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碲镉汞雪崩光电探测器的发展与展望 被引量:2
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作者 管崇尚 邢伟荣 +4 位作者 周睿 李震 姜梦佳 王丹 折伟林 《红外》 2025年第1期1-15,共15页
通过对现有的几类主流碲镉汞(HgCdTe)雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)器件进行梳理,简要总结了目前国际上主流的APD器件发展路线,并分析了包括PIN、高密度垂直集成光电二极管(High-Density Vertically Integrated Photodiode,... 通过对现有的几类主流碲镉汞(HgCdTe)雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)器件进行梳理,简要总结了目前国际上主流的APD器件发展路线,并分析了包括PIN、高密度垂直集成光电二极管(High-Density Vertically Integrated Photodiode,HDVIP)和吸收--倍增分离(Separated Absorption and Multiplication,SAM)型器件在内的主要APD器件的结构与性能特点。通过对比不同技术路线的器件优化思路和性能特点,对相关器件的持续发展进行了展望。目前SAM型器件是主流APD器件中暗电流抑制和高温工作性能最好的结构,能够实现高增益条件下的高灵敏度探测。这也为相关器件工艺的发展开辟了新方向。 展开更多
关键词 碲镉汞 雪崩 增益 噪声
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氮化镓(多晶硅)异质结势垒肖特基二极管的载流子传输机制研究
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作者 薛文文 丁继洪 +2 位作者 张彦文 黄伟 张卫 《电子与封装》 2025年第9期81-87,共7页
P型多晶硅(Poly-Si)与GaN形成的异质结势垒肖特基二极管能够改善传统宽禁带半导体功率二极管正向导通与反向阻断特性难以兼顾的问题。为研究器件在不同工作状态下的物理机制,通过实验与机理分析,探究了该器件在-80~+80℃的正反向特性与... P型多晶硅(Poly-Si)与GaN形成的异质结势垒肖特基二极管能够改善传统宽禁带半导体功率二极管正向导通与反向阻断特性难以兼顾的问题。为研究器件在不同工作状态下的物理机制,通过实验与机理分析,探究了该器件在-80~+80℃的正反向特性与载流子输运机制。研究结果表明,其载流子输运机制与GaN/Poly-Si界面缺陷状态有关。正向偏压低于0.5 V时,高温区(-20~80℃)以多隧道捕获-发射为主导,低温区(-80~-40℃)则以热电子发射为主;在0.5~0.9 V时F-N隧穿为主要机制。反向偏压下,低于50 V时势垒降低效应占主导,高于50 V时则以陷阱辅助的空间电荷受限机制为主。 展开更多
关键词 异质结势垒肖特基二极管 氮化镓 多晶硅 陷阱辅助
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碳纳米管太赫兹肖特基二极管研究进展
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作者 李海鸥 刘洪刚 吴俊宏 《桂林电子科技大学学报》 2024年第4期331-339,共9页
肖特基二极管是太赫兹领域的核心器件之一,在太赫兹倍频、混频电路中有着广泛的应用,碳纳米管凭借其优良的电学性质、准一维尺寸以及稳定的结构成为了太赫兹肖特基二极管的理想沟道半导体材料,研究碳纳米管肖特基二极管对于太赫兹技术... 肖特基二极管是太赫兹领域的核心器件之一,在太赫兹倍频、混频电路中有着广泛的应用,碳纳米管凭借其优良的电学性质、准一维尺寸以及稳定的结构成为了太赫兹肖特基二极管的理想沟道半导体材料,研究碳纳米管肖特基二极管对于太赫兹技术的发展至关重要。首先介绍了碳纳米管的本征材料优势及其材料制备技术;接着对国内外在碳纳米管肖特基二极管方面的研究成果和进程进行了介绍,阐述了碳纳米管肖特基二极管在太赫兹技术领域的应用潜力;最后总结了碳纳米管太赫兹肖特基二极管在研究过程中所面临的关键技术问题和未来发展方向。 展开更多
关键词 肖特基二极管 碳纳米管 太赫兹 串联电阻 截止频率
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基于PMSG-WECS的双自适应虚拟惯性控制方法研究 被引量:1
4
作者 辛辉 陈芳芳 徐天奇 《电子设计工程》 2024年第12期1-5,共5页
基于提高电网的频率响应能力的目的,该文提出了一种基于永磁同步发电机(PMSG)的风力发电系统的双自适应虚拟惯性控制方法。通常情况下,采用虚拟惯性常数来模拟同步发电机,其释放的能量完全依赖于频率变化率(ROCOF)。然而,仅依赖于ROCOF... 基于提高电网的频率响应能力的目的,该文提出了一种基于永磁同步发电机(PMSG)的风力发电系统的双自适应虚拟惯性控制方法。通常情况下,采用虚拟惯性常数来模拟同步发电机,其释放的能量完全依赖于频率变化率(ROCOF)。然而,仅依赖于ROCOF并不能充分利用风机的惯性。为了获得更好的系统频率响应,该方法充分利用风力发电机(WT)的转子动能和风力发电系统(WECS)的直流链电容能量作为系统频率的支撑,并根据电网频率和电网频率变化率(ROCOF)自适应调节虚拟惯性参数,加速系统频率的恢复过程。通过仿真分析可知,提出的控制方法能更有效地利用风机动能和直流链电容的能量,减小了频率偏差和频率变化率。 展开更多
关键词 永磁同步发电机 风力发电系统 虚拟惯性控制 双自适应控制
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多晶键合层对分离吸收电荷倍增型锗/硅雪崩光电二极管性能的影响
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作者 苏小萍 李嘉辉 +1 位作者 王战仁 柯少颖 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2316-2328,共13页
分离吸收电荷倍增(SACM)型Ge/Si雪崩光电二极管(APD)因其高速、低噪声、高灵敏度、具备光增益等优点在光通信、光学成像和安全检测等领域具有广泛的应用前景。然而由于Si和Ge的晶格常数相差4.2%,因此在Ge/Si异质结界面会形成高密度的穿... 分离吸收电荷倍增(SACM)型Ge/Si雪崩光电二极管(APD)因其高速、低噪声、高灵敏度、具备光增益等优点在光通信、光学成像和安全检测等领域具有广泛的应用前景。然而由于Si和Ge的晶格常数相差4.2%,因此在Ge/Si异质结界面会形成高密度的穿透位错,导致器件性能的恶化。为获得低位错密度Si基Ge薄膜材料并实现高性能Ge/Si APD,创新在Ge/Si键合界面处引入一层多晶硅(poly-Si)键合层弱化Ge/Si晶格失配对器件性能的影响,研究了poly-Si键合层掺杂浓度对键合Ge/Si APD性能的影响。研究表明,由于键合界面的晶格缓冲作用,键合Ge/Si APD在室温下可以获得极低的暗电流和较高的带宽,较低的poly-Si键合层掺杂浓度可获得性能较好的Ge/Si APD。该结果为提高Ge/Si APD的性能提供了理论依据。 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 锗/硅键合 多晶硅键合层 晶格失配 键合层掺杂浓度
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基于平面肖特基二极管的75~110 GHz宽带三倍频器芯片 被引量:1
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作者 陈艳 孟范忠 +2 位作者 薛昊东 张傲 高建军 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2024年第6期768-774,共7页
基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片。采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10~280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型。采用非线性谐波平衡联合仿真方法,... 基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片。采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10~280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型。采用非线性谐波平衡联合仿真方法,实现了W波段倍频器的最优化设计。在片测试结果表明,在17 dBm的驱动功率下,倍频损耗小于15 dB,最大倍频效率6.7%,芯片尺寸0.80 mm×0.65 mm×0.05 mm。 展开更多
关键词 平面肖特基二极管 反向并联二极管对 倍频器设计
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混凝土致裂应力与内外约束和徐变的关系 被引量:9
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作者 吉顺文 朱岳明 +1 位作者 强晟 郭磊 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期394-399,共6页
温度变形、自生体积变形和徐变等受内外约束是混凝土裂缝产生的主要原因.为研究水化反应过程中混凝土内部由于温差、温变幅度和线胀系数差异存在的相互制约关系,减少内外约束下温度和自生体积变形及早龄期混凝土开裂,需要对混凝土温度... 温度变形、自生体积变形和徐变等受内外约束是混凝土裂缝产生的主要原因.为研究水化反应过程中混凝土内部由于温差、温变幅度和线胀系数差异存在的相互制约关系,减少内外约束下温度和自生体积变形及早龄期混凝土开裂,需要对混凝土温度场和应力场进行精确的仿真.通过仿真计算并根据现场模型试验结果对混凝土温度应变、自生体积应变、徐变、内外约束应变进行反分析.研究表明,早龄期混凝土致裂应力主要与徐变和内外约束有关. 展开更多
关键词 温度变形 自生体积变形 徐变 约束应变 致裂应力 反分析 内外约束比
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基于群智感知的智慧城市交通系统研究 被引量:8
8
作者 谢树云 冉婕 杨雪松 《电子设计工程》 2014年第20期49-51,共3页
针对日益严重的城市交通拥堵、城市建设、生活节奏等问题,提出以物联网为基础,利用群智感知技术实现信息采集,利用广播电视技术、移动电话技术、车联网技术实现信息共享的智慧城市交通系统。不同的组织和人群将会从中得到不同的支持,并... 针对日益严重的城市交通拥堵、城市建设、生活节奏等问题,提出以物联网为基础,利用群智感知技术实现信息采集,利用广播电视技术、移动电话技术、车联网技术实现信息共享的智慧城市交通系统。不同的组织和人群将会从中得到不同的支持,并对关键问题从数据采集、数据纠正、大数据处理、数据发布等方面做了阐述。 展开更多
关键词 群智感知 物联网 车联网 城市交通
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基于MATLAB与PSIM软件光伏故障联合仿真平台设计 被引量:1
9
作者 姜萍 代金超 《激光杂志》 CAS 北大核心 2021年第2期120-124,共5页
太阳能光伏阵列的故障分析是提高其效率、安全可靠性和适用性的一项重要工作。为进一步提高故障光伏系统的建模准确性,简化操作步骤,提出了一种新型联合仿真模型的方法。以辐照度和温度作为外界环境参数输入,结合MATLAB和PSIM软件各自... 太阳能光伏阵列的故障分析是提高其效率、安全可靠性和适用性的一项重要工作。为进一步提高故障光伏系统的建模准确性,简化操作步骤,提出了一种新型联合仿真模型的方法。以辐照度和温度作为外界环境参数输入,结合MATLAB和PSIM软件各自的优势,实现模型的参数辨识,实时数据交互通讯。通过输入仿真故障类型M值来实现随机阴影等参数的相应改变,得到每种异常工作状态下对应的电压、电流等数据特征值。最后经过结果对比,仿真精度能始终控制在5%以内,实验结果证实了所搭建模型的准确性及有效性。 展开更多
关键词 光伏阵列 故障分析 联合仿真 参数辨识 数据交互
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基于全局鲁棒滑模控制的变速恒频双馈风力发电机的研究 被引量:1
10
作者 姜一达 陈群 《洛阳师范学院学报》 2013年第2期52-55,共4页
随着风力发电技术的发展,对变速恒频双馈风力发电机的控制方法方面的研究显得越发的重要.根据变速恒频双馈发电机对控制系统要求响应速度快、鲁棒性强的特点,将矢量转换方法与全局滑模控制方法结合,提出了一种全局鲁棒滑模变结构控制方... 随着风力发电技术的发展,对变速恒频双馈风力发电机的控制方法方面的研究显得越发的重要.根据变速恒频双馈发电机对控制系统要求响应速度快、鲁棒性强的特点,将矢量转换方法与全局滑模控制方法结合,提出了一种全局鲁棒滑模变结构控制方案.针对双馈异步电机在内部参数变化和外部风机负载转矩扰动共同带来的扰动进行设计,并对比了传统PI控制.仿真证明,该控制方法可以提高双馈电机的动态性能,进一步增强了电机的抗干扰性. 展开更多
关键词 风力发电 变速恒频 双馈电机 滑模变结构
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用透表法研究硅化钯二极管SBD与EBIC法的比较
11
作者 胡问国 肖玲 +7 位作者 林一平 梁竹关 李亚文 李萍 徐晓华 王建 周开邻 Rau E I 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期142-143,共2页
关键词 肖特基势垒二极管 IC法 硅化 SBD 无损检测方法 结特性 P型硅
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GaN蓝色激光二极管的研究进展
12
作者 宋登元 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期1-3,6,共4页
GaN短波长激光器是最近取得突破性进展而备受关注的光电子学研究新领域。本文简要论述了20 多年来在发展GaN发光器件过程中所克服的困难,介绍了目前这类激光器在解理法制备谐振腔端面、干法腐蚀和欧姆接触等关键工艺的进展情... GaN短波长激光器是最近取得突破性进展而备受关注的光电子学研究新领域。本文简要论述了20 多年来在发展GaN发光器件过程中所克服的困难,介绍了目前这类激光器在解理法制备谐振腔端面、干法腐蚀和欧姆接触等关键工艺的进展情况。最后,综述了在获得室温下脉冲及连续工作的GaN蓝色激光二极管的研究方面所取得的最新进展。 展开更多
关键词 GAN 激光二极管 解理 干法腐蚀 二极管
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蓝宝石衬底湿法清洗工艺研究
13
作者 吴国安 胡中伟 +3 位作者 王振 徐翊翔 李瑞评 谢斌晖 《清洗世界》 CAS 2024年第3期49-52,共4页
蓝宝石衬底作为LED芯片衬底,不仅要求具有较高的面型精度和表面质量,而且对衬底表面清洁度也有严格要求。实验以抛光后的蓝宝石衬底为对象,首先分析了抛光后的蓝宝石衬底表面污染物主要元素。随后开展抛光后的蓝宝石衬底的单因素湿法清... 蓝宝石衬底作为LED芯片衬底,不仅要求具有较高的面型精度和表面质量,而且对衬底表面清洁度也有严格要求。实验以抛光后的蓝宝石衬底为对象,首先分析了抛光后的蓝宝石衬底表面污染物主要元素。随后开展抛光后的蓝宝石衬底的单因素湿法清洗实验,研究了清洗剂浓度、清洗温度和清洗时间对污染物去除率的影响。最后通过开展正交实验,获得最佳清洗工艺参数。优化后的清洗工艺可有效提升蓝宝石衬底的表面清洁度和清洗效率。 展开更多
关键词 蓝宝石衬底 湿法清洗 清洗剂浓度 正交实验
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阳极端点支撑空气桥结构太赫兹GaAs二极管 被引量:9
14
作者 邢东 冯志红 +5 位作者 王俊龙 张士祖 梁士雄 张立森 宋旭波 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期279-282,共4页
研发了具有阳极端点支撑悬浮空气桥结构的太赫兹GaAs肖特基二极管工艺制作技术。该制作技术可以大幅降低GaAs肖特基二极管的寄生电容。利用此项技术,制作出了具有极小寄生电容和串联电阻的太赫兹GaAs肖特基二极管。GaAs肖特基二极管芯... 研发了具有阳极端点支撑悬浮空气桥结构的太赫兹GaAs肖特基二极管工艺制作技术。该制作技术可以大幅降低GaAs肖特基二极管的寄生电容。利用此项技术,制作出了具有极小寄生电容和串联电阻的太赫兹GaAs肖特基二极管。GaAs肖特基二极管芯片采用了小尺寸芯片设计,芯片厚度为25μm、芯片长度为175μm、芯片宽度为55μm,其中单阳极GaAs肖特基二极管的结电容小于4 fF,串联电阻小于5Ω,总电容的典型值为7~8 fF。根据GaAs肖特基二极管的总电容(CT)计算,二极管的截止频率(fc)高达3.9 THz。这种GaAs肖特基二极管适合应用在太赫兹频段上。 展开更多
关键词 太赫兹 GaAs肖特基二极管 悬浮空气桥 寄生电容 串联电阻
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纳米硅二极管的电输运特性 被引量:4
15
作者 刘明 余明斌 +1 位作者 何宇亮 江兴流 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期72-74,共3页
用PECVD法在Si衬底上沉积了纳米硅(nc-Si:H)薄膜,其室温暗电导可达10-3~10-1Ω-1cm-1,高于本征单晶硅的电导,将其制成遂道二极管,其I-V曲线在77K呈现出量子台阶,对这一新颖物理现象进行了定... 用PECVD法在Si衬底上沉积了纳米硅(nc-Si:H)薄膜,其室温暗电导可达10-3~10-1Ω-1cm-1,高于本征单晶硅的电导,将其制成遂道二极管,其I-V曲线在77K呈现出量子台阶,对这一新颖物理现象进行了定性解释. 展开更多
关键词 量子点 共振隧穿 量子台阶 纳米 硅二极管
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氧化锌/金刚石薄膜异质结紫外光探测器 被引量:4
16
作者 黄健 王林军 +3 位作者 唐可 张继军 夏义本 鲁雄刚 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期272-276,共5页
采用射频磁控溅射法在p型自支撑金刚石衬底上制备了高度c轴取向的n型氧化锌薄膜。研究了不同的溅射功率对氧化锌薄膜质量的影响。通过半导体特性分析系统测试了氧化锌/金刚石异质结的电流-电压特性,结果显示该异质结二极管具有良好的整... 采用射频磁控溅射法在p型自支撑金刚石衬底上制备了高度c轴取向的n型氧化锌薄膜。研究了不同的溅射功率对氧化锌薄膜质量的影响。通过半导体特性分析系统测试了氧化锌/金刚石异质结的电流-电压特性,结果显示该异质结二极管具有良好的整流特性,开启电压约为1.6 V。在此基础上制备了结型紫外光探测器,并对其光电性能进行了研究。结果表明,在施加反向偏压的条件下,该探测器对紫外光具有明显的光响应。 展开更多
关键词 自支撑金刚石 氧化锌 探测器 异质结
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多孔硅与聚乙烯咔唑复合光电性能研究 被引量:4
17
作者 赵毅 杨德仁 +1 位作者 周成瑶 阙端麟 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期507-509,共3页
用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑 (PVK)的复合 ,研究了多孔硅 PVK复合体系的光学性能和电学性能。PL谱的测试发现 ,复合体系的PL同时具有多孔硅和PVK的峰。此外 ,在 4 85nm的位置出现了一个新峰 ,讨论了这个峰的来源。Ⅰ Ⅴ特性测... 用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑 (PVK)的复合 ,研究了多孔硅 PVK复合体系的光学性能和电学性能。PL谱的测试发现 ,复合体系的PL同时具有多孔硅和PVK的峰。此外 ,在 4 85nm的位置出现了一个新峰 ,讨论了这个峰的来源。Ⅰ Ⅴ特性测试表明 ,多孔硅 PVK异质结与多孔硅相比 ,Ⅰ Ⅴ曲线呈现更好的整流特性 。 展开更多
关键词 多孔硅 聚乙烯咔唑 PVK 光电性能 PL谱 光电子领城 整流特性 旋涂法 发光二极管
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基于共振隧穿二极管的GaAs基压力传感器研制 被引量:4
18
作者 王建 张文栋 +3 位作者 薛晨阳 熊继军 张斌珍 仝召民 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1844-1846,1851,共4页
为了突破传统的机电转换效应的宏观物理局限,为更高灵敏度、更低功耗的微/纳机电压力传感器的设计提供理论、工艺及实验依据,首次设计并利用微机械控制孔技术加工制作了基于AlAs/InxGa1-xAs/GaAs共振隧穿二极管(RTD)的GaAs基薄膜压力传... 为了突破传统的机电转换效应的宏观物理局限,为更高灵敏度、更低功耗的微/纳机电压力传感器的设计提供理论、工艺及实验依据,首次设计并利用微机械控制孔技术加工制作了基于AlAs/InxGa1-xAs/GaAs共振隧穿二极管(RTD)的GaAs基薄膜压力传感器,实现了RTD工艺与微机械加工技术的工艺集成.测试结果表明:该压力传感器的线性灵敏度达到0.1mV/kPa. 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 GAAS 压力传感器 控制孔工艺
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硅光电二极管飞秒激光损伤的实验研究 被引量:5
19
作者 罗福 辛建婷 +1 位作者 李玉同 李英骏 《应用激光》 CSCD 北大核心 2003年第6期345-347,共3页
对 6 0飞秒 80 0nm激光辐照下硅PIN光电二极管的信号饱和、损伤及失效进行了实验测量。实验得到硅PIN光电二极管的失效阈值为 1.2J/cm2 ,损伤阈值比失效阈值低一个量级。飞秒脉冲辐照后 ,存在 10 -4s量级的饱和时间 ,辐照后对信号光的... 对 6 0飞秒 80 0nm激光辐照下硅PIN光电二极管的信号饱和、损伤及失效进行了实验测量。实验得到硅PIN光电二极管的失效阈值为 1.2J/cm2 ,损伤阈值比失效阈值低一个量级。飞秒脉冲辐照后 ,存在 10 -4s量级的饱和时间 ,辐照后对信号光的响应在短时间内出现不规则变化 ,在长时间内随脉冲能量密度增大而降低。 展开更多
关键词 激光辐照 硅光电二极管 信号饱和 损伤 失效阈值 飞秒激光
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风电机组可靠性建模和动态过程分析 被引量:15
20
作者 孔屹刚 王志新 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期652-656,共5页
在重点分析双馈感应发电机工作特性的基础上,建立了风电机组可靠性模型,同时对风电机组整个动态过程进行了分析。仿真结果表明风电机组获得最优能量的同时在低风速、额定风速、高风速都具有很好的工作性能。
关键词 风电机组 变速-变桨距 可靠性建模 分层多模态
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