-
题名硅尖阵列二极管温度性能的研究
- 1
-
-
作者
陈德英
-
机构
东南大学
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期17-21,共5页
-
文摘
简述了真空微二极管的结构参数设计、工作特点、工艺制备技术。给出了微二极管不同的温度下Ｆ－Ｎ曲线及湿法化学腐蚀制备硅尖的形貌。该微二极管起始电压为２Ｖ左右，发射尖电流５μＡ／锥尖。
-
关键词
硅二极管
锥形硅尖
真空封装
阴极温度
-
分类号
TN315.205
[电子电信—物理电子学]
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名自对准硅化物器件的结漏电分析
- 2
-
-
作者
Jun Amano
刘燕
-
机构
HP公司
-
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1989年第4期64-66,共3页
-
文摘
要成功地把自对准硅化钛工艺用于重复性好、成品率高的器件制作过程中,就必需把硅化物工艺引起结漏电减至最低程度。研究了硅化钛浅结二极管的微细结构和微细化学组份以及它们与结漏电的关系,采用几种分析技术建立了结漏电与结构的直接关系。研究发现,漏电流大的主要原因是硅化钛层下的p^+/n结消失和在二极管周围形成了硅化钛/n硅肖特基接触。作者还确定了制作漏电小的TiSi/p^+/n二极管的工艺参数。
-
关键词
硅化钛
二极管
结漏电
分析
漏电
-
分类号
TN315.205
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名清除硅片表面磷硅、硼硅玻璃层的新方法
- 3
-
-
作者
沈德荣
-
机构
江苏省阜宁县晶体管厂
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期53-54,共2页
-
文摘
一般生产硅二极管厂家,大都采用两次扩散法在硅片表面上形成PN结,经高温扩散后的硅片表面会形成一层磷硅玻璃层和硼硅玻璃层,这两种玻璃层往往采用喷砂法加以去除,然后转入下道工序。从电化学角度入手应用电解的方法去除硅表面磷硅玻璃层和硼硅玻璃层获得成功,经几年应用,效果明显,下面对此工艺作一介绍。
-
关键词
硅二极管
电解法
清除
磷硅玻璃层
-
分类号
TN315.205
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名平面型大功率硅二极管击穿及检修
- 4
-
-
作者
廖国喜
-
机构
湖南省资江农药厂
-
出处
《氯碱工业》
CAS
1992年第6期9-10,共2页
-
文摘
本文以图示分析了2HS—8000/320硅整流器在运行中所出现的硅元件击穿和快速熔断器故障原因并提出更换办法和注意事项。
-
关键词
二极管
硅二极管
故障
维修
-
分类号
TN315.205
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名硅二极管引线镀锡工艺及镀液维护
- 5
-
-
作者
解学军
-
机构
临沂半导体厂
-
出处
《山东电子》
1995年第4期27-28,共2页
-
文摘
该文针对影响硅二极管引线镀锡质量问题，对镀锡工艺及镀液维护进行了研究探索，选择了酸性光亮剂镀锡工艺及其相应的镀液维护方法，经技术检测和生产实践证明；采用该工艺生产硅二极管，不但产品质量好，而且有较大的经济效益。
-
关键词
硅二极管
镀锡
工艺
镀液
维护
-
分类号
TN315.205
[电子电信—物理电子学]
-
