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研磨和抛光参数对(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底表面质量的影响
1
作者 高飞 王英民 +3 位作者 程红娟 张嵩 董增印 辛倩 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期915-921,共7页
衬底的表面质量对卤化物气相外延(HVPE)法生长的同质外延薄膜的质量至关重要。研究了(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底研磨和抛光工艺中研磨盘材质、研磨压力、抛光垫种类等参数对材料去除速率(v_(R))、表面粗糙度(R_(a))和表面质量的影... 衬底的表面质量对卤化物气相外延(HVPE)法生长的同质外延薄膜的质量至关重要。研究了(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底研磨和抛光工艺中研磨盘材质、研磨压力、抛光垫种类等参数对材料去除速率(v_(R))、表面粗糙度(R_(a))和表面质量的影响。实验结果表明,采用树脂铜盘、树脂锡盘和SUBA800抛光垫配合3μm粒径的多晶金刚石液研磨,均可以实现塑性域去除,v_(R)分别为3.13、1.23、0.25μm/min,R_(a)分别为16.2、13.2和7.81 nm。在化学机械抛光(CMP)过程中,抛光垫的物性参数直接影响v_(R)和表面质量,采用阻尼布可以实现R_(a)小于0.2 nm、无亚表面损伤的原子级平整表面。采用此衬底进行HVPE法生长的同质外延薄膜形貌均匀,未发现加工相关的缺陷。 展开更多
关键词 (001)面β-Ga_(2)O_(3) 原子级平整 表面粗糙度 材料去除速率 化学机械抛光(CMP)
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纳米ZnO的制备及应用研究 被引量：1
2
作者 张家彬 邵伟平 +3 位作者 赵国阳 郝永平 王洪星 武韬 《光学与光电技术》 2025年第3期127-135,共9页
通过磁控溅射和水热法成功制备了高性能ZnO纳米棒,并通过SEM等表征手段对比分析了不同生长条件下的纳米棒形貌,研究了纳米ZnO的制备及其在纳米发电领域的应用。通过旋涂PMMA制备了纳米发电机,并采用控制变量法研究了尺寸和外界激励对发... 通过磁控溅射和水热法成功制备了高性能ZnO纳米棒,并通过SEM等表征手段对比分析了不同生长条件下的纳米棒形貌,研究了纳米ZnO的制备及其在纳米发电领域的应用。通过旋涂PMMA制备了纳米发电机,并采用控制变量法研究了尺寸和外界激励对发电机性能的影响。结果表明,水热法在95℃、30 mmoL/L浓度、4 h的条件下生长的纳米棒形貌最优。纳米发电机在更大的尺寸和更强的外界激励下表现出更高的输出性能。测试显示,该发电机在转台击打60 s后可将电容充至0.5 V,充电240 s后能够点亮最多4个LED小灯泡。研究证实氧化锌纳米发电机具备产电性能,有潜力作为自供电电源应用于小型器件。 展开更多
关键词 氧化锌 水热法 纳米棒阵列 能量收集 纳米发电机
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基于Pd修饰SnO_(2)的三乙胺气体传感器
3
作者 王振宇 丁海珍 +3 位作者 王渝鑫 郭子政 谭烁君 赵静 《半导体技术》 北大核心 2025年第11期1107-1113,共7页
采用溶剂热法和煅烧合成了金属有机框架(MOF)衍生Pd修饰的SnO_(2)复合材料,以此为基础制作了纯SnO_(2)和一系列Pd/SnO_(2)气体传感器。使用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜和X射线光电子能谱仪对样品进行表征,结果显示Pd的修饰使复... 采用溶剂热法和煅烧合成了金属有机框架(MOF)衍生Pd修饰的SnO_(2)复合材料,以此为基础制作了纯SnO_(2)和一系列Pd/SnO_(2)气体传感器。使用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜和X射线光电子能谱仪对样品进行表征,结果显示Pd的修饰使复合材料中氧空位含量有所增加,而复合材料的晶相结构及形貌未发生显著变化。气敏测试结果表明,Pd/SnO_(2)-0.2%传感器在160℃下对50×10^(-6)体积分数的三乙胺(TEA)的响应为700,并且可以快速响应(3s),同时具有良好的选择性和较低的检测限(1×10^(-6)),其优异的气敏性能归因于Pd的催化作用和溢出效应。本研究结果可为高性能TEA气体传感器研究提供参考。 展开更多
关键词 SnO_(2) Pd 溶剂热 三乙胺(TEA) 金属有机框架(MOF)
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基于VO_(2)(B)纳米带的超快响应柔性呼吸传感器
4
作者 龙开琳 刘风坤 +1 位作者 黄子林 郭喜涛 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期1006-1012,共7页
柔性呼吸监测技术在慢性阻塞性肺疾病和阻塞性睡眠呼吸暂停等疾病的早期诊断中展现出重要的临床应用潜力。提出了一种基于B相二氧化钒纳米带(VO_(2)(B)NB)的高灵敏度、超快响应的柔性呼吸传感器。通过水热法合成的VO_(2)(B)NB能在室温... 柔性呼吸监测技术在慢性阻塞性肺疾病和阻塞性睡眠呼吸暂停等疾病的早期诊断中展现出重要的临床应用潜力。提出了一种基于B相二氧化钒纳米带(VO_(2)(B)NB)的高灵敏度、超快响应的柔性呼吸传感器。通过水热法合成的VO_(2)(B)NB能在室温下检测相对湿度(RH)在26%~93%范围内的变化。通过将VO_(2)(B)NB与顶层金叉指电极及底层柔性聚酰亚胺(PI)基底结合,制备了基于VO_(2)(B)NB的柔性呼吸传感器。该传感器在呼气和吸气过程中表现出显著的电阻变化,其响应时间为0.32 s,恢复时间为0.41 s。循环实验结果表明,该传感器在跟踪不同呼吸频率的人体呼吸时具有优异的一致性和可重复性,适用于长期监测。该VO_(2)(B)NB呼吸传感器具有优异的传感性能与超快的响应速度,在预防睡眠呼吸暂停综合征的呼吸监测方面具有可行性。 展开更多
关键词 B相二氧化钒纳米带(VO_(2)(B)NB) 水热法 相对湿度 柔性呼吸传感器 睡眠呼吸暂停
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高品质四针状氧化锌晶须的结构及生长机理 被引量：44
5
作者 戴英 张跃 +2 位作者 方圆 黄秀颀 李杰 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期200-202,共3页
用锌粉氧化的方法，通过控制反应器内的气相过饱和度，合成出纯度高、晶体结构完 整、尺度可控的四针状氧化锌晶须（Ｔ－ＺｎＯ晶须）．制备的Ｔ－ＺｎＯ晶须为长尾晶须，针长为５～３０ μｍ，针体的根部尺寸为１～２μｍ，尾部约１０... 用锌粉氧化的方法，通过控制反应器内的气相过饱和度，合成出纯度高、晶体结构完 整、尺度可控的四针状氧化锌晶须（Ｔ－ＺｎＯ晶须）．制备的Ｔ－ＺｎＯ晶须为长尾晶须，针长为５～３０ μｍ，针体的根部尺寸为１～２μｍ，尾部约１００ｎｍ．晶须的生长机理为气－固（ＶＳ）机理．控制反应器 内的反应气相过饱和度是制备高品质Ｔ－ＺｎＯ晶须的关键因素． 展开更多
关键词 生长机理 氧化锌 四针状晶须 气-固机理 结构 半导体
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直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱 被引量：49
6
作者 叶志镇 陈汉鸿 +2 位作者 刘榕 张昊翔 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1015-1018,共4页
用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Z... 用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Zn O禁带宽度向长波方向移动 ,提高衬底温度有利于降低晶界应力和抑制深能级的绿光发射 . 展开更多
关键词 薄膜 直流磁控溅射 光致发光光谱 氧化锌 PL谱
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环境净化功能M/TiO_2纳米材料光催化活性的研究 被引量：44
7
作者 梁金生 金宗哲 +1 位作者 王静 王毅敏 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期601-604,共4页
用电子自旋共振（ＥＳＲ） 方法，研究（ 稀土元素，银）／ＴｉＯ２ 纳米光催化材料（Ｍ／ＴｉＯ２） 在紫外光照射前后羟基自由基（·ＯＨ） 信号强度的变化规律． 结果表明：在Ａｇ／ＴｉＯ２ 系材料中加入稀土元素后，不论紫外... 用电子自旋共振（ＥＳＲ） 方法，研究（ 稀土元素，银）／ＴｉＯ２ 纳米光催化材料（Ｍ／ＴｉＯ２） 在紫外光照射前后羟基自由基（·ＯＨ） 信号强度的变化规律． 结果表明：在Ａｇ／ＴｉＯ２ 系材料中加入稀土元素后，不论紫外光照射与否，羟基自由基信号均增强，光催化活性增加；材料（Ｍ／ＴｉＯ２） 经８００ ℃热处理后，羟基自由基信号减弱，光催化活性降低． 展开更多
关键词 光催化活性 环境净化 半导体 纳米材料 二氧化钛
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In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制 被引量：40
8
作者 陈猛 白雪冬 +1 位作者 黄荣芳 闻立时 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期394-399,共6页
基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格... 基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格膨胀来源于 Sn2 +对 In3-的替换 ,导电电子则由氧缺位提供 ;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于 Sn4 + 对 In3+ 的替换 ,导电电子则主要由 Sn4 + 取代 In3+ 后提供 .低温 ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力 ,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致 ,即由 Al3+ 对 Zn2 + 展开更多
关键词 导电薄膜 结构 导电机制 氧化锌 氧化铟
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氧化锌微晶的制备和形貌控制 被引量：29
9
作者 张军 孙聆东 +1 位作者 廖春生 严纯华 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第1期72-74,共3页
本文在溶液体系中合成了多种形貌的氧化锌(ZnO)微晶。所得花状、雪花状、棒状、多刺球状和棱柱状氧化锌微晶用粉末X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)进行了鉴定和表征,考察了反应条件如溶剂、温度及pH值对ZnO微粒尺寸和形貌的影响,初步探... 本文在溶液体系中合成了多种形貌的氧化锌(ZnO)微晶。所得花状、雪花状、棒状、多刺球状和棱柱状氧化锌微晶用粉末X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)进行了鉴定和表征,考察了反应条件如溶剂、温度及pH值对ZnO微粒尺寸和形貌的影响,初步探讨了不同形貌ZnO微粒的生长机理。该文对制备形貌可控的氧化物具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 氧化锌 制备 形貌控制 氧化物半导体 微晶 XRD SEM 表征
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溶胶-凝胶法制备WO_3-SiO_2材料的氨敏特性研究 被引量：27
10
作者 王旭升 张良莹 +4 位作者 姚熹 岛之江宪刚 酒井刚 三浦则雄 山添升 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期276-280,共5页
采用溶胶－凝胶法制备了ＷＯ３＋ｘｗｔ％ＳｉＯ２（ｘ＝０，５，１０，２０）粉体材料。对其结构、形貌进行了ＸＲＤ、ＡＦＭ、ＸＰＳ和比表面积测量、分析，结果表明：获得了单斜晶系结构的ＷＯ３多晶材料；晶粒尺寸随ＳｉＯ２含量的... 采用溶胶－凝胶法制备了ＷＯ３＋ｘｗｔ％ＳｉＯ２（ｘ＝０，５，１０，２０）粉体材料。对其结构、形貌进行了ＸＲＤ、ＡＦＭ、ＸＰＳ和比表面积测量、分析，结果表明：获得了单斜晶系结构的ＷＯ３多晶材料；晶粒尺寸随ＳｉＯ２含量的增加而减小。测量了材料的ＮＨ３气敏特性，得到敏感元件的电阻和灵敏度随ＳｉＯ２含量的增加而增加；溶胶－凝胶法制备的ＷＯ３＋５ｗｔ％ＳｉＯ２粉料用于ＮＨ３测量具有优良的特性，在３５０℃及以上应用优于纯ＷＯ３材料。 展开更多
关键词 半导体 气敏材料 溶胶-凝胶法 三氧化钨 二氧化硅
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拓展作用光范围的纳米TiO_(2-X)N_X制备和表征 被引量：16
11
作者 谢晓峰 陆文璐 +2 位作者 张剑平 方建慧 施利毅 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期212-215,共4页
以廉价的工业偏钛酸为原料 ,采用特殊的酸解工艺制得纳米级水合二氧化钛粉体 ,再利用高温管式炉对前驱体 -TiO2 ·nH2 O进行掺氮 ,制得纳米TiO2 -XNX 粉体 ,研究了不同掺氮气体和反应工艺对TiO2 -XNX 粉体吸光特性、形态结构的影响... 以廉价的工业偏钛酸为原料 ,采用特殊的酸解工艺制得纳米级水合二氧化钛粉体 ,再利用高温管式炉对前驱体 -TiO2 ·nH2 O进行掺氮 ,制得纳米TiO2 -XNX 粉体 ,研究了不同掺氮气体和反应工艺对TiO2 -XNX 粉体吸光特性、形态结构的影响。结果表明水合TiO2 粉体与氨气在 6 0 0℃下反应 5h ,制得的粉体为锐钛矿型结构 ,粒径约为 2 0nm ,光吸收阀值由 387nm红移至 5 2 0nm左右。 展开更多
关键词 纳米TiO2-xNx 制备工艺 偏钛酸 二氧化钛 光吸收效率 热稳定性 结构表征 半导体材料
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工作气压对磁控溅射ZAO薄膜性能的影响 被引量：21
12
作者 付恩刚 庄大明 +2 位作者 张弓 杨伟方 赵明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期543-545,共3页
　工作气压在ZnO∶Al(ZAO)薄膜制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(ZnO与Al2O3的质量比为98∶2)陶瓷靶材,在基体温度为250℃,工作气压范围为0.2～8.0Pa条件下,制备了ZAO... 　工作气压在ZnO∶Al(ZAO)薄膜制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(ZnO与Al2O3的质量比为98∶2)陶瓷靶材,在基体温度为250℃,工作气压范围为0.2～8.0Pa条件下,制备了ZAO薄膜。利用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了分析和观察,利用分光光度计和霍尔测试仪测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的工作气压(氩气压力PAr)对薄膜的结构、形貌、光学性能和电学性能的影响。结果表明:随着工作气压的增加,薄膜的电阻率先略有下降然后上升,相应地,载流子浓度和迁移率先略有上升然后下降,而可见光谱平均透过率保持在80%以上。当基体温度为250℃,氩气压力为0.8Pa时,薄膜的电阻率最低,为4.6×10-4Ω·cm,方块电阻为32Ω时,在范围为490～600nm的可见光谱内的平均透过率可达90.0%。 展开更多
关键词 ZAO薄膜 性能 磁控溅射 工作气压 工艺参数 电阻率 透过率
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制备条件对固相反应法制取YAG多晶体透光性的影响 被引量：15
13
作者 王介强 陶珍东 +2 位作者 郑少华 郝哲 孙旭东 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期432-436,共5页
YAG(钇铝石榴石)多晶体在不同制备条件下,对固相反应过程中的物相变化、YAG烧结体透明程度、密度和显微组织进行了观测和分析。结果表明:Y3+的扩散速率是决定固相反应进程的主要因素,将高活性的Y2O3纳米微粒与Al2O3粉均匀混合,可促进固... YAG(钇铝石榴石)多晶体在不同制备条件下,对固相反应过程中的物相变化、YAG烧结体透明程度、密度和显微组织进行了观测和分析。结果表明:Y3+的扩散速率是决定固相反应进程的主要因素,将高活性的Y2O3纳米微粒与Al2O3粉均匀混合,可促进固相反应的完成,使获得YAG透明体的烧结温度降低100～200℃,保温时间也显著缩短;气孔和晶界对光的反射和散射是YAG多晶体透光性降低的主要原因,采用真空烧结可提高YAG烧结体的密度,改善晶体结构的均匀度,有利于提高YAG多晶体的透光性。 展开更多
关键词 钇铝石榴石多晶体 固相反应 制备条件 透光性 烧结
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高迁移率透明导电In_2O_3:Mo薄膜 被引量：11
14
作者 李喜峰 缪维娜 +3 位作者 张群 黄丽 章壮健 华中一 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期142-145,149,共5页
用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的... 用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%。X ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性。分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制。 展开更多
关键词 IN2O3 载流子迁移率 直流磁控溅射法 Mo 透明导电薄膜 掺钼氧化铟 结构和性能 IMO 基板温度 低电阻率 玻璃基底 可见光区 氧分压 透射率 结晶性 cm 散射
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ZnO薄膜的光致发光 被引量：16
15
作者 马勇 王万录 +2 位作者 廖克俊 吕建伟 孙晓楠 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期139-141,144,共4页
　ZnO薄膜是近年发展起来的发光材料,是当前研究的热门课题。关于ZnO薄膜光致发光近几年来有许多报道和新的发光峰发现。本文对在各种制备方法、制备条件和激发条件下得到的ZnO薄膜的光致发光谱和相应机理进行了综述。提出了关于需进一... 　ZnO薄膜是近年发展起来的发光材料,是当前研究的热门课题。关于ZnO薄膜光致发光近几年来有许多报道和新的发光峰发现。本文对在各种制备方法、制备条件和激发条件下得到的ZnO薄膜的光致发光谱和相应机理进行了综述。提出了关于需进一步研究的问题。 展开更多
关键词 光致发光 温度 激发强度 氧化锌薄膜 化合物半导体
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ZnO粉体的制备及在光催化法处理造纸废水中的应用 被引量：17
16
作者 朱亦仁 解恒参 +1 位作者 姚坚 戴桂元 《南京工业大学学报（自然科学版）》 CAS 2005年第3期21-25,共5页
以ZnO粉体作为光催化剂,对经预处理的造纸废水采用光催化氧化方法进行了实验研究,讨论了光催化氧化法的反应机理及废水的pH值、H2O2的投入量、光催化剂的投入量、光照时间各因素对CODCr去除率的影响,从而得到适宜的反应条件。实验结果表... 以ZnO粉体作为光催化剂,对经预处理的造纸废水采用光催化氧化方法进行了实验研究,讨论了光催化氧化法的反应机理及废水的pH值、H2O2的投入量、光催化剂的投入量、光照时间各因素对CODCr去除率的影响,从而得到适宜的反应条件。实验结果表明:ZnO粉体投入量为0.4000g/L,H2O2的投入量为235.3mmol/L,pH=4.00时,利用500W汞灯光照7h,废水的CODCr去除率为98.8%,出水CODCr为20mg/L。 展开更多
关键词 ZnO 造纸废水 光催化法 粉体 CODCR去除率 应用 制备 光催化氧化法 光催化剂 H2O2 投入量 实验研究 氧化方法 反应机理 光照时间 反应条件 N235 预处理 pH值 出水
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用PLD法制备声表面波器件用ZnO薄膜 被引量：19
17
作者 刘彦松 王连卫 +2 位作者 李伟群 黄继颇 林成鲁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期78-79,90,共3页
采用脉冲激光淀积 (PLD)法在单晶Si(10 0 )衬底上淀积了ZnO薄膜。XRD、TEM和AFM分析表明 ,淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度。通过改变淀积气氛或在纯氧中高温退火 ,ZnO薄膜的电阻率提高到 10 7Ω·cm。这些结果表明 ,... 采用脉冲激光淀积 (PLD)法在单晶Si(10 0 )衬底上淀积了ZnO薄膜。XRD、TEM和AFM分析表明 ,淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度。通过改变淀积气氛或在纯氧中高温退火 ,ZnO薄膜的电阻率提高到 10 7Ω·cm。这些结果表明 ,用PLD法淀积的ZnO薄膜能够满足声表面波(SAW )器件的需要。 展开更多
关键词 脉冲激光淀积 压电性 声表面波器件 氧化锌薄膜
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溶胶—凝胶法制备纳米级SnO_2 被引量：47
18
作者 潘庆谊 董晓雯 +1 位作者 张剑平 何丽芬 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期494-498,共5页
本文以无机试剂为原料，采用溶胶—凝胶法制备了纳米级SnO2.以TG－DTA热分析、红外光谱及XRD、TEM等测试手段对纳米级SnO2的晶粒生长过程进行了研究．结果表明，当热处理温度＜500℃时，晶粒生长缓慢，在600℃热处理2h，能得到晶粒尺寸... 本文以无机试剂为原料，采用溶胶—凝胶法制备了纳米级SnO2.以TG－DTA热分析、红外光谱及XRD、TEM等测试手段对纳米级SnO2的晶粒生长过程进行了研究．结果表明，当热处理温度＜500℃时，晶粒生长缓慢，在600℃热处理2h，能得到晶粒尺寸在十几纳米的SnO2颗粒．而600℃以上的热处理，有可能使晶粒迅速粗大．应用相变理论计算得温度＜500℃热处理2h时，晶粒生长活化能为7．02kJ·mol-1，＞500℃时，晶粒生长活化能为26．55kJ·mol-1. 展开更多
关键词 氧化锡 纳米级 溶胶凝胶法 半导体材料
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半导体TiO_2光催化剂及其有机光敏化研究进展 被引量：26
19
作者 唐培松 王民权 +1 位作者 王智宇 洪樟连 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第10期33-36,共4页
半导体TiO_2光催化研究是当今化学、材料和环境科学等学科研究的一个热点领域。比较评述了通过掺杂改性、结构修饰和有机光敏化拓宽TiO_2可见光波长响应范围和提高光催化量子效率等的研究进展、面临的主要问题和发展趋势。
关键词 半导体TiO2光催化剂 有机光敏化 二氧化钛 量子效率
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铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化研究 被引量：15
20
作者 张树高 扈百直 +2 位作者 吴义成 方勋华 黄伯云 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-384,共2页
用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物（ＩＴＯ）复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套，采用铜箔作隔层。实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ＩＴＯ陶瓷靶材致密化的... 用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物（ＩＴＯ）复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套，采用铜箔作隔层。实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ＩＴＯ陶瓷靶材致密化的影响。实验结果表明：靶材的相对密度在大约 １０００℃处有一峰值；相对密度随压力增加而增加；当保温温度较低时，适当延长保温时间有利于提高密度；当保温温度较高时，延长保温时间反而使密度降低。分析了 ＩＴＯ在高温下的分解行为以及这种行为对致密化的作用。还分析了 ＩＴＯ复合粉末部分脱氧使ＩＴＯ陶瓷半导化的机理。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 陶瓷靶材 热等静压 致密化
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