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采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究 被引量:2
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作者 李立本 张锦心 +1 位作者 陈修治 阙端麟 《浙江大学学报(自然科学版)》 CSCD 1990年第3期339-344,共6页
本文论述在纯氮气氛中生长硅单晶技术,根据器件工艺要求,与器件厂相互配合,取得了功率晶体管成品率的大幅度提高,肯定了氮保护气氛下生长的硅单晶的优越质量。
关键词 功率晶体管 硅单晶 生长
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中、大功率塑封晶体管采用丝状Pb-In-Ag合金作粘接材料
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作者 金锡昆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期64-64,23,共2页
中、大功率晶体管生产中,晶体管芯片与框架的粘接质量是决定晶体管性能的关键之一。可以说,晶体管芯片制成后,芯片与框架的粘接质量是晶体管成品质量的决定性因素。目前,对于中、大功率晶体管均采用锡基或铅基合金作粘片材料,而且都是... 中、大功率晶体管生产中,晶体管芯片与框架的粘接质量是决定晶体管性能的关键之一。可以说,晶体管芯片制成后,芯片与框架的粘接质量是晶体管成品质量的决定性因素。目前,对于中、大功率晶体管均采用锡基或铅基合金作粘片材料,而且都是将合金制成薄带状。这种带状合金有利于自动化程度较高的粘片机使用,而且对每个晶体管的合金用量基本一致。 展开更多
关键词 塑料封装 功率晶体管 粘结材料
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