形貌且有孔洞存在,表面相对粗糙。基于所制备... 采用热聚法结合室温溶液法制备了Bi_(2)O_(3)/Bi_(2)S_(3)异质结复合材料,并对其微观形貌、晶体结构和元素组成等进行了表征。结果表明Bi_(2)O_(3)/Bi_(2)S_(3)异质结复合材料整体呈现为块状形貌且有孔洞存在,表面相对粗糙。基于所制备的Bi_(2)O_(3)/Bi_(2)S_(3)异质结复合材料,构筑了光电探测器。在无外加偏压条件下,Bi_(2)O_(3)/Bi_(2)S_(3)探测器暴露在紫外光下的最大光电流(0.32μA)和响应速度(65.65/80.56 ms)相比Bi_(2)O_(3)探测器均得到了明显增强。此外,该器件可将Bi_(2)O_(3)的探测波段从紫外拓宽至可见光,并且在可见光波段也具有快速稳定的自驱动探测能力。这主要是由于Bi_(2)O_(3)和窄带隙Bi_(2)S_(3)半导体成功耦合,形成了II型能带结构的异质结复合材料。值得注意的是,连续开/关蓝光100次的光电探测性能测试结果表明,Bi_(2)O_(3)/Bi_(2)S_(3)探测器具有良好的循环稳定性。 展开更多
关键词 Bi_(2)O_(3) Bi_(2)S_(3) 光电探测器 异质结
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灰色预测数学模型下车床切削振动时滞控制
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作者 牛晓晓 孙云霞 《机械设计与制造》 北大核心 2026年第2期233-237,共5页
数控车床刀具与工件之间的摩擦力在切削过程中经历“粘滞”和“滑移”的交替变化,引发切削操作出现振动时滞特性,而传统方法难以有效补偿振动产生的时滞叠加效应,导致控制精度下降。为此,提出灰色预测数学模型下车床切削振动时滞控制方... 数控车床刀具与工件之间的摩擦力在切削过程中经历“粘滞”和“滑移”的交替变化,引发切削操作出现振动时滞特性,而传统方法难以有效补偿振动产生的时滞叠加效应,导致控制精度下降。为此,提出灰色预测数学模型下车床切削振动时滞控制方法。计算数控车床动态切削力,将动态切削力输入到建立的切削动力学模型中,获取振动频率;构建灰色预测模糊可拓控制器,将振动频率作为输入量,由灰色预测模糊可拓控制器预测输出的偏差;针对切削过程中刀具与工件之间摩擦力交替变化产生的时滞特性,结合预测偏差,通过灰色预测模糊可拓控制器对振动位移展开时滞叠加补偿,抵消时滞对车床的影响,实现对切削振动的有效控制。实验结果表明,所提方法使振动位移峰值从±20μm降至±10μm,且补偿6s后仍保持持续衰减趋势,阶跃响应超调量最小,振动控制时间缩短在5s内。 展开更多
关键词 灰色预测数学模型 切削振动 时滞控制 可拓控制理论 振动位移
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快速一步液相沉积法制备的高性能单晶CsPbBr_(3)光电探测器
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作者 苏志城 云文磊 +2 位作者 黄子林 陈琴棋 郭喜涛 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期30-36,共7页
金属卤化物钙钛矿具有优异的光电特性,然而,通过溶液技术制备钙钛矿光电探测器仍存在工艺繁琐且耗时的问题。通过快速一步液相沉积法,在叉指金电极上直接合成大尺寸的CsPbBr3微米片,并构建了基于单晶钙钛矿的光电探测器。所合成的CsPbBr... 金属卤化物钙钛矿具有优异的光电特性,然而,通过溶液技术制备钙钛矿光电探测器仍存在工艺繁琐且耗时的问题。通过快速一步液相沉积法,在叉指金电极上直接合成大尺寸的CsPbBr3微米片,并构建了基于单晶钙钛矿的光电探测器。所合成的CsPbBr3微米片具有光滑的表面、优异的结晶性以及极低的缺陷密度(4.58×10^(11)cm^(-3))。得益于这些优势,该CsPbBr_(3)微米片光电探测器在447 nm波长光照下综合性能优异,显示出1.72 A/W的高响应度、8.2×10^(11)Jones的大比探测率和超快的响应速度(上升/下降时间为95.7μs/73.6μs)。本研究为高质量CsPbBr3的制备及其高性能光电器件的集成提供了简单、快速的途径。 展开更多
关键词 CsPbBr_(3)钙钛矿 单晶 一步液相沉积 叉指金电极 光电探测器
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基于氧化镓薄膜的紫外光电探测器的性能研究
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作者 程航 陈海峰 陆芹 《传感器与微系统》 北大核心 2026年第3期62-66,共5页
采用原子层沉积(ALD)在蓝宝石(Al_(2)O_(3))衬底上生长了130 nm的β-Ga_(2)O_(3)薄膜,并对薄膜进行X射线衍射(XRD)测试,以证实其质量,在生长的薄膜上制备了叉指结构的金属—半导体—金属(MSM)光电导型光电探测器。该器件具有100 fA的超... 采用原子层沉积(ALD)在蓝宝石(Al_(2)O_(3))衬底上生长了130 nm的β-Ga_(2)O_(3)薄膜,并对薄膜进行X射线衍射(XRD)测试,以证实其质量,在生长的薄膜上制备了叉指结构的金属—半导体—金属(MSM)光电导型光电探测器。该器件具有100 fA的超低暗电流和1×10^(6)的超高光暗电流比(PDCR)。对该器件进行快速退火后,具有58μA的超高光电流,器件欧姆接触更好,但是光、暗电流均增大,PDCR降低一个数量级,薄膜电阻增大,电子散射能力增强,器件性能相较退火前变弱。最后研究了退火后叉指间距、光强对器件性能的影响。 展开更多
关键词 原子层沉积 β-Ga_(2)O_(3)薄膜 光电探测器
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利用石墨烯增强圆偏振光探测器性能
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作者 童彬 王忠轩 +1 位作者 谢月娥 陈元平 《电子科技》 2026年第2期54-60,共7页
圆偏振光(Circularly Polarized Light,CPL)探测器的活性层多为手性有机材料,针对其存在响应速度慢、光电流弱和对CPL区分度低等问题,文中通过溶剂诱导法诱导有机聚合物聚(3-己基噻吩)(P3HT)超分子自组装成手性纳米线(nanowire,nw)结构... 圆偏振光(Circularly Polarized Light,CPL)探测器的活性层多为手性有机材料,针对其存在响应速度慢、光电流弱和对CPL区分度低等问题,文中通过溶剂诱导法诱导有机聚合物聚(3-己基噻吩)(P3HT)超分子自组装成手性纳米线(nanowire,nw)结构。以手性nw-P3HT为活性层的光电探测器能够探测CPL,并且对光具有灵敏的响应度和较好的稳定性,但光电流较小。利用石墨烯作为载流子收集装置优化了器件结构,有效提升了CPL探测器的性能。引入石墨烯使CPL探测器的光电流提升了5个数量级,上升时间缩短了16%,下降时间缩短了20%。以石墨烯为载流子收集装置的探测器对CPL的区分能力提升了30%。利用石墨烯增强CPL探测器的策略在光学成像和光学传感器中具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 手性材料 手性诱导 有机超分子材料 超分子自组装 二维材料 石墨烯 圆偏振光 有机光电探测器
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CZTS based novel bifunctional photovoltaic and self-powered photodetection nano system
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作者 Kalyan B.Chavan Maruti V.Salve +1 位作者 Shweta Chaure Nandu B.Chaure 《Journal of Semiconductors》 2026年第1期50-63,共14页
CZTS(Cu_(2)ZnSnS_(4))is a quaternary semiconductor that is environmentally friendly,less expensive.In this paper,we report on the optimization and fabrication of CZTS-based heterojunction nanodevices for bifunctional ... CZTS(Cu_(2)ZnSnS_(4))is a quaternary semiconductor that is environmentally friendly,less expensive.In this paper,we report on the optimization and fabrication of CZTS-based heterojunction nanodevices for bifunctional applications such as solar cells and photodetectors.CZTS thin films were deposited on top of(Molybdenum)Mo-coated glass substrates via RF sputtering at 100 and 200 W.Rapid thermal processing(RTP)was used at 300,400,and 500℃temperatures.Cd S(cadmium sulphide)was deposited on CZTS using a chemical bath deposition system with 3-and 5-min deposition times.Zn O(zinc oxide)and AZO(aluminium doped zinc oxide)layers were deposited using RF(radio frequency)sputtering to create the solar device.XRD confirms the formation of a tetragonal structure with increased crystallinity due to the use of RTP.Raman reveals the characteristic Raman shift peak associated with CZTS at 336 and 335 cm^(-1).The FESEM shows a relationship with RTP temperature.Surface features,including grain size,vary with RTP temperature.The ideality factor is nearly 2,indicating imperfection in the Mo/CZTS interface.Schottky barrier height estimates range from 0.6 to 0.7 e V.Absorbance and transmittance show a predictable fluctuation with RTP temperature.Photovoltaic device was built using the higher crystalline feature of CZTS in conjunction with Cd S deposited at 3 and 5 min.The efficiency of Cd S deposited after 3 and 5 min was 1.15 and 0.97 percent,respectively.Fabricated devices were used for wavelength-dependent photodetection.This work demonstrated self-powered photodetection. 展开更多
关键词 CZTS thin film solar cell bifunctional device PHOTODETECTION RF sputtering
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基于改进YOLOv5s太阳能电池片表面缺陷检测算法 被引量:6
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作者 王巍 余欣 +1 位作者 缪佳欣 刘晓宇 《电子测量技术》 北大核心 2025年第5期128-136,共9页
太阳能电池片表面缺陷的出现会严重影响太阳能转化效率,准确检测太阳能电池片表面缺陷并及时处理可以有效提高发电效率。针对太阳能电池片生产过程中表面缺陷检测高精度、实时性的需求,本文提出了一种基于改进的YOLOv5s的太阳能电池片... 太阳能电池片表面缺陷的出现会严重影响太阳能转化效率,准确检测太阳能电池片表面缺陷并及时处理可以有效提高发电效率。针对太阳能电池片生产过程中表面缺陷检测高精度、实时性的需求,本文提出了一种基于改进的YOLOv5s的太阳能电池片表面缺陷检测算法。该算法首先在主干特征提取网络中用C3CA模块替换网络中C3模块,并加入CBAM注意力机制,提升网络的特征提取能力;其次,在特征融合网络中引入BiFPN网络结构,提升网络中不同语义和尺度信息的特征融合能力;最后,在输出端引入解耦头,提高了模型网络的收敛速度与检测精度。实验结果表明:改进模型在光伏电池EL数据集上平均精度均值mAP@0.5∶0.95为66.4%,相较于原网络提高了7.1%,实现了对太阳能电池片表面缺陷的快速有效定位识别,在太阳能电池工业生产过程中具有一定的实际应用价值。 展开更多
关键词 太阳能电池片 YOLOv5s 缺陷检测 注意力机制 BiFPN
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基于热压法制备的MAPbCl_(3)多晶片X射线探测器
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作者 田宁 郑若宁 +3 位作者 于吉 王诚源 罗寅先 谭雯竹 《沈阳师范大学学报(自然科学版)》 2025年第1期1-5,共5页
有机-无机杂化卤化铅钙钛矿由于其具有优异的光学性能、长的载流子扩散长度和良好的载流子输运能力以及辐照稳定等优势,在下一代X射线探测器中得到了广泛的应用。目前,在X射线探测的研究中所使用的主要是钙钛矿单晶材料,然而由于其具有... 有机-无机杂化卤化铅钙钛矿由于其具有优异的光学性能、长的载流子扩散长度和良好的载流子输运能力以及辐照稳定等优势,在下一代X射线探测器中得到了广泛的应用。目前,在X射线探测的研究中所使用的主要是钙钛矿单晶材料,然而由于其具有制备工艺复杂以及尺寸和厚度不可控等缺点,限制了其在X射线探测中的进一步应用。因此,现阶段亟需发展制备工艺简单、面积且厚度可控的高质量钙钛矿材料制备技术。在此,通过快速结晶、研磨和机械热压相结合的方法制备尺寸可控的MAPbCl_(3)多晶片;并对多晶片进行微观形貌、物相结构、电化学阻抗、紫外-可见吸收谱和X射线响应测试的表征。结果表明,通过热压法制备的MAPbCl_(3)多晶片具有较高的致密性和良好的X射线光电响应性能,因而有望广泛应用于X射线探测。 展开更多
关键词 甲胺氯化铅 X射线探测器 热压法 多晶晶片
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晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池 被引量:1
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作者 蒋卓宇 李娟 +2 位作者 孔祥力 代盼 孙强健 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期365-371,共7页
为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起... 为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起,制备了晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池。测试结果显示,通过晶圆键合技术制备的双结太阳电池具有较低的电损耗,在聚光下获得了超过31.7%的光电转换效率。双结太阳电池的晶圆键合技术改善了常规直接材料生长方法因晶格失配造成的位错问题,可以更灵活地实现双结太阳电池的优化设计。 展开更多
关键词 分子束外延(MBE) INGAAS GAAS 晶圆键合 双结太阳电池
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晶硅异质结(HJT)太阳电池电子接触电阻率测量 被引量:1
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作者 吴坚 李硕 《太阳能学报》 北大核心 2025年第1期609-614,共6页
对太阳电池而言,较低的接触电阻率是实现高转换效率的关键参数,特别是对于载流子选择接触的结构,比如晶硅异质结(HJT)太阳电池。接触电阻率(ρ_c)通常用Cox-Strack方法(简称CSM)或转移长度方法(TLM)计算得到。无论是哪种方法,均需要在... 对太阳电池而言,较低的接触电阻率是实现高转换效率的关键参数,特别是对于载流子选择接触的结构,比如晶硅异质结(HJT)太阳电池。接触电阻率(ρ_c)通常用Cox-Strack方法(简称CSM)或转移长度方法(TLM)计算得到。无论是哪种方法,均需要在特定金属电极图案下测得,而难于在真实的太阳电池器件中测得。对于硅基异质结(HJT)太阳电池而言,接触电阻率(ρ_c)包含银(Ag)电极与氧化铟锡(ITO)的接触电阻率ρ_(c1),以及ITO与p或n型掺杂非晶硅的隧穿接触电阻率ρ_(c2)。为此,要精确测得ρ_(c1)和ρ_(c2),需分别制备特定结构以便测量。该文提出一种新的TLM测试方法,在实际的HJT太阳电池器件上,同时测量出电子在Ag/ITO界面的接触电阻率ρ_(c1)值2.5~3.1 mΩ·cm^(2),ITO与n型掺杂非晶硅的隧穿接触电阻率ρ_(c2)值21~24 mΩ·cm^(2)。这两个值与文献报道基本一致。 展开更多
关键词 硅太阳电池 异质结 接触电阻 隧穿接触 电子
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基于负光电导效应的PtSe_(2)光电突触器件机理特性与感存算功能 被引量:1
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作者 梁卜嘉 危波 +6 位作者 康艳 豆树清 夏永顺 郭宝军 崔焕卿 李佳 杨晓阔 《物理学报》 北大核心 2025年第16期409-418,共10页
具有感存算一体的高性能光电突触器件对于开发神经形态视觉系统(NVS)至关重要.本文制备了具有负光响应的PtSe_(2)光电突触器件,测试了该器件在光脉冲刺激下呈现出抑制性突触后电流,同时实现了光学可调的突触行为,包括双脉冲易化、短程... 具有感存算一体的高性能光电突触器件对于开发神经形态视觉系统(NVS)至关重要.本文制备了具有负光响应的PtSe_(2)光电突触器件,测试了该器件在光脉冲刺激下呈现出抑制性突触后电流,同时实现了光学可调的突触行为,包括双脉冲易化、短程可塑性、长程可塑性.此外,器件表现出对光持续时间的依赖性,模拟3×3传感器阵列展示和验证了图像原位传感和存储功能.利用28×28器件阵列结合人工神经网络,实现了视觉信息的集成感知-存储-预处理功能,实验结果表明,预处理后(去噪后)的图像在经过100个epoch训练后达到91%的准确率.最后,利用器件对不同波长光照所响应的负光电导不同,建立了光电突触逻辑门:或非(“NOR”)、与非(“NAND”)和异或(“XOR”),实现了图像逻辑运算.研究结果有力地推进了PtSe_(2)负光响应光电突触器件的应用,为更加集成和高效的NVS铺平道路. 展开更多
关键词 PtSe_(2) 负光电导效应 神经形态系统 感存算 图像逻辑运算
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体结构4H-SiC光电导开关光电转换效率研究 被引量:1
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作者 李飞 黄嘉 +2 位作者 刘京亮 侯钧杰 陈湘锦 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第9期13-19,共7页
随着固态化、模块化、小型化脉冲功率系统的需求不断加深,宽禁带半导体光电导开关(PCSS)由于高功率和快响应等特点引起了广泛的关注。基于高纯半绝缘(HPSI)碳化硅(SiC)衬底,研制了体结构SiC PCSS。在此基础上,提出了一种基于氟化镁和二... 随着固态化、模块化、小型化脉冲功率系统的需求不断加深,宽禁带半导体光电导开关(PCSS)由于高功率和快响应等特点引起了广泛的关注。基于高纯半绝缘(HPSI)碳化硅(SiC)衬底,研制了体结构SiC PCSS。在此基础上,提出了一种基于氟化镁和二氧化钛的高反射镜SiC光电导开关封装结构,有效地提高了光电导开关的光能利用率,搭建了基于新封装结构高纯SiC光电导开关的亚纳秒短脉冲产生电路,优化了脉冲形成线与光电导开关的连接方式,设计了开槽型脉冲形成线结构,减小了电路的寄生电感,缩短了电路的响应时间。采用新封装结构和脉冲形成线,在偏置电压为10 kV、激光波长为532 nm、激光脉冲半高宽为500 ps、激光脉冲能量为90μJ和负载为50Ω的工作条件下,实验获得了电压幅值为7.6 kV的亚纳秒短脉冲,脉冲波形的上升沿和半高宽分别为620 ps和2.2 ns,对应的输出峰值功率为1.1 MW,系统的光电功率增益达到7.7 dB。 展开更多
关键词 光电导开关 高纯半绝缘碳化硅 光电转换效率 峰值输出功率 光电功率增益
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