质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性 被引量：3

1

作者 姜柯 陆妩 +5 位作者 马武英 郭旗 何承发 王信 曾俊哲 刘默涵 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期2087-2092,共6页

对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM... 对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。 展开更多

关键词 PNP输入双极运算放大器 质子辐射 60 Coγ射线辐射 辐射效应

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开尔文探针法研究PLED的阳极修饰

2

作者 黄文波 刘力千 傅伟文 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2019年第7期40-42,46,共4页

在氧化铟锡上旋涂一层磺化聚苯乙烯掺杂的聚噻吩衍生物PEDOT用作阳极缓冲层,达到增强空穴注入、提高器件的发光效率的目的。该文分析了开尔文探针法测试材料功函数的原理,实验研究了氧化铟锡经过修饰后功函数的变化。

关键词 聚合物发光二极管 开尔文探针法 功函数

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LED静电损伤在老化过程中的变化趋势 被引量：4

3

作者 袁晨 代文文 +1 位作者 陈楚 严伟 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期339-342,共4页

针对发光二极管(LED)的可靠性问题,将抗静电测试与高温老化实验结合,将蓝绿色发光材料制成的二极管分组,测试其经过老化过程后的光色参数变化。实验数据表明,蓝绿色LED裸片与封装样品老化过程中的衰减趋势有一定差异,老化程度与封装材... 针对发光二极管(LED)的可靠性问题,将抗静电测试与高温老化实验结合,将蓝绿色发光材料制成的二极管分组,测试其经过老化过程后的光色参数变化。实验数据表明,蓝绿色LED裸片与封装样品老化过程中的衰减趋势有一定差异,老化程度与封装材料和发光材料的搭配方式有关。对于未被静电损伤的芯片,经过老化过程后,并没有出现静电损伤被放大导致功能性失效的现象,静电对其参数衰减无明显影响,与单一的老化实验趋势相似。对于经过静电击打后出现异常,无法正常发光的芯片,高温老化实验产生了使其迅速损坏和复原的情况。 展开更多

关键词 LED 阿伦尼斯 ESD 可靠性

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基于CBP的高效稳定绿色磷光OLED 被引量：2

4

作者 徐瑶 寇志起 +1 位作者 程爽 卜胜利 《电子科技》 2016年第3期122-125,共4页

使用真空蒸镀法分别制作了以TCTA和CBP做为主体材料的绿色磷光OLED器件,发现采用CBP为主体材料的器件比采用TCTA为主体材料的器件更稳定。之后在采用CBP作为主体材料的器件中分别掺杂了3%,6%,9%的蓝色客体磷光材料FIrpic,得出在掺杂浓度... 使用真空蒸镀法分别制作了以TCTA和CBP做为主体材料的绿色磷光OLED器件,发现采用CBP为主体材料的器件比采用TCTA为主体材料的器件更稳定。之后在采用CBP作为主体材料的器件中分别掺杂了3%,6%,9%的蓝色客体磷光材料FIrpic,得出在掺杂浓度为3%时,即器件结构为ITO/HAT-CNTAPC/CBP:8%Ir(ppy)3:3%FIrpic/Tmpypb/Liq/Al时性能最佳。FIrpic掺杂比例为3%时得到最大功率效率和最大电流效率分别为54.3 lm/W和64.8 cd/A,最大亮度为51 940 cd/m^2。研究表明Firpic的掺杂,在不改变绿色磷光OLED光谱性能的同时,有助于提高绿色磷光OLED的电光性能。 展开更多

关键词 绿色有机发光二极管 CBP FIrpic 掺杂

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势垒硅掺杂对GaN基LED极化电场及其光电性能的影响 被引量：2

5

作者 张正宜 王超 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期1445-1450,共6页

势垒硅掺杂对InGaN量子阱中的电场及LED器件的光电性能有着重要的影响。采用6×6 K·P方法计算了不同势垒硅掺杂浓度对量子阱中电场的变化,研究表明当势垒硅掺杂浓度>1e^(18)cm^(-3)时,阱垒界面处的电场强度会变大,这主要是... 势垒硅掺杂对InGaN量子阱中的电场及LED器件的光电性能有着重要的影响。采用6×6 K·P方法计算了不同势垒硅掺杂浓度对量子阱中电场的变化,研究表明当势垒硅掺杂浓度>1e^(18)cm^(-3)时,阱垒界面处的电场强度会变大,这主要是由于硅掺杂浓度过高导致量子阱中界面电荷的聚集。进一步发现随着势垒掺杂浓度的升高,总非辐射复合随之增加,其中俄歇复合增加,而肖克莱-霍尔-里德复合随之减少,这是由于点陷阱的增大形成了缺陷能级。电流电压曲线表明势垒掺杂可有效改善Ga N基LED的工作电压,这归于掺杂浓度的提高改善了载流子的传输特性。当掺杂浓度为1e^(18)cm^(-3)时,获得了较高的内量子效率,这主要是由于适当的势垒掺杂降低了量子阱中界面电荷的损耗。 展开更多

关键词 势垒 量子阱 极化电场 光电性能

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基于微透镜阵列生成特定矩形光斑的TIR组合透镜设计与仿真 被引量：3

6

作者 刘雁杰 惠彬 +1 位作者 李景镇 丁金妃 《光学仪器》 2015年第6期517-521,共5页

LED功率的不断增大使其逐渐替代传统光源,并广泛用于各种照明光源。在某些室内照明以及道路照明设计中,通常需要借助LED透镜产生矩形光斑从而充分利用光能避免浪费。利用Light Tools软件设计了一种全内反射(total internal reflection,T... LED功率的不断增大使其逐渐替代传统光源,并广泛用于各种照明光源。在某些室内照明以及道路照明设计中,通常需要借助LED透镜产生矩形光斑从而充分利用光能避免浪费。利用Light Tools软件设计了一种全内反射(total internal reflection,TIR)透镜与特定微型透镜阵列的组合透镜,设置TIR准直透镜透射曲面和全反射曲面为二次曲面,并对其进行准直优化。然后建立单个微型透镜,设置单个矩形微透镜长宽比分别为1∶1、3∶2和4∶3,并将其阵列化。通过改变微型透镜的尺寸以及球面曲率半径进行进一步优化,最后生成与微型透镜长宽比对应的均匀矩形光斑,从而满足不同矩形照明区域的照明需求。 展开更多

关键词 照明工程 LED TIR透镜 微型透镜

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用于DLP投影系统的自由曲面TIR准直透镜设计 被引量：6

7

作者 刘雁杰 惠彬 +2 位作者 李景镇 丁金妃 朱天龙 《红外技术》 CSCD 北大核心 2015年第7期582-587,共6页

为了提高DLP投影照明系统中准直部分的准直度并简化准直光路,采用一种自由曲面的TIR透镜作为DLP投影照明系统的准直器件。首先根据空间斯涅耳定律推导出反射曲面以及透射曲面母线上的点的坐标关系,并采用迭代的方法使用Matlab软件计算... 为了提高DLP投影照明系统中准直部分的准直度并简化准直光路,采用一种自由曲面的TIR透镜作为DLP投影照明系统的准直器件。首先根据空间斯涅耳定律推导出反射曲面以及透射曲面母线上的点的坐标关系,并采用迭代的方法使用Matlab软件计算出母线上各个点的坐标并绘制出曲线图形,然后利用Pro/Engineer对TIR准直透镜进行建模得到TIR准直透镜的模型。分别用理想点光源和扩展光源进行模拟,经过TIR透镜准直后光束发散角在±7°以内,并根据选用的DMD芯片和LED光源选择合适的TIR透镜参数,建立DLP投影照明系统后进行模拟仿真,最终均匀度达到了90%,满足了投影照明系统的需求。 展开更多

关键词 自由曲面 DLP 投影照明 准直透镜 光学设计

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基于相对光谱分布的发光二极管光效非接触式检测方法

8

作者 饶丰 邱伟 +1 位作者 刘娜 黄郑霞 《科学技术与工程》 北大核心 2019年第2期96-100,共5页

为了开发一种发光二极管(light emitting diode,LED)光效的非接触式实时检测新方法,采用LED光色电综合测试仪,测量不同电流、不同环境温度下白色LED相对光谱分布和光效,计算蓝白比、蓝光部分质心波长,分析它们与光效之间的关系,得到了... 为了开发一种发光二极管(light emitting diode,LED)光效的非接触式实时检测新方法,采用LED光色电综合测试仪,测量不同电流、不同环境温度下白色LED相对光谱分布和光效,计算蓝白比、蓝光部分质心波长,分析它们与光效之间的关系,得到了一种根据蓝白比和蓝光部分质心波长表征LED光效的方法。研究表明:采用质心波长和蓝白比可以表征LED光效,其平均误差为2 Lm/W,符合工程测量准确度要求。可见,研究结果对LED产品实际光效的实时测量具有重要意义。 展开更多

关键词 发光二极管 光效 质心波长 蓝白比

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大功率LED驱动方案与模块分析

9

作者 林云锋 李国焱 《电子世界》 2012年第10期15-17,共3页

本文从大功率发光二极管概述、大功率模块驱动发光二极管在路灯照明领域的应用、大功率模块与LED的工作特性和可靠性设计四个方面,对大功率LED灯驱动电源模块的技术方案进行了探析。

关键词 大功率LED灯 驱动电源的技术 功能模块

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从LED器件技术进步看户外显示屏发展趋势 被引量：3

10

作者 程德诗 李达红 《现代显示》 2010年第5期30-32,共3页

文章通过对LED封装形态及配光特性的分析,揭示了传统直插式LED户外显示屏存在的两大缺陷的产生机理,并从近年来LED芯片光效的大幅提升以及器件封装技术的不断突破两方面,探讨户外LED显示屏未来的发展趋势。

关键词 LED 配光特性 封装形态 户外显示 发展趋势

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AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究 被引量：2

11

作者 李路 徐俞 +1 位作者 曹冰 徐科 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1158-1162,共5页

AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外光电子器件的理想材料。在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情况下,高质量AlN薄膜的异质外延是促进紫外光电子器件发展的关键。本文中,通过调节蓝宝石衬底上AlN的金属... AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外光电子器件的理想材料。在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情况下,高质量AlN薄膜的异质外延是促进紫外光电子器件发展的关键。本文中,通过调节蓝宝石衬底上AlN的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长模式产生高密度纳米级孔洞,利用纳米级孔洞降低AlN的位错,并在此基础上外延了AlGaN量子阱结构,得到了275 nm波段的深紫外LED薄膜,并制备了开启电压约为4.8 V,反向漏电电流仅为2.23μA(-3.0 V电压时)的深紫外LED器件。 展开更多

关键词 ALN薄膜 ALGAN材料 紫外LED 异质外延 纳米级孔洞

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浅谈体育场馆的显示屏和比赛计分系统 被引量：1

12

作者 胡柯 闫新江 《现代显示》 2010年第5期167-170,共4页

文章简要介绍了体育场馆LED显示屏的发展,对体育场馆LED显示屏的市场需求及开发进行了分析,并对体育场馆LED显示屏的要求和实现进行了讨论。又论述了在体育场馆中,体育比赛控制系统的应用及LED大屏幕、各种比分、计时器等体育裁判辅助... 文章简要介绍了体育场馆LED显示屏的发展,对体育场馆LED显示屏的市场需求及开发进行了分析,并对体育场馆LED显示屏的要求和实现进行了讨论。又论述了在体育场馆中,体育比赛控制系统的应用及LED大屏幕、各种比分、计时器等体育裁判辅助设施的设计。 展开更多

关键词 LED显示屏 体育比赛系统 体育场馆显示屏

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武汉诞生世界最大功率LED光源

13

《能源与环境》 2007年第4期69-69,共1页

由武汉国家光电实验室（筹）和华中科技大学机械学院合作，成功研制出1500w超大功率发光二极管（简称LED）光源。LED光源是一种可将太阳能转化为光能的新技术，该光源是一种不用灯泡的发光体,它通过半导体晶片发光，

关键词 LED光源 最大功率 武汉 大功率发光二极管 世界 华中科技大学 半导体晶片 实验室

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LED显示屏逐点校正技术在租赁屏中的应用

14

作者 苗成 《现代显示》 2010年第5期160-161,共2页

LED显示屏逐点校正技术是一种有效改善显示屏均匀性的手段。本文探讨了如何将该技术应用于LED租赁屏的维护中,使得租赁屏长期保持良好的图像显示效果。

关键词 校正技术 租赁屏 均匀性

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风光能电源和大功率发光二极管在城市照明工程中的应用

15

作者 陈志学 《城市照明》 2007年第2期41-41,29,共2页

城市照明工程面广量大，是全国的耗电大户之一，在当前和今后日益严峻的用电形势下，大力推广城市绿色照明工程具有十分重要的现实和长远意义。本文简述了风光能电源和功率发光二极管的基本概念和推广意义；介绍了它们在几个城市照明工... 城市照明工程面广量大，是全国的耗电大户之一，在当前和今后日益严峻的用电形势下，大力推广城市绿色照明工程具有十分重要的现实和长远意义。本文简述了风光能电源和功率发光二极管的基本概念和推广意义；介绍了它们在几个城市照明工程中的应用方案；最后总结了本人从事上述工程的几点工作体会，供同仁参考。 展开更多

关键词 风光能电源 发光二极管 城市绿色照明工程

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GaN基蓝光大功率发光二极管的研制 被引量：3

16

作者 邹德恕 顾晓玲 +7 位作者 孙重清 张剑铭 董立闽 郭霞 宋颖娉 沈光地 丁成隆 王新潮 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2006年第8期41-43,共3页

采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术,研制出GaN基蓝光大功率发光二极管(1mm×1mm)。其光学参数：总辐射功率143．19mW,光通量8．861m,发光效率7．291m/W,峰值波长462nm,半峰全宽24nm；其电学参数：正向电压3．47V、正向电... 采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术,研制出GaN基蓝光大功率发光二极管(1mm×1mm)。其光学参数：总辐射功率143．19mW,光通量8．861m,发光效率7．291m/W,峰值波长462nm,半峰全宽24nm；其电学参数：正向电压3．47V、正向电流350mA。对相关工艺进行了简要讨论。 展开更多

关键词 大功率发光二极管 自对准 倒装

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大功率发光二极管外延材料生长技术

17

《中国科技成果》 2011年第7期10-10,共1页

GaN基LED在照明市场的前景备受全球瞩目，它将成为21世纪的新一代光源。白光LED与白炽灯相比可节省80％～90％的电能，且寿命可超过10万小时。目前主要问题是芯片成本高，但从电子产品性价比发展规律看，半导体灯进入普通家庭已为期不远。

关键词 大功率发光二极管 生长技术 外延材料 GAN基LED 白光LED 照明市场 电子产品 半导体灯

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