硅尖阵列二极管温度性能的研究

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摘要简述了真空微二极管的结构参数设计、工作特点、工艺制备技术。给出了微二极管不同的温度下Ｆ－Ｎ曲线及湿法化学腐蚀制备硅尖的形貌。该微二极管起始电压为２Ｖ左右，发射尖电流５μＡ／锥尖。

作者陈德英

机构地区东南大学

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期17-21,共5页 Semiconductor Technology

关键词硅二极管锥形硅尖真空封装阴极温度

1黄仲平,蔡勇,张树丹,王因生,谭卫东,王保平.真空微电子器件中的场发射硅尖阵列制作研究[J].电子器件,1994,17(3):61-65. 被引量：1
2陈德英,唐国洪.硅尖阵列二极管性能的研究[J].半导体技术,1995,11(3):24-27.
3阴生毅,张永清,丁耀根,张洪来,廖显恒.微波管高温烘排时阴极温度的估算[J].真空电子技术,2007,20(1):53-55. 被引量：2
4唐国洪,陈德英,袁璟,周全生.用硅片键合技术制备真空微二极管[J].电子器件,1994,17(3):89-93.
5冯长军.如意SGC-4703E彩电故障检修三例[J].家电检修技术,2006(5):54-54.
6闫应星,高新江.GeSi/Si异质结红外探测器结构参数设计[J].半导体光电,2000,21(A03):46-48.
7王保平,童林夙,赵琴,黄仲平,蔡勇.硅尖阵列场致发射微二极管的制备及特性研究[J].电子器件,1994,17(3):55-60. 被引量：1
8刘燕文,田宏,韩勇,徐振英,孟鸣凤,张洪来.支取发射电流过程对热阴极温度影响的研究[J].中国科学（E辑）,2008,38(9):1515-1520. 被引量：22
9郭维廉,郭琦鹏,谢生,管坤,赵帆,张世林,王伊钿,毛陆虹.RTD串联电阻和峰值电压随温度变化的测量与分析[J].固体电子学研究与进展,2014,34(1):18-23.
10φ100mm钪酸盐阴极实验系统及其实验结果[J].中国工程物理研究院科技年报,2009(1):159-160.

半导体技术

1997年第4期

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