基于加速寿命试验的IGBT可靠性预计模型研究 被引量：14

1

作者 任艳 彭琦 +1 位作者 于迪 周军连 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期121-124,共4页

随着电子元器件技术的不断发展,绝缘栅双极晶体管(IGBT)已得到了越来越广泛的应用,但其预计模型的缺失或不完善使得用户在可靠性分析过程中缺乏指导,影响工作的完整性和准确性。基于国内IGBT芯片外购、自主封装的研制生产现状及工程应... 随着电子元器件技术的不断发展,绝缘栅双极晶体管(IGBT)已得到了越来越广泛的应用,但其预计模型的缺失或不完善使得用户在可靠性分析过程中缺乏指导,影响工作的完整性和准确性。基于国内IGBT芯片外购、自主封装的研制生产现状及工程应用主要的失效模式、机理,结合国内外主流预计标准及评估方法,建立国产IGBT可靠性预计模型架构。选择典型IGBT开展温度循环试验,利用对数正态分布下的图估计法、最优线性无偏估计及最小二乘法对试验数据进行分析处理,确定封装模型系数定量表征,应用国外芯片失效数据确定芯片模型系数表征,从而完成国产IGBT可靠性预计模型建立,为国产元器件工程应用过程中的可靠性定量分析提供技术参考。 展开更多

关键词 绝缘栅双极晶体管 预计模型 加速寿命试验

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氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的原理、结构及应用场景研究 被引量：1

2

作者 余菲 曾启明 温泉 《深圳职业技术大学学报》 2025年第4期101-106,共6页

本文对氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的原理、结构及应用场景进行了研究。通过分析氮化镓材料的能带结构、电子迁移率及耐压特性,揭示了其在高功率、高速度及高电压应用场景下的优势。提出了氮化镓HEMT的结构改进思路,包括晶格匹配、... 本文对氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的原理、结构及应用场景进行了研究。通过分析氮化镓材料的能带结构、电子迁移率及耐压特性,揭示了其在高功率、高速度及高电压应用场景下的优势。提出了氮化镓HEMT的结构改进思路,包括晶格匹配、背部势垒等方法,以提高其载流子浓度及异质结寿命。同时,探讨了氮化镓HEMT在手机快速充电器、汽车充电器、飞机有源相控阵雷达等电子信息新技术领域的应用价值,指出了其在集成电路设计模型方面的不足,为未来研究提供了方向。 展开更多

关键词 氮化镓 高电子迁移率晶体管 集成电路 半导体器件

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双极晶体管的低剂量率电离辐射效应 被引量：21

3

作者 张华林 陆妩 +5 位作者 任迪远 郭旗 余学锋 何承发 艾尔肯 崔帅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1675-1679,共5页

通过对 npn管和 pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验 ,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应 .结果表明 ,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著 ,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度 ,致使低剂量... 通过对 npn管和 pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验 ,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应 .结果表明 ,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著 ,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度 ,致使低剂量率下过量基极电流明显增大 .而辐照后 npn管比 pnp管具有更大的有效表面复合面积 ,致使前者比后者有更大的表面复合电流 ,从而导致了在各种剂量率辐照下 ,npn管比 pnp管对电离辐射都更为敏感 . 展开更多

关键词 低剂量率 电离辐射 双极晶体管 空间电荷

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不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响 被引量：8

4

作者 张华林 陆妩 +1 位作者 任迪远 崔帅 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期606-608,共3页

　对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。结果表明,对于不同偏置条件,晶体管在低剂量率辐照下,电流增益都有更为明显的衰降;各种剂量率辐照下,电流增益在发射结反向偏置时比浮空偏置时有更为显著的下降。文章对相关... 　对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。结果表明,对于不同偏置条件,晶体管在低剂量率辐照下,电流增益都有更为明显的衰降;各种剂量率辐照下,电流增益在发射结反向偏置时比浮空偏置时有更为显著的下降。文章对相关机理进行了探讨。 展开更多

关键词 双极晶体管 偏置 剂量率 电离辐照

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不同剂量率下NPN管和NMOSFET管的电离辐照效应 被引量：3

5

作者 张华林 任迪远 +1 位作者 陆妩 崔帅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期29-34,共6页

研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效... 研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效应是时间相关效应 ,而非真正的剂量率效应。 展开更多

关键词 剂量率效应 NPN管 NMOS管 增益 阈电压

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MMC子模块电容电压检测新方法 被引量：7

6

作者 刘波峰 候维杨 李诚明 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2017年第7期1137-1143,共7页

传统模块化多电平换流器(modular multilevel converter,MMC)子模块电容电压检测方法需要与子模块数相同的电压传感器,存在传感器数量大、采集信息工作量大的问题,提出了一种基于最近电平逼近调制MMC子模块电压检测的新方法,对桥臂子模... 传统模块化多电平换流器(modular multilevel converter,MMC)子模块电容电压检测方法需要与子模块数相同的电压传感器,存在传感器数量大、采集信息工作量大的问题,提出了一种基于最近电平逼近调制MMC子模块电压检测的新方法,对桥臂子模块进行分组,每组采用一个电压传感器进行检测,通过检测电压对电容电压观测器的观测值进行校正,得到每个时刻电容电压值,提出提高电容电压复位校正次数的方法。针对硬件电压采样电路带宽限制影响桥臂输出阶梯波电压测量的问题,提出了子模块电压的补偿方法。仿真和实验结果表明所提出方法的正确性和有效性。 展开更多

关键词 模块化多电平变流器 电压传感器减少 电压观测器 电压补偿

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低能量Ar^＋背面轰击对晶体管特性的影响 被引量：2

7

作者 李观启 曾绍鸿 黄美浅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期465-469,共5页

在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特征频率、功率增益和输入阻抗，减小噪声系数和使击穿特性变硬，而势垒电容和薄层电阻不改变．实验... 在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特征频率、功率增益和输入阻抗，减小噪声系数和使击穿特性变硬，而势垒电容和薄层电阻不改变．实验结果和理论分析表明，上述参数的改善与轰击后界面态密度的减小、少数载流子寿命和扩散系数的增大有关． 展开更多

关键词 氩离子束 晶体管 硅 平面晶体管

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双极晶体管的高温变剂量率辐照效应 被引量：4

8

作者 王先明 刘楚湘 艾尔肯.斯迪克 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1139-1141,1145,共4页

研究了双极晶体管的变剂量率电离辐射损伤,发现从高到低的变剂量率辐照更有利于低剂量率辐射损伤增强效应的加速评估。

关键词 双极晶体管 高温变剂量率辐照 剂量率效应 ELDRS

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可控硅整流装置引起的危害和抑制措施 被引量：2

9

作者 李郁林 《科技资讯》 2010年第18期57-58,共2页

可控硅整流装置由于可靠性高、寿命长、容易维护等优点,所以在电力技术领域得到了广泛的应用,但同时它产生的高次谐波也给电力系统的正常运行及电气设备的正常运转带来了很大的影响和危害。如何抑制电力系统的高次谐波是供电系统中必须... 可控硅整流装置由于可靠性高、寿命长、容易维护等优点,所以在电力技术领域得到了广泛的应用,但同时它产生的高次谐波也给电力系统的正常运行及电气设备的正常运转带来了很大的影响和危害。如何抑制电力系统的高次谐波是供电系统中必须解决的问题。 展开更多

关键词 可控硅 高次谐波 危害

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AD590温度传感器 被引量：1

10

作者 赵海雁 《测试技术学报》 1997年第2期60-62,共3页

AD590 温度传感器具有体积小、反应快、稳定性好、测量精度高等优点。本文介绍 AD590 温度传感器的原理、性能和应用。

关键词 PN结 温度传感器 电压型 电流型 晶体管

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基于MATLAB的MIMO通信系统教学平台的设计与实现

11

作者 陈小敏 朱秋明 +1 位作者 徐大专 虞湘宾 《实验室科学》 2019年第5期84-87,共4页

多输入输出(Multiple-Input Multiple-Output,MIMO)系统利用发射端的多个天线独立发送信号,在接收端利用多个天线接收并检测信息。针对MIMO通信系统中空时编码和检测技术理论性强且抽象的特点,设计了一个基于Matlab的MIMO系统教学演示... 多输入输出(Multiple-Input Multiple-Output,MIMO)系统利用发射端的多个天线独立发送信号,在接收端利用多个天线接收并检测信息。针对MIMO通信系统中空时编码和检测技术理论性强且抽象的特点,设计了一个基于Matlab的MIMO系统教学演示平台。在该平台上可以演示采用不同信道编码、不同调制方式以及不同的检测算法下MIMO系统的信道容量以及误码率性能,通过性能演示学生可以直观地了解编码、调制以及检测模块对系统性能的影响。学生还可以通过该演示平台选择不同的发送天线和接收天线数目,实时演示收发天线数目对MIMO系统性能的影响。教学实践表明,通过该平台的实时演示可以加强学生对通信原理课程的理解,调动学生编程实现MIMO系统模块的积极性,为进一步学习现代通信的关键技术奠定了基础。 展开更多

关键词 MIMO系统 演示平台 空时编码 空时检测

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论述地质矿产勘查及找矿方法分析

12

作者 李明元 《世界有色金属》 2017年第20期94-94,96,共2页

我国地大物博,在矿产储存上量非常多,但国情上人口很多,导致人均拥有量很少。由于地质矿产行业促进经济的发展,意义重大。所以进行勘查找矿就变得非常重要,很多的人员致力于研究利用新技术新方法提高满足人们对矿产资源得满足。本文分... 我国地大物博,在矿产储存上量非常多,但国情上人口很多,导致人均拥有量很少。由于地质矿产行业促进经济的发展,意义重大。所以进行勘查找矿就变得非常重要,很多的人员致力于研究利用新技术新方法提高满足人们对矿产资源得满足。本文分析了地质矿产勘查的意义,阐述了对地质勘查工作的重点,另外就地质矿产勘查的几种找矿方法以及基本内容进行了重点介绍,最后还对其未来的发展进行了展望,希望相关的地质矿产行业人员可以借鉴以及参考。 展开更多

关键词 地质矿产 施工勘查 找矿方法

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石墨烯/二氧化钛异质结场效应探测器光电特性 被引量：6

13

作者 周全 张恩亮 +3 位作者 白向兴 申钧 魏大鹏 汪岳峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期18-26,共9页

利用二氧化钛薄膜光吸收及表面钝化特性,在硅晶圆基底表面制备石墨烯/二氧化钛异质结场效应管光电探测器,并研究其光电响应特性.结果表明,二氧化钛钝化后的探测器可以有效抑制沟道表面的气体小分子吸附,降低器件的暗电流漂移;同时,探测... 利用二氧化钛薄膜光吸收及表面钝化特性,在硅晶圆基底表面制备石墨烯/二氧化钛异质结场效应管光电探测器,并研究其光电响应特性.结果表明,二氧化钛钝化后的探测器可以有效抑制沟道表面的气体小分子吸附,降低器件的暗电流漂移;同时,探测器利用石墨烯的电荷敏感和复合薄膜的光谱吸收特性,显著提高了石墨烯场效应管的响应度.紫外波段,顶层二氧化钛吸光产生的光生电子将注入到石墨烯沟道中,对石墨烯沟道产生n型掺杂,器件最大响应度可达3.5×10~5A/W.在可见光波段,因为二氧化钛层与石墨烯薄膜间存在杂质能级,界面间的电荷转移使沟道载流子寿命显著提高.相对于传统的二氧化钛阵列探测器,该探测器在响应波段与响应度性能上都具有明显优势. 展开更多

关键词 石墨烯 异质结 场效应管 光电探测器 背栅调制 耦合 载流子寿命

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基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT

14

作者 周骏 成建兵 +3 位作者 袁晴雯 陈珊珊 吴宇芳 王勃 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第5期714-717,共4页

在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LT... 在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LTGBT在保证关断速度不变的情况下,击穿电压为307V(漂移区长度为18μm)比,比常规SA-LIGBT提升了56%,并消除了负阻效应。 展开更多

关键词 阳极短路横向绝缘栅双极晶体管 击穿电压 反型层 负微分电阻效应

原文传递

NiO/TiO_2复合纳米管的水热制备及光催化性能 被引量：6

15

作者 王竹梅 李月明 +2 位作者 廖润华 沈宗洋 左建林 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期75-81,共7页

采用水热法,制得了管径约为10～15nm、管长约为10～300nm、管壁上附着NiO纳米颗粒的TiO_2纳米管复合光催化剂(NiO/TiO_2).采用X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电镜、X射线光电子能谱及紫外-可见漫反射光谱等技术对催化剂进行了表征;以... 采用水热法,制得了管径约为10～15nm、管长约为10～300nm、管壁上附着NiO纳米颗粒的TiO_2纳米管复合光催化剂(NiO/TiO_2).采用X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电镜、X射线光电子能谱及紫外-可见漫反射光谱等技术对催化剂进行了表征;以甲基橙为模拟污染物,评价了纳米管的光催化活性.结果表明:NiO晶粒与TiO_2晶粒结合形成p-n异质结,有效地促进了光生电子和空穴的分离;NiO对可见光有强烈的吸收,使复合TiO_2纳米管在整个可见光区域均有很好的光吸收;以上两点使NiO/TiO_2纳米管可见光下的光催化活性大幅提升,500℃煅烧后纳米管对甲基橙1h分解比由纯TiO_2纳米管的7.0%提升至NiO/TiO_2纳米管的95.6%. 展开更多

关键词 光催化 二氧化钛 p-n异质结 可见光 甲基橙

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双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真(英文)

16

作者 张倩 张玉明 张义门 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2010年第5期771-778,共8页

基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表... 基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表明,该器件的共发射结电流增益最高可达72,具有负温度系数,并且在一个很宽的集电极电流范围内该特性保持不变. 展开更多

关键词 4H—SiC 双极晶体管 基区自建电场 基区渡越时间

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晶体管组态电路的噪声谱矩阵计算及噪声比性能比较

17

作者 王桂芹 戴宏亮 《数据采集与处理》 CSCD 1998年第A10期9-13,共5页

采用谱矩阵方法，推导了了三种电路组态的噪声谱矩阵关系，从而完整、准确地比较了晶体管三种电路组态的噪声性能。理论分析及仿真计算表明，不同组态电路在一般情况下虽然差异较小，但在高频范围，特别是当器件工作在小电流情况下，噪... 采用谱矩阵方法，推导了了三种电路组态的噪声谱矩阵关系，从而完整、准确地比较了晶体管三种电路组态的噪声性能。理论分析及仿真计算表明，不同组态电路在一般情况下虽然差异较小，但在高频范围，特别是当器件工作在小电流情况下，噪声性能判别会增加。 展开更多

关键词 晶体管电路 噪声谱 矩阵 噪声性能 电路组态

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平面高反压器件的两维数值模拟

18

作者 邓蓓 包宗明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期155-160,共6页

本文报告了用有限差分法解两维泊松方程的方法分析带有场限制环的平面高反压器件的耐压性能的模拟程序。介绍了程序的算法及原理。程序是用FORTRAN语言编写,并在VAX11/750机上实现。文中还举例说明了利用此程序分析平面高反压器件所得... 本文报告了用有限差分法解两维泊松方程的方法分析带有场限制环的平面高反压器件的耐压性能的模拟程序。介绍了程序的算法及原理。程序是用FORTRAN语言编写,并在VAX11/750机上实现。文中还举例说明了利用此程序分析平面高反压器件所得到的新结果在器件的优化设计及实际生产中的重要意义。 展开更多

关键词 平面器件 高反压器件 数值模拟

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可控硅整流装置引起的危害和抑制措施

19

作者 林基堂 牟桃 《鸡西大学学报（综合版）》 2006年第6期72-73,共2页

使用的可控硅整流装置产生的高次谐波,如不加抑制会对交流电网和电器设备产生严重影响。为确保系统运行安全,须对可控整流装置采用实际可行的抑制措施。

关键词 可控装置 高次谐波 涉及危害 抑制措施 确保安全.

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结型场效应晶体管漏源饱和电流一致性的控制

20

作者 周元才 《电子产品可靠性与环境试验》 1999年第6期30-35,共6页

关键词 场效应晶体管 漏源饱和电流 结型 晶体管

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