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硅磁敏二极管的负阻振荡特性测试与分析
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作者 吴大军 杨姗姗 温殿忠 《磁性材料及器件》 CSCD 北大核心 2012年第6期55-57,共3页
简要叙述了硅磁敏二极管工作原理及负阻振荡机理,设计了振荡电路,测量和分析了硅磁敏二极管的负阻振荡输出波形与温度、磁场等外界条件之间的关系。测试结果显示,重掺杂的硅磁敏二极管具有负阻振荡特性,振荡电路所产生的锯齿波的频率范... 简要叙述了硅磁敏二极管工作原理及负阻振荡机理,设计了振荡电路,测量和分析了硅磁敏二极管的负阻振荡输出波形与温度、磁场等外界条件之间的关系。测试结果显示,重掺杂的硅磁敏二极管具有负阻振荡特性,振荡电路所产生的锯齿波的频率范围为373mHz^94.0kHz,且振荡频率与温度、磁场、电源电压及负载之间成正相关。分析表明,具有负阻特性的硅磁敏二极管满足振荡条件时,其两端的电压周期性变化,且随外界条件变化而改变,利用这些特性制成新的测量温度、湿度和磁场的复合传感器或变容器件接口电路。 展开更多
关键词 硅磁敏二极管 负阻特性 测试 传感器
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制备方法对共混物有机薄膜晶体管性能的影响
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作者 王晓鸿 徐琼 +2 位作者 夏亮 吕国强 邱龙臻 《现代显示》 2010年第10期45-48,共4页
文章采用旋涂和滴涂两种方法分别制备了聚3-己基噻吩(P3HT)和聚苯乙烯(PS)共混物的有机薄膜晶体管器件,并通过掠角X射线衍射,扫描电镜和原子力显微镜对薄膜结构进行了研究,结果表明使用旋涂方法时薄膜中的P3HT形成了纳米网络结构,P3HT... 文章采用旋涂和滴涂两种方法分别制备了聚3-己基噻吩(P3HT)和聚苯乙烯(PS)共混物的有机薄膜晶体管器件,并通过掠角X射线衍射,扫描电镜和原子力显微镜对薄膜结构进行了研究,结果表明使用旋涂方法时薄膜中的P3HT形成了纳米网络结构,P3HT分子采取了共轭平面垂直于硅片表面的排列方式,这种结构有利于载流子的传输,从而提高了旋涂方法得到的薄膜的场效应迁移率。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 聚3-己基噻吩 共混物 迁移率
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脉冲激光测距接收技术的研究 被引量:11
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作者 赵大龙 秦来贵 霍玉晶 《光电技术应用》 2005年第3期19-21,40,共4页
从脉冲激光测距的光电探测器入手,构建模型理论分析了漂移误差产生的原因,进一步给出了PIN管的光响应时间及其抖动大小与光照强度的近似函数关系.为稳定高效的探测反射激光脉冲信号和提高环境抗干扰能力,提出具有自动增益控制的自触发... 从脉冲激光测距的光电探测器入手,构建模型理论分析了漂移误差产生的原因,进一步给出了PIN管的光响应时间及其抖动大小与光照强度的近似函数关系.为稳定高效的探测反射激光脉冲信号和提高环境抗干扰能力,提出具有自动增益控制的自触发脉冲激光测距方案,不但减小脉冲信号上升沿引起的测距误差,而且也减小由于信号幅度变化带来的漂移误差影响. 展开更多
关键词 接收技术 自动增益控制 脉冲激光测距
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磁敏二极管的数值模拟 被引量:1
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作者 韩峰岩 徐启华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第12期931-936,共6页
本文首次实现了具有高复合表面的磁敏半导体器件的数值模拟;探讨了适合于数值模拟的磁敏半导体器件的边界条件及基本方程的定标方法。所得结果与实验数据基本相符,可以说明器件的内部机理,对磁敏器件的优化设计有指导意义。
关键词 磁敏二极管 数值模拟 磁敏器件
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IGZO薄膜晶体管的制备及其光电特性的研究
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作者 刘璐 高晓红 +5 位作者 孟冰 付钰 孙玉轩 王森 刘羽飞 胡顶旺 《科学技术创新》 2021年第10期44-46,共3页
以InGaZnO(IGZO)为有源层的薄膜晶体管(TFT)可以应用于光电探测领域。在实验中,研究了该器件的电学特性和在不同光照条件下的光电响应。IGZOTFT具有与传统金属氧化物TFT相当的电学性能,在VDS为15V时性能最好,得到的饱和迁移率为1.65cm^(... 以InGaZnO(IGZO)为有源层的薄膜晶体管(TFT)可以应用于光电探测领域。在实验中,研究了该器件的电学特性和在不同光照条件下的光电响应。IGZOTFT具有与传统金属氧化物TFT相当的电学性能,在VDS为15V时性能最好,得到的饱和迁移率为1.65cm^(2)/Vs,电流开关比达到10^(8),阈值电压为29V,亚阈值摆幅大约为2V/decade的开关器件。并对254nm和365nm的光均发生了响应,得到了稳定、连续的动态响应曲线。因此,这种TFT可以应用于光电探测领域。 展开更多
关键词 IGZO 薄膜晶体管 光电探测 迁移率
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辐射与发光 发光与发光器件
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《中国光学》 CAS 2005年第5期3-3,共1页
TN312.8 2005053215 GaN基发光二极管芯片提取效率的研究=Study on light extraction efficiency of GaN-based light-emitting diode chips[刊,中]/申屠伟进(清华大学电子工程系,集成光电 子学国家重点联合实验室.北京(100084)),胡... TN312.8 2005053215 GaN基发光二极管芯片提取效率的研究=Study on light extraction efficiency of GaN-based light-emitting diode chips[刊,中]/申屠伟进(清华大学电子工程系,集成光电 子学国家重点联合实验室.北京(100084)),胡飞…∥光电 子·激光.-2005,16(4).-384-389 基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极 管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN 与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取 效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的 正面出光的芯片光提取效率至少高20%;同时,低GaN光 吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效地增 加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下 时光提取效率较高。图6表3参13(严寒) 展开更多
关键词 发光器件 发光二极管 光提取效率 蝇眼透镜 测试方法 国家重点实验室 现代光学仪器 光通量 板上芯片技术 芯片尺寸
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Room-Temperature Processed Amorphous ZnRhCuO Thin Films with p-Type Transistor and Gas-Sensor Behaviors
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作者 Bojing Lu Rumin Liu +4 位作者 Siqin Li Rongkai Lu Lingxiang Chen Zhizhen Ye Jianguo Lu 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2020年第9期108-111,共4页
We examine an amorphous oxide semiconductor(AOS)of ZnRhCuO.The a-ZnRhCuO films are deposited at room temperature,having a high amorphous quality with smooth surface,uniform thickness and evenly distributed elements,as... We examine an amorphous oxide semiconductor(AOS)of ZnRhCuO.The a-ZnRhCuO films are deposited at room temperature,having a high amorphous quality with smooth surface,uniform thickness and evenly distributed elements,as well as a high visible transmittance above 87%with a wide bandgap of 3.12 eV.Using a-ZnRhCuO films as active layers,thin-film transistors(TFTs)and gas sensors are fabricated.The TFT behaviors demonstrate the p-type nature of a-ZnRhCuO channel,with an on-to-off current ratio of^1×10^3 and field-effect mobility of0.079 cm^2 V^-1s^-1.The behaviors of gas sensors also prove that the a-ZnRhCuO films are of p-type conductivity.Our achievements relating to p-type a-ZnRhCuO films at room temperature with TFT devices may pave the way to practical applications of AOSs in transparent flexible electronics. 展开更多
关键词 AMORPHOUS TRANSPARENT films
原文传递
磁敏二极管及其应用
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作者 田敬民 《电子与仪表》 1993年第3期29-32,共4页
关键词 磁敏二极管 半导体二极管 应用
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