GaAs/GaAlAs量子阱在电场作用下光电流谱的研究 被引量：1

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作者 江德生 刘大欣 +2 位作者 张耀辉 段海龙 吴荣汉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期333-342,共10页

我们用室温和低温下电场下的光电流谱研究了 GaAs/AlGaAs多量子阱p-i-n 二极管的量子限制斯塔克效应.侧面光照下测量的光电流谱明显地反映出轻重空穴激子峰的偏振效应.对光电流谱和光致发光激发光谱进行对比发现,外加电场不仅影响光吸收... 我们用室温和低温下电场下的光电流谱研究了 GaAs/AlGaAs多量子阱p-i-n 二极管的量子限制斯塔克效应.侧面光照下测量的光电流谱明显地反映出轻重空穴激子峰的偏振效应.对光电流谱和光致发光激发光谱进行对比发现,外加电场不仅影响光吸收,也影响多量子阱中光生载流子的漂移过程.光电流谱的线形用 P^-/n^+结的耗尽模型进行了分析,并计入了入射光强度在光传播过程中由于产生吸收跃迁而发生的衰减.光电流谱峰与激发光谱峰的斯塔克位移提供了多量子阱中电场分布的信息,并证明了耗尽区模型的正确性. 展开更多

关键词 量子阱 电场 二极管 光电流谱

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P型硅光电二极管的特性 被引量：1

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作者 陈定钦 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期28-31,共4页

本文报导了一种光照面积为φ2.5mm 的 P 型硅光电二极管的制造和电学特性。在0.9μm 的峰值波长时,电流灵敏度为0.5μA/μW。器件最小可探测功率可达3.6×10^(-9)W。由于采用保护环结构,使得其暗电流较小,器件的稳定性和可靠性都相... 本文报导了一种光照面积为φ2.5mm 的 P 型硅光电二极管的制造和电学特性。在0.9μm 的峰值波长时,电流灵敏度为0.5μA/μW。器件最小可探测功率可达3.6×10^(-9)W。由于采用保护环结构,使得其暗电流较小,器件的稳定性和可靠性都相当好。 展开更多

关键词 光电 二极管 硅 特性

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金属电子的逸出功和板流引起的阴极温降现象 被引量：8

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作者 曹柏林 顾骥城 《天津理工学院学报》 2001年第1期11-13,共3页

用红外测温仪对理想二极管灯丝温度作精密测量 ,观察到由板流引起的灯丝温度下降 .在教学实验中通常忽略了上述现象 ,因此有大约 - 1 .86%的系统相对误差 .

关键词 红外测温 板流 灯丝温度 逸出功 二极管 金属电子 阴极温降现象

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PS湿敏二极管特性研究

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作者 刘刚 于军 +1 位作者 郑远开 周文利 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1999年第1期34-36,43,共4页

研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极管，在不同湿度下，分别测试其Ｉ－Ｖ特性．结果表明，在一定电压下，无论Ｎ型衬底，还是Ｐ型衬底，其ＰＳ二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大，其正向特性却基本保持恒定，即在... 研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极管，在不同湿度下，分别测试其Ｉ－Ｖ特性．结果表明，在一定电压下，无论Ｎ型衬底，还是Ｐ型衬底，其ＰＳ二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大，其正向特性却基本保持恒定，即在一定电压下，其正向电流不随湿度发生明显变化．通过与ＰＳ的电容、电阻的湿敏特性进行比较，发现电流的湿敏特性具有较好的稳定性和重复性．并根据这种二极管的结构和电流输运过程。 展开更多

关键词 多孔硅 二极管 I-V特性 湿敏二极管 湿敏器件

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二极管隔离特性的自动控制技术

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作者 季凌云 胡珊 +1 位作者 白杰 郝丽莉 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1997年第4期22-24,共3页

详细介绍了一种等效隔离二极管恢复特性的自动控制技术，采用该技术，可智能地控制等效二极管的反向恢复特性，提高关断时间测试的准确性和可靠性，可使等效二极管的恢复特性控制精度达到１μｓ。

关键词 二极管 自动控制 微机 可靠性

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二极对管的变频C—V和G—V研究

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作者 王永生 周凤林 《南京邮电学院学报》 北大核心 1991年第3期52-56,共5页

用自制的变频C-V和G-V测试系统研究了二极对管的C-V特性及其随频率变化的关系.发现结电容随频率的降低而明显增大,并伴有反常的尖峰出现.分析表明,半导体中的深能级杂质在低频下对结电容有显著影响.本文中还探讨了结电导—电压特性以及... 用自制的变频C-V和G-V测试系统研究了二极对管的C-V特性及其随频率变化的关系.发现结电容随频率的降低而明显增大,并伴有反常的尖峰出现.分析表明,半导体中的深能级杂质在低频下对结电容有显著影响.本文中还探讨了结电导—电压特性以及结电导对结电容测量的影响. 展开更多

关键词 二极对管 变频 二极管 G-V C-V

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高温大电流应力对TiAl/GaAs和TiPtAu/GaAs Schottky二极管Richardson图的影响

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作者 张万荣 高玉珍 +5 位作者 李志国 程尧海 孙英华 陈建新 沈光地 穆杰 《北京工业大学学报》 CSCD 2000年第2期1-4,共4页

研究了高温和大电流应力对ＴｉＡｌ／ＧａＡｓ和ＴｉＰｔＡｕ／ＧａＡｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管Ｉ￣Ｖ特性及对Ｒｉｃｈａｒｄｓｏｎ图的影响。

关键词 SCHOTTKY二极管 Richardson图 高温 大电流应力

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用综合场效应方法研究多层GaAs_(1-x)P_x的特性

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作者 门颖华 梁少华 胡德宝 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期26-30,共5页

本文用一种综合场效应方法(简称 CFE),研究了用于发光二极管制作的多层异质结 GaP/GaAs_(i-x)P_x 等外延材料的某些性质,测量并计算了一系列参数;证明了某些样品各层间存在不连续性及其对发光的影响,从而提供了测量发光器件的一个方法。

关键词 光电性质 场效应法 GaAs1-xPx

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关于PN结的接触电位差

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作者 丁宪锟 《安庆师范学院学报（自然科学版）》 1999年第1期73-74,共2页

通过对突变ＰＮ结接触电位差关系式推导证明硅和锗二极管导通电压值。

关键词 接触电位差 杂质浓度 半导体二极管 PN结

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二级管伏安特性曲线的应用

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作者 赵立岭 《德州师专学报》 1997年第2期35-36,共2页

本文分析二极管的伏安特性曲线,并利用该曲线解决几个与二极管有关的问题。

关键词 死区电压 反向饱和电流 二极管 伏安特性曲线

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ZQ正向饱和压降的研究

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作者 袁炳辉 付濬 王林海 《河北工学院学报》 1989年第1期49-53,共5页

通过理论分析和实验研究,找出了影响 ZQ 正向饱和压降的主要因素,提出了改进 ZQ 正向饱和压降的可行性措施:减薄高阻区厚度,提高合金温度等.取得了较显著的效果.

关键词 ZQ 正向饱和压降 电子整流元件

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