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退火对a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学性质的影响
1
作者 唐文国 王富朝 +1 位作者 李自元 沈学础 《红外研究》 CSCD 北大核心 1989年第3期165-170,共6页
研究了退火对α-Si_xC_(1-x):H薄膜红外吸收和光致发光性质的影响.实验结果表明:低温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度增加;而高温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度减弱;同时,随着退火温度升高,光致发光光谱的峰值能量位... 研究了退火对α-Si_xC_(1-x):H薄膜红外吸收和光致发光性质的影响.实验结果表明:低温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度增加;而高温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度减弱;同时,随着退火温度升高,光致发光光谱的峰值能量位置移向低能.文中对退火引起红外吸收和光致发光性质的变化机理进行了讨论。 展开更多
关键词 非晶半导体 红外吸收 光致发光
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溅射a-GeN_x和a-GeN_x:H薄膜的制备及光电特性的研究 被引量：2
2
作者 陈光华 张仿清 崔敬忠 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期573-578,共6页
本文报道了应用射频反应溅射法制备a-GeN_x和a-GeN_x:H薄膜的工艺条件及其基本的光电特性,并报道了它的IR和Raman特性,讨论了掺氮对a-GeN_x:H膜带尾态ΔE,IR谱及Raman谱的影响。
关键词 非晶半导体 锗基合金薄膜 光电特性
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流体静高压下的锂离子导电性 被引量：1
3
作者 苏昉 许伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期193-201,共9页
本文改进实验方法,在0.0001—1.23GPa流体静高压下测量了整片非晶锂离子导体B_2O_3-0.7Li_2O-0.7LiCl_(-x)Al_2O_3(x=0.05;0.15)及其粉末压片的离子电导率及激活体积。发现粉末压片电导率峰值是由非晶微粒间的接触电导及非晶微粒体电导... 本文改进实验方法,在0.0001—1.23GPa流体静高压下测量了整片非晶锂离子导体B_2O_3-0.7Li_2O-0.7LiCl_(-x)Al_2O_3(x=0.05;0.15)及其粉末压片的离子电导率及激活体积。发现粉末压片电导率峰值是由非晶微粒间的接触电导及非晶微粒体电导两者叠加;对整片非晶电导率的压力效应用离子迁移通道的物理图象给出初步的微观解释。此外,还观测到氧化铝组分减少使电导率的压力转变点明显降低;测量出不同温度热处理以及 300℃等温热处理4—20h后离子电导率-压力曲线的变化规律,仍可归因于非晶态相分离及两种非晶相的先后晶化。 展开更多
关键词 流体 静压力 锂离子 导电性 导体
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GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用
4
作者 马瑾 宋学文 《山东大学学报（自然科学版）》 CSCD 1990年第3期313-317,共5页
将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。
关键词 a-C:H 半导体器件 表面钝化
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非晶半导体的局域结构有序 被引量：1
5
作者 Jeffrey S. Lannin 童莉泰 《物理》 CAS 北大核心 1989年第8期458-460,474,共4页
关键词 非晶半导体 局域结构 局域有序
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