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RF溅射碳化硅薄膜的结构研究 被引量：8
1
作者 王英华 汤海鹏 +1 位作者 田民波 李恒德 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期483-488,共6页
本文作者用RF溅射法获得碳化硅薄膜,利用AES、XPS、TEM和UPS等现代分析仪器研究了碳化硅薄膜的结构.溅射薄膜中Si∶C=1∶1.主要化学键形式为Si-C共价键,原子排布状态为非晶态,并且在短程结构中存在大量畸变与缺陷,薄膜为不理想非晶结构... 本文作者用RF溅射法获得碳化硅薄膜,利用AES、XPS、TEM和UPS等现代分析仪器研究了碳化硅薄膜的结构.溅射薄膜中Si∶C=1∶1.主要化学键形式为Si-C共价键,原子排布状态为非晶态,并且在短程结构中存在大量畸变与缺陷,薄膜为不理想非晶结构,带尾较长. 展开更多
关键词 碳化硅 溅射 薄膜 结构
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PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究 被引量：20
2
作者 陶涛 苏辉 +7 位作者 谢自力 张荣 刘斌 修向前 李毅 韩平 施毅 郑有炓 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第5期267-272,303,共7页
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数。并采用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面... 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数。并采用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面形貌。结果表明,温度和射频功率是影响薄膜生长速率的主要因素,生长速率变化幅度可以达到230nm/min甚至更高。对于薄膜折射率和成分影响最大的是NH3流量,折射率变化范围可以达到2.7～1.86。分析得出受工艺参数调控的薄膜生长速率对薄膜的性质有重要影响。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积法 氮化硅薄膜 生长速率 折射率 硅衬底
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闪锌矿结构Zn_（1－x）Mn_xSe混晶光学声子行为 被引量：1
3
作者 过毅乐 劳浦东 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期8-12,共5页
本文计算了闪锌矿结构Ｚｎ（１－ｘ）ＭｎｘＳｅ光学声子频率随组分ｘ值的改变．计算表明，Ｚｎ（１－ｘ）ＭｎｘＳｅ混晶的光学声子属混模行为．在计算中，表征晶格常数改变对力常数影响的物理量，不同混晶应取不同的值．
关键词 闪锌矿结构 Zn1-xMnxSe混晶 光学声子
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