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PLT薄膜的磁控溅射淀积及其性能 被引量：1
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作者 罗维根 丁爱丽 +2 位作者 张瑞涛 黄敏虹 葛敏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期176-182,共7页
以(Pb_(1-z/100)La_(x/100))Ti_(1-x/400)O_3(简称 PLT)烧结粉末为溅射靶材,用射频磁控溅射技术,研究了PLT 薄膜的淀积工艺及其结构和电光性能。在玻璃和(0001)Al_2O_3衬底上制备出了高度定向的 PLT 薄膜,而在(100)SrTiO_3衬底上外延生... 以(Pb_(1-z/100)La_(x/100))Ti_(1-x/400)O_3(简称 PLT)烧结粉末为溅射靶材,用射频磁控溅射技术,研究了PLT 薄膜的淀积工艺及其结构和电光性能。在玻璃和(0001)Al_2O_3衬底上制备出了高度定向的 PLT 薄膜,而在(100)SrTiO_3衬底上外延生长出 PLT 薄膜。研究了玻璃衬底上生长高度定向 PLT 薄膜的机制。用新颖的法拉第磁光调制技术测量了 PLT 薄膜的电光系数,得到薄膜的二次方电光系数 R>0.6×10^(-15)(m/v)~2。 展开更多
关键词 半导体 铁电薄膜 磁控溅射
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