杂质对碘化铊结构相变机理的影响 被引量：1

1

作者 陈福泉 林樽达 周雄博 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1992年第2期114-119,共6页

本文通过 X 光结构分析、化学分析研究了熔体生长的 TII 晶体中杂质对其结构相变的影响。结果表明:TIBr、CsI 和 PbI_2、SnI_2杂质分别以取代固溶体和键合成新化合物的方式进入碘化铊晶体之中,从而影响 TlI 晶体的结构相变。离子性较强... 本文通过 X 光结构分析、化学分析研究了熔体生长的 TII 晶体中杂质对其结构相变的影响。结果表明:TIBr、CsI 和 PbI_2、SnI_2杂质分别以取代固溶体和键合成新化合物的方式进入碘化铊晶体之中,从而影响 TlI 晶体的结构相变。离子性较强的 TlBr 和 CsI 杂质使 TlI 的立方相不发生相变,生成室温下稳定的固溶体晶体;共价性较强的 PbI_2、SnI_2杂质和 TlI 形成类似于正交相 TII的固液同成份化合物 TlPbI_3、TlSnI_3。 展开更多

关键词 光学晶体 结构相变 杂质 碘化铵

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GaAs／GaAlAs透射阴极量子效率相关参量分析

2

作者 赵红 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 1996年第4期413-417,共5页

从半导体电子发射的三阶模型和扩散方程出发，讨论了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射式ＮＥＡ光阴极量子效率与几种在工艺上重要的参量如电子扩散长度、阴极厚度、后界面复合速度等的关系．特别地，从工艺需求的角度出发，探讨了这种阴极在... 从半导体电子发射的三阶模型和扩散方程出发，讨论了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射式ＮＥＡ光阴极量子效率与几种在工艺上重要的参量如电子扩散长度、阴极厚度、后界面复合速度等的关系．特别地，从工艺需求的角度出发，探讨了这种阴极在前照明和后照明的情况下，两者量子效率之间的关系．这为在工艺状态下利用阴极的反射光灵敏度，对其透射光灵敏度进行原位估计，提供了一定的理论依据． 展开更多

关键词 透射式 光阴极 量子效率 砷化镓 半导体 GAALAS

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Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结系统的施主能级 被引量：5

3

作者 宫箭 班士良 《内蒙古大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2000年第5期482-486,共5页

对单异质结界面系统 ,引入三角近似异质结势 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量 .对 Zn1-x Cdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能做了数值计算 ,给出结合能随杂质位置、电子面密度和

关键词 异质结 结合能 硒化锌 施主杂质 锌镉硒化合物

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热壁外延（HWE）制备PbTe／PbSnTe异质结和超晶格 被引量：1

4

作者 杨玉琨 李文明 +6 位作者 熊欣 于磊 于泳 杨易 吴连民 徐跃 徐立兴 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1996年第3期26-30,共5页

本文于国内首次报导，利用简化的热壁外延（ＨＷＥ）装置在ＢａＦ＿２（１１１）衬底上生长了Ⅳ—Ⅵ族半导体单晶外延层，制备了ＰｂＴｅ／ＰｂＳｎＴｅ异质结和具有２０个周期的超晶格．测试结果表明，所制备的外延层的晶体结构完美，... 本文于国内首次报导，利用简化的热壁外延（ＨＷＥ）装置在ＢａＦ＿２（１１１）衬底上生长了Ⅳ—Ⅵ族半导体单晶外延层，制备了ＰｂＴｅ／ＰｂＳｎＴｅ异质结和具有２０个周期的超晶格．测试结果表明，所制备的外延层的晶体结构完美，异质结具有良好的整流特性．通过Ｘ—光衍射求出了超晶格的周期．超晶格样品（２２２）衍射峰的卫星峰不对称，说明样品内有应变． 展开更多

关键词 热壁外延 异质结 超晶格 碲化铅 铅锡碲化合物

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InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质

5

作者 何国敏 郑永梅 +1 位作者 王仁智 刘宝林 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期169-174,共6页

采用有效质量理论 6带模型 ,研究量子结构变化对 In0 .53 Ga0 .4 7As/In P量子阱和量子线光学性质的影响 .计算结果表明量子线结构可以在更低的注入电子浓度下 ,得到更高的光学增益 ,而且具有光学各向异性 .说明量子线结构比量子阱结构... 采用有效质量理论 6带模型 ,研究量子结构变化对 In0 .53 Ga0 .4 7As/In P量子阱和量子线光学性质的影响 .计算结果表明量子线结构可以在更低的注入电子浓度下 ,得到更高的光学增益 ,而且具有光学各向异性 .说明量子线结构比量子阱结构提高了量子激光器光学性能 . 展开更多

关键词 量子阱 量子线 INGAAS INP 半导体 光学性质

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InAs-SiO_2的电学特性研究

6

作者 冯声祖 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 2000年第2期52-55,共4页

通过测定一系列镶嵌薄膜样品的电学特性 ,发现其电阻具有VRH电导特性 ,认为主要是由于薄膜中的半导体受到三维强限域作用导致局域态的波函数交叠引起的。

关键词 波函数 变程跳跃 砷化铟 二氧化硅 电学特性

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GaAs-SiO_2复合薄膜的非线性光学特性

7

作者 欧阳艳东 石旺舟 《汕头大学学报（自然科学版）》 1998年第1期8-12,共5页

采用单光束Z扫描技术测量了GaAs－SiO2复合薄膜的光吸收和光折射特性，结果表明：在104W／cm2的辐射光强作用下，复合薄膜的光吸收和光折射表现出明显的非线性特征．根据Z扫描测量理论算得三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为... 采用单光束Z扫描技术测量了GaAs－SiO2复合薄膜的光吸收和光折射特性，结果表明：在104W／cm2的辐射光强作用下，复合薄膜的光吸收和光折射表现出明显的非线性特征．根据Z扫描测量理论算得三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-6cm2／W；和10-1cm／W量级．运用量子点模型对三阶光学非线性响应增强的机制进行了讨论． 展开更多

关键词 复合薄膜 非线性光学特性 砷化镓 二氧化硅

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Y－78°X－90°LiNbO_3基片温度特性的理论研究

8

作者 邓明晰 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1995年第2期32-35,共4页

给出了Ｙ－７８°Ｘ－９０°ＬｉＮｂＯ＿３基片温度特性的一些研究结果，在材料温度系数只取到一阶时，随着温度的增大，自由化和金属化表面的声表面波速度线性减小，而ＴＣＤ值线性增大，且与实测值相一致。

关键词 基片 温度特性 三氧化锂铌

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AlGaAs/GaAs超晶格价带的自旋劈裂

9

作者 田园 张宝林 +1 位作者 彭宇恒 陈维友 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1997年第3期49-52,共4页

对由Al_yGa_(1－y_As，Al_xGa_(1-x)As和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究．通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自族向上和自族向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空... 对由Al_yGa_(1－y_As，Al_xGa_(1-x)As和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究．通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自族向上和自族向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方． 展开更多

关键词 能带结构 超晶格 自旋劈裂 砷化镓 铝镓砷化合物

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IV—IV族宽禁带化合物半导体SiC的研究现状及其应用

10

作者 黄延荣 《电子材料（机电部）》 1991年第10期11-20,共10页

关键词 化合物半导体 晶体 性能 SIC

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GaN锥体的光学性质

11

作者 徐永宽 《电子材料快报》 2000年第2期2-2,共1页

关键词 氮化镓 锥体 光学性质

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Ga N,Al N和 BN(110 )表面反常弛豫的电子结构计算

12

作者 贾瑜 顾华伟 +4 位作者 李新建 姚乾凯 魏英耐 马丙现 胡行 《郑州大学学报（自然科学版）》 2000年第1期42-47,共6页

在紧束缚模型框架下采用形式散射理论方法计算了具有闪锌矿结构的化合物半导体 Ga N,Al N和 BN(110 )反常弛豫表面的表面电子结构 ,讨论了表面弛豫对表面电子结构的影响 ,并将结果同 Ga As(110 )表面的表面电子结构作了比较 .

关键词 氮化镓 反常驰豫 表面电子结构 氮化铝 氮化硼

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化合物半导体中离子射程参数与化学键中离子特性间关系研究

13

作者 王德宁 王渭源 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期923-930,共8页

本文基于分子轨道法线性组合理论,推导出不同原子组成的分子的久期方程,从而得出分子波函数线性组合的特征常数N和λ的定量关系式,以及成键合能量和反键合能量的方程式.并通过这两能量之差,使N,λ系数与晶体对称势V共价所产生的平均能隙... 本文基于分子轨道法线性组合理论,推导出不同原子组成的分子的久期方程,从而得出分子波函数线性组合的特征常数N和λ的定量关系式,以及成键合能量和反键合能量的方程式.并通过这两能量之差,使N,λ系数与晶体对称势V共价所产生的平均能隙Eb,反对称蛰V离子所产生的能隙C和其总能隙Eg等相联系起来,导出了λ与分数光谱离子性fi和C/Ek比值间的关系式.由λ,N 可导出fi与化合物半导体中离子射程参数间的关系式. 应用上述一些关系式结合闪锌矿和纤锌矿结构特性,可以很好地解释两种结构的偏离系数γ(即化合物半导体中实际电子阻止本领对Bragg电子阻止本领的偏离系数)间互成倒数和压电系数e_(pol)的符号相反的原因.因此从C/Eh,γ,e_(pol),对fi三曲线转折点完全一致,可以清晰地看出半导体化合物的价键和晶体结构特性决定了它的一系列物理、化学特性. 展开更多

关键词 化合物半导体 离子射程参数 化学键

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化合物半导体的固态杂质源激光诱导扩散的研究

14

作者 叶玉堂 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 1997年第A10期48-48,51,共2页

1.研究内容本项目研究了以GaAs为衬底的固态杂质源激光诱导扩散。①半导体基片上微小高温区(即激光诱导扩散中的曝光区,直径10μm量级)温度的不接触实时测量。②激光诱导扩散装置的研制及扩散工艺的研究。扩散用的材料是进口含Zn的SiO_... 1.研究内容本项目研究了以GaAs为衬底的固态杂质源激光诱导扩散。①半导体基片上微小高温区(即激光诱导扩散中的曝光区,直径10μm量级)温度的不接触实时测量。②激光诱导扩散装置的研制及扩散工艺的研究。扩散用的材料是进口含Zn的SiO_2乳胶液。扩散前先用它在N型GaAs衬底的表面制成胶膜。在激光诱导扩散中,此胶膜起双重作用:一是为高蒸气压的As原子提供一层密封膜,以阻止GaAs衬底的分解;二是作为掺入GaAs的Zn原子的源(所谓'固态杂质源')。用光功率密度合适的激光束照射制备好含Zn的SiO_2胶膜的样品,在激光辐照区就会产生Zn向GaAs衬底的扩散。 展开更多

关键词 化合物半导体 固态杂质源 激光诱导扩散

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还原气氛下金属－半导体催化体系Pt／MoO_3和Pt／Co_3O_4中电荷和物种传递特性的研究 被引量：2

15

作者 王军 李文钊 +1 位作者 张盈珍 于春英 《分子催化》 CSCD 1996年第4期275-280,共6页

利用程序升温电导法（ＴＰＥＣ）和程序升温还原法（ＴＰＲ），研究比较了还原气氛下Ｐｔ／ＭｏＯ_３和Ｐｔ／Ｃｏ_３Ｏ_４体系中不同类型的半导体氧化物和吸附氢之间电荷和物种交换的规律．发现微量Ｐｔ通过吸附解离Ｈ_２成为原子氢，... 利用程序升温电导法（ＴＰＥＣ）和程序升温还原法（ＴＰＲ），研究比较了还原气氛下Ｐｔ／ＭｏＯ_３和Ｐｔ／Ｃｏ_３Ｏ_４体系中不同类型的半导体氧化物和吸附氢之间电荷和物种交换的规律．发现微量Ｐｔ通过吸附解离Ｈ_２成为原子氢，在较低温度下大大加快ｎ型半导体氧化物ＭｏＯ_３和氢之间电子传递速度，显著地降低ＭｏＯ_３的还原温度，但在同样条件下却不能有效地活跃ｐ型半导体氧化物Ｃｏ_３Ｏ_４和氢之间的电子传递，因而不能明显地促进Ｃｏ_３Ｏ_４的还原．导致此现象的原因，可能与不同类型的半导体导电机构不同而引起的对氢的敏感程度不同有密切关系． 展开更多

关键词 还原 半导体 催化 电荷 铂 氧化锰 氧化钴

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Al_xGa_(1-x)As中3d过渡金属杂质深能级

16

作者 顾一鸣 汪克林 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期259-262,共4页

由于Al_xGa_(1-x)As半导体合金在光电子学中得到重要的应用,故它的各种物理性质引起人们广泛的兴趣,其中包括各种深浅杂质的电子结构。但是,相对而言,人们对Al_xGa_(1-x)As中3d过渡金属杂质电子态了解还很不够,对不少3d杂质实验研究还... 由于Al_xGa_(1-x)As半导体合金在光电子学中得到重要的应用,故它的各种物理性质引起人们广泛的兴趣,其中包括各种深浅杂质的电子结构。但是,相对而言,人们对Al_xGa_(1-x)As中3d过渡金属杂质电子态了解还很不够,对不少3d杂质实验研究还很缺乏,尤其是由于3d杂质复杂的多电子特性,迄今还没有见到关于Al_xGa_(1-x)As中3d杂质深能级的详细理论研究。另外。 展开更多

关键词 化合物半导体 3d杂质 深能级

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GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构量子受限Stark效应的实验研究

17

作者 马建伟 陈正豪 +1 位作者 崔大复 杨国桢 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期265-268,共4页

半导体量子阱超晶格作为一种新型的人工剪裁结构受到人们的普遍重视.该结构的特点之一就是可以利用在外电场调制作用下光学性质的变化来实现其在光电子学方面的应用,量子受限Stark效应(Quantum confined stark effect,简称QCSE)就是一... 半导体量子阱超晶格作为一种新型的人工剪裁结构受到人们的普遍重视.该结构的特点之一就是可以利用在外电场调制作用下光学性质的变化来实现其在光电子学方面的应用,量子受限Stark效应(Quantum confined stark effect,简称QCSE)就是一个例子,它是指在外加垂直电场的作用下,跃迁能级能量的变化,这种能量的变化称为Stark位移.其不仅存在于半导体量子阱的带间跃迁中,同时也存在于子带间跃迁中.在包络函数近似下,利用求解一维Schr(?)dinger方程,研究了GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构中的Stark位移,通过微扰理论计算指出在一定的结构设计下,Stark位移量可以达到方形量子阱结构的两倍.根据理论计算,考虑到生长条件的具体限制,在半绝缘GaAs衬底上外延生长了样品.1μm GaAs缓冲层之上是50 nm的AlAs剥离层,然后是300 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As层,接下来为50周期的阶梯量子阱结构.每个结构单元由 2 nm的 GaAs,8 nm的Al_(0.15)Ga_(0.85)As和4 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As构成.在阶梯量子阱结构之后是200 nm的 Al_(0.3)Ga_(0.7) 展开更多

关键词 STARK效应 量子阱结构 半导体 砷化镓 ALGAAS

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