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大尺寸微波等离子体增强原子层沉积设备研制与工艺验证
1
作者 朱玉泉 张志轩 +3 位作者 张婧 吴金龙 王伟昌 连水养 《真空》 2026年第1期1-8,共8页
随着半导体工艺不断向更小尺寸与更高精度方向发展,原子层沉积设备的研发日益受到广泛关注。本研究将微波等离子体源与原子层沉积技术相结合,通过系统性设计思路,集成真空系统、微波传导系统、气源输入系统与控制系统,成功研制出一套大... 随着半导体工艺不断向更小尺寸与更高精度方向发展,原子层沉积设备的研发日益受到广泛关注。本研究将微波等离子体源与原子层沉积技术相结合,通过系统性设计思路,集成真空系统、微波传导系统、气源输入系统与控制系统,成功研制出一套大尺寸微波等离子体增强原子层沉积设备。微波传输仿真与光学发射谱检测结果表明,该设备成功实现了高密度等离子体的稳定激发与高活性自由基的产生。通过不同微波功率(400~1000 W)与不同氧气流量(10~1000 sccm)的参数调控,设备实现了较短的单次沉积循环时间14 s,较高的氧自由基强度值15769,所沉积的8英寸氧化铝薄膜的非均匀性为0.88%、632.8 nm处的折射率为1.65(消光系数接近于0)、介电常数与击穿场强分别高达9.3与23.6 MV/cm。本研究开发的微波等离子体增强原子层沉积设备,展现出良好的大尺寸晶圆适配与高质量薄膜沉积能力,为先进半导体工艺与集成电路制造中的高性能介电层、阻挡层及封装界面层等应用提供了有力的设备支撑。 展开更多
关键词 微波等离子体 原子层沉积设备 晶圆级工艺 氧化铝薄膜
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荷能离子作用对氧化铝颗粒表面类金刚石薄膜生长特性的影响
2
作者 安政杰 赵军平 +2 位作者 艾志军 吴治诚 张乔根 《西安交通大学学报》 北大核心 2025年第3期189-200,共12页
为掌握表面改性氧化铝颗粒的过程中颗粒表面类金刚石薄膜形貌的调控方法,基于空心阴极放电等离子体表面沉积系统,研究了不同形式的外施电压作用下,生长在氧化铝颗粒表面的类金刚石膜层的形貌特征及不同膜层形貌的形成机制。通过对在不... 为掌握表面改性氧化铝颗粒的过程中颗粒表面类金刚石薄膜形貌的调控方法,基于空心阴极放电等离子体表面沉积系统,研究了不同形式的外施电压作用下,生长在氧化铝颗粒表面的类金刚石膜层的形貌特征及不同膜层形貌的形成机制。通过对在不同条件下沉积的类金刚石膜层的形貌观测发现,直流电压作用下,膜层会完全保留颗粒的本征形貌特征;脉冲电压作用下,膜层表面存在大量岛状凸起结构,并基于膜层的生长模式和荷能离子与基底发生的相互作用分析了膜层会出现上述两种形貌的原因。当膜层尚未完全覆盖氧化铝时,化学键键能的差异使得碳原子在氧化铝表面会倾向于形成岛状结构,基底表面电荷积聚引起的离子通量密度空间不均匀分布则会使得膜层趋于均匀生长。当膜层完全覆盖氧化铝后,高能离子会引发膜层表面碳原子产生横向位移,使得膜层趋于平滑。为使类金刚石膜层能够在氧化铝颗粒表面形成岛状结构,应限制脉冲电压的占空比及电压幅值,以限制积聚的电荷量,同时应降低能量大于350 eV的离子占比,使得岛状结构能够保留。研究结果表明,通过调控制备参数在氧化铝粉体颗粒表层沉积具有岛状结构的类金刚石膜层可提高颗粒比表面积,有利于改善颗粒与环氧树脂基体的结合性能。 展开更多
关键词 类金刚石薄膜 空心阴极放电 外施电压作用 形貌特征 岛状结构
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集成光纤陀螺的偏振误差分析与抑制方法
3
作者 张智子 王梓丞 +2 位作者 匡崇葳 朱昌胜 张相军 《半导体光电》 北大核心 2025年第2期275-283,共9页
集成式干涉光纤陀螺(Integrated Interferometric Fiber Optic Gyroscope,I-IFOG)凭借微型化、低功耗的特点,成为新一代干涉式光纤陀螺的技术方案。由于光学器件在芯片化集成后不再以保偏光纤连接,无法保持偏振态稳定,陀螺的角速度测量... 集成式干涉光纤陀螺(Integrated Interferometric Fiber Optic Gyroscope,I-IFOG)凭借微型化、低功耗的特点,成为新一代干涉式光纤陀螺的技术方案。由于光学器件在芯片化集成后不再以保偏光纤连接,无法保持偏振态稳定,陀螺的角速度测量精度和稳定性大大降低。偏振误差问题将进一步制约I-IFOG的实际使用。文章根据I-IFOG的光路结构,采用琼斯矩阵建立了集成光学芯片的偏振度与陀螺相位误差的数学模型。通过数学模型分析可知,影响偏振误差的主要原因为集成光路中偏振串扰、模式色散等引起的非互易性相移误差。因此,在集成光路中设计了一种新型波导起偏器,用于滤除不需要的偏振光,使信号光保持高偏振度。利用偏振分析仪对信号光偏振态测试,所提出的起偏器结构与传统偏振器相比,偏振度提高了7.16%,偏振消光比提高了39.8%。最后,搭建了基于所提出的偏振误差抑制方法的集成光纤陀螺试验样机,并进行了整机静态性能测试。集成光纤陀螺样机实现了地球转速的测量,测量精度为0.1129(°)/h。 展开更多
关键词 光纤陀螺 集成光学 硅基光波导 偏振误差
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SiC及其复合材料的发展与应用 被引量：1
4
作者 刘瑞兆 关康 《当代化工研究》 2025年第1期139-142,共4页
碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为第三代半导体材料,因其出色的物理和化学性质在众多领域展现出巨大应用潜力。从结构(Structure)、性质(Properties)、应用(Applications)3个方面介绍了SiC材料,对SiC材料在半导体行业中的应用现状和发... 碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为第三代半导体材料,因其出色的物理和化学性质在众多领域展现出巨大应用潜力。从结构(Structure)、性质(Properties)、应用(Applications)3个方面介绍了SiC材料,对SiC材料在半导体行业中的应用现状和发展前景进行了简要综述,为SiC材料的研究提供了新视角。 展开更多
关键词 SIC 第三代半导体 新能源汽车 光伏 航空航天
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HDPCVD工艺中空洞缺陷和等离子体充电损伤的产生及改进方案
5
作者 吴恩利 郭晓晓 +1 位作者 柳俊 赵波 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第10期811-819,共9页
随着CMOS工艺不断缩小,高密度等离子体化学气相沉积技术(HDPCVD)由于其绝佳的间隙填充能力、稳定的淀积质量和可靠的电学性能而被广泛用于包括浅槽隔离(STI)、金属前绝缘层(PMD),金属层间绝缘层(IMD)等介质层填充工艺中。然而,HDPCVD技... 随着CMOS工艺不断缩小,高密度等离子体化学气相沉积技术(HDPCVD)由于其绝佳的间隙填充能力、稳定的淀积质量和可靠的电学性能而被广泛用于包括浅槽隔离(STI)、金属前绝缘层(PMD),金属层间绝缘层(IMD)等介质层填充工艺中。然而,HDPCVD技术本身存在一些固有的制约,包括介质填充中的空洞缺陷和等离子体充电损伤等,限制了HDPCVD技术的进一步发展。文章主要对HDPCVD的两种缺陷的形成机理进行了综述,并总结了通过改变工艺配方和工艺流程来改善两种缺陷的方法,最后对HDPCVD技术进行了总结并提出了展望。 展开更多
关键词 高密度等离子体 化学气相沉积 介质填充 空洞缺陷 等离子体充电损伤
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非晶硅TFT栅界面层氮化硅薄膜性能的研究 被引量：12
6
作者 谢振宇 龙春平 +1 位作者 邓朝勇 林承武 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期341-345,共5页
采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器,对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系。结果表明:提高栅界面层N-H键含量... 采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器,对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系。结果表明:提高栅界面层N-H键含量(或减少Si-H键含量)能提高光禁带宽度和相对介电常数。栅界面层能改善非晶氮化硅薄膜和非晶硅薄膜的界面性能,提高薄膜晶体管的稳定性和场效应迁移率。 展开更多
关键词 栅界面层 氮化硅 光禁带宽度 介电常数 导通电流
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大口径镀膜机膜厚均匀性分析 被引量：14
7
作者 潘栋梁 熊胜明 +1 位作者 张云洞 王任华 《应用光学》 CAS CSCD 2001年第1期33-38,共6页
以 2 .2 m镀膜机为例分析大口径镀膜机膜厚分布情况 ,考虑旋转球面的情况 ,建立平板型和球面型行星夹具膜厚均匀性的计算模型 ,给出计算结果。
关键词 薄膜 均匀性 计算 镀膜机
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二氧化钒薄膜的退火组分变化及光学特性研究 被引量：8
8
作者 田雪松 刘金成 +2 位作者 掌蕴东 鲁建业 王骐 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期332-333,336,共3页
为得到高纯度的VO2薄膜,对其制备参数进行了探索。VO2薄膜用磁控溅射法制备。对不同条件下制备的VO2薄膜用X射线电子能谱仪(XPS)测试,并通过拟合来得到3,4,5价钒在薄膜中所占的比例。为提高4价钒的含量对薄膜进行了退火处理,分析了退火... 为得到高纯度的VO2薄膜,对其制备参数进行了探索。VO2薄膜用磁控溅射法制备。对不同条件下制备的VO2薄膜用X射线电子能谱仪(XPS)测试,并通过拟合来得到3,4,5价钒在薄膜中所占的比例。为提高4价钒的含量对薄膜进行了退火处理,分析了退火对氧化钒薄膜中4价钒含量的影响。结果表明,VO2薄膜对10.6μm激光的透过率从60℃时的74%变到78℃时的11.93%,发生了相变。 展开更多
关键词 激光防护 相变 磁控溅射 二氧化钒
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Sb对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的影响 被引量：5
9
作者 沃松涛 沈杰 +4 位作者 蔡臻炜 崔晓莉 张群 杨锡良 章壮健 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期182-186,共5页
用直流磁控溅射方法在Si(1 0 0 )面及载玻片上制备了Sb掺杂TiO2 薄膜。利用XRD光谱研究了Sb对其薄膜结晶情况的影响 ,用AFM观察其表面形貌 ,利用分光光度计测量了TiO2 薄膜的光学特性及其对亚甲基蓝的分解活性 ,通过测量和计算表面对水... 用直流磁控溅射方法在Si(1 0 0 )面及载玻片上制备了Sb掺杂TiO2 薄膜。利用XRD光谱研究了Sb对其薄膜结晶情况的影响 ,用AFM观察其表面形貌 ,利用分光光度计测量了TiO2 薄膜的光学特性及其对亚甲基蓝的分解活性 ,通过测量和计算表面对水的接触角来衡量光致亲水性。研究结果表明纯TiO2 薄膜为锐钛矿型 ,适量Sb的掺杂能使TiO2 薄膜的结晶有显著改善 ,并出现Ti2 O3 和金红石相TiO2 ,薄膜的光催化活性和光致亲水性明显改善。随着掺杂量的增加 ,TiO2 薄膜的吸收边逐渐红移。但Sb掺杂过量时 ,破坏了二氧化钛原有的晶格结构 。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 二氧化钛 锑 红移 制备 掺杂 光催化活性 光致亲水性 晶格结构
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基底温度对电子束蒸发制备氧化铝薄膜的影响 被引量：7
10
作者 王松林 杨崇民 +4 位作者 张建付 刘青龙 黎明 米高园 王慧娜 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期764-767,共4页
为了考察基底温度对氧化铝薄膜折射率以及沉积厚度的影响情况,在不同基底温度环境下,通过离子辅助电子束蒸发方式,在玻璃基底上制备了同一Tooling因子条件下所监测到相同厚度的Al2O3薄膜,利用分光光度计测量光谱透过率,依据光学薄膜相... 为了考察基底温度对氧化铝薄膜折射率以及沉积厚度的影响情况,在不同基底温度环境下,通过离子辅助电子束蒸发方式,在玻璃基底上制备了同一Tooling因子条件下所监测到相同厚度的Al2O3薄膜,利用分光光度计测量光谱透过率,依据光学薄膜相关理论,计算了基底温度在25℃~300℃范围内获得的膜层实际物理厚度为275.611nm^348.447nm,以及膜层折射率的变化。通过对实验结果的数值计算和曲线模拟,给出了基底温度对于薄膜的折射率和实际厚度的影响情况。 展开更多
关键词 离子辅助电子束蒸发 薄膜光学常数 基底温度 氧化铝薄膜
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短波通滤光片膜系设计 被引量：17
11
作者 赵兴梅 师建涛 郭鸿香 《应用光学》 CAS CSCD 2006年第5期415-418,共4页
详细介绍用等效折射率概念设计短波通滤光片的原理和计算方法。根据原理和方法，选择二氧化钛（TiO2）作为高折射率材料、二氧化硅（SiO2）作为低折射率材料。首先从理论上计算出用这2种材料设计的波长A-950～1150nm的短波通滤光片所需... 详细介绍用等效折射率概念设计短波通滤光片的原理和计算方法。根据原理和方法，选择二氧化钛（TiO2）作为高折射率材料、二氧化硅（SiO2）作为低折射率材料。首先从理论上计算出用这2种材料设计的波长A-950～1150nm的短波通滤光片所需要的周期数，然后给出短波通滤光片的主膜系和光谱曲线。由于据此周期数设计出的膜系光谱曲线在750～810nm处的透过率不符合要求，因此对该膜系进行了改进。依照改进的设计进行多次制备，最终制备出了符合要求的短波通滤光片，找到了最佳制备工艺和方法。最后，对制备出来的短波通滤光片薄膜进行了各种环境实验。实验结果表明，膜层的各项指标符合设计要求。 展开更多
关键词 短波通滤光片 膜系设计 等效折射率 周期数数
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快速退火对直流磁控溅射法制备的AZO薄膜性能的影响 被引量：6
12
作者 姜丽莉 辛艳青 +3 位作者 宋淑梅 杨田林 李延辉 韩圣浩 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期302-305,共4页
在室温下,采用直流磁控溅射方法制备了不同厚度的氧化锌掺铝薄膜,并对样品进行了快速退火处理,退火温度为600℃,时间为60 s。研究了退火前后薄膜的结构、光电特性的变化情况。退火后,薄膜的最小电阻率为4.2×10-4Ω.cm,其透过率为90... 在室温下,采用直流磁控溅射方法制备了不同厚度的氧化锌掺铝薄膜,并对样品进行了快速退火处理,退火温度为600℃,时间为60 s。研究了退火前后薄膜的结构、光电特性的变化情况。退火后,薄膜的最小电阻率为4.2×10-4Ω.cm,其透过率为90.1%。禁带宽度由退火前的3.68 eV变为3.75 eV。 展开更多
关键词 快速退火 直流磁控溅射 AZO薄膜 光电特性禁带宽度
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不同基体真空蒸镀铝膜的附着力研究 被引量：13
13
作者 张继东 李才巨 +2 位作者 朱心昆 穆静静 李刚 《昆明理工大学学报（理工版）》 2006年第6期25-27,共3页
采用电阻加热式真空蒸镀法在玻璃、H13钢、塑料和纯铜基体上镀制铝膜，并对其附着力进行了测试和分析．结果表明：铝膜对基体的附着力随蒸镀时间的延长而增加，二者基本上呈线性关系；在相同镀制工艺条件下，铝膜对玻璃、H13钢、纯铜和... 采用电阻加热式真空蒸镀法在玻璃、H13钢、塑料和纯铜基体上镀制铝膜，并对其附着力进行了测试和分析．结果表明：铝膜对基体的附着力随蒸镀时间的延长而增加，二者基本上呈线性关系；在相同镀制工艺条件下，铝膜对玻璃、H13钢、纯铜和塑料基体的附着力依次增强；在50-350℃之间退火后，铝膜对纯铜基体的附着力高于退火前，且随退火温度的升高而增大． 展开更多
关键词 真空蒸镀 铝膜 附着力 退火
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脉冲真空电弧镀的实验研究 被引量：10
14
作者 吴汉基 冯学章 +3 位作者 庞红勋 刘文喜 安世明 张志远 《真空》 CAS 北大核心 1993年第3期1-10,共10页
本文介绍了利用脉冲真空电弧进行镀膜的初步研究结果。主要研究了在不同电气参数、结构参数……条件下，在炭钢基材上镀铝合金膜和不锈钢膜及影响成膜性能的因素。研究结果表明，这种镀膜方法，可以镀各种金属和合金膜；具有设备简单，... 本文介绍了利用脉冲真空电弧进行镀膜的初步研究结果。主要研究了在不同电气参数、结构参数……条件下，在炭钢基材上镀铝合金膜和不锈钢膜及影响成膜性能的因素。研究结果表明，这种镀膜方法，可以镀各种金属和合金膜；具有设备简单，镀膜速率高等特点，但仍需进一步消除膜中的大颗粒，改善膜的表面光洁度。 展开更多
关键词 脉冲放电 真空电弧 镀膜
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一种红外双半波滤光片的设计和制造方法 被引量：6
15
作者 赵兴梅 师建涛 郭鸿香 《应用光学》 CAS CSCD 2006年第3期208-210,共3页
针对唐晋发、郑权老师在《应用薄膜光学》一书中介绍的采用低折射率材料做间隔层,用16个λ/4层完成红外双半波滤光片的设计方法制作的薄膜易发生断裂,该文给出该膜系另一种设计计算方法,即采用高折射率材料做间隔层,用12个λ/4完成膜系... 针对唐晋发、郑权老师在《应用薄膜光学》一书中介绍的采用低折射率材料做间隔层,用16个λ/4层完成红外双半波滤光片的设计方法制作的薄膜易发生断裂,该文给出该膜系另一种设计计算方法,即采用高折射率材料做间隔层,用12个λ/4完成膜系设计。与前者相比,该方法节省了材料和时间。同时给出了镀制该膜系的工艺要点,并对镀膜过程中的初始真空度、蒸镀温度和2种材料的蒸发速率做了说明。指出在该工艺实施过程中,首先使用离子源对基底进行活化轰击,然后在蒸镀硫化锌和锗的过程中用离子源进行辅助蒸镀,可得到非常牢固的膜层。 展开更多
关键词 红外双半波滤光片 膜系设计 间隔层 低折射率材料 高折射率材料
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低电阻ITO透明导电膜的制备和应用 被引量：6
16
作者 李云奇 关奎之 +2 位作者 徐成海 王宝霞 张世伟 《真空》 CAS 北大核心 1991年第4期55-61,共7页
锡掺杂的铟锡氧化物透明导电膜（简称膜ＩＴＯ）是一种面电阻率低，透光率高，导电性能好的膜层，近年来在国内外发展较快，其制备方法较多。本文就采用磁控溅射法制备ＩＴＯ 膜的设备及成膜过程中的若干工艺问题进行了探讨。
关键词 低电阻 导电膜 磁控溅射 镀膜
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Ti表面磁控溅射Nb膜的研究 被引量：3
17
作者 姚为 吴爱萍 +1 位作者 邹贵生 任家烈 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期41-44,共4页
Ti表面磁控溅射Nb膜作为Ti与其他金属连接的合金层或过渡层有着重要的研究意义和实用价值.本文研究了基体温度、薄膜厚度、真空退火对Nb膜附着性和组织结构的影响,应用扫描电镜观察了膜层表面和界面,用X射线衍射分析研究了膜层物相组成... Ti表面磁控溅射Nb膜作为Ti与其他金属连接的合金层或过渡层有着重要的研究意义和实用价值.本文研究了基体温度、薄膜厚度、真空退火对Nb膜附着性和组织结构的影响,应用扫描电镜观察了膜层表面和界面,用X射线衍射分析研究了膜层物相组成,用划痕法测试了薄膜的附着性.结果表明:薄膜组织为纤维状晶粒;溅射时对基体适当加热有利于成膜的致密性;一定温度范围内的真空退火可以提高附着性,但不显著,温度达到500 ℃后,薄膜发生剥落;Nb膜厚度从500 nm增加到2000 nm,晶粒变大,附着性变差;溅射及退火过程中均无新相生成. 展开更多
关键词 磁控溅射 铌膜 基体温度 膜厚 真空退火 附着性
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平面行星夹具的物理气相沉积均匀性计算 被引量：5
18
作者 方明 范正修 黄建兵 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2006年第6期738-742,共5页
建立了平面行星夹具薄膜淀积无量纲模型,通过对蒸发源位置L/H、行星主轴与副轴距离P/H、夹角倾角A以及蒸发源蒸汽发射特性N等因素的分析,得到了典型径向理论均匀的优化几何配置.并从优化几何配置的膜料效率、角向均匀性和膜厚分布对蒸... 建立了平面行星夹具薄膜淀积无量纲模型,通过对蒸发源位置L/H、行星主轴与副轴距离P/H、夹角倾角A以及蒸发源蒸汽发射特性N等因素的分析,得到了典型径向理论均匀的优化几何配置.并从优化几何配置的膜料效率、角向均匀性和膜厚分布对蒸发源蒸汽发射特性变化的敏感性方面评价优化结果,得到了最优化设计区域.结果表明,优化配置的L/H+P/H小,则角分布差异小;L/H+P/H和A小,则膜料效率高;L<P,A=-15°时,优化配置对N变化最不敏感;L>P时,由N变化引起的典型径向分布变化小于0.5%. 展开更多
关键词 薄膜淀积 均匀性 平面行星夹具 计算机模拟
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镀膜机的微机控制 被引量：4
19
作者 陈玲玲 李国卿 +2 位作者 黄开玉 关秉羽 汪思源 《真空》 CAS 北大核心 2003年第6期24-26,共3页
设计了磁控溅射 多弧镀膜机的微机控制系统 ,采用PLC可编程控制器与上位机进行数据传递和控制设备的控制方式。本微机控制系统中的真空镀膜机 ,设计了 3套孪生磁控、10套多弧和 8级工艺的过程控制 ,具有自动组合工艺和自控程序升级功... 设计了磁控溅射 多弧镀膜机的微机控制系统 ,采用PLC可编程控制器与上位机进行数据传递和控制设备的控制方式。本微机控制系统中的真空镀膜机 ,设计了 3套孪生磁控、10套多弧和 8级工艺的过程控制 ,具有自动组合工艺和自控程序升级功能 ,从而实现多种工艺的镀膜要求。 展开更多
关键词 微机控制系统 磁控溅射-多弧镀膜机 PLC 可编程控制器 质量控制 真空镀膜机
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磁控溅射薄膜附着性能的影响因素 被引量：7
20
作者 宋文龙 邓建新 赵金龙 《工具技术》 北大核心 2007年第10期20-23,共4页
磁控溅射薄膜技术的应用日趋广泛,溅射薄膜的附着性是制约薄膜性能和使用效果的关键因素。本文结合作者进行的研究,参考国内外参考资料和文献,对薄膜附着性的影响因素做了综合评述,为提高和改善薄膜使用性能提供指导和参考。
关键词 磁控溅射 薄膜 附着性
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