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采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究
被引量:
2
1
作者
李立本
张锦心
+1 位作者
陈修治
阙端麟
《浙江大学学报(自然科学版)》
CSCD
1990年第3期339-344,共6页
本文论述在纯氮气氛中生长硅单晶技术,根据器件工艺要求,与器件厂相互配合,取得了功率晶体管成品率的大幅度提高,肯定了氮保护气氛下生长的硅单晶的优越质量。
关键词
功率晶体管
氮
硅单晶
生长
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职称材料
中、大功率塑封晶体管采用丝状Pb-In-Ag合金作粘接材料
2
作者
金锡昆
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期64-64,23,共2页
中、大功率晶体管生产中,晶体管芯片与框架的粘接质量是决定晶体管性能的关键之一。可以说,晶体管芯片制成后,芯片与框架的粘接质量是晶体管成品质量的决定性因素。目前,对于中、大功率晶体管均采用锡基或铅基合金作粘片材料,而且都是...
中、大功率晶体管生产中,晶体管芯片与框架的粘接质量是决定晶体管性能的关键之一。可以说,晶体管芯片制成后,芯片与框架的粘接质量是晶体管成品质量的决定性因素。目前,对于中、大功率晶体管均采用锡基或铅基合金作粘片材料,而且都是将合金制成薄带状。这种带状合金有利于自动化程度较高的粘片机使用,而且对每个晶体管的合金用量基本一致。
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关键词
塑料封装
功率晶体管
粘结材料
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职称材料
题名
采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究
被引量:
2
1
作者
李立本
张锦心
陈修治
阙端麟
机构
浙江大学材料科学与工程学系
出处
《浙江大学学报(自然科学版)》
CSCD
1990年第3期339-344,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文论述在纯氮气氛中生长硅单晶技术,根据器件工艺要求,与器件厂相互配合,取得了功率晶体管成品率的大幅度提高,肯定了氮保护气氛下生长的硅单晶的优越质量。
关键词
功率晶体管
氮
硅单晶
生长
Keywords
Nitrogen, Transistor, Silicon crystal
分类号
TN323.404 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
中、大功率塑封晶体管采用丝状Pb-In-Ag合金作粘接材料
2
作者
金锡昆
机构
苏州半导体总厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期64-64,23,共2页
文摘
中、大功率晶体管生产中,晶体管芯片与框架的粘接质量是决定晶体管性能的关键之一。可以说,晶体管芯片制成后,芯片与框架的粘接质量是晶体管成品质量的决定性因素。目前,对于中、大功率晶体管均采用锡基或铅基合金作粘片材料,而且都是将合金制成薄带状。这种带状合金有利于自动化程度较高的粘片机使用,而且对每个晶体管的合金用量基本一致。
关键词
塑料封装
功率晶体管
粘结材料
分类号
TN323.404 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究
李立本
张锦心
陈修治
阙端麟
《浙江大学学报(自然科学版)》
CSCD
1990
2
在线阅读
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职称材料
2
中、大功率塑封晶体管采用丝状Pb-In-Ag合金作粘接材料
金锡昆
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991
0
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职称材料
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引证文献
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