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GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究 被引量：1
1
作者 王杰 张斌珍 +4 位作者 刘君 唐建军 谭振新 贾晓娟 高杰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期136-140,共5页
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,VP降低到了0.41V。同时常温下测试了其中一种设计结构... 用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,VP降低到了0.41V。同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线。最后对器件阱结构和发射极面积大小与器件直流特性的关系进行了分析总结,为设计性能更好的RTD结构提供了参考依据。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 I-V特性 砷化镓 发射极
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亚表面齐纳基准二极管可靠性的1／f噪声预测方法 被引量：1
2
作者 庄奕琪 孙青 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期611-616,共6页
寿命试验和噪声测试结果表明，亚表面齐纳基准二极管的主要失效模式是经历长时间应力作用后基准电压的突然退化，同时发现失效器件皆为高初始１／ｆ噪声器件，而且其寿命与初始１／ｆ噪声电压近似成反比关系．机理分析表明，１／ｆ噪声... 寿命试验和噪声测试结果表明，亚表面齐纳基准二极管的主要失效模式是经历长时间应力作用后基准电压的突然退化，同时发现失效器件皆为高初始１／ｆ噪声器件，而且其寿命与初始１／ｆ噪声电压近似成反比关系．机理分析表明，１／ｆ噪声和基准电压退化均可归因于ｐ－ｎ结耗尽区内的位错．据此，可利用１／ｆ噪声测量对基准二极管的可靠性进行快速且非破坏性的评价． 展开更多
关键词 齐纳二极管 可靠性 1/f噪声预测
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电压基准 被引量：2
3
作者 杨振吉 《电子测量技术》 2003年第3期6-7,共2页
文中阐述电压基准器件的现状及应用情况,着重介绍如何提高电压基准的稳定度。
关键词 电压基准 现状 稳定度 齐纳二极管
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PZT6.5 MHz压电陶瓷滤波器的设计与工艺研究 被引量：1
4
作者 毛剑波 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1353-1355,共3页
介绍了6.5 MH z压电陶瓷滤波器的设计原理和制备工艺。通过对锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷材料的改性,确定了滤波器陶瓷材料的配方,通过对分割电极的设计,实现了二重模滤波器的电容耦合;经过不断的试验和工艺改进,使产品性能达到了预期的目标。
关键词 压电陶瓷 滤波器 PZT
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稳压二极管老化测试自动机 被引量：1
5
作者 陈国金 《机电工程》 CAS 1995年第2期10-12,共3页
本文对老化测试机的结构及工作原理进行分析,并着重对测试定位系统进行了研究。该机运行结果表明;整机结构简单,工作可靠,透用范围广。
关键词 稳压二极管 老化测试机 计算机控制
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纳秒级方波脉冲对稳压二极管损伤特性的研究 被引量：1
6
作者 李祥超 王兵 《电瓷避雷器》 CAS 2024年第4期10-17,共8页
针对强电磁脉冲产生的瞬态过电压会对二极管半导体造成损伤的问题,基于二极管击穿理论,采用理论与实验相结合的方法,使用纳秒级高压方波脉冲源作为电压脉冲源,选用BZX55C系列不同型号的稳压二极管进行了不同脉宽下的方波脉冲注入实验。... 针对强电磁脉冲产生的瞬态过电压会对二极管半导体造成损伤的问题,基于二极管击穿理论,采用理论与实验相结合的方法,使用纳秒级高压方波脉冲源作为电压脉冲源,选用BZX55C系列不同型号的稳压二极管进行了不同脉宽下的方波脉冲注入实验。实验结果表明:稳压二极管的损伤能量随稳压二极管的稳压值增大而增大,损伤形式表现为稳压值下降,漏电流增大,伏安特性曲线畸变;不同稳压值的二极管对方波脉冲的敏感端不同,当稳压值小于12 V时,负极比较敏感,当稳压值大于12 V时,正极比较敏感;二极管损伤能量并非是一个恒定值,随着脉宽的增加,损伤能量阈值减小,对二极管器件进行防护设计时,限制脉冲幅值的同时应减少脉冲持续时间。研究结果对二极管半导体的防护具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 电磁脉冲 二极管 损伤
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低压齐纳二极管的研制 被引量：1
7
作者 宋珂 吴德喜 高成勇 《山东工业大学学报》 1996年第2期189-192,共4页
本文论证了面结型低压齐纳二极管的击穿机理为隧道击穿．提出了一种新型的面结型低压齐纳二极管的结构，以及相应于此种结构的工艺流程．论述了衬底材料的选择等问题．实验结果表明，此种结构是成功的．做出了符合用户要求的低压齐纳二... 本文论证了面结型低压齐纳二极管的击穿机理为隧道击穿．提出了一种新型的面结型低压齐纳二极管的结构，以及相应于此种结构的工艺流程．论述了衬底材料的选择等问题．实验结果表明，此种结构是成功的．做出了符合用户要求的低压齐纳二极管． 展开更多
关键词 半导体二极管 二极管 齐纳二极管 低压
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浅析测定稳压二极管稳压值的方法 被引量：1
8
作者 曹新亮 张富春 《延安大学学报（自然科学版）》 1999年第1期82-84,共3页
从万用表的电阻档读取负载电压法的原理着手，归纳出用万用表测量稳压二极管稳压值的一般方法。
关键词 满度电流 满值刻度 稳压值 稳压二极管 测定
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高精度5V基准源AD586 被引量：3
9
作者 沙洪 《国外电子元器件》 1998年第2期33-35,共3页
ＡＤ５８６高精度５Ｖ基准源是ＡＮＡＬＯＧＤＥＶＩＣＥＳ公司生产的新型离子注入埋藏齐纳二极管器件，它体现了单片电压基准源技术水平的新进展，精度高、噪声低，输出调整能力强等特点。本文详细介绍了ＡＤ５８６的基本特性、工作原... ＡＤ５８６高精度５Ｖ基准源是ＡＮＡＬＯＧＤＥＶＩＣＥＳ公司生产的新型离子注入埋藏齐纳二极管器件，它体现了单片电压基准源技术水平的新进展，精度高、噪声低，输出调整能力强等特点。本文详细介绍了ＡＤ５８６的基本特性、工作原理及应用实例。 展开更多
关键词 精密基准源 埋藏齐纳二极管 AD586 齐纳二极管
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稳压管及其应用 被引量：1
10
作者 舒华 陈建勤 《汽车维护与修理》 1999年第4期36-37,共2页
1 稳压二极管稳压二极管是一种由特殊工艺制成、工作在反向击穿状态的面接触型二极管。稳压二极管又叫齐纳二极管,通常简称稳压管。它具有稳定电压的作用,广泛用在稳压设备和电子电路(如汽车交流发电机电子调节器和电子点火器等的电路)... 1 稳压二极管稳压二极管是一种由特殊工艺制成、工作在反向击穿状态的面接触型二极管。稳压二极管又叫齐纳二极管,通常简称稳压管。它具有稳定电压的作用,广泛用在稳压设备和电子电路(如汽车交流发电机电子调节器和电子点火器等的电路)中。由二极管的反向特性可知,当反向电压增大到一定数值(击穿电压)以后,反向电流急剧增大,可能导致PN结烧坏。 展开更多
关键词 汽车 交流发电机 稳压二级管 型号 电路
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用精密锁相放大器剖析稳压二极管的噪声特性
11
作者 肖仪华 秦琦 +1 位作者 任强 龙合 《贵州大学学报（自然科学版）》 1992年第3期184-186,共3页
运用精密锁相放大器对一些稳压二极管的噪声特性进行了全面测试,解释了实际使用中发现噪声与生产厂提供的噪声指标不符的事实,为用户正确使用稳压二极管提供了依据。
关键词 噪声特性 锁相放大器 稳压二极管
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一种新型高稳定度恒流稳压管的研制 被引量：3
12
作者 洪云翔 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期20-33,共14页
本文介绍了一种将恒流二极管和稳压管集成的新型三端式稳压器件(即恒流稳压管),给出了器件的结构、工作原理和特性参数,并与国外的同型MCLTC管作了性能比较。
关键词 硅稳压管 恒流稳压管 半导体器件
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声表面波器件的钝化及功率持久性 被引量：2
13
作者 张传忠 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期28-29,共2页
声表面波(SAW)器件作为级间滤波器及天线双工器而广泛地用于便携电话和蜂窝电话的中频(IF)和射频(RF)电路,因此,解决功率持久性和长期稳定性问题十分重要。本文介绍通过不同电极材料及钝化层改进SAW器件功率持久性及稳定性的一些方法。... 声表面波(SAW)器件作为级间滤波器及天线双工器而广泛地用于便携电话和蜂窝电话的中频(IF)和射频(RF)电路,因此,解决功率持久性和长期稳定性问题十分重要。本文介绍通过不同电极材料及钝化层改进SAW器件功率持久性及稳定性的一些方法。试验结果表明,SiO2钝化层在改进器件功率持久性上比其他种类的钝化层都有效。 展开更多
关键词 声表面波器件 钝化 功率持久性 SAW器件 电极 移动通信设备
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稳压管动态电阻的研究 被引量：2
14
作者 周学顺 戴古章 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期62-64,共3页
本文介绍了雪崩击穿硅稳压二极管动阻公式的推导方法,用数学公式来描述动阻R_2与浓度梯度d等参数之间的关系,指出了减小动阻的方法与途径,对稳压二极管的设计与生产具有实际的指导作用。
关键词 稳压管 动态电阻 稳压二极管 雪崩击穿
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玻封稳压管芯片制造工艺
15
作者 李宏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期38-39,49,共3页
介绍了一种用Ｓｉ单晶片生产４．７～１３ＶＤＯ－３５玻封稳压二极管的实用工艺。
关键词 玻封 稳压芯片 单晶 稳压二极管
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SOD-323封装外型稳压二极管“开路”现象分析 被引量：1
16
作者 杜安波 《科技资讯》 2015年第22期68-69,共2页
该文针对SOD-323封装外型MM3Z2V4稳压二极管在某用户处偶然会发生"开路"不工作现象进行分析,通过对该现象发生的原因进行分析、试验验证、故障复现,通过论证的结论,针对车间所有的产品系列制定了防止类似质量问题发生的有效... 该文针对SOD-323封装外型MM3Z2V4稳压二极管在某用户处偶然会发生"开路"不工作现象进行分析,通过对该现象发生的原因进行分析、试验验证、故障复现,通过论证的结论,针对车间所有的产品系列制定了防止类似质量问题发生的有效管控措施。 展开更多
关键词 正向压降 功率老炼 超声键合 高温反偏
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集成稳压二极管的器件结构和工艺研究 被引量：2
17
作者 潘光燃 王焜 《电子与封装》 2013年第7期28-31,共4页
在集成电路中,稳压二极管的器件结构和工艺方法有很多种,它们的器件特性、工艺特征、工艺控制方法各不相同。文章对各种集成稳压二极管的结构和工艺方法分别进行了分析和研究,包括稳压二极管的反向击穿点、稳定电压的离散性和热稳定性... 在集成电路中,稳压二极管的器件结构和工艺方法有很多种,它们的器件特性、工艺特征、工艺控制方法各不相同。文章对各种集成稳压二极管的结构和工艺方法分别进行了分析和研究,包括稳压二极管的反向击穿点、稳定电压的离散性和热稳定性、工艺集成的便捷性、关键工艺控制点等。通过这些研究,总结了这些稳压二极管的器件结构及其工艺方法各自的利弊,为工程人员设计、研究和开发集成有稳压二极管的技术平台提供了一些参考方向。 展开更多
关键词 稳压二极管 稳定电压 反向击穿 工艺
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蒸铝法制作合金型稳压二极管的试制 被引量：1
18
作者 赵玉贵 《永光半导体》 1992年第1期48-49,共2页
关键词 稳压 二极管 合金型 蒸铝法
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掺氯扩散工艺在硅整流二极管上的应用
19
作者 刘庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期58-58,共1页
掺氯扩散工艺在硅整流二极管上的应用为了提高硅整流二极管的性能及可靠性，我们在硅整流二极管的制造过程中，试采用了掺氯扩散工艺，达到了相当满意的效果。１试验我们在试验过程中，采用了浓盐酸与浓硫酸作用所产生的氯化氢（ＨＣｌ... 掺氯扩散工艺在硅整流二极管上的应用为了提高硅整流二极管的性能及可靠性，我们在硅整流二极管的制造过程中，试采用了掺氯扩散工艺，达到了相当满意的效果。１试验我们在试验过程中，采用了浓盐酸与浓硫酸作用所产生的氯化氢（ＨＣｌ）气体作氯源，用氮气作携带气体，在... 展开更多
关键词 硅整流二级管 掺氯 扩散 硅二极管
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具有内部温度补偿的多结构外延片的研制
20
作者 谢夏云 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期35-39,共5页
目前国内生产的低温度系数稳压二极管多为平面型,即采用平面工艺在同一硅片上制作多个p-n结以实现电压温度系数补偿,这种结构的特点是硅材料消耗少、效率高,利于批量生产。但由于在同样面积芯片下,各元件有效面积小,限制了器件功率。
关键词 稳压二极管 温度补偿 硅片 外逆片
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