氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光 被引量：6

1

作者 谢世勇 郑有炓 +2 位作者 陈鹏 张荣 周玉刚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期149-152,共4页

利用低压 MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长了 Ga N,用离子注入法掺入 Mg杂质 ,退火后 ,进行光致发光测量 ,观察到显著的蓝光发射和黄带发射 .光谱分析给出了与注入 Mg离子相关的 Ga N禁带中能级的精细结构 ,其中 :间位 Mg(Mgi)能级 (导带下... 利用低压 MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长了 Ga N,用离子注入法掺入 Mg杂质 ,退火后 ,进行光致发光测量 ,观察到显著的蓝光发射和黄带发射 .光谱分析给出了与注入 Mg离子相关的 Ga N禁带中能级的精细结构 ,其中 :间位 Mg(Mgi)能级 (导带下 170 m e V)到替位 Mg(Mg Ga)受主能级 (价带上 2 5 0 me V)的跃迁产生了 4 15 nm发光峰 ;该能级到价带上 390 me V能级的跃迁 ,以及带有紧邻 N空位的替位 Mg(Mg Ga VN)能级 (导带下 310 me V)到Mg Ga受主能级的跃迁 ,均产生了 4 38nm发光峰 .另外 ,退火使 Ga N晶格结构部分恢复 。 展开更多

关键词 氮化镓 掺杂 离子注入 光致发光 镁

在线阅读 下载PDF 职称材料

脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光 被引量：4

2

作者 王玉霞 曹颖 +4 位作者 何海平 汤洪高 王连卫 黄继颇 林成鲁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1277-1283,共7页

用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度... 用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度退火样品中 6 H- Si C和 3C- Si C两种晶相共存 ) .以 370 nm波长光激发样品薄膜表面 ,显示较强的 44 7nm蓝光发射 。 展开更多

关键词 薄膜 晶化温度 准分子激光 光致发光 碳化硅 硅

在线阅读 下载PDF 职称材料

光敏电阻在一定光照条件下随温度变化的特性 被引量：13

3

作者 周磊 高维璐 沈学浩 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2010年第5期26-29,共4页

利用自制的透明玻璃管式炉控制温场,在恒定光照强度约为600 lx条件下,逐渐增加温度发现,高温对部分CdS光敏电阻伏安特性的线性影响明显;同样,亮电阻、暗电阻的阻值也随着温度的升高而升高,而亮电阻的阻值在高温下,升高更为明显。研究比... 利用自制的透明玻璃管式炉控制温场,在恒定光照强度约为600 lx条件下,逐渐增加温度发现,高温对部分CdS光敏电阻伏安特性的线性影响明显;同样,亮电阻、暗电阻的阻值也随着温度的升高而升高,而亮电阻的阻值在高温下,升高更为明显。研究比较CdS光敏电阻的亮电阻、暗电阻和伏安特性等参数随温度变化的特点,为实际应用时如何正确选择CdS光敏电阻提供了良好的依据。 展开更多

关键词 光敏电阻 玻璃管式炉 亮电阻 伏安特性 暗电阻

在线阅读 下载PDF 职称材料

芴与噻吩共聚物敏化半导体在可见光下催化降解罗丹明B 被引量：6

4

作者 张冬冬 莫越奇 +2 位作者 宋琳 黄雄飞 仇荣亮 《过程工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期78-82,共5页

可见光照射下,芴与噻吩共聚物(PFT)敏化TiO2和ZnO具有优良的催化性能,降解罗丹明B的实验表明,PFT/TiO2的催化活性明显高于PFT/ZnO.经过2hLED(Light-emitting Diode)灯照射,PFT/TiO2体系中,罗丹明B完全降解为无色物质,矿化率48%;而PFT/Zn... 可见光照射下,芴与噻吩共聚物(PFT)敏化TiO2和ZnO具有优良的催化性能,降解罗丹明B的实验表明,PFT/TiO2的催化活性明显高于PFT/ZnO.经过2hLED(Light-emitting Diode)灯照射,PFT/TiO2体系中,罗丹明B完全降解为无色物质,矿化率48%;而PFT/ZnO体系中,同样条件下,2h后还存在大量有色的罗丹明B降解中间产物,矿化率只有24.6%.罗丹明B的降解过程分两个阶段,第一阶段最大吸收峰降低的同时,发生光谱蓝移,最终脱色生成罗丹明,第二阶段罗丹明继续降解为CO2和H2O,TOC的去除主要发生在第二阶段. 展开更多

关键词 聚合物 敏化 可见光 罗丹明B

在线阅读 下载PDF 职称材料

钝化多孔硅的光致发光 被引量：5

5

作者 李宏建 彭景翠 +2 位作者 许雪梅 瞿述 夏辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期34-37,共4页

选用含有胺基的正丁胺 (CH3CH2 CH2 CH2 - NH2 )作碳源 ,采用射频辉光放电法制备碳膜对多孔硅进行碳膜钝化 ,其光致发光谱和存放实验表明 :正丁胺对多孔硅进行钝化是一种十分有效的多孔硅后处理途径 .研究了钝化多孔硅的光致发光谱随钝... 选用含有胺基的正丁胺 (CH3CH2 CH2 CH2 - NH2 )作碳源 ,采用射频辉光放电法制备碳膜对多孔硅进行碳膜钝化 ,其光致发光谱和存放实验表明 :正丁胺对多孔硅进行钝化是一种十分有效的多孔硅后处理途径 .研究了钝化多孔硅的光致发光谱随钝化温度和钝化时间的变化关系 ,其结果显示 展开更多

关键词 多孔硅 钝化温度 光致发光谱

在线阅读 下载PDF 职称材料

PSD位置响应特性与光源照射方式的关系研究 被引量：8

6

作者 尚鸿雁 张广军 《光学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期445-448,共4页

推导出在四边形二维PSD光源静止照射和连续扫描照射下的位置响应特性理论解,比较两种光源照射方式下引起相对位置变化,讨论了光源扫描速度对探测光入射位置信息的影响,得出结论:在两种光源照射方式下,二维PSD探测光入射位置存在严重的... 推导出在四边形二维PSD光源静止照射和连续扫描照射下的位置响应特性理论解,比较两种光源照射方式下引起相对位置变化,讨论了光源扫描速度对探测光入射位置信息的影响,得出结论:在两种光源照射方式下,二维PSD探测光入射位置存在严重的非线性,但是响应时间比一维PSD短。光源扫描速度越小,2DPSD探测到的位置误差越小,并且光生电势分布的最大值越小。 展开更多

关键词 响应特性 PSD 四边形 扫描 静止

原文传递

C_(60)/硅基介孔复合物的发光研究 被引量：2

7

作者 杨阳 邹建平 +1 位作者 陈慧兰 鲍希茂 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1255-1257,共3页

用化学沉积法制备了 C6 0 /多孔硅以及 C6 0 /硅基多孔氧化铝两种硅基介孔复合物 ,并研究了它们的发光性质 .结果表明 C6 0 的毗联可以影响多孔硅的发光性质 ,但对硅基多孔氧化铝的发光基本不产生影响 .

关键词 硅基 介孔 复合材料 发光

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于两种扫描方式的PSD响应特性 被引量：3

8

作者 尚鸿雁 张广军 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1130-1134,共5页

光源不同扫描方式直接影响PSD对位置探测的准确性。给出直接扫描和光照稳态后扫描两种方式照射下一维PSD的解析解,以及光入射位置的计算值与实际值的误差曲线。结果表明,两种扫描方式造成光生电流的输出范围不同,光照稳态后扫描方式比... 光源不同扫描方式直接影响PSD对位置探测的准确性。给出直接扫描和光照稳态后扫描两种方式照射下一维PSD的解析解,以及光入射位置的计算值与实际值的误差曲线。结果表明,两种扫描方式造成光生电流的输出范围不同,光照稳态后扫描方式比直接扫描方式能更真实的反映光入射位置信息,能够获得较高的探测精度。 展开更多

关键词 光源 扫描方式 一维PSD 响应特性 光生电流

在线阅读 下载PDF 职称材料

Ge覆盖多孔硅结构的桔绿光发射 被引量：1

9

作者 唐宁 吴兴龙 +1 位作者 顾沂 鲍希茂 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1525-1528,共4页

使用 5 14 .5 nm Ar+激光检测了 Ge覆盖多孔硅结构的光致发光谱 (PL) ,观察到峰位 2 .2 5 e V,半峰宽约 0 .1e V的一个新的桔绿发光峰 .随着覆盖 Ge薄膜的加厚 ,这个桔绿发光峰的峰位保持不变 ,但发光强度显著下降 .实验和分析结果表明 ... 使用 5 14 .5 nm Ar+激光检测了 Ge覆盖多孔硅结构的光致发光谱 (PL) ,观察到峰位 2 .2 5 e V,半峰宽约 0 .1e V的一个新的桔绿发光峰 .随着覆盖 Ge薄膜的加厚 ,这个桔绿发光峰的峰位保持不变 ,但发光强度显著下降 .实验和分析结果表明 ,该桔绿发光峰源于多孔硅和嵌于其孔中的 Ge纳米晶粒两者界面中的 展开更多

关键词 覆盖多孔硅 光致发光 光谱分析 锗

在线阅读 下载PDF 职称材料

光敏层电阻率非均匀分布对PSD定位影响的研究 被引量：1

10

作者 陶忠祥 林明秀 +1 位作者 王英霞 宋建中 《光学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期84-86,89,共4页

采用数值方法对光敏层电阻率的非均匀分布及对位置敏感探测器(PSD)的影响进行了研究,结果显示,在现有的制作工艺保障最大电阻率变化不超过1%时,电阻率的非均匀分布对四边形PSD的非线性影响很小,相比较之下,其对一维PSD的影响要大的多。... 采用数值方法对光敏层电阻率的非均匀分布及对位置敏感探测器(PSD)的影响进行了研究,结果显示,在现有的制作工艺保障最大电阻率变化不超过1%时,电阻率的非均匀分布对四边形PSD的非线性影响很小,相比较之下,其对一维PSD的影响要大的多。因此,光敏层电阻率的非均匀分布是造成一维PSD非线性的一个主要原因,而对于四边形二维PSD则不是主要原因。 展开更多

关键词 电阻率 PSD 数值方法 Lucovsky方程

原文传递

VO_2薄膜的制备及表征 被引量：2

11

作者 王燕 黄维刚 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期74-77,共4页

综述了目前VO2薄膜主要的制备方法(sol-gel法,蒸发法,脉冲激光沉积,溅射法和CVD)及其优缺点;以及X射线技术、光电子能谱、光谱技术、显微技术等表征手段在VO2薄膜研究中的应用。如何方便地获得准确化学计量的VO2,获得结晶性好的薄膜结... 综述了目前VO2薄膜主要的制备方法(sol-gel法,蒸发法,脉冲激光沉积,溅射法和CVD)及其优缺点;以及X射线技术、光电子能谱、光谱技术、显微技术等表征手段在VO2薄膜研究中的应用。如何方便地获得准确化学计量的VO2,获得结晶性好的薄膜结构以及与基体间具有良好结合力的制备方法,是今后关注的问题。 展开更多

关键词 无机非金属材料 VO2薄膜 综述 制备方法 表征

在线阅读 下载PDF 职称材料

(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射

12

作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1258-1263,共6页

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到～ 10 % ,即体浓度～ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到～ 10 % ,即体浓度～ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅射后 Si O2 保留量越多 ;再结晶硅颗粒结晶程度提高 ,逐渐纳米化 ;未见有大量的 Er偏析或铒硅化物形成 ,Er大部分以固溶形式存在 .在 77K下获得了较强 1.5 4μm光致发光信号 。 展开更多

关键词 双注入 掺铒硅 光致发光 表面结构 二氧化硅 薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

多孔硅-三(8-羟基喹啉)合铝杂化材料的浸渍法制备及其光致发光

13

作者 张晓霞 魏佩君 +2 位作者 叶剑清 石建新 龚孟濂 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期19-21,共3页

用阳极腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,合成了三 (8_羟基喹啉 )合铝配合物 (AlQ3 ) ,通过浸渍法制备了PS_AlQ3 杂化材料 ,并研究了其室温光致发光性能。结果表明 :利用浸渍法确能将AlQ3 掺入PS中 ,这种杂化材料同时保留了PS和AlQ3

关键词 多孔硅 三(8-羟基喹啉)合铝 浸渍法 光致发光 杂化材料 半导体材料 荧光光谱

在线阅读 下载PDF 职称材料

Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响

14

作者 张纪才 戴伦 秦国刚 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期342-346,共5页

对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入 ,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响 .当退火温度升高时 ,不管是哪一组样品 ,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的 .无黄光的GaN样品在注入Si离子... 对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入 ,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响 .当退火温度升高时 ,不管是哪一组样品 ,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的 .无黄光的GaN样品在注入Si离子并经退火后出现明显的黄光 ;而有强黄光的GaN样品经相同处理后 ,其黄光强度较原生样品大大降低 .实验结果表明离子注入加上适当退火会在GaN中引入与黄光有关的深受主缺陷从而使黄光强度增加 ,此外 ,在离子注入过程中GaN表面不仅可以吸附离子注入引入的点缺陷 ,而且还能够吸附GaN中原有的与黄光有关的点缺陷 ,这种吸附作用随离子注入剂量增加而变强 . 展开更多

关键词 GAN 离子注入 光致发光谱 黄光

在线阅读 下载PDF 职称材料

PMS/PZN相对量对PZNT压电陶瓷的影响

15

作者 赵鸣 赵丽丽 +1 位作者 张昌松 田长生 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第1期85-87,共3页

采用二次合成法合成了不同PMS/PZN比例的PMS-PZN-PZT系压电陶瓷,并研究了不同的PMS/PZN比例对所研究体系压电陶瓷显微结构和性能的影响。当PMS/PZN等于0.285时,性能最优:机电耦合系数、压电常数、机械品质因数、介电损耗及居里温度分别... 采用二次合成法合成了不同PMS/PZN比例的PMS-PZN-PZT系压电陶瓷,并研究了不同的PMS/PZN比例对所研究体系压电陶瓷显微结构和性能的影响。当PMS/PZN等于0.285时,性能最优:机电耦合系数、压电常数、机械品质因数、介电损耗及居里温度分别为0.594、290 pC/N、1 084、0.003 8、350℃,继续对其进行掺杂改性,有望用于制备大功率的压电变压器。 展开更多

关键词 PMS/PZN相对量 大功率 压电陶瓷

在线阅读 下载PDF 职称材料

新型有机聚合物电致发光材料聚(2,3-二芳基-富马氰)的合成、表征及性能研究

16

作者 房强 姜标 傅克洪 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期300-302,306,共4页

利用标准Suzuki反应条件,通过双(4-溴苯基)富马氰和系列芳香族硼酸酯偶合,得到系列聚(2,3-二芳基富马氰).所获得的4种聚合物的合成收率均超过70%,数均分子量Mn为8400～140000;特性粘数[η]为0.31～0.77dLg-1(甲苯,30℃).聚合物溶于普通... 利用标准Suzuki反应条件,通过双(4-溴苯基)富马氰和系列芳香族硼酸酯偶合,得到系列聚(2,3-二芳基富马氰).所获得的4种聚合物的合成收率均超过70%,数均分子量Mn为8400～140000;特性粘数[η]为0.31～0.77dLg-1(甲苯,30℃).聚合物溶于普通有机溶剂,具有良好的成膜性.4种聚合物的甲苯溶液显示相似的UV-vis光谱(λmax=413 nm).荧光光谱显示,甲苯溶液中,聚合物的最大发射波长在约544 nm处,荧光量子收率＞30%.聚合物薄膜的最大发射波长为560 nm.粉末X衍射显示,聚合物在2θ＜7°区产生较强的衍射峰,这些小角区的衍射峰所对应的烷氧基侧链间距d1和烷氧基侧链的碳原子数n显现良好的线性关系.热重分析(TGA)显示,氮气中,聚合物的5%重量损失温度＞340℃.电化学分析(CV)表明,在0.1 M支持电解质[Bu4N]BF4的乙腈溶液中,聚合物薄膜的氧化开始于0.68V(相对于Ag+/Ag电极),最大氧化峰值电位为1.03V;在0～-2.5V区域,聚合物的还原始于-1.34V,并在-1.65和-2.03V处给出两个峰值电位.相应的去还原电位为-1.67和-1.33 V. 展开更多

关键词 π-共轭聚合物 有机电致发光材料 富马氰类衍生物 光学性质 电化学氧化还原反应

在线阅读 下载PDF 职称材料

蓝色荧光硫化锌材料的制备及其发光特性 被引量：1

17

作者 张华 《山东理工大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第6期93-96,共4页

采用热扩散掺氯的方法，制备了在室温紫外光激发下发射蓝色荧光的硫化锌粉末荧光材料．用X射线衍射（XRD）和透射电镜（TEM）研究了不同扩散温度下得到的样品的晶格结构和形貌；用荧光光谱（PL）仪测量了不同扩散温度下制备的样品的荧... 采用热扩散掺氯的方法，制备了在室温紫外光激发下发射蓝色荧光的硫化锌粉末荧光材料．用X射线衍射（XRD）和透射电镜（TEM）研究了不同扩散温度下得到的样品的晶格结构和形貌；用荧光光谱（PL）仪测量了不同扩散温度下制备的样品的荧光光谱，得出700～1000℃是扩散掺杂氯制备蓝色荧光硫化锌材料的温度条件，并对发光样品的发光机理进行了研究． 展开更多

关键词 蓝色荧光 硫化锌 荧光光谱

在线阅读 下载PDF 职称材料

不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光 被引量：5

18

作者 周晓滢 郭文平 +2 位作者 胡卉 孙长征 罗毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1168-1172,共5页

究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同 Mg掺杂浓度的 Ga N样品薄膜 ,经不同温度退火处理后的发光特性 .实验发现随着退火温度的升高 ,不同掺杂浓度的 Mg∶ Ga N材料的光致发光谱蓝带峰能量相差变小 ,经 85 0℃退火后蓝... 究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同 Mg掺杂浓度的 Ga N样品薄膜 ,经不同温度退火处理后的发光特性 .实验发现随着退火温度的升高 ,不同掺杂浓度的 Mg∶ Ga N材料的光致发光谱蓝带峰能量相差变小 ,经 85 0℃退火后蓝带集中在 2 .92 e V附近 .利用 Mg∶ Ga N材料内部补偿模型对此现象进行了分析 ,同时认为对于掺杂浓度较高的样品 ,85 0℃为最佳的退火温度 . 展开更多

关键词 P型掺杂 光致发光 退火 补偿 势能波动 氮化镓 镁掺杂浓度

在线阅读 下载PDF 职称材料

可见光化的半导体光催化剂 被引量：14

19

作者 黄文娅 余颖 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第2期242-247,共6页

光解水制氢能否实用化取决于太阳光的有效利用率 ,研究开发可见光化的光催化剂成为当前光催化剂研究中的重要课题。本文介绍了利用光解水制氢的反应机理 ,综述了近年来半导体光催化剂在利用可见光方面的研究进展 ,重点描述了这些光催化... 光解水制氢能否实用化取决于太阳光的有效利用率 ,研究开发可见光化的光催化剂成为当前光催化剂研究中的重要课题。本文介绍了利用光解水制氢的反应机理 ,综述了近年来半导体光催化剂在利用可见光方面的研究进展 ,重点描述了这些光催化剂的结构 ,并对该领域今后的研究方向进行了展望。 展开更多

关键词 可见光 半导体 光催化剂 制氢

在线阅读 下载PDF 职称材料

Si基光子材料的研究进展

20

作者 蒋学华 《盐城工学院学报（自然科学版）》 CAS 2002年第4期62-65,共4页

评述了研究开发Si基光子材料的意义 ,简述了超晶格、能带工程和Si基异质结构的物理机制 ,介绍了Si基光子材料研究的进展。

关键词 Si基光子材料 超晶格 能带工程 Si基异质结构

在线阅读 下载PDF 职称材料