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题名解决高压硅堆生产工艺中硅片扩散弯曲问题的实验结果
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作者
刘万方
陈根林
许铁华
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机构
江苏如皋电子研究所
江苏如皋无线电厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第1期38-38,共1页
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文摘
硅片扩散弯曲,不仅在用四探针测量硅片参数时易被压碎,或者测量不准确.更重要的是,影响硅整流器件的质量和成品率,特别是对高频高压硅堆的影响更为严重,因硅堆是由10片以上的硅片叠成,往往因为弯曲,导致叠片烧结不牢,切割的硅堆管芯断条报废极为严重,在清洗,腐蚀时又断不少.即使不断的硅堆管芯做成了硅堆,其电参数,特别是动态高温性能很差,使之不少成为次、废品.
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关键词
高压硅堆
扩散
硅片
变曲
试验
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分类号
TN350.54
[电子电信—物理电子学]
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