扩Ga基区高反压晶体三极管V—1特性分析

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作者 修显武 孙海波 +3 位作者 裴素华 杨利 周忠平 郭兴龙 《科学技术与工程》 2002年第5期32-35,共4页

从器件物理的角度,对杂质、掺杂方式不同,形成基区的高耐压晶体三极管I-V负阻效应随机性进行分析。结果认为,负阻摆幅的大小对小电流注入下放大性能的优劣产生直接影响,而对发射极-收集极间的真正击穿电压并无减小损失;进一步证明了在Si... 从器件物理的角度,对杂质、掺杂方式不同,形成基区的高耐压晶体三极管I-V负阻效应随机性进行分析。结果认为,负阻摆幅的大小对小电流注入下放大性能的优劣产生直接影响,而对发射极-收集极间的真正击穿电压并无减小损失;进一步证明了在SiO_2/Si系统中,开管扩Ga形成的晶体管,具有耐压高、漏电流小的特点。 展开更多

关键词 扩Ga基区 高反压晶体三极管 V-1特性 镓 负阻效应 击穿电压 电流放大系数 共基极直流电流放大系数

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采用12MeV电子辐照技术制造高反压大功率开关晶体管 被引量：2

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作者 杭德生 汪铭雄 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期46-48,共3页

本文研究了首次应用最佳能量（１２ＭｅＶ）电子对大功率开关晶体管辐照的结果。应用结果表明：１２ＭｅＶ电子辐照开关晶体管具有开关特性优良、热稳定性高、器件参数一致性好等特点。

关键词 12MeV 开关晶体管 退火试验 电子辐照

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硅单晶杂质补偿度对超高反压大功率晶体管耐压特性的影响

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作者 吴仲墀 钱佑华 +1 位作者 张维宽 罗振华 《应用科学学报》 CAS CSCD 1991年第1期91-94,共4页

一、引言 超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低... 一、引言 超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低其成本。 实验用的衬底硅单晶片是电阻率大体相同(P≈80Ωom)的N-Si。实验时,从同一硅单晶锭切下硅片,用55K低温霍尔法和迭代法抽样检测其杂质补偿度K,再将和抽样检测样品相邻的硅片,经严格抛光清洗之后投片生产晶体管。每次生产条件严格保持相同。对生产出的晶体管,统测其耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)及其合格率ξ,η等。合格率ξ和η分别定义为耐压≥某额定耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)的成品数对总成品数之比。 展开更多

关键词 晶体管 杂质补偿度 硅 DF104 耐压

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平面高反压器件的优化设计与工艺分析

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作者 邓蓓 包宗明 《应用科学学报》 CAS CSCD 1990年第1期91-94,共4页

本文用有限差分法解两维泊松方程,分析了在带有场限制环的平面高反压器件的制作中,硅表面不同的正电荷对最优环间距和击穿电压的影响及在掩膜间距不变的情况下击穿电压对衬底掺杂浓度和结深的灵敏性.这些结果对实际工艺生产有指导意义.

关键词 电压 高反压器件 优化 平面 硅

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Si/SiGe/SiHBT的优化设计 被引量：3

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作者 张万荣 李志国 +5 位作者 郭伟玲 孙英华 穆甫臣 程尧海 沈光地 罗晋生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期13-18,22,共7页

给出了常温和低温Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的设计原则，并进行了讨论。指出了低温和室温ＨＢＴ设计上的差异。这些原则可用于优化设计特定要求的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。

关键词 异质结 晶体管 设计 GBT 双极晶体管

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晶体管场环终端技术的优化设计及应用

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作者 李照 张战国 +2 位作者 高博 常正阳 黄山圃 《电子技术应用》 北大核心 2017年第1期24-27,共4页

主要研究晶体管中浮空场环的技术原理和设计优化及其在实际应用中对晶体管耐压性能的影响。在实际产品版图设计中采用了浮空场环设计并通过优化场环间距来满足晶体管的高耐压要求,并通过Silvaco软件进行工艺和器件仿真。根据仿真结果及... 主要研究晶体管中浮空场环的技术原理和设计优化及其在实际应用中对晶体管耐压性能的影响。在实际产品版图设计中采用了浮空场环设计并通过优化场环间距来满足晶体管的高耐压要求,并通过Silvaco软件进行工艺和器件仿真。根据仿真结果及理论计算进行浮空场环优化设计,并通过实际流片验证浮空场环对晶体管耐压性能的提高效果。 展开更多

关键词 浮空场环 高耐压 场环优化 场环间距

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行输出高反压晶体管的新工艺特性研究

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作者 刘胜利 《电视技术》 北大核心 1991年第12期40-45,共6页

(1)高反压晶体管的结构与特性高反压晶体管与普通低压晶体管的根本区别,在于组成其结构的材料具有特殊的电阻。为了让高反压晶体管获得1000V或更高的击穿电压,在其集电极(N^+)和基极(P)之间插入一个称为Ⅰ层的低密度杂质层,见图1。图2... (1)高反压晶体管的结构与特性高反压晶体管与普通低压晶体管的根本区别,在于组成其结构的材料具有特殊的电阻。为了让高反压晶体管获得1000V或更高的击穿电压,在其集电极(N^+)和基极(P)之间插入一个称为Ⅰ层的低密度杂质层,见图1。图2给出了高反压晶体管的标准输出特性V_(CE)-I_C。图中包括5个区域:(A)深饱和区,(B)准饱和区,(C)放大区。 展开更多

关键词 高反压 晶体管 行输出 工艺

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高压PN结台面研磨损伤层的DLTS研究

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作者 田敬民 张德贤 《半导体杂志》 1990年第2期1-6,共6页

关键词 硅 高反压 台面 DLTS 损伤

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3DK20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制

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作者 韩春辉 孙学文 《黑龙江电子技术》 1996年第2期1-3,共3页

本文较详细地介绍了3KD20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流I_(cm)=20A,最大耗散功率P_(cm)=250W,C-E结反向击穿电压V_[(BR)(ceo)]≥900V,C-B结反向击穿电压V_[(BR)(cbo)]≥1200V,属国内首创,技术... 本文较详细地介绍了3KD20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流I_(cm)=20A,最大耗散功率P_(cm)=250W,C-E结反向击穿电压V_[(BR)(ceo)]≥900V,C-B结反向击穿电压V_[(BR)(cbo)]≥1200V,属国内首创,技术性能指标基本达到国际同类军用产品水平。 展开更多

关键词 高反压 大功率 晶体管 半绝缘多晶硅

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高反压晶体管的关键工艺——玻璃钝化

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作者 韩春辉 孙学文 《黑龙江电子技术》 1996年第1期33-35,38,共3页

本文较详细地介绍了高反压晶体管玻璃钝化的生产工艺。该工艺操作简单、成本低,生产出的产品一致性好,可靠性高。

关键词 高反压晶体管 玻璃钝化 工艺

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硅NPN型高反压,大功率开关晶体管参数

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作者 蔡仁明 《无线电》 北大核心 1991年第10期43-43,共1页

关键词 高反压 晶体管 硅 NPN 参数

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