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直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性 被引量：11
1
作者 袁国栋 叶志镇 +5 位作者 曾昱嘉 吕建国 钱庆 黄靖云 赵炳辉 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期668-673,共6页
报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了... 报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究 .结果表明 ,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向 ,4 5 0℃、6 0 0℃分别实现了p型转变 ,电阻率为 10 2 ～ 10 3 Ω·cm ,载流子浓度为 10 15～ 10 16cm-3 ,迁移率为 0 5～ 1 32cm2 / (V·s) .薄膜中Al原子促进了N原子的掺入 .实验还表明 ,p ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率 (约为 90 % ) ,室温下光学带宽为 3 2 8eV .而在 4 5 0℃生长的p 展开更多
关键词 Al N共掺杂技术 p-ZnO 直流反应磁控溅射
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气相激光光刻法沉积氧化锡薄膜的工艺特点
2
作者 З.А.Гащулин В.И.Дерновские +1 位作者 Л.В.Поволоцкая 秦卓 《真空电子技术》 北大核心 1993年第1期47-49,共3页
气相激光光刻法的特点是快速沉积,衬底表面无污染,并且有可能获得比较平展的截面电导膜。
关键词 氧化锡 薄膜 气相激光光刻法 沉积
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