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低能量Ar^＋背面轰击对晶体管特性的影响 被引量：2
1
作者 李观启 曾绍鸿 黄美浅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期465-469,共5页
在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特征频率、功率增益和输入阻抗，减小噪声系数和使击穿特性变硬，而势垒电容和薄层电阻不改变．实验... 在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特征频率、功率增益和输入阻抗，减小噪声系数和使击穿特性变硬，而势垒电容和薄层电阻不改变．实验结果和理论分析表明，上述参数的改善与轰击后界面态密度的减小、少数载流子寿命和扩散系数的增大有关． 展开更多
关键词 氩离子束 晶体管 硅 平面晶体管
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平面高反压器件的两维数值模拟
2
作者 邓蓓 包宗明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期155-160,共6页
本文报告了用有限差分法解两维泊松方程的方法分析带有场限制环的平面高反压器件的耐压性能的模拟程序。介绍了程序的算法及原理。程序是用FORTRAN语言编写,并在VAX11/750机上实现。文中还举例说明了利用此程序分析平面高反压器件所得... 本文报告了用有限差分法解两维泊松方程的方法分析带有场限制环的平面高反压器件的耐压性能的模拟程序。介绍了程序的算法及原理。程序是用FORTRAN语言编写,并在VAX11/750机上实现。文中还举例说明了利用此程序分析平面高反压器件所得到的新结果在器件的优化设计及实际生产中的重要意义。 展开更多
关键词 平面器件 高反压器件 数值模拟
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平面栅静电感应晶体管阻断状态解析模型
3
作者 李文宏 张屏英 吴一清 《半导体情报》 1993年第4期5-9,共5页
给出的这一解析模型,是在合理近似基础上,通过求解二维Poisson方程获得的。其计算值与数值模拟结果相符,而且该模型也是分析平面栅静电感应晶体管特性的基础。
关键词 静电 感应晶体管 势垒 电场分布
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晶体管的大电流性能
4
作者 刘振隆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期26-29,共4页
本文着重讨论硅平面小功率NPN三极管的大电流性能,对其它类型的晶体管也是有益的。
关键词 硅平面 NPN晶体管 电流性能
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3-D分析进展满足器件要求
5
作者 Alexander E.Braun 《集成电路应用》 2008年第5期34-35,共2页
尽管已经出现了多种工具和概念，但超浅结（USJ）的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上，要夺得这一圣杯，你需要绘制出器件完整的3-D分布——包括掺杂和载流子，”IMECS工艺技术部门材料与元件分析组的负责人Wi... 尽管已经出现了多种工具和概念，但超浅结（USJ）的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上，要夺得这一圣杯，你需要绘制出器件完整的3-D分布——包括掺杂和载流子，”IMECS工艺技术部门材料与元件分析组的负责人Wilfried Vandervorst这样说。“随着平面器件逐渐被像finFET这样的3-D结构所取代，探测掺杂或载流子分布的方法变得非常必要。这些方法需要在灵敏、定量、精确、可重复和空间／深度分辨率多个方面，提供与目前1-D和2-D工具类似的能力。” 展开更多
关键词 平面器件 3-D 载流子分布 FINFET 深度分辨率 技术部门 超浅结 方法学
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用平面三重扩散工艺设计3DD200晶体管
6
作者 徐志平 《红讯半导体》 1990年第1期5-9,共5页
关键词 晶体管 三重扩散 平面型 3DD200
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制造平面高压晶体管的新技术
7
作者 张佐兰 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1990年第2期41-45,共5页
关键词 平面型 高压晶体管 制造
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基区表面复合效应对小电流下hFE的影响
8
作者 雍成文 《上海半导体》 1990年第1期23-25,共3页
关键词 基区表面 复合效应 电流 晶体管
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对淀积SiO2层后hFE值增大现象的探讨
9
作者 雍成文 《上海半导体》 1989年第2期52-53,共2页
关键词 平面晶体管 淀积SiO2层 hFE值
全文增补中
用阻抗能谱法测定SnO2压敏电阻系列的电性能
10
作者 Bueno,PR 陈逸明 《锡业科技》 2000年第1期64-68,63,共6页
关键词 压敏电阻 阻抗能谱法 电性能 测定 二氧化锡
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