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腐蚀法制备SiC量子点及其在荧光标记中的应用
1
作者 康杰 丁紫阳 +4 位作者 焦璨 白玲 潘全喜 朱彦敏 宋月鹏 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期13-21,共9页
通过HNO_(3)和HF混合腐蚀剂处理自蔓延高温合成的β-SiC微粉,制备出尺寸均匀、分散性良好的水相SiC量子点,研究了腐蚀进程中颗粒微观组织结构演变及光致发光(PL)性能调控机制,并将其应用于镰刀菌的荧光标记及成像。采用透射电子显微镜(T... 通过HNO_(3)和HF混合腐蚀剂处理自蔓延高温合成的β-SiC微粉,制备出尺寸均匀、分散性良好的水相SiC量子点,研究了腐蚀进程中颗粒微观组织结构演变及光致发光(PL)性能调控机制,并将其应用于镰刀菌的荧光标记及成像。采用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、PL谱及共聚焦荧光显微系统等表征手段,揭示了SiC颗粒在腐蚀过程中的表面氧化、镂空结构形成至超声破碎的微观演变路径,证实其光致发光基于量子限域效应而非表面缺陷。经调控离心层析的超重力系数实现量子点粒径的精准裁剪后,SiC量子点特征发射波长(340nm激发下)由401nm经455nm红移至485nm,宏观荧光颜色相应由蓝绿色经绿色转变为黄绿色。活体细胞的长时程荧光成像结果表明,腐蚀法制备的SiC量子点具有较高的标记稳定性。此外,对抗光漂白机理及标记稳定性进行了初步分析。 展开更多
关键词 SiC量子点 腐蚀法 微观组织结构演变 离心层析裁剪 荧光成像
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半导体设备应用及产业状况分析 被引量：7
2
作者 周晓雪 谢观如 《科技创新与应用》 2025年第4期173-176,共4页
半导体行业的发展不仅关系到国防安全和社会经济发展,更是赋能各个行业的基石。它属于资金、知识密集型行业,涉及学科门类多,工艺复杂,投资周期长,产业链长,这些都是造成其发展很难一蹴而就的重要因素。当前,国际上一些主要发达国家联... 半导体行业的发展不仅关系到国防安全和社会经济发展,更是赋能各个行业的基石。它属于资金、知识密集型行业,涉及学科门类多,工艺复杂,投资周期长,产业链长,这些都是造成其发展很难一蹴而就的重要因素。当前,国际上一些主要发达国家联合起来,为达到一定的政治目的,利用其行业先发优势,营造逆全球化格局。迫使人们更加重视整个半导体产业的发展。该文简述半导体产业的发展历程,结合产业链上下游概况,最终着笔于半导体制造工艺的主要应用设备及国内外相关制造厂商的分布格局。在分析逆全球化对国产设备发展影响的基础上,提出一些破局思考,以期对改变现状有所裨益。 展开更多
关键词 半导体 制造装备 产业状况 集成电路 制造工艺
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碳化硅器件主动栅极驱动技术的思考与展望
3
作者 胡润晨 王嘉义 +3 位作者 罗湘 李孟好 张建良 胡斯登 《机车电传动》 2025年第3期113-118,共6页
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)凭借其优越性能,在高频、高温、高压、大电流工作条件下展现出显著优势,然而,其高开关速度使得开关瞬态过程极为短暂,容易引发超调、振荡以及电磁干扰等问题,从而制约了SiC MOSFET的进... 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)凭借其优越性能,在高频、高温、高压、大电流工作条件下展现出显著优势,然而,其高开关速度使得开关瞬态过程极为短暂,容易引发超调、振荡以及电磁干扰等问题,从而制约了SiC MOSFET的进一步推广与应用。主动栅极驱动(AGD)技术作为一种先进的驱动方案,能够通过动态调整驱动参数,优化开关轨迹,从而显著改善SiC MOSFET的开关特性。文章围绕碳化硅器件,尤其是中压碳化硅器件应用中可能出现的问题展开讨论,结合现有的基于SiC MOSFET的AGD技术研究,从器件状态信息的采集与综合、多目标优化算法的运用、开关暂态轨迹的主动控制、AGD与主电路布局的协同优化4个方面探讨AGD技术对碳化硅器件推广应用的重要意义,并对未来研究方向提出展望。 展开更多
关键词 碳化硅器件 主动栅极驱动 开关轨迹 状态信息 多目标优化 布局优化
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SiC和SiC/Al在TMA空间遥感器中的应用 被引量：45
4
作者 任建岳 陈长征 +1 位作者 何斌 王兵 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2537-2543,共7页
简述了空间遥感器的空间应用环境和三反射镜消像散(TMA)轻型遥感器的特点,介绍了遥感器设计中材料选择的重要性及影响,在TMA轻型遥感器研制中选用了具有高导热性和高比刚度的SiC和SiC/Al复合材料。对SiC和SiC/Al复合材料与常用光机材料... 简述了空间遥感器的空间应用环境和三反射镜消像散(TMA)轻型遥感器的特点,介绍了遥感器设计中材料选择的重要性及影响,在TMA轻型遥感器研制中选用了具有高导热性和高比刚度的SiC和SiC/Al复合材料。对SiC和SiC/Al复合材料与常用光机材料的空间应用综合品质因子进行了比较,SiC材料的综合品质因子为8072.92,是常用光学材料的3～8倍,高体分SiC/Al复合材料的综合品质因子为1687.50,为常用机械材料的5～9倍。对遥感器的主框架进行了模态分析和试验,验证了分析计算模型的正确性;对遥感器进行了空间环境下光机热的集成计算,得出了在空间环境下遥感器的光学传递函数。计算及实验证明,这些材料的应用提高了遥感器的机械性能和热性能,提高了TMA轻型空间遥感器的空间适应能力。 展开更多
关键词 空间遥感器 比刚度 热稳定性 SIC SIC/AL
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宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用 被引量：23
5
作者 王玉霞 何海平 汤洪高 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期372-381,共10页
SiC是第 3代宽带隙半导体的核心材料之一 ,具有极为优良的物理化学性能 ,应用前景十分广阔 .本文综合介绍SiC的基本特性 ,材料的生长技术 (包括体单晶生长和薄膜外延生长技术 ) ,SiC基器件的研发现状 ,应用领域及发展前景 .同时还介绍... SiC是第 3代宽带隙半导体的核心材料之一 ,具有极为优良的物理化学性能 ,应用前景十分广阔 .本文综合介绍SiC的基本特性 ,材料的生长技术 (包括体单晶生长和薄膜外延生长技术 ) ,SiC基器件的研发现状 ,应用领域及发展前景 .同时还介绍了作者用脉冲激光淀积法在Si衬底上制备出单晶 4H 展开更多
关键词 宽带隙半导体材料 SIC 应用 碳化硅 体单晶生长 薄膜 半导体器件
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高体份SiC/Al反射镜在空间光学应用可行性的分析 被引量：11
6
作者 高明辉 张军 +4 位作者 李景林 刘磊 王永宪 许艳军 任建岳 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第7期1803-1807,共5页
简述了空间遥感器设计中反射镜材料选择的重要性及影响。对SiC和SiC/Al复合材料与常用光学材料的空间应用综合品质因子进行了比较,SiC材料的综合品质因子为8072.92,高体分SiC/Al复合材料的综合品质因子为1 687.50。并对高体分SiC/Al复... 简述了空间遥感器设计中反射镜材料选择的重要性及影响。对SiC和SiC/Al复合材料与常用光学材料的空间应用综合品质因子进行了比较,SiC材料的综合品质因子为8072.92,高体分SiC/Al复合材料的综合品质因子为1 687.50。并对高体分SiC/Al复合材料应用在反射镜上的光学性能进行了检测。检测结果得出材料的表面粗糙度能够达到1.49 nm,小于5 nm;反射率达到95%以上,能够满足反射镜的性能要求。对采用高体分SiC/Al复合材料作为反射镜和背板材料的相机结构进行分析。分析结果得出整体结构前三阶模态为115 Hz,120 Hz,203 Hz,满足空间遥感器大于100 Hz的技术要求,各反射镜的面形精度满足RMS≤1/50λ(λ=632.8 nm)的技术要求。各项测试数据和有限元分析结果表明,高体份SiC/Al复合材料作为反射镜在空间光学中应用是可行的。 展开更多
关键词 高体份SiC/Al复合材料 面形精度 综合品质因子 反射镜
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大直径6H-SiC单晶的生长 被引量：16
7
作者 徐现刚 胡小波 +1 位作者 王继扬 蒋民华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期540-540,共1页
SiC是一种重要的半导体材料,它具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一.上世纪90年代以来,各国竞相投入大量的人力、物力进行SiC... SiC是一种重要的半导体材料,它具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一.上世纪90年代以来,各国竞相投入大量的人力、物力进行SiC单晶的研究和产业化工作,我国在国家重大计划中进行了SiC单晶的生长研究,也取得一定成绩,但是至今可重复的大直径单晶生长一直没有得到解决.本文报道了在SiC单晶生长方面取得的最新进展. 展开更多
关键词 6H-SiC单晶 单晶生长 直径 半导体材料 碳化硅
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PECVD SiN_x薄膜应力的研究 被引量：22
8
作者 赵永军 王民娟 +1 位作者 杨拥军 梁春广 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期183-187,共5页
等离子增强化学气相淀积 ( Plasma- enhanced Chemical Vaper Deposition,PECVD)Si Nx 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要 .它的一个重要的物理参数——机械应力 ,也逐渐被人们所重视 .本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温... 等离子增强化学气相淀积 ( Plasma- enhanced Chemical Vaper Deposition,PECVD)Si Nx 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要 .它的一个重要的物理参数——机械应力 ,也逐渐被人们所重视 .本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系 .讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理 .通过工艺条件的合理选择 ,做出了 0 .8～ 1 .0 μm厚的无应力的 PECVD Si Nx 展开更多
关键词 氮化硅 PECVD法 薄膜应力
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掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究 被引量：9
9
作者 宋久旭 杨银堂 +2 位作者 柴常春 刘红霞 丁瑞雪 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期87-91,共5页
采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超... 采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,导致禁带宽度减小. 展开更多
关键词 掺氮 3C—SiC 电子结构 第一性原理计算
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碳化硅陶瓷的超声振动辅助磨削 被引量：19
10
作者 刘立飞 张飞虎 刘民慧 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2229-2235,共7页
采用普通磨削方式和超声振动辅助磨削方式对无压烧结SiC材料进行了磨削工艺实验,对不同磨削方式下磨削参数对磨削力比、表面损伤及亚表面损伤的影响进行了对比研究,并分析了超声振动磨削作用机制。实验结果显示,该实验中SiC材料去除主... 采用普通磨削方式和超声振动辅助磨削方式对无压烧结SiC材料进行了磨削工艺实验,对不同磨削方式下磨削参数对磨削力比、表面损伤及亚表面损伤的影响进行了对比研究,并分析了超声振动磨削作用机制。实验结果显示,该实验中SiC材料去除主要以脆性去除为主,砂轮磨削力比随着磨削深度和进给速度的增加缓慢增加,随着主轴转速的增加略有减小;普通磨削时SiC工件亚表面损伤深度随着磨削深度、进给速度增加逐渐增加,而超声振动辅助磨削变化较小。与普通磨削相比,在相同的磨削参数下,超声振动辅助磨削的高频冲击使材料破碎断裂情况得到改善,且磨削力比减小近1/3,表面裂纹、SiC晶粒脱落、剥落等表面损伤较少,表面损伤层较浅,亚表面裂纹数量及深度都有较大程度降低,可以获得较为理想的表面质量。 展开更多
关键词 碳化硅陶瓷 超声振动辅助磨削 磨削力比 表面损伤 亚表面裂纹
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在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H_2退火效应 被引量：7
11
作者 安霞 庄惠照 +2 位作者 杨莺歌 李怀祥 薛成山 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期593-598,共6页
用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响 .用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射 (XRD)、X光电子能谱 (XPS)、扫描电镜 (SEM)及原子力显微镜 (AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析 .结果表明 ... 用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响 .用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射 (XRD)、X光电子能谱 (XPS)、扫描电镜 (SEM)及原子力显微镜 (AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析 .结果表明 :高温退火后 Si C膜的晶化程度明显提高 。 展开更多
关键词 磁控溅射 碳化硅 薄膜 氢退火 碳纳米线碳化硅
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ZnO宽带隙半导体及其基本特性 被引量：18
12
作者 贺永宁 朱长纯 侯洵 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期566-574,共9页
ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点。同时,作为一种氧化物半导体,ZnO半导体在能带结构、晶格缺陷、抗辐照特性以及电学性质等方面具有特殊性,已有的研究中还存在一些不同的认识。本工作在阐述ZnO的晶体结构和基本... ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点。同时,作为一种氧化物半导体,ZnO半导体在能带结构、晶格缺陷、抗辐照特性以及电学性质等方面具有特殊性,已有的研究中还存在一些不同的认识。本工作在阐述ZnO的晶体结构和基本性质基础之上,对其能带结构和缺陷特征、电子输运以及p型掺杂等主要的半导体特性研究现状进行了较为全面综述和分析。由于ZnO半导体具有高的激子束缚能、优良的电子输运性质、强抗辐照特性以及低成本和环境友好等显著特征,它是未来半导体光电子领域极具应用潜力的新一代宽带隙半导体材料,但是到目前为止,p型掺杂技术仍然是ZnO半导体器件面临的最大挑战。 展开更多
关键词 ZNO 宽带隙半导体 晶体缺陷 电子输运 P型掺杂
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3英寸半绝缘4H-SiC单晶的研制 被引量：6
13
作者 王利杰 冯玢 +3 位作者 洪颖 孟大磊 王香泉 严如岳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期8-10,共3页
报道了采用物理气相传输（PVT）法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展，成功研制得到固态微波器件急需的3英寸（75mm）半绝缘4H-SiC衬底。使用计算机模拟技术，进行了3英寸（75mm）4H—SiC晶体生长的热场设计，并在此基础上研制出适合3... 报道了采用物理气相传输（PVT）法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展，成功研制得到固态微波器件急需的3英寸（75mm）半绝缘4H-SiC衬底。使用计算机模拟技术，进行了3英寸（75mm）4H—SiC晶体生长的热场设计，并在此基础上研制出适合3英寸（75mm）4H．SiCPVT生长的晶体生长设备，采用喇曼光谱对晶体生长表面5点进行测试，结果均为单一的4H晶型，采用非接触电阻率面分布（COREMA）方法测得晶片电阻率为10^9-10^12ΩQ·cm。微管道缺陷（MPD）测量采用熔融KOH腐蚀法，测得平均微管道密度为104个／cm。，其中晶片的30％区域微管道缺陷小于10个／cm2使用x射线双晶衍射测试得到其半高宽（FWHM）为31arcsec，说明所获得的晶体具有良好的结晶完整性。 展开更多
关键词 3英寸(75 mm) 4H—SiC 电阻率 微管道缺陷 半高宽
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碳化硅光学镜面加工 被引量：5
14
作者 范镝 张忠玉 +2 位作者 牛海燕 丰玉琴 张学军 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1096-1100,共5页
简要介绍了碳化硅光学镜面的主要应用领域;碳化硅材料的主要物理特性和几种常用的制备方法;比较了碳化硅材料与其他常用光学镜面介质材料的主要物理性质。介绍了碳化硅光学镜面的光学加工的流程和加工手段;比较分析了碳化硅光学镜面的... 简要介绍了碳化硅光学镜面的主要应用领域;碳化硅材料的主要物理特性和几种常用的制备方法;比较了碳化硅材料与其他常用光学镜面介质材料的主要物理性质。介绍了碳化硅光学镜面的光学加工的流程和加工手段;比较分析了碳化硅光学镜面的光学加工过程各个步骤中所应用的磨具、磨料和加工方法。讨论了光学加工过程中各个步骤工艺参数的选择和降低碳化硅光学镜面表面粗糙度的途径。最后,简介了美国、俄罗斯和我国在碳化硅反射镜的光学加工方面所取得的成果。 展开更多
关键词 碳化硅 光学镜面 光学加工 面形精度 粗糙度
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离子注入形成FeSi_2埋层的电镜研究 被引量：6
15
作者 李晓娜 金星 +2 位作者 董闯 马腾才 张泽 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期234-237,共4页
利用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｆｅ离子注入到Ｓｉ基体中会生成一层铁硅化物薄膜．利用电子显微镜，研究了这层铁硅化物的显微结构及其在随后的升温退火过程中发生的变化．研究结果表明，在离子注入剂量为１×１０１７／ｃｍ２的未退火样... 利用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｆｅ离子注入到Ｓｉ基体中会生成一层铁硅化物薄膜．利用电子显微镜，研究了这层铁硅化物的显微结构及其在随后的升温退火过程中发生的变化．研究结果表明，在离子注入剂量为１×１０１７／ｃｍ２的未退火样品中，亚稳的γ－ＦｅＳｉ２相占大多数，同时有少量的由ＣｓＣｌ结构派生的缺陷相Ｆｅ１－ＸＳｉ．在（１００）取向的Ｓｉ片上，这个硅化物层埋在硅基体中。 展开更多
关键词 离子注入 电导显微镜 半导体 埋层结构 硅化亚铁
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S波段脉冲大功率SiC MESFET 被引量：6
16
作者 杨霏 潘宏菽 +3 位作者 霍玉柱 商庆杰 默江辉 闫锐 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第1期12-14,20,共4页
采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功... 采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。 展开更多
关键词 碳化硅 金属-肖特基势垒场效应晶体管(MESFET) S波段 脉冲 大功率
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SiC功率器件的研究和展望 被引量：14
17
作者 张玉明 汤晓燕 张义门 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2008年第12期60-62,共3页
分析了碳化硅(SiC)功率器件的研究现状与发展趋势,给出了在SiC功率整流二极管、SiC功率晶体管以及关键工艺中取得的最新研究成果。研制出了具有较好整流特性的SiC肖特基势垒二极管,并对其输运机理和高温特性进行了研究。研制成功了国内... 分析了碳化硅(SiC)功率器件的研究现状与发展趋势,给出了在SiC功率整流二极管、SiC功率晶体管以及关键工艺中取得的最新研究成果。研制出了具有较好整流特性的SiC肖特基势垒二极管,并对其输运机理和高温特性进行了研究。研制成功了国内第一个SiC MPS二极管,耐压高达600V,正向电压为3.5V时电流密度可达1000A/cm2。研制出国内第一个SiC MOSFET和第一个SiC BCMOSFET。所制备的SiC BCMOSFET可得到最高为90cm2/(V.s)的有效迁移率。分析了界面态电荷和界面粗糙对SiC MOSFET反型层迁移率的影响,其结果对提高SiC MOSFET器件特性有一定指导作用。 展开更多
关键词 碳化硅 器件 晶体管 迁移率
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4H-SiC(0001)硅面原子级平整抛光方法 被引量：6
18
作者 高飞 徐永宽 +2 位作者 程红娟 洪颖 张淑娟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第9期610-614,共5页
以4H-SiC(0001)面Si面为加工对象,提出了一种可以快速获得平整、无损伤表面的化学机械抛光方法。先在复合铜、锡盘上对2英寸(1英寸=2.54 cm)的SiC晶片进行机械抛光,去除研磨造成的损伤层和划痕,最后用特殊的抛光液进行化学机械抛光。用... 以4H-SiC(0001)面Si面为加工对象,提出了一种可以快速获得平整、无损伤表面的化学机械抛光方法。先在复合铜、锡盘上对2英寸(1英寸=2.54 cm)的SiC晶片进行机械抛光,去除研磨造成的损伤层和划痕,最后用特殊的抛光液进行化学机械抛光。用微分干涉显微镜和原子力显微镜观察晶片表面形貌的变化,观察结果显示,经3 h抛光后晶片的表面粗糙度状况得到了明显的改善,表面没有观察到划痕,表面粗糙度值达到了0.1 nm以下,并且出现规则排列的原子台阶构型,达到了原子级平整。实验研究了抛光液组成对抛光效果的影响,在最优的条件下,化学机械抛光的去除速率约为387 nm/h。 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 原子台阶构型 原子级平整
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SiC抗辐照特性的分析 被引量：17
19
作者 尚也淳 张义门 张玉明 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期807-810,共4页
用半导体抗辐照的机理说明了ＳｉＣ材料具有良好的抗辐照特性．实验数据的对比表明，ＳｉＣ在器件发光二极管（ＬＥＤ），结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）上对辐照影响不敏感．从原理上预... 用半导体抗辐照的机理说明了ＳｉＣ材料具有良好的抗辐照特性．实验数据的对比表明，ＳｉＣ在器件发光二极管（ＬＥＤ），结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）上对辐照影响不敏感．从原理上预测了ＳｉＣ集成电路的单粒子反转（ＳＥＵ）截面，结果说明ＳｉＣ集成电路具有好的抗ＳＥＵ 展开更多
关键词 碳化硅 辐照 半导体材料
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硅基纳米SiC的制备及其微结构分析 被引量：7
20
作者 李宁生 鲍希茂 +3 位作者 廖良生 吴晓华 高义华 张泽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期731-733,共3页
在室温下将C+注入硅衬底，注入能量和剂量分别为50keV，2×1016cm－2．经高温退火形成，β-SiC颗粒沉淀．用傅里叶变换红外吸收谱，光电子能谱以及高分辨率透射电镜对注入样品中的纳米β-SiC及其微结构作了分析．
关键词 半导体 碳化硅 硅基纳米 微结构
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