静电放电和方波EMP对微电子器件的效应 被引量：15

1

作者 原青云 武占成 +2 位作者 杨洁 张希军 薛田 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期47-50,共4页

为了得到微波低噪声晶体管电磁脉冲的最灵敏端对和最敏感参数以及相关规律和器件的损伤/失效机理和模式,首先采用静电放电人体模型(HBM),针对两类硅晶体三极管(3DG218、3358)进行了静电放电敏感性相关实验,得到该类晶体管的ESD敏感端对... 为了得到微波低噪声晶体管电磁脉冲的最灵敏端对和最敏感参数以及相关规律和器件的损伤/失效机理和模式,首先采用静电放电人体模型(HBM),针对两类硅晶体三极管(3DG218、3358)进行了静电放电敏感性相关实验,得到该类晶体管的ESD敏感端对是CB结;器件损伤时的灵敏参数是VBRCEO;又采用方波注入法对两晶体管进行实验比较了从CB结反向注入与从EB结反向注入的损伤电压值,发现该类器件的EMP最敏感端对是CB结而非以往人们认为的EB结。 展开更多

关键词 微电子器件 静电放电 方波注入 敏感端对 人体模型

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应用于射频前端的高Q值SiGe HBT有源电感 被引量：4

2

作者 赵彦晓 张万荣 +3 位作者 谢红云 郭振杰 丁春宝 付强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期101-104,共4页

针对传统的共基-共射(CB-CE)回转器有源电感的品质因子Q值低等缺点,应用Cascode结构把CB-CE有源电感改进为共基-共射-共基(CB-CE-CB)有源电感,推导出等效电路及等效阻抗表达式。最后基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用ADS软件完成... 针对传统的共基-共射(CB-CE)回转器有源电感的品质因子Q值低等缺点,应用Cascode结构把CB-CE有源电感改进为共基-共射-共基(CB-CE-CB)有源电感,推导出等效电路及等效阻抗表达式。最后基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用ADS软件完成电路设计与仿真,应用Cadence Virtuoso平台完成版图设计。改进之后的有源电感,通过改变外加偏置条件,实现了电感值和品质因子Q值的可调,电感值可调范围为0.35～2.72 nH,Q值最大值可达1 172,版图面积仅为51μm×35μm。该有源电感应用于射频电路中,可取代无源电感。与无源电感相比,品质因子Q值明显提高,版图面积大大减小,更利于集成。 展开更多

关键词 有源电感 回转器 品质因子

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微波低噪声SiGe HBT的研制 被引量：3

3

作者 钱伟 张进书 +2 位作者 贾宏勇 林惠旺 钱佩信 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期445-450,共6页

利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益... 利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益为 9d B。 展开更多

关键词 微波 低噪声 锗化硅 HBT 晶体管

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TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用 被引量：2

4

作者 张伟 王玉东 +5 位作者 熊小义 许军 单一林 李希有 刘爱华 钱佩信 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期40-43,共4页

通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别... 通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别越大。 展开更多

关键词 锗硅异质结双极晶体管 二硅化钛 微波 低噪声

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电子束实现210 nm栅长115 GHz GaAs基mHEMT器件 被引量：1

5

作者 曾建平 安宁 +4 位作者 李志强 李倩 唐海林 刘海涛 梁毅 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2018年第1期17-20,37,共5页

为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅... 为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅极。In Al As/In Ga As异质结Ga As-m HEMT器件的直流特性和高频特性分别通过Agilent B1500半导体参数分析仪和Agilent 360 B矢量网络分析仪测试。直流测试结果显示,210 nm栅长In Al As/In Ga As沟道Ga As-m HEMT单指器件的最大有效输出跨导(gm:max)为195 m S/mm,器件最大沟道电流160 m A/mm。射频测试结果显示,电流增益截至频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为46 GHz和115 GHz。同时欧姆电极特性和栅极漏电特性也被表征,其中栅极最大饱和漏电流密度小于1×10-8 A/μm。 展开更多

关键词 T型栅 应变高电子迁移率晶体管 电流增益截至频率 最高振荡频率

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一种高线性GaAs pHEMT宽带低噪声放大器的设计

6

作者 谭晓衡 付扬东 +1 位作者 林杰 黄剑 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1049-1053,共5页

针对互补金属氧化物半导体工艺在高频时性能差的缺点,基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种用于无线通信系统的宽带低噪声放大器,宽带低噪声放大器的设计采用负反馈来获得平坦的增益和较低的输入输出反射系数。电路版图设... 针对互补金属氧化物半导体工艺在高频时性能差的缺点,基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种用于无线通信系统的宽带低噪声放大器,宽带低噪声放大器的设计采用负反馈来获得平坦的增益和较低的输入输出反射系数。电路版图设计好后利用Advanced Design System 2005进行仿真。仿真结果表明,该放大器在0.3~2.2 GHz频带内,增益高于12 dB,且变化小于3 dB;噪声系数在1.04~1.43 dB之间,输入输出反射系数均小于-10 dB,群延时特性在整个频带内接近线性,且在整个频带内无条件稳定,所设计的宽带低噪声放大器能够很好地满足实际需要。 展开更多

关键词 低噪声放大器 噪声系数 无线通信系统 赝配高电子迁移率晶体管 增益 群延时

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单电子晶体管中低频散粒噪声的特性分析(英文)

7

作者 徐宝民 麦崇裔 +1 位作者 刘永清 张丽清 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期73-78,共6页

本文中，我们将双结系统的散粒噪声理论应用于单电子晶体管中，并准确地推导出两态情况下单电子晶体管噪声谱的解析表达式．进而对单电子晶体管中引起散粒噪声的因素作了简要的讨论．

关键词 散粒噪声 单电子晶体管 隧穿率 噪声谱

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GaInP/GaAs HBT高频噪声特性分析

8

作者 程知群 车延锋 +1 位作者 刘海文 孙晓玮 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期466-469,共4页

通过器件Z参数分析噪声等效电路及计算最小噪声系数 ,利用HPADS软件仿真了等效电路元件对最小噪声系数的影响 ,从而得出了根据器件几何、物理参数来改进器件高频噪声性能的有效途径。

关键词 异质结双极性晶体管 最小噪声系数 噪声等效电路

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单电子晶体管低频散粒噪声的数值解(英文)

9

作者 徐宝民 刘永清 张丽清 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期95-101,共7页

在文〔１〕的基础上，讨论了单电子晶体管在两态情况下的散粒噪声的行为和噪声谱与各个电路因子的关系，从而给出了优化单电子晶体管操作环境的一些重要结论：信噪比可以通过调节电路参数而得到抑制，通过调节门电压可以起到降低温度扰... 在文〔１〕的基础上，讨论了单电子晶体管在两态情况下的散粒噪声的行为和噪声谱与各个电路因子的关系，从而给出了优化单电子晶体管操作环境的一些重要结论：信噪比可以通过调节电路参数而得到抑制，通过调节门电压可以起到降低温度扰动的作用。 展开更多

关键词 散粒噪声 单电子晶体管 噪声谱 数值解

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具有136GHz的0.18m GaAs Metamorphic HEMT器件

10

作者 康耀辉 张政 +1 位作者 朱赤 高剑锋 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期167-169,共3页

应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的I... 应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到275mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.15V时的最大非本征跨导gm为650mS/mm,截止频率ft达到136GHz,最大振荡频率fmax大于120GHz。 展开更多

关键词 渐变组分高迁移率晶体管 T形栅 截止频率

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IGBT在脉冲功率预调器中的应用

11

作者 李网生 周松柏 牛力伟 《现代雷达》 CSCD 1996年第3期86-90,共5页

介绍了一种使用绝缘栅控双极型晶体管（ＩＧＢＴ）设计的脉冲功率预调器，它使用在某雷达发射管测试台中。对预调器各部分组成和工作原理作了叙述，并给出了实验结果。

关键词 绝缘栅控 双极型晶体管 脉冲功率预调器

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SiGe HBT高频噪声特性研究 被引量：2

12

作者 高攀 张万荣 +9 位作者 谢红云 邱建军 沙永萍 金冬月 张静 张正元 刘道广 王健安 徐学良 陈光炳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期394-396,405,共4页

对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与f2成正比关系,且NFmin随着集电极电流的增大先... 对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与f2成正比关系,且NFmin随着集电极电流的增大先减小后增大。结果表明,噪声最小时的最佳偏置电流所对应的特征频率fT并不是最大特征频率,约为最大特征频率的50%。 展开更多

关键词 硅锗 异质结双极型晶体管 高频噪声

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横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文) 被引量：1

13

作者 高攀 张万荣 +8 位作者 邱建军 杨经纬 金冬月 谢红云 张静 张正元 刘道广 王健安 徐学良 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期495-498,共4页

从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响。结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声... 从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响。结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著。发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB。 展开更多

关键词 HBT SIGE 横向尺寸 高频噪声

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制冷HEMT低噪声放大器偏置电源的研制 被引量：2

14

作者 徐江 孙正文 《天文研究与技术》 CSCD 北大核心 2008年第1期91-96,98,共7页

高电子迁移率晶体管(HEMT)目前被广泛应用于高灵敏度(低噪声)射电天文接收机中。在低温制冷环境下,其低噪声性能更佳,但对偏置供电系统要求很高,只有在特定的偏置条件下才能得到最佳的低噪声、高增益、高稳定性。本文提供了一套可调试... 高电子迁移率晶体管(HEMT)目前被广泛应用于高灵敏度(低噪声)射电天文接收机中。在低温制冷环境下,其低噪声性能更佳,但对偏置供电系统要求很高,只有在特定的偏置条件下才能得到最佳的低噪声、高增益、高稳定性。本文提供了一套可调试、高稳定、高可靠性、带远程监控功能的可供多级低温制冷HEMT管的偏置电源的设计思路、方法和制作,使在低温制冷状态下的HEMT管能够稳定、安全、可靠地工作在最佳状态。 展开更多

关键词 HEMT 低噪声 放大器 偏置电源

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微波高增益低噪声晶体管研制

15

作者 张艺 黄雒光 潘宏菽 《电声技术》 2019年第6期39-42,共4页

介绍了微波高增益低噪声晶体管的设计原理,分析了器件特征频率、增益、噪声及可靠性在设计时应考虑的因素。基于自主开发的工艺平台,成功研制了一款工作于UHF频段的高增益低噪声晶体管。该器件工作电压8 V,连线波工作条件下,特征频率达... 介绍了微波高增益低噪声晶体管的设计原理,分析了器件特征频率、增益、噪声及可靠性在设计时应考虑的因素。基于自主开发的工艺平台,成功研制了一款工作于UHF频段的高增益低噪声晶体管。该器件工作电压8 V,连线波工作条件下,特征频率达到8 GHz,在0. 5~2 GHz频带内1 dB压缩增益大于13 d B,噪声系数小于2. 0 d B,表现出良好的微波性能。经过长期使用,器件性能稳定,实现了器件国产化及工程应用的突破。 展开更多

关键词 微波 晶体管 特征频率 高增益 低噪声 可靠性

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大生产中超高频低噪声管失效分析

16

作者 吴振江 《电子器件》 CAS 1996年第3期179-183,共5页

本文介绍了大生产中超高频低噪声管的失效现象，对生产结果进行了讨论，亦提出了新的工艺方法。

关键词 失效分析 EB结构 软击穿 低噪声晶体管

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