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AlN背势垒GaN HEMT大失配外延及器件性能研究
1
作者 陈思彤 刘洪宇 +2 位作者 申化欣 叶继春 郭炜 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期28-33,共6页
研究了基于厚AlN模板层的GaN/AlN大失配外延及AlN背势垒高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistor,HEMT)的制备及电特性。研究发现,采用“3D+2D”两步外延法可在厚AlN模板上成功外延出<600 nm的高质量GaN沟道层。制备的... 研究了基于厚AlN模板层的GaN/AlN大失配外延及AlN背势垒高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistor,HEMT)的制备及电特性。研究发现,采用“3D+2D”两步外延法可在厚AlN模板上成功外延出<600 nm的高质量GaN沟道层。制备的AlN背势垒HEMT器件具有优异的开关比、低漏电流以及高达2755 V的击穿电压,优于传统采用高阻GaN缓冲层的HEMT器件,证明了AlN背势垒HEMT在高频、高压功率及射频器件中的巨大应用前景。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 氮化镓 薄膜外延 击穿电压
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熵阈值分割下空间光通信网络激光光斑定位 被引量：1
2
作者 陆俊杰 汪永吉 《激光杂志》 北大核心 2025年第6期145-151,共7页
在空间光通信中,激光光斑受到天空背景光、云层遮挡、其他光源干扰等多种因素的影响,导致图像质量下降。为此,提出熵阈值分割下的空间光通信网络激光光斑定位方法。由灵敏度较高的CCD相机对激光光斑完成采集,引入熵阈值分割理念,根据图... 在空间光通信中,激光光斑受到天空背景光、云层遮挡、其他光源干扰等多种因素的影响,导致图像质量下降。为此,提出熵阈值分割下的空间光通信网络激光光斑定位方法。由灵敏度较高的CCD相机对激光光斑完成采集,引入熵阈值分割理念,根据图像内容的复杂度计算最佳阈值,从而实现对不同光照条件、噪声水平下激光光斑的初分割。引入网格单元划分策略,将初分割图像划分为多个小区域,并在每个区域内独立进行光斑检测,减小全局干扰对定位结果的影响,完成激光光斑图像预处理。通过调整BP神经网络的结构和训练参数,针对预处理图像进行训练,输出高精度的光斑定位结果。实验结果表明,所提方法取得的绝对误差值低,且可以精准定位到激光光斑所在位置。 展开更多
关键词 熵阈值分割 空间光通信网络 激光光斑定位 BP神经网络 网格单元划分
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微波功率放大器的负载牵引测试技术研究
3
作者 童亮 李伟 王鑫 《环境技术》 2025年第6期47-53,共7页
负载牵引测试系统在射频功率放大器的最优参数测试和抗失配可靠性试验中得到广泛应用,对优化功率放大器的设计具有重要作用。本文介绍了当前基于矢量接收机的负载牵引技术,并详细介绍了双端面校准、去嵌入和三次谐波测试等关键技术。矢... 负载牵引测试系统在射频功率放大器的最优参数测试和抗失配可靠性试验中得到广泛应用,对优化功率放大器的设计具有重要作用。本文介绍了当前基于矢量接收机的负载牵引技术,并详细介绍了双端面校准、去嵌入和三次谐波测试等关键技术。矢量接收机的高效应用不仅显著提升了测量效率和准确度,还能够方便地实现输出功率、效率等关键参数的优化以及谐波测试,为功率放大器的性能评估和设计改进提供了有力支持。 展开更多
关键词 半导体 阻抗匹配 负载牵引 氮化镓 微波测试
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碳纳米管射频晶体管及放大器电路研究
4
作者 赵亮 杨扬 +7 位作者 霍帅 张勇 陆辉 汪珍胜 钟世昌 唐世军 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 2025年第1期22-27,共6页
基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料,研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管,并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计,实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB,增益1 dB压缩点处三... 基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料,研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管,并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计,实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB,增益1 dB压缩点处三阶交调优于-35 dBc。本文首次报道了X波段碳纳米管射频放大器电路,可为碳纳米管射频电子技术的发展提供技术参考。 展开更多
关键词 碳纳米管 射频 放大器
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硅氧烷侧链诱导共混薄膜垂直相分离构建可拉伸有机晶体管
5
作者 江润芳 邱龙臻 《液晶与显示》 北大核心 2025年第8期1115-1121,共7页
传统共轭聚合物存在电学性能与力学性能难以协同优化的关键问题。本研究以硅氧烷侧链修饰的二酮吡咯并吡咯(DPP)基共轭聚合物(DPP-4Si)与氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物(SEBS)为研究对象,通过共混薄膜的制备与微相分离结构调控,开发了高... 传统共轭聚合物存在电学性能与力学性能难以协同优化的关键问题。本研究以硅氧烷侧链修饰的二酮吡咯并吡咯(DPP)基共轭聚合物(DPP-4Si)与氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物(SEBS)为研究对象,通过共混薄膜的制备与微相分离结构调控,开发了高性能弹性半导体薄膜,迁移率最高可达1.08 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。基于最优配比的共混薄膜制备了全可拉伸晶体管。测试表明,该晶体管在承受100%拉伸应变后仍能保持稳定的电学性能,在100%拉伸应变后仍保持72%以上的电流保持率,展现出优异的可拉伸特性。 展开更多
关键词 全可拉伸晶体管 可拉伸电子 共混策略 相分离 半导体薄膜
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型 被引量：5
6
作者 杨燕 王平 +2 位作者 郝跃 张进城 李培咸 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期205-208,共4页
基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的... 基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的Al0 .2 Ga0 .8N/GaNHEMT获得的最大漏电流为 1370mA/mm ;降低寄生源漏电阻可以获得更高的饱和电流、跨导和截至频率 .模拟结果同已有的测试结果较为吻合 ,该模型具有物理概念明确且算法简单的优点 ,适于微波器件结构和电路设计 . 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 解析模型 极化效应 寄生源漏电阻
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玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路 被引量：5
7
作者 吴春亚 孟志国 +6 位作者 李娟 马海英 赵淑云 刘建平 熊绍珍 郭海成 王文 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1349-1352,共4页
以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工... 以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUCpoly-SiTFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品. 展开更多
关键词 金属诱导单一方向横向晶化 多晶硅薄膜晶体管 显示驱动电路 全集成显示
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大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究 被引量：6
8
作者 默江辉 王丽 +6 位作者 刘博宁 李亮 王勇 陈昊 冯志红 何庆国 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期658-660,668,共4页
采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗。优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。四... 采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗。优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。四胞器件在脉宽为300μs、占空比为10%脉冲测试时,2 GHzVds=50 V脉冲输出功率为129 W(51.1 dBm),线性增益为13.0 dB,功率附加效率为31.4%。 展开更多
关键词 SiCMESFET 内匹配 大功率
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四探针Mapping自动测试仪中电阻率温度系数的规范化拟合多项式的应用 被引量：4
9
作者 孙以材 孟庆浩 +2 位作者 宫云梅 赵卫萍 武建平 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1438-1441,共4页
本文回顾了单晶硅及扩散硅的电阻率温度系数(TCR)的实验结果,认为美国ASTM的TCR曲线是比较完整,确切的.利用我们开发的规范化多项式拟合方法,可将它表示成五阶多项式.将它存入具图像识别四探针定位功能自动测试系统的计算机中后,可以立... 本文回顾了单晶硅及扩散硅的电阻率温度系数(TCR)的实验结果,认为美国ASTM的TCR曲线是比较完整,确切的.利用我们开发的规范化多项式拟合方法,可将它表示成五阶多项式.将它存入具图像识别四探针定位功能自动测试系统的计算机中后,可以立即得到折合到23℃的硅单晶断面的电阻率分布.本文阐述了规范化拟合的原理,给出了单晶硅的TCR的拟合结果. 展开更多
关键词 半导体材料电阻率温度系数 电阻率分布 规范化多项式拟合 非线性函数
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(1■02)r面蓝宝石生长的(11■0)a面氮化镓研究 被引量：3
10
作者 许晟瑞 段焕涛 +5 位作者 郝跃 张进城 张金凤 倪金玉 胡仕刚 李志明 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1049-1052,1058,共5页
自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AlN作为缓冲层,在(1■02)r面蓝宝石和(0001)c面蓝宝石上分别生长了(11■0)非极性a面和(0001)极性c面GaN,用原子力显微镜和高分辨X... 自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AlN作为缓冲层,在(1■02)r面蓝宝石和(0001)c面蓝宝石上分别生长了(11■0)非极性a面和(0001)极性c面GaN,用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在r面蓝宝石上的a面GaN和c面蓝宝石上的c面GaN,a面GaN材料质量和c面GaN相差较大,在a面GaN上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的c面生长的极性GaN截然不同.对a面GaN的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向. 展开更多
关键词 缺陷 氮化镓 X射线衍射 非极性
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AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性 被引量：5
11
作者 张小玲 谢雪松 +4 位作者 吕长治 李岩 李鹏 冯士维 李志国 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2004年第7期171-172,176,共3页
研究了AlGaN/GaNHEMT器件在室温、100℃、200℃和300℃下的工作性能。当栅长为1μm时,器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下的数值为1.02A/mm和230mS/mm。温度升高到100℃时几乎没有变化,温度升高到300℃时,最大漏源电流和跨导分别... 研究了AlGaN/GaNHEMT器件在室温、100℃、200℃和300℃下的工作性能。当栅长为1μm时,器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下的数值为1.02A/mm和230mS/mm。温度升高到100℃时几乎没有变化,温度升高到300℃时,最大漏源电流和跨导分别下降到0.69A/mm和118.25mS/mm,下降的百分比分别为:67.6%和51.4%。 展开更多
关键词 氮化镓 高电子迁移率器件 高温性能
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锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展 被引量：9
12
作者 李培 贺朝会 +3 位作者 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第6期523-534,共12页
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特... 异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了SiGeHBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺SiGeHBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明,SiGeHBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同,国产SiGeHBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应
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蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制 被引量：3
13
作者 邵刚 刘新宇 +4 位作者 和致经 刘键 魏珂 陈晓娟 吴德馨 《电子器件》 CAS 2004年第3期381-384,共4页
基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f... 基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f T)达到 2 0 GHz,最大振荡频率 ( fmax) 2 8GHz,2 GHz脉冲测试下 ,栅宽 0 .75 mm器件 ,功率增益1 1 .8d B,输出功率 3 1 .2 d Bm,功率密度 1 .75 W/mm。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN HEMT 微波功率 单位截止频率
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跨导为220 mS/mm的AlGaN/GaNHEMT 被引量：2
14
作者 张小玲 吕长志 +5 位作者 谢雪松 何焱 侯英梁 冯士维 李志国 曾庆明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期209-211,257,共4页
介绍了 Al Ga N/ Ga N HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试。漏源欧姆接触采用 Ti/ Al/ Pt/ Au,肖特基结金属为 Pt/ Au。器件栅长为 1 μm,获得最大跨导 2 2 0 m S/ mm,最大的漏源饱和电流密度 0 .72 A/ mm。由 S参数测量推出器件的... 介绍了 Al Ga N/ Ga N HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试。漏源欧姆接触采用 Ti/ Al/ Pt/ Au,肖特基结金属为 Pt/ Au。器件栅长为 1 μm,获得最大跨导 2 2 0 m S/ mm,最大的漏源饱和电流密度 0 .72 A/ mm。由 S参数测量推出器件的截止频率和最高振荡频率分别为 1 2 GHz和 2 4GHz。 展开更多
关键词 氮化镓 高电子迁移率晶体管 直流特性
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HEMT材料的电子辐射效应 被引量：4
15
作者 林理彬 李有梅 +2 位作者 陈卫东 蒋锦江 孔梅影 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1995年第1期39-43,共5页
用能量为１～１．８ＭｅＶ、注量为１０￣（１３）～１０￣（１０）／ｃｍ￣２的电子，对ＨＥＭＴ（高电子迁移率晶体管）材料进行辐照，得到了材料结构中的２维电子气（２ＤＥＧ）的电输运性质随辐照电子能量和注量的变化关系，井进行... 用能量为１～１．８ＭｅＶ、注量为１０￣（１３）～１０￣（１０）／ｃｍ￣２的电子，对ＨＥＭＴ（高电子迁移率晶体管）材料进行辐照，得到了材料结构中的２维电子气（２ＤＥＧ）的电输运性质随辐照电子能量和注量的变化关系，井进行了讨论．还将该结果与电子辐照Ｐ－ＨＥＭＴ和ＬＴ－ＨＥＭＴ材料的结果进行了比较，对异质结界面的辐照效应进行了分析。 展开更多
关键词 辐射效应 HEMT材料 异质结 晶体管
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基于高电阻率衬底的Si/SiGe HBT(英文) 被引量：1
16
作者 杨维明 史辰 +2 位作者 谢万波 吴楠 陈建新 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期541-545,共5页
介绍了一种基于电阻率高达1000Ω.cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制。首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典... 介绍了一种基于电阻率高达1000Ω.cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制。首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典型直流电流增益为120,BVCEO为9.0V,fT为10.2GHz,fmax为5.3GHz,比同结构尺寸的常规N+衬底Si/SiGeHBT的fT和fmax分别高出3.9GHz和1.5GHz。 展开更多
关键词 锗硅合金 异质结晶体管 高阻衬底
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MJTR硅单晶辐照技术改进研究 被引量：2
17
作者 杨斌 王红阳 +3 位作者 王云波 向玉新 张平 康长虎 《核动力工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期157-160,共4页
为了具备8 inch(1 inch=2.54 cm)硅单晶辐照生产能力,同时进一步提高硅单晶辐照质量,对岷江试验堆(MJTR)硅单晶辐照技术进行改进研究。通过在辐照孔道增加中子屏布置改善硅单晶辐照的不均匀性,在辐照孔道外增加反射层布置提高辐照孔道... 为了具备8 inch(1 inch=2.54 cm)硅单晶辐照生产能力,同时进一步提高硅单晶辐照质量,对岷江试验堆(MJTR)硅单晶辐照技术进行改进研究。通过在辐照孔道增加中子屏布置改善硅单晶辐照的不均匀性,在辐照孔道外增加反射层布置提高辐照孔道热中子注量率,满足了8inch硅单晶辐照要求;同时对硅单晶辐照操作工艺进行优化设计,并对半自动辐照控制工艺进行了设计改进。硅单晶辐照技术改进后,每罐硅操作时间缩短了一半左右,辐照罐数可增加2%,辐照生产效率提升显著。 展开更多
关键词 岷江试验堆(MJTR) 硅单晶 辐照孔道 辐照工艺
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AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术 被引量：1
18
作者 黄俊 魏珂 刘新宇 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期193-196,共4页
对AlGaN/GaNHEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性... 对AlGaN/GaNHEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性,提高了栅极调控能力,实现凹栅槽的低损伤刻蚀。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN HEMT 凹栅槽 低损伤刻蚀 C2H4
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一种新颖的应变Si沟道 pMOSFET制作技术
19
作者 张静 徐婉静 +4 位作者 谭开洲 李荣强 李开成 刘道广 刘伦才 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期235-238,共4页
在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于106cm-2.原子力显微镜(AFM)测试表明,其表面均方粗糙度小于1.02nm.器件测... 在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于106cm-2.原子力显微镜(AFM)测试表明,其表面均方粗糙度小于1.02nm.器件测试结果表明,与相同条件下的体Si pMOSFET相比,空穴迁移率提高了25%. 展开更多
关键词 应变SI SIGE 异质结场效应晶体管 分子束外延 弛豫
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多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型
20
作者 李建军 魏希文 +2 位作者 王美田 李正孝 王效平 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期303-308,共6页
对多晶硅发射极锗硅合金基区ＨＢＴ提出了一个理论模型，认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层，通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高，但应降低界面态密度；随着基区中锗含量ｘ的增大增益相应增大，... 对多晶硅发射极锗硅合金基区ＨＢＴ提出了一个理论模型，认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层，通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高，但应降低界面态密度；随着基区中锗含量ｘ的增大增益相应增大，但由于界面态的作用，当ｘ增加到一定值时增益的提高变缓。 展开更多
关键词 晶体管 理论模型 多晶硅 发射极 锗硅合金基区
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