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石墨烯/二氧化钛异质结场效应探测器光电特性 被引量：6
1
作者 周全 张恩亮 +3 位作者 白向兴 申钧 魏大鹏 汪岳峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期18-26,共9页
利用二氧化钛薄膜光吸收及表面钝化特性,在硅晶圆基底表面制备石墨烯/二氧化钛异质结场效应管光电探测器,并研究其光电响应特性.结果表明,二氧化钛钝化后的探测器可以有效抑制沟道表面的气体小分子吸附,降低器件的暗电流漂移;同时,探测... 利用二氧化钛薄膜光吸收及表面钝化特性,在硅晶圆基底表面制备石墨烯/二氧化钛异质结场效应管光电探测器,并研究其光电响应特性.结果表明,二氧化钛钝化后的探测器可以有效抑制沟道表面的气体小分子吸附,降低器件的暗电流漂移;同时,探测器利用石墨烯的电荷敏感和复合薄膜的光谱吸收特性,显著提高了石墨烯场效应管的响应度.紫外波段,顶层二氧化钛吸光产生的光生电子将注入到石墨烯沟道中,对石墨烯沟道产生n型掺杂,器件最大响应度可达3.5×10~5A/W.在可见光波段,因为二氧化钛层与石墨烯薄膜间存在杂质能级,界面间的电荷转移使沟道载流子寿命显著提高.相对于传统的二氧化钛阵列探测器,该探测器在响应波段与响应度性能上都具有明显优势. 展开更多
关键词 石墨烯 异质结 场效应管 光电探测器 背栅调制 耦合 载流子寿命
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双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真(英文)
2
作者 张倩 张玉明 张义门 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2010年第5期771-778,共8页
基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表... 基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表明,该器件的共发射结电流增益最高可达72,具有负温度系数,并且在一个很宽的集电极电流范围内该特性保持不变. 展开更多
关键词 4H—SiC 双极晶体管 基区自建电场 基区渡越时间
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新型台面型GaAs基BIB探测器的背景电流测试与分析 被引量：2
3
作者 尚竞成 王晓东 +2 位作者 王兵兵 陈雨璐 潘鸣 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2018年第3期383-387,共5页
制备了响应在太赫兹波段的台面型砷化镓(GaAs)基阻挡杂质带(BIB)探测器,并进行了背景电流的测试分析。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺进行外延层生长,能更有效地控制吸收层的掺杂浓度,提高阻挡层的纯度。另外,搭建了GaAs基BIB探... 制备了响应在太赫兹波段的台面型砷化镓(GaAs)基阻挡杂质带(BIB)探测器,并进行了背景电流的测试分析。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺进行外延层生长,能更有效地控制吸收层的掺杂浓度,提高阻挡层的纯度。另外,搭建了GaAs基BIB探测器的低温测试系统,在3.4 K测试温度下,对器件施加-5~5 V偏压,测得300 K背景响应电流在10^(-2)~10^(-6) A量级。在低电流区,电流随偏压增加的速率相对较快;在高电流区,电流随偏压增加的速率变得相对平缓。且对于相同偏压绝对值,正偏压工作模式下的背景响应电流比负偏压工作模式下的背景电流高。基于测试结果,重点分析了GaAs基BIB探测器的光电输运机理。 展开更多
关键词 砷化镓 阻挡杂质带探测器 外延工艺 背景响应电流 暗电流 太赫兹探测
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台面大功率管表面钝化工艺的改进
4
作者 蒋济昌 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第6期27-28,共2页
本文简述了常规钝化方式,讨论了液相钝化和PECVD氮化硅钝化的原理、工艺及其在台面大功率管表面钝化中的应用。
关键词 纯化工艺 表面纯化 台面大功率管
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NiO/TiO_2复合纳米管的水热制备及光催化性能 被引量：6
5
作者 王竹梅 李月明 +2 位作者 廖润华 沈宗洋 左建林 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期75-81,共7页
采用水热法,制得了管径约为10～15nm、管长约为10～300nm、管壁上附着NiO纳米颗粒的TiO_2纳米管复合光催化剂(NiO/TiO_2).采用X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电镜、X射线光电子能谱及紫外-可见漫反射光谱等技术对催化剂进行了表征;以... 采用水热法,制得了管径约为10～15nm、管长约为10～300nm、管壁上附着NiO纳米颗粒的TiO_2纳米管复合光催化剂(NiO/TiO_2).采用X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电镜、X射线光电子能谱及紫外-可见漫反射光谱等技术对催化剂进行了表征;以甲基橙为模拟污染物,评价了纳米管的光催化活性.结果表明:NiO晶粒与TiO_2晶粒结合形成p-n异质结,有效地促进了光生电子和空穴的分离;NiO对可见光有强烈的吸收,使复合TiO_2纳米管在整个可见光区域均有很好的光吸收;以上两点使NiO/TiO_2纳米管可见光下的光催化活性大幅提升,500℃煅烧后纳米管对甲基橙1h分解比由纯TiO_2纳米管的7.0%提升至NiO/TiO_2纳米管的95.6%. 展开更多
关键词 光催化 二氧化钛 p-n异质结 可见光 甲基橙
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台面复合钝化之一例
6
作者 庄惠华 宣国涯 《红讯半导体》 1990年第1期45-46,共2页
关键词 台面型 晶体管 复合钝化
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台面型半导体器件制造的一种新方法
7
作者 何德湛 陈益清 《上海半导体》 1989年第2期26-29,共4页
关键词 台面 晶体管 半导体器件
全文增补中
InP/InGaAs HBT高频放大器稳定性分析
8
作者 吴强 黄永清 +4 位作者 黄辉 苗昂 李轶群 崔海林 任晓敏 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期296-299,共4页
根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型,以此模型用于共射放大电路为出发点,从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因,分析了端接电阻的稳定方法,借助matlab快速确定出稳定电阻的取值范围,其理论计算与仿真有... 根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型,以此模型用于共射放大电路为出发点,从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因,分析了端接电阻的稳定方法,借助matlab快速确定出稳定电阻的取值范围,其理论计算与仿真有很好的一致。 展开更多
关键词 异质结双极晶体管(HBT) 小信号电路模型 晶体管高频放大器 稳定性
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