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LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究被引量：3: 1; 作者刘红侠郝跃朱秉升《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期309-311,共3页; SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .; 关键词掺氧半绝缘多晶硅 LPCVD 薄膜淀积; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲化物薄膜的附着牢固度与其显微结构的关系被引量：2: 2; 作者张素英范滨 +4 位作者程实平凌洁华周诗瑶王葛亚施天生《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期327-331,共5页; 用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和透射电镜术（ＴＥＭ）观察Ｓｉ和Ｇｅ基板上ＰｂＴｅ、ＣｄＴｅ及ＰｂＧｅＴｅ单层薄膜及其与ＺｎＳ组合的多层薄膜的显微结构。; 关键词碲化物薄膜显微结构附着牢固度; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型的陶瓷薄膜制备工艺—Sol—Gel法被引量：1: 3; 作者包定华邝安祥《薄膜科学与技术》 1991年第4期70-77,共8页; 近年来在陶瓷制备领域中出现了一种引人注目的工艺溶胶-凝胶法，由于这种工艺诸多的优越性，越来越多地应用于制备陶瓷薄膜方面，本文介绍了溶胶-凝胶法制备陶瓷薄膜的工艺过程，并对其研究现状及进一步发展趋势作了简要的评述。; 关键词溶胶-凝胶法铁电薄膜高温超导薄膜制备工艺陶瓷薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

薄膜中晶粒正常生长过程的研究: 4; 作者韩钧赵秀超《电子与封装》 2006年第9期38-40,共3页; 通过建立一个理论模型研究了薄膜中正常晶粒生长过程中晶粒的变化情况。晶粒按照边长数被分成不同的组,可以通过晶粒消失与晶界转换两种方式来改变边长的数目,在不同组之间进行转换。晶粒的长大与缩小由边长数与晶粒大小决定。计算机模... 展开更多; 关键词薄膜晶粒生长平均晶粒尺寸; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲镉汞阳极氧化的实验研究被引量：2: 5; 作者黄河《薄膜科学与技术》 1992年第3期64-70,共7页; 关键词碲镉汞氧化膜薄膜阳极氧化; 在线阅读下载PDF 职称材料

射频反应溅射CdIn2O4薄膜的光致发光性质被引量：3: 6; 作者王万录廖克俊《薄膜科学与技术》 1992年第3期71-75,共5页; 关键词射频反应溅射薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮化钛薄膜的俄歇电子能谱定量分析研究被引量：1: 7; 作者龚彬王昌铧《薄膜科学与技术》 1992年第3期76-83,共8页; 关键词氮化钛薄膜俄歇电子能谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

等离子体增强对氧化物超导薄膜无载气的金属有机物CVD的影响: 8; 作者刘赓胥《等离子体应用技术快报》 1995年第12期13-14,共2页; 关键词金属有机物半导体薄膜超导 CVD; 在线阅读下载PDF 职称材料

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