静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究 被引量：3

1

作者 李思渊 孙卓 刘肃 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1994年第2期34-38,共5页

对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电... 对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电流-电压特性与空间电荷限制效应密切相关. 展开更多

关键词 静电感应 晶体管 工作模式

在线阅读 下载PDF 职称材料

HEMT的Kink效应和低频偏移效应解析模型 被引量：1

2

作者 张义门 吴拥军 张玉明 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期14-17,共4页

本文在考虑到界面态陷阱的基础上，建立了ＨＥＭＴ的静态和交流小信号解析模型，该模型能够正确地描述ＨＥＭＴ的Ｋｉｎｋ效应和低频偏移效应，并和实验符合相当好．文中还深入讨论了Ｉｎ组分和偏置的影响．

关键词 晶体管 Knik效应 低频偏移效应 HEMT

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶体管PN结缺陷形成的G-R噪声研究 被引量：3

3

作者 戴逸松 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期47-54,共8页

本文对大量晶体管g-r噪声测量结果表明,常温下g-r噪声具有很宽的时间常数分布及可能有很大的幅度.现有的文献已无法解释这些实验结果,为此本文提出了pn结区缺陷引起的g-r噪声机理,给出了g-r噪声幅度及时间常数计算公式,可以对晶体管pn... 本文对大量晶体管g-r噪声测量结果表明,常温下g-r噪声具有很宽的时间常数分布及可能有很大的幅度.现有的文献已无法解释这些实验结果,为此本文提出了pn结区缺陷引起的g-r噪声机理,给出了g-r噪声幅度及时间常数计算公式,可以对晶体管pn结缺陷形成的g-r噪声的形式及特点作出满意的解释. 展开更多

关键词 晶体管 PN结 G-R噪声 缺陷

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶体管非工作期失效率预计 被引量：3

4

作者 杨家铿 翁寿松 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第8期558-564,共7页

本文根据晶体管非工作期可靠性统计数据建立了我国晶体管非工作期失效率预计模型，经验证，预计失效率与现场失效率相吻合．通过预计模型可预计晶体管在各类环境下的非工作期失效率，尤其给出了我国晶体管普通库房贮存失效率和贮存有效期．

关键词 晶体管 失效率预计 可靠性

在线阅读 下载PDF 职称材料

宽带隙材料作发射区的异质结光晶体管（HPT）的研究 被引量：1

5

作者 殷景志 张伟刚 《广西工学院学报》 CAS 1995年第1期70-75,共6页

本文在研究一种特珠结构的光晶体管──异质结光晶体管（ＨＰＴ）的工作原理基础上，分析用宽带隙材料作发射区，可减少注入损耗，提高增益的特性。

关键词 异质结 光晶体管 增益 发射区 半导体

在线阅读 下载PDF 职称材料

表面杂质浓度分布对晶体管负阻特性的影响

6

作者 裴素华 薛成山 赵善麒 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期202-205,共4页

本文对镓、镓－硼两种基区的３ＤＤ２０２型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析，证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极－集电极电压负阻特性有较大影响．

关键词 晶体管 表面杂质 浓度分布 负阻特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

放大电路图解法的教学讨论 被引量：2

7

作者 汤炳书 《常熟高专学报》 1999年第6期70-71,12,共3页

关键词 放大电路 图解法 教学 晶体管 输入特性方程

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶体管的高频小信号模型

8

作者 张从善 张秀海 《山东师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1993年第3期45-50,共6页

由晶体管的结构特点,引出其高频小信号模型,并进一步分析晶体管的丫参数等效电路,导出不同电路模型中电路参数之间的数量关系。

关键词 网络参数模型 交流等效电路 晶体管

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶体管共集电极和共基极H参数微变等效电路 被引量：1

9

作者 李银轮 《青海师范大学学报（自然科学版）》 1999年第4期34-37,共4页

本文用两种不同方法，分别导出三极管共集电极组态和共基极组态Ｈ参数。同时推出这两种组态Ｈ参数与共射极组态Ｈ参数之间的转换关系和等效电路图。

关键词 共集电极组态 共基极 H参数 等效电路 晶体管

在线阅读 下载PDF 职称材料

基区调变晶体管的“交叉点击穿”

10

作者 刘克源 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第1期26-29,共4页

本文研究了基区调变晶体管的电击穿现象,提出了描述这种电击穿的“交叉点击穿”理论方法,并应用这个理论方法计算了集成电路中横向PNP管的交叉点雪崩击穿电压,理论值与实验值符合得相当好。

关键词 晶体管 基区 调变 雪崩 击穿

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶体管输出特性曲线的物理机制 被引量：1

11

作者 崔芳葆 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1989年第1期80-82,共3页

引言晶体管特性曲线,是分析和计算晶体管电路的重要依据,也是生产者设计、制造和检测产品性能的直观参数指标.为了提高产品质量和深刻了解特性曲线的物理机制,并根据它的形状来快速分析和判别晶体管的优劣,我们从有关工厂的产品中,选择... 引言晶体管特性曲线,是分析和计算晶体管电路的重要依据,也是生产者设计、制造和检测产品性能的直观参数指标.为了提高产品质量和深刻了解特性曲线的物理机制,并根据它的形状来快速分析和判别晶体管的优劣,我们从有关工厂的产品中,选择了许多特性曲线各不相同的晶体管,对此进行了反复多次的观察、分析和研究,对多年来未弄清的问题提出了我们的看法,这对生产有一定的促进作用. 展开更多

关键词 晶体管输出 曲线 物理机制

在线阅读 下载PDF 职称材料

毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟

12

作者 张兴宏 杨玉芬 王占国 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期226-230,共5页

建立了高电子迁移晶体管（ＨＥＭＴ）的二维数值模型，并用二维数值模拟的方法讨论了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ中的ＧａＡｓ沟道层量子阱中二维电子气的物理性质．通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了沟道中的电子浓度和横向... 建立了高电子迁移晶体管（ＨＥＭＴ）的二维数值模型，并用二维数值模拟的方法讨论了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ中的ＧａＡｓ沟道层量子阱中二维电子气的物理性质．通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了沟道中的电子浓度和横向电场．模拟结果表明栅电压的改变对ＨＥＭＴ器件跨导产生很大的影响． 展开更多

关键词 二维数值模拟 电子气 高电子迁移率 晶体管

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶体管发射极电流集边效应物理意义之探讨 被引量：7

13

作者 石林初 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期14-18,共5页

由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一［１～４］。本文以发射极电流集边效应发生的程度，分为四个区域，详细探讨了归一化电位和电流密度分布的特点，指出：在Ⅰ～Ⅱ区，发射极电流... 由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一［１～４］。本文以发射极电流集边效应发生的程度，分为四个区域，详细探讨了归一化电位和电流密度分布的特点，指出：在Ⅰ～Ⅱ区，发射极电流集边效应不明显，晶体管承载电流能力主要由发射区面积决定；在Ⅰ～Ⅲ区，发射极电流集边效应明显，晶体管承载电流能力由发射区面积和发射区有效周长共同决定；在Ⅰ～Ⅳ区发射极电流集边效应已非常突出，晶体管承载电流能力由发射区有效周长决定。 展开更多

关键词 晶体管 发射极 电流集边效应

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶体管发射极势垒电容C_(Te)的测试及数据处理

14

作者 丛众 王荣 +1 位作者 刘怡 都春燕 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1998年第1期37-41,共5页

本文阐述了用ｆＴ测试仪，测试ＣＴｅ的原理，测试了３ＤＧ６０，３ＣＫ３和３ＣＧ２１ｃ的ＣＴｅ，并对大量测试结果用微机进行了处理，测试计算结果与经验公式给出的值吻合；

关键词 势垒电容 外推法 晶体管 发射极

在线阅读 下载PDF 职称材料

静电感应晶体管（SIT）电流—电压特性的准两维分析 被引量：1

15

作者 唐金科 李思渊 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1990年第1期39-43,34,共6页

关键词 晶体管 电流 电压 特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

低能X射线对NMOST的辐照损伤及退火特性

16

作者 韩林 宋钦歧 《微电子学》 CAS CSCD 1990年第1期6-11,共6页

本文研究了NMOS晶体管低能X射线辐照后氧化物陷阱电荷的产生、界面态的性质及空穴陷阱的退火特性等问题。实验结果表明,电离辐照产生的界面态具有施主性和受主性,而氧化物陷阱电荷引起的电压变化在退火过程中,随外加偏置电场极性的不同... 本文研究了NMOS晶体管低能X射线辐照后氧化物陷阱电荷的产生、界面态的性质及空穴陷阱的退火特性等问题。实验结果表明,电离辐照产生的界面态具有施主性和受主性,而氧化物陷阱电荷引起的电压变化在退火过程中,随外加偏置电场极性的不同,表现出可逆性,它对晶体管阈值电压的变化起着决定性的作用。 展开更多

关键词 NMOS 晶体管 X射线 辐照 损伤 退火

在线阅读 下载PDF 职称材料

三极管的零泛器模型及其在电子电路中的应用

17

作者 陈金铁 《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1992年第3期299-304,共6页

本文给出三极管的零泛器模型,并用该模型和节点不定导纳矩阵电路理论。计算了负反馈电路的A_(rf) r_(if)和r_(of),分析了正弦波振荡电路的起振条件。

关键词 电子电路 三极管

在线阅读 下载PDF 职称材料

并联三极管的电流分配与稳定性

18

作者 骆裕鸿 《河池师专学报》 1997年第2期37-38,共2页

本文作者讨论用并联三极管的方法来代替较大功率PCM及较大集电极电流ICM的三极管的问题，同时对集电极电流分配的不稳定性提出解决方法。

关键词 集电极电流 并联形式 不均匀性 并联三极管 电流分配 稳定性

全文增补中

晶体管的工作机理和共发射极h参数中hre的反馈性质

19

作者 马良玉 《甘肃电力》 1992年第1期29-35,共7页

关键词 晶体管 反馈 h参数 微观机理

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶体管小信号模型

20

作者 韩建华 《抚州师专学报》 1996年第3期33-35,共3页

本文讨论了晶体管的小信号模型，阐述了在晶体管模型选取和建立过程中应注意的问题。

关键词 晶体管 等效电路 小信号模型

在线阅读 下载PDF 职称材料