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基于光谱椭偏法的二维过渡金属二硫化物光学常数表征
1
作者 孙启盟 杨霖 丁翔 《电子质量》 2025年第11期79-83,共5页
首先,制备了单层二维过渡金属二硫化物(TMDs),并利用拉曼光谱线扫描验证了其良好的厚度均匀性;随后,构建了基于c-Al_(2)O_(3)衬底的二维MoS2光学色散模型,该模型由衬底、过渡层和MoS_(2)层组成,其中蓝宝石衬底采用Cauchy色散方程描述,Mo... 首先,制备了单层二维过渡金属二硫化物(TMDs),并利用拉曼光谱线扫描验证了其良好的厚度均匀性;随后,构建了基于c-Al_(2)O_(3)衬底的二维MoS2光学色散模型,该模型由衬底、过渡层和MoS_(2)层组成,其中蓝宝石衬底采用Cauchy色散方程描述,MoS_(2)层采用含4个振子的Tauc-Lorentz色散方程表征;最后,基于椭圆偏振法提取了单层本征MoS_(2)及不同掺杂浓度Fe-MoS_(2)的模型参数,并计算了其在宽光谱范围内的光学常数。研究结果为二维半导体沟道材料的进一步发展提供了新的实验与理论数据支持。 展开更多
关键词 椭圆偏振 二维过渡金属二硫化物 光学常数 Tauc-Lorentz方程
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纳米TiO_2粉晶的晶粒长大动力学及相转位动力学 被引量：14
2
作者 尹荔松 周岐发 +2 位作者 唐新桂 林光明 张进修 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期186-188,共3页
用溶胶 -凝胶法制备了TiO2 纳米粉晶。对干凝胶做了DTA、TG等热分析。利用XRD微结构数据对粉晶长大行为及其相转位进行了分析研究。结果表明 ,当热处理温度低于50 0℃时 ,粉末粒径增长缓慢 ,而热处理温度高于 50 0℃时 ,粉末生长迅速。... 用溶胶 -凝胶法制备了TiO2 纳米粉晶。对干凝胶做了DTA、TG等热分析。利用XRD微结构数据对粉晶长大行为及其相转位进行了分析研究。结果表明 ,当热处理温度低于50 0℃时 ,粉末粒径增长缓慢 ,而热处理温度高于 50 0℃时 ,粉末生长迅速。运用相变理论计算了晶粒长大激活能及相转位活化能 ,研究表明 ,高温区粒子生长激活能比低温区 (50 0℃以下 )高出几倍 ;与粗晶粒相比 ,TiO2 的锐钛矿向金红石相转变的活化能要低很多。 展开更多
关键词 纳米粉晶 相转变 晶粒长大 二氧化钛 动力学
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太阳能驱动的无机半导体-微生物杂化体系在二氧化碳固定和生物制造中的应用 被引量：1
3
作者 何为 席京 +2 位作者 贺天培 陈娜 袁荃 《无机化学学报》 北大核心 2025年第1期35-44,共10页
随着全球经济的快速发展,传统化石能源消耗显著增加,导致了二氧化碳(CO_(2))的大量排放,这对自然生态造成了显著的影响。近年来,由太阳能驱动的以大气中CO_(2)为原料的第3代绿色生物制造技术引起了全球广泛关注。过去数年间,研究者们在... 随着全球经济的快速发展,传统化石能源消耗显著增加,导致了二氧化碳(CO_(2))的大量排放,这对自然生态造成了显著的影响。近年来,由太阳能驱动的以大气中CO_(2)为原料的第3代绿色生物制造技术引起了全球广泛关注。过去数年间,研究者们在太阳能驱动的无机半导体-微生物杂化体系领域开展了大量的工作,这对CO_(2)固定以及生物制造领域具有深远的影响。本综述围绕如何构筑高性能无机半导体-微生物杂化体系,分别从无机半导体材料的结构性能优化、无机半导体-微生物界面的构筑以及微生物代谢通路的定向重构3个维度进行了全面综述。最后,本综述展望了无机半导体-微生物杂化体系领域的发展趋势。 展开更多
关键词 半导体-微生物杂化体系 CO_(2)固定 生物制造
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人工湿地净化富营养化河水试验研究(二)——基质层及流态对氮素污染物净化效果的影响 被引量：16
4
作者 周炜 黄民生 +1 位作者 谢爱军 年跃刚 《净水技术》 CAS 2006年第4期40-44,共5页
通过中试试验研究了基质层及流态对人工湿地净化富营养化河水中氮素污染物的影响情况,结果表明:砾石基质层厚度从80cm增加到120cm对湿地池净化氮素污染物的效果没有明显影响;将上层砾石替换为沸石后,湿地池对NH3-N的净化效果明显提高,... 通过中试试验研究了基质层及流态对人工湿地净化富营养化河水中氮素污染物的影响情况,结果表明:砾石基质层厚度从80cm增加到120cm对湿地池净化氮素污染物的效果没有明显影响;将上层砾石替换为沸石后,湿地池对NH3-N的净化效果明显提高,说明不同的基质材料对NH4+具有良好的选择性吸附作用,而将上层砾石替换为炉渣后湿地池对氮素污染物的净化效果几乎没有变化;在4种湿地流态中,复合流态(垂直流+潜流)湿地池对TN、NH3-N、NO3-N的去除率均为最高,且与潜流-垂直流相前后次序没有显著相关性;潜流、垂直流湿地池对氮素污染物的去除率介于复合流、表面流之间;表面流最低。 展开更多
关键词 人工湿地 基质层 流态 富营养化河水 氮素污染物
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铌酸钠钾基无铅压电陶瓷的相结构与压电性能 被引量：12
5
作者 高峰 张慧君 +2 位作者 刘向春 王卫民 田长生 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第1期60-63,共4页
采用传统固相反应合成法制备了结构致密的(1-x)Na0.5K0.5NbO3-xLiTaO3(KNNT)无铅压电陶瓷,研究了LiTaO3对Na0.5K0.5NbO3材料晶体结构和压电性能的影响。结果表明,随着LiTaO3含量的增加,材料的钙钛矿结构由斜方相向四方相转变,KNNT材料... 采用传统固相反应合成法制备了结构致密的(1-x)Na0.5K0.5NbO3-xLiTaO3(KNNT)无铅压电陶瓷,研究了LiTaO3对Na0.5K0.5NbO3材料晶体结构和压电性能的影响。结果表明,随着LiTaO3含量的增加,材料的钙钛矿结构由斜方相向四方相转变,KNNT材料的准同型相界位于0.04 mol<x<0.08 mol处;随着LiTaO3含量的增加,将使四方铁电相→斜方铁电相的相变温度TT-C向低温方向移动并使居里温度TC向高温方向移动,而且材料的压电常数d33、介电常数ε和机电耦合系数kp均随之先增大后减小,在x=0.06 mol处达到最大值;组成为0.94Na0.5K0.5NbO3-0.06LiTaO3的陶瓷具有优异的压电性能,陶瓷的相对密度达97.8%,居里温度为480℃,d33达134 pC/N,kp达0.33,ε为897,Qm为100。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 晶体结构 压电性能 铁电相变
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CdS掺Ti和Co几何结构及电子结构的密度泛函理论研究 被引量：7
6
作者 熊志华 钟都都 +2 位作者 王建敏 刘国栋 汪胜前 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第B06期99-102,共4页
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对闪锌矿结构CdS和CdS:M(M= Ti,Co)几何结构、电荷分布、能带结构和电子态密度等进行了系统研究.几何结构研究对晶格参量进行了优化计算,Co和Ti原子掺入CdS后晶格常数均减小,晶格发生... 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对闪锌矿结构CdS和CdS:M(M= Ti,Co)几何结构、电荷分布、能带结构和电子态密度等进行了系统研究.几何结构研究对晶格参量进行了优化计算,Co和Ti原子掺入CdS后晶格常数均减小,晶格发生局部畸变.电荷密度计算表明,对于掺Co体系,近邻的S原子电荷分布变化明显,即有更多电子转移到S原子,同时次近邻Cd原子周围的电子分布也受到影响;对于Ti体系,邻近S原子电荷分布变化不明显,次近邻Cd原子周围电荷也没有重新分布.能带结构和态密度分析表明,由于Co3d和Ti3d电子的引入,CdS:Co成为铁磁半导体,而CdS:Ti为简并半导体. 展开更多
关键词 光电子学 晶体结构 电子结构 密度泛函理论 Cd(1-x)MxS
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Nd_2O_3掺杂(BaSr)TiO_3对陶瓷结构和性能的影响 被引量：7
7
作者 高峰 刘向春 +2 位作者 赵鸣 刘佳骥 田长生 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期59-63,共5页
采用常规固相反应法,以Ba0.6Sr0.4TiO3+10%MgO(BSTO)体系为基体成分,研究了Nd2O3掺杂对其显微组织结构和介电性能的影响规律,结果表明掺杂Nd2O3后,抑制了BSTO晶粒的生长;随着Nd2O3掺杂量的增加,陶瓷的晶粒尺寸变小,密度增大,材料的居里... 采用常规固相反应法,以Ba0.6Sr0.4TiO3+10%MgO(BSTO)体系为基体成分,研究了Nd2O3掺杂对其显微组织结构和介电性能的影响规律,结果表明掺杂Nd2O3后,抑制了BSTO晶粒的生长;随着Nd2O3掺杂量的增加,陶瓷的晶粒尺寸变小,密度增大,材料的居里温度向负温度方向移动,并且展宽了介电峰,使材料的温度稳定性提高,此外,随着Nd2O3掺杂量的增加,材料的可调性减小,介电常数减小。 展开更多
关键词 无机非金属材料 钛酸锶钡陶瓷 介电性能 掺杂Nd2O3 显微结构 稀土
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Zn_2SnO_4-LiZnVO_4系厚膜湿敏元件的制备和性能研究 被引量：14
8
作者 傅刚 陈环 +1 位作者 陈志雄 张进修 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第1期41-44,共4页
采用溶胶凝胶法制备 Zn2SnO4-LiZnVO4系陶瓷纳米粉体，用平面丝网印刷工艺在氧化铝基片上制备厚膜湿敏元件。与普通陶瓷粉体制备的元件相比，该元件低湿电阻小，长期稳定性较好。 测量不同工作频率时的湿敏特性表明，元件在 1kHz频率范... 采用溶胶凝胶法制备 Zn2SnO4-LiZnVO4系陶瓷纳米粉体，用平面丝网印刷工艺在氧化铝基片上制备厚膜湿敏元件。与普通陶瓷粉体制备的元件相比，该元件低湿电阻小，长期稳定性较好。 测量不同工作频率时的湿敏特性表明，元件在 1kHz频率范围感湿线性最佳。复阻抗分析表明，采用溶胶凝胶法制备纳米粉体并控制烧结温度，可获得良好的微结构，是改善元件感湿特性的原因。 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 厚膜 湿敏元件 复阻抗分析 制备
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铁电陶瓷/铁氧体复合材料的相结构与介电性能 被引量：8
9
作者 高峰 杨祖培 +1 位作者 刘向春 田长生 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期22-27,共6页
研究了铁电陶瓷 /铁氧体混合烧结体的相结构与介电性能。在 90 0℃制备出铁电陶瓷 /铁氧体复合材料 ,该复合材料是介电材料相与铁氧体材料相共存的复相陶瓷。铁电陶瓷 /铁氧体复合材料的介电性能在低温区域主要是介电材料相起作用 ,而... 研究了铁电陶瓷 /铁氧体混合烧结体的相结构与介电性能。在 90 0℃制备出铁电陶瓷 /铁氧体复合材料 ,该复合材料是介电材料相与铁氧体材料相共存的复相陶瓷。铁电陶瓷 /铁氧体复合材料的介电性能在低温区域主要是介电材料相起作用 ,而铁氧体材料主要在高温部分对复合材料的介电性能起作用。采用两相混合分布的介电常数计算公式拟合了复相陶瓷的介温曲线 ,并提出修正指数因子 α和 β 。 展开更多
关键词 铁电陶瓷 铁氧体 复合材料 相结构 介电性能
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一种新型硅基PT/PZT/PT夹心结构的电性能研究 被引量：5
10
作者 任天令 张林涛 +3 位作者 张武全 李春晓 刘理天 李志坚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第6期407-409,共3页
以无机锆盐为原料 ,用溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)法成功地在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si衬底上制备出一种新型Pb Ti O3/ Pb(Zr0 .5 3Ti0 .47) O3/ Pb Ti O3(PT/ PZT/ PT)夹心结构。这种新结构对于 PZT的晶化有很好的促进作用 ,其最终的退火温度为 7... 以无机锆盐为原料 ,用溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)法成功地在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si衬底上制备出一种新型Pb Ti O3/ Pb(Zr0 .5 3Ti0 .47) O3/ Pb Ti O3(PT/ PZT/ PT)夹心结构。这种新结构对于 PZT的晶化有很好的促进作用 ,其最终的退火温度为 70 0°C。 C- V特性、介电频率响应、漏电等电性能测试表明这一新型夹心结构具有良好的铁电和介电性能。 展开更多
关键词 PZT PT 夹心结构 溶胶-凝胶法 硅基 电性能 铁电
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低压氧化锌压敏陶瓷的显微结构及其电学性能的研究 被引量：11
11
作者 周东祥 章天金 龚树萍 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期66-68,共3页
研究了一价碱金属离子掺杂对低压ZnO压敏陶瓷电学性能的影响规律 ,探讨了烧结温度、降温速率对其显微结构和电性能的影响 ,分析了添加剂预合成对ZnO压敏陶瓷场强的影响规律。实验发现 :一价碱金属离子掺杂能有效地抑制漏流 ,增加非线性 ... 研究了一价碱金属离子掺杂对低压ZnO压敏陶瓷电学性能的影响规律 ,探讨了烧结温度、降温速率对其显微结构和电性能的影响 ,分析了添加剂预合成对ZnO压敏陶瓷场强的影响规律。实验发现 :一价碱金属离子掺杂能有效地抑制漏流 ,增加非线性 ,但同时使压敏场强增加 ;提高烧结温度能有效地降低压敏场强 ,但过高的烧结温度将使漏流增加 ,非线性系数下降。通常 ,烧结温度以不超过 12 5 0℃为宜 ;添加剂预合成能降低ZnO压敏陶瓷的压敏场强 ,它为ZnO压敏陶瓷的低压化提供了一个新的途径与方法。 展开更多
关键词 氧化锌 压敏电阻 电性能 碱金属离子 显微结构
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电极对PZT铁电薄膜的微观结构和电性能的影响 被引量：9
12
作者 杜文娟 陆维 +1 位作者 郑萍 孟中岩 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第3期289-293,共5页
采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺分别在Pt/Ti/SiO2/Si和LNO/Si电极上制备Pb(Zr0.53Ti0.47(PZT)铁电薄膜。研究了不同电极材料对PZT铁电薄膜的微结构及电性能的影响。(100)择优取的PZT/LNO薄膜的介电性能和铁电性能较(111)/(100)取向的PZT/P... 采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺分别在Pt/Ti/SiO2/Si和LNO/Si电极上制备Pb(Zr0.53Ti0.47(PZT)铁电薄膜。研究了不同电极材料对PZT铁电薄膜的微结构及电性能的影响。(100)择优取的PZT/LNO薄膜的介电性能和铁电性能较(111)/(100)取向的PZT/Pt薄膜略有下降,但在抗疲劳特性和漏电流特性方面都有了很大提高。PZT/LNO薄膜1010次极化反转后剩余极化几乎保持未变,直至1012次反转后,剩余极化仅下降了17%。 展开更多
关键词 PZT 铁电薄膜 微观结构 电性能 电极 疲劳 锆钛酸铅
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石墨烯晶体管研究进展 被引量：4
13
作者 李昕 郭士西 +5 位作者 宋辉 李全福 师俊杰 方明 王小力 刘卫华 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1-8,48,共9页
针对集成电路的特征尺寸小于10nm以下所面临的短沟道效应、隧道效应和制造工艺限制困难引发的研究热点——石墨烯能否替代硅,着重从数字晶体管、射频晶体管和柔性透明晶体管3个方面概括和分析了新型石墨烯晶体管的发展现状。分析认为:... 针对集成电路的特征尺寸小于10nm以下所面临的短沟道效应、隧道效应和制造工艺限制困难引发的研究热点——石墨烯能否替代硅,着重从数字晶体管、射频晶体管和柔性透明晶体管3个方面概括和分析了新型石墨烯晶体管的发展现状。分析认为:石墨烯平行纳米带阵列结构和异质结结构有望打开石墨烯禁带以实现大的电流开关比,将是石墨烯数字晶体管的研究热点;通过降低接触电阻、接入电阻以及衬底、栅介质的匹配来提高截止频率和最大振荡频率将是石墨烯射频晶体管的主要发展趋势;基于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底和离子凝胶栅介质的柔性制造技术,最有希望在保证石墨烯高迁移率的基础之上实现全石墨烯透明柔性电路,使石墨烯晶体管得以实用,必将对集成电路行业产生巨大影响。 展开更多
关键词 石墨烯晶体管 禁带 截止频率 最大振荡频率 柔性晶体管
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面向集成电路的大尺寸单晶石墨烯的可控制备方法 被引量：4
14
作者 李昕 张娟 +3 位作者 李全福 楚朋志 王小力 刘卫华 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期103-109,共7页
提出一种采用化学气相沉积工艺进行大面积单晶结构石墨烯岛的可控制备方法。在Ar环境中通过控制退火时间、生长温度来控制石墨烯岛的成核密度和生长形态;采用FeCl3溶液对衬底表面预处理并调控H2与CH4的流量比来改善石墨烯岛的分形;延长... 提出一种采用化学气相沉积工艺进行大面积单晶结构石墨烯岛的可控制备方法。在Ar环境中通过控制退火时间、生长温度来控制石墨烯岛的成核密度和生长形态;采用FeCl3溶液对衬底表面预处理并调控H2与CH4的流量比来改善石墨烯岛的分形;延长生长时间来扩大单晶石墨烯岛尺寸。实验结果表明:该制备方法可以控制石墨烯具有四边形、六边形、搭叠形等不同形态,可以控制四边形石墨烯由狭长型、燕翅型、蝴蝶型最终过渡到饱满的无分形结构的正方形形态,可以将六边形石墨烯岛尺寸从几十微米扩大到200微米以上,并且得到双层搭叠型六边形石墨烯;采用该方法生长出来的单晶石墨烯可以避免连续多晶石墨烯的边界散射效应,保持较高的迁移率,且尺寸较大,具有单原子层结构和不同的生长形态,解决了集成电路所需要的百微米以上量级的单晶结构、晶格取向一致的石墨烯的制造问题。 展开更多
关键词 石墨烯 纳米晶体管 集成电路 可控制备 双层搭叠
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铋层状结构铁电材料的性能与改性研究 被引量：10
15
作者 郝华 刘韩星 欧阳世翕 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第2期52-56,共5页
铋层状材料具有优良的铁电性能,本文介绍了铋层状材料的结构及其特点,并且综述了其铁电性能(疲 劳性能、压电性能)的研究现状、存在的问题。介绍了几种铋层状结构材料改性的工艺措施(热铸法、模板定向生长技术、 掺杂)。
关键词 铋层状材料 铁电材料 压电性能 热铸法 模板定向生长技术 介电常数 电场强度 压电陶瓷
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半化学法制备钨镁酸铅-钛酸铅陶瓷 被引量：4
16
作者 李恒欣 崔斌 +2 位作者 高秀华 钟有菊 王辉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期22-24,共3页
采用半化学法制备了纯钙钛矿结构的0.50 Pb(Mg1/2W1/2)O3-0.50 PbTiO3 (0.50 PMW-0.50 PT)陶瓷。以醋酸镁代替传统氧化物混合法中的MgO,提高了MgO的分散性和反应活性,能够有效地促进钙钛矿相0.50 PMW-0.50 PT的形成和抑制钨酸铅的存在... 采用半化学法制备了纯钙钛矿结构的0.50 Pb(Mg1/2W1/2)O3-0.50 PbTiO3 (0.50 PMW-0.50 PT)陶瓷。以醋酸镁代替传统氧化物混合法中的MgO,提高了MgO的分散性和反应活性,能够有效地促进钙钛矿相0.50 PMW-0.50 PT的形成和抑制钨酸铅的存在。随着预烧温度的提高,0.50 PMW-0.5 0PT粉体的钙钛矿相含量增加,当预烧温度为850℃和保温时间为2 h时其钙钛矿含量达到100%;随着烧结温度的提高,0.50PMW-50PT陶瓷的晶粒尺寸增大,而陶瓷的介电常数先增大后减小,介电损耗先减小后稍微增大。0.50 PMW-0.50 PT陶瓷的最佳烧结条件为1 050℃,2 h,最大相对介电常数为7 606。 展开更多
关键词 半化学法 钨镁酸铅-钛酸铅陶瓷 介电性能 钙钛矿相 弛豫铁电 陶瓷
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Ge对新型低温烧结简单组分ZnBiMnO压敏陶瓷的影响
17
作者 陈苗苗 赵鸣 +4 位作者 崔承昊 刘卓承 陈华 杜永胜 邓磊波 《材料导报》 北大核心 2025年第18期30-34,共5页
Ge掺杂对ZnO基压敏陶瓷的影响尚未被澄清。因此,采用固相工艺经975℃低温烧结3 h制备了0%~0.15%(摩尔分数)GeO_(2)掺杂的ZnBiMnO简单组分压敏陶瓷。在此基础上,采用XRD、SEM及高精度源表等研究了Ge含量变化对所制备样品的显微结构和压... Ge掺杂对ZnO基压敏陶瓷的影响尚未被澄清。因此,采用固相工艺经975℃低温烧结3 h制备了0%~0.15%(摩尔分数)GeO_(2)掺杂的ZnBiMnO简单组分压敏陶瓷。在此基础上,采用XRD、SEM及高精度源表等研究了Ge含量变化对所制备样品的显微结构和压敏性能的影响。结果表明:GeO_(2)会促使ZnBiMnO压敏陶瓷形成Bi_(24)GeO_(38)新第二相,并在0%~0.06%(摩尔分数)范围内显著优化压敏特性。仅0.06%(摩尔分数)GeO_(2)就能使非线性系数α高达49.4,压敏电压E_(B)为338.10 V/mm,同时漏电流密度J_(L)低至6.09μA/cm^(2)。研究结果可为低压ZnO基压敏电阻的制备提供新的备选材料。 展开更多
关键词 Ge ZnBiMnO压敏陶瓷 显微结构 压敏性能
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热释电系数自动测试系统的研究 被引量：4
18
作者 郭明金 刘梅冬 +5 位作者 曾亦可 李楚容 李军 刘少波 夏冬林 黄焱球 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2001年第2期15-17,共3页
介绍了铁电薄膜材料热释电系数的测量原理和电路 ,着重设计了PA级前置放大电路 ,并对PLT铁电薄膜样品进行了测试。
关键词 热释电系数 前置放大器 自动测试系统 红外探测器 铁电薄膜材料
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MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究 被引量：3
19
作者 郭冬云 王耘波 +3 位作者 于军 王雨田 王宝义 魏龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期180-182,共3页
　利用sol gel方法在p Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜。测量不同退火温度下得到的In/BTO/p Si结构的C V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储。
关键词 MFS结构 钛酸铋薄膜 C-V特性 制备 铁电材料 FFET 信息存储
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半导体热电材料研究进展 被引量：28
20
作者 刘宏 王继扬 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期116-118,共3页
本文从讨论热电材料的性能出发 ,讨论了提高半导体热电性能的主要途径 ,介绍了主要的半导体热电材料特别是近年来的进展情况 ,展望了其应用前景 ,并提出了亟待解决的问题。
关键词 地导体热电材料 热电性 热电系数 热导率
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