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δ掺杂的赝配HEMTAlGaAs／InGaAs／GaAs结构的光电流谱: 1; 作者沈文忠黄醒良 +2 位作者唐文国李自元沈学础《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期107-112,共6页; 本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴＳ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光电流谱研究．实验观察到了ｎ＝１重空穴子带到ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带的激子吸收... 展开更多; 关键词晶体管 HEMT 光电流谱 AIGAAS INGAAS 砷化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

赝高电子迁移率晶体管结构的光反射谱研究: 2; 作者刘伟江德生 +2 位作者张耀辉金珊王若桢《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期139-144,共6页; 本文利用变温光反射谱和室温光伏谱研究了赝高电子迁移率晶体管结构中二维电子气的行为，发现二维电子气的屏蔽作用对低指数子带较为显著，而对较高子带则弱得多，同时带填充效应在不同温度下对临界点跃迁能量及跃迁强度也有不同影响．; 关键词电子迁移率晶体管光反射谱 HEMT; 在线阅读下载PDF 职称材料

沟道基区晶体管的频率特性: 3; 作者方凯《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1989年第4期27-32,共6页; 本文是利用新近研制成功的沟道基区晶体管(CBT)的等效电路,详细地推导出CBT的频率特性与其物理参数的关系,并指出提高频率特性的方向和方法。; 关键词晶体管频率; 在线阅读下载PDF 职称材料

GTR多环FLR结构优化被引量：2: 4; 作者荆春雷肖浦英陈治明《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期224-228,共5页; 利用泊松方程的准三维数值解法，以三环ＦＬＲ系统为例，讨论对ＧＴＲ的ＦＬＲ系统进行结构优化的基本问题和方法．着重探讨了优化判据问题，指出界面电荷密度对优化结果的准确性影响很大．; 关键词电力晶体管场限环结构优化晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

Spindt三极管静电场分析被引量：1: 5; 作者刘永强刘卫东 +1 位作者刘云鹏罗恩泽《电子器件》 CAS 1994年第3期38-41,共4页; 本文利用计算机数值分析，得到了一组Ｓｐｉｎｄｔ三极管的发射尖端几何因子的计算公式；计算了器件内的场分布，对一组较典型的结构参数绘出了等势线。; 关键词 Spindt三极管数值分析几何因子真空微电子学; 在线阅读下载PDF 职称材料

全欧姆接触结构缩短晶体管贮存时间的研究: 6; 作者张屏英《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期171-177,共7页; 本文介绍一种用于减少晶体管贮存时间的全欧姆接触新结构。这种结构使载流子在接触界面两边均能维持其平衡值。使用这种结构在晶体管内为少数载流子和多数载流子提供一种复合通道,在基区和集电区内引进新的复合机构,从而减少了晶体管的... 展开更多; 关键词晶体管贮存时间全欧姆接触结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

新器件简讯(16): 7; 作者凡文《电子世界》 1995年第11期22-22,共1页; 本文介绍12位串行输出A/D变换器、微功耗高速升压式DC/DC变换器、微处理器控制的充电器、有RS232接口用收发器集成电路、数字式电子电位器IC、倾斜传感器,微型步进马达以及微型铁氧体铁芯等新元器件。 LTC1285/LTC1288 LTC1285/LTC1288... 展开更多; 关键词电子元件电子器件贴片式晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

晶体三极管的结构代用方法和使用注意事项: 8; 作者余恭华《家电检修技术》 1996年第3期17-17,共1页; 一、晶体三极管的结构晶体三极管由三个区二个PN结构成。因为三极管的二个PN结可有两种组合方式,即NPN型[图1—a]和PNP型[图1—b]中间一层叫做基区,左边一层叫发射区,右边一层叫集电区。基区与发射区之间的PN结叫发射结。集电区与基区... 展开更多; 关键词晶体管半导体三级管晶体管结构; 原文传递

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